一种半导体的清洗方法与流程

本发明涉及半导体清洗，尤其涉及一种半导体的清洗方法。

背景技术：

1、目前，在半导体晶圆的制造加工过程中，其表面通常粘有胶和蜡等污染物，因此需要对半导体表面进行清洗处理。

2、但是，在采用传统方法对半导体晶圆进行清洗时，多是将其放在夹具中，连同夹具一起进行清洗，而夹具边缘的夹子对半导体晶圆的阻挡，将会导致半导体晶圆的边缘往往无法清洗到，或是由于清洗液的滞留而形成二次污染。

技术实现思路

1、本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体的清洗方法，能够解决半导体边缘由于夹具的阻挡导致无法清洗的问题，并解决由于清洗液的滞留而形成二次污染的问题，使得半导体本身充分暴露在清洗液中，清洗得更加充分。

2、为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体的清洗方法，包括：

3、将待清洗的半导体粘接在预设的uv胶带上；

4、通过紫外光对粘接有所述半导体的所述uv胶带进行第一次照射；

5、通过滚轮滚动挤出所述半导体与所述uv胶带之间的气泡；

6、将所述uv胶带放置在去离子水中，以第一预设方向和第二预设方向分别对所述半导体的表面进行刷洗；

7、将刷洗后的所述uv胶带放置在焗炉中进行烘干处理；

8、通过所述紫外光对烘干后的所述uv胶带进行第二次照射，使得所述半导体与所述uv胶带分离。

9、进一步地，所述预设的uv胶带的粘度为22n/in～24n/in，厚度为20μm～25μm。

10、进一步地，第一次照射时间为30s，第一次照射后的所述uv胶带的粘度为15n/in～16n/in。

11、进一步地，所述第一预设方向的刷洗时间为25min，所述第二预设方向的刷洗时间为25min。

12、进一步地，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直。

13、进一步地，烘干温度为100℃～120℃，烘干时间为25min。

14、进一步地，第二次照射时间为5min，第二次照射后的所述uv胶带的粘度为0.05n/in～0.06n/in。

15、进一步地，所述紫外光的能量为4000mj/cm2～4500mj/cm2。

16、与现有技术相比，本发明实施例提供了一种半导体的清洗方法，首先，将待清洗的半导体粘接在预设的uv胶带上，通过紫外光对粘接有半导体的uv胶带进行第一次照射，并通过滚轮滚动挤出半导体与uv胶带之间的气泡；接着，将uv胶带放置在去离子水中，以第一预设方向和第二预设方向分别对半导体的表面进行刷洗，并将刷洗后的uv胶带放置在焗炉中进行烘干处理；最后，通过紫外光对烘干后的uv胶带进行第二次照射，使得半导体与uv胶带分离；通过使用uv胶带粘接的方式对半导体进行清洗，能够解决半导体边缘由于夹具的阻挡导致无法清洗的问题，并解决由于清洗液的滞留而形成二次污染的问题，使得半导体本身充分暴露在清洗液中，清洗得更加充分。

技术特征：

1.一种半导体的清洗方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，所述预设的uv胶带的粘度为22n/in～24n/in，厚度为20μm～25μm。

3.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，第一次照射时间为30s，第一次照射后的所述uv胶带的粘度为15n/in～16n/in。

4.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，所述第一预设方向的刷洗时间为25min，所述第二预设方向的刷洗时间为25min。

5.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，所述第一预设方向与所述第二预设方向垂直。

6.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，烘干温度为100℃～120℃，烘干时间为25min。

7.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，第二次照射时间为5min，第二次照射后的所述uv胶带的粘度为0.05n/in～0.06n/in。

8.如权利要求1所述的半导体的清洗方法，其特征在于，所述紫外光的能量为4000mj/cm2～4500mj/cm2。

技术总结
本发明公开了一种半导体的清洗方法，包括：将待清洗的半导体粘接在预设的UV胶带上；通过紫外光对粘接有所述半导体的所述UV胶带进行第一次照射；通过滚轮滚动挤出所述半导体与所述UV胶带之间的气泡；将所述UV胶带放置在去离子水中，以第一预设方向和第二预设方向分别对所述半导体的表面进行刷洗；将刷洗后的所述UV胶带放置在焗炉中进行烘干处理；通过所述紫外光对烘干后的所述UV胶带进行第二次照射，使得所述半导体与所述UV胶带分离。采用本发明的技术方案能够解决半导体边缘由于夹具的阻挡导致无法清洗的问题，并解决由于清洗液的滞留而形成二次污染的问题，使得半导体本身充分暴露在清洗液中，清洗得更加充分。

技术研发人员：万知武
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13