技术特征：
1.一种发光器件，其特征在于，包括发光层，所述发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料形成非激基复合物，所述客体材料掺杂在所述非激基复合物中；所述空穴型主体材料的荧光发射峰小于所述电子型主体材料的荧光发射峰，所述电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于所述非激基复合物的荧光发射峰。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子型主体材料包括热激活延迟荧光材料。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述热激活延迟荧光材料包括吲哚咔唑类衍生物，所述吲哚咔唑类衍生物的通式为：其中，ar1为给电子基团，ar2为吸电子基团；r1、r2分别为烷基、环烷基、c6
‑
24芳环中的任一种。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述吸电子基团和所述苯基所在平面，与所述吲哚咔唑所在平面之间的扭转角为θ；其中，30
°
＜θ＜90
°
。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述吸电子基团包括含氮杂芳环。6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述含氮杂芳环包括吡啶、嘧啶、均三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉中的任一种。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述给电子基团包括苯基、联苯、三亚苯、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任一种。8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子型主体材料包括含氮杂环类化合物或者含氰基芳杂环化合物。9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子型主体材料的化学结构式包括：
中的任一种。10.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述空穴型主体材料包括咔唑类衍生物。11.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子型主体材料的玻璃态转化温度和所述空穴型主体材料的玻璃态转化温度均大于第一预设值；所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料的沉积温度的差值的绝对值小于或等于第二预设值。12.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括阴极和阳极，所述阳极和所述阴极分置于所述发光层中相对的两侧；所述发光器件还包括：电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极和所述发光层之间。13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1
‑
12任一项所述的发光器件。
技术总结
本发明提供了一种发光器件、显示装置，涉及显示技术领域，该发光器件可以形成非激基复合物，从而有效提高显示装置的发光效率和寿命。该发光器件包括：发光层，所述发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料形成非激基复合物，所述客体材料掺杂在所述非激基复合物中；所述空穴型主体材料的荧光发射峰小于所述电子型主体材料的荧光发射峰，所述电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于所述非激基复合物的荧光发射峰。基复合物的荧光发射峰。基复合物的荧光发射峰。
技术研发人员：邱丽霞
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.08.30
技术公布日：2021/11/30