一种发光器件、显示装置的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件、显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置中，发光器件的性能会直接影响oled显示装置的性能。其中，发光器件的性能主要取决于发光材料和发光器件的结构。
3.随着发光材料的快速发展，发光器件的性能有所改善。但是，目前的发光材料无法进一步提高发光器件的性能，导致无法满足产品的需求。


技术实现要素：

4.本发明的实施例提供一种发光器件、显示装置，该发光器件可以形成非激基复合物，从而有效提高显示装置的发光效率和寿命。
5.为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
6.一方面，提供了一种发光器件、显示装置，该发光器件包括：发光层，所述发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料形成非激基复合物，所述客体材料掺杂在所述非激基复合物中；
7.所述空穴型主体材料的荧光发射峰小于所述电子型主体材料的荧光发射峰，所述电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于所述非激基复合物的荧光发射峰。
8.可选的，所述电子型主体材料包括热激活延迟荧光材料。
9.可选的，所述热激活延迟荧光材料包括吲哚咔唑类衍生物，所述吲哚咔唑类衍生物的通式为：
[0010][0011]
其中，ar1为给电子基团，ar2为吸电子基团；r1、r2分别为烷基、环烷基、c6
‑
24芳环中的任一种。
[0012]
可选的，所述吸电子基团和所述苯基所在平面，与所述吲哚咔唑所在平面之间的扭转角为θ；其中，30
°
＜θ＜90
°
。
[0013]
可选的，所述吸电子基团包括含氮杂芳环。
[0014]
可选的，所述含氮杂芳环包括吡啶、嘧啶、均三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉中的任一
种。
[0015]
可选的，所述给电子基团包括苯基、联苯、三亚苯、菲、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑中的任一种。
[0016]
可选的，所述电子型主体材料包括含氮杂环类化合物或者含氰基芳杂环化合物。
[0017]
可选的，所述电子型主体材料的化学结构式包括：
[0018]
中的任一种。
[0019]
可选的，所述空穴型主体材料包括咔唑类衍生物。
[0020]
可选的，所述电子型主体材料的玻璃态转化温度和所述空穴型主体材料的玻璃态转化温度均大于第一预设值；
[0021]
所述电子型主体材料和所述空穴型主体材料的沉积温度的差值的绝对值小于或
等于第二预设值。
[0022]
可选的，所述发光器件还包括阴极和阳极，所述阳极和所述阴极分置于所述发光层中相对的两侧；
[0023]
所述发光器件还包括：电子阻挡层和空穴阻挡层，所述电子阻挡层位于所述阳极和所述发光层之间，所述空穴阻挡层位于所述阴极和所述发光层之间。
[0024]
另一方面，提供了一种显示装置，包括上述发光器件。
[0025]
本发明的实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括发光层，发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，电子型主体材料和空穴型主体材料形成非激基复合物，客体材料掺杂在非激基复合物中；空穴型主体材料的荧光发射峰小于电子型主体材料的荧光发射峰，电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于非激基复合物的荧光发射峰。这样不仅可以平衡发光器件的载流子浓度，而且能够进一步提高发光器件的发光效率和寿命，从而进一步提高显示装置的发光效率和寿命。
[0026]
上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。
附图说明
[0027]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]
图1为相关技术提供的一种荧光发射光谱图；
[0029]
图2为本发明实施例提供的一种荧光发射光谱图；
[0030]
图3为本发明实施例提供的电子型主体材料的分子长轴示意图；
[0031]
图4为本发明实施例提供的一种摩尔消光系数曲线图；
[0032]
图5为相关技术提供的一种摩尔消光系数曲线图；
[0033]
图6为本发明实施例提供的一种homo与lumo电子云示意图；
[0034]
图7为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0035]
图8为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
[0036]
图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
[0037]
图10为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0038]
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039]
在本发明的实施例中，采用“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本发明实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗
示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0040]
相关技术的发光层通过采用双主体材料(双主体材料包括空穴型主体材料和电子型主体材料)形成激基复合物，以提高显示装置的性能。分别将相关技术中的电子型主体材料、空穴型主体材料和激基复合物形成的薄膜放置于荧光光谱仪中，测试得到如图1所示的曲线1、曲线2和曲线3。在图1中，曲线1为空穴型主体材料的荧光发射光谱(photoluminescence spectroscopy，简称pl光谱)，曲线2为电子型主体材料的pl光谱，曲线3为激基复合物的pl光谱，横坐标代表波长，单位是nm，纵坐标代表波长归一化强度。参考图1所示，空穴型主体材料的pl光谱的峰值小于或等于电子型主体材料的pl光谱的峰值，电子型主体材料的pl光谱的峰值小于非激基复合物的pl光谱的峰值。
[0041]
随着科技的发展，人们对显示装置的要求越来越高，而目前的激基复合物无法使显示装置的性能得到进一步提高，导致无法满足目前产品的需求。
[0042]
基于上述，本发明实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括：发光层，发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，电子型主体材料和空穴型主体材料形成非激基复合物，客体材料掺杂在非激基复合物中；空穴型主体材料的荧光发射峰小于电子型主体材料的荧光发射峰，电子型主体材料的荧光发射峰小于或等于非激基复合物的荧光发射峰。
[0043]
上述电子型主体材料为当有电子注入时，在电场作用下可以实现载流子的定向有序的可控迁移，从而达到传输电荷的有机半导体材料。这里对于电子型主体材料不做具体限定，示例的，电子型主体材料可以为含氮杂环类化合物或者含氰基芳杂环化合物。
[0044]
上述空穴型主体材料为当有空穴注入时，在电场作用下可以实现载流子的定向有序的可控迁移，从而达到传输电荷的有机半导体材料。这里对于空穴型主体材料不做具体限定，示例的，空穴型主体材料可以为tcp、cbp、mcp中的任一种。这里tcp的中文名称为磷酸三甲苯酯，其化学结构式为cbp的中文名称为4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯；mcp的中文名称为甲基环戊烯醇酮，其化学结构式为
[0045]
这里对于上述客体材料、以及客体材料在非激基复合物中的掺杂比例均不做具体限定，示例的，上述客体材料可以是ir(ppy)3、be(pp)2、ppf中的任意一种。这里ir(ppy)3的中文名称为三(2
‑
苯基吡啶)合铱；be(pp)2的中文名称为二(2
‑
羟基苯基吡啶)；ppf的中文名称为二苯并[b,d]呋喃
‑
2,8
‑
二基双(二苯基氧化膦)，其化学结构式为
示例的，上述客体材料在非激基复合物中的掺杂比例范围可以包括2
‑
10％，具体的，该掺杂比例可以为2％、4％、6％、8％或者10％。
[0046]
上述发光层可以是红色发光层、绿色发光层或者蓝色发光层中的任一种。发光器件可以同时包括红色发光层、绿色发光层或者蓝色发光层三种发光层；当然，也可以仅包括一种发光层，例如：仅包括多个红色发光层，或者仅包括多个绿色发光层，或者仅包括多个蓝色发光层。具体可以根据实际要求确定。这里以绿色发光层为例进行说明，其他颜色发光层可以参照绿色发光层，这里不再具体赘述。绿色发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和发绿光的客体材料。这里对于绿色发光层的厚度不做具体限定，示例的，绿色发光层的厚度范围可以包括20
‑
70nm，具体的，绿色发光层的厚度可以为20nm、40nm、50nm或者70nm。
[0047]
本发明实施例提供了一种发光器件，该发光器件包括发光层，发光层包括电子型主体材料、空穴型主体材料和客体材料，电子型主体材料和空穴型主体材料形成非激基复合物，客体材料掺杂在非激基复合物中。分别将本发明实施例中的电子型主体材料、空穴型主体材料和非激基复合物形成的薄膜放置于荧光光谱仪中，测试得到如图2所示的曲线4、曲线5和曲线6。在图2中，曲线4为空穴型主体材料的pl光谱，曲线5为电子型主体材料的pl光谱，曲线6为非激基复合物的pl光谱。参考图2所示，空穴型主体材料的pl光谱的峰值小于电子型主体材料的pl光谱的峰值，电子型主体材料的pl光谱的峰值小于或等于非激基复合物的pl光谱的峰值，这样不仅可以平衡发光器件的载流子浓度，而且能够进一步提高发光器件的发光效率和寿命，从而进一步提高显示装置的发光效率和寿命。
[0048]
可选的，电子型主体材料包括热激活延迟荧光材料。
[0049]
可选的，热激活延迟荧光材料包括吲哚咔唑类衍生物，吲哚咔唑类衍生物的通式为：
[0050][0051]
其中，ar1为给电子基团，ar2为吸电子基团；r1、r2分别为烷基、环烷基、c6
‑
24芳环中的任一种。
[0052]
具有上述通式的吲哚咔唑类衍生物具有较长的长分子轴，该长分子轴方向如图3中的f1f2方向所示。这样，使得吲哚咔唑类衍生物的分子具有各向异性的特性。
[0053]
上述吲哚咔唑类衍生物的取向可以通过椭偏仪测试得到，具体地，椭偏仪测试吲哚咔唑类衍生物的k(摩尔消光系数)和n(折射率)，以此判断化合物的取向。将上述吲哚咔
唑类衍生物制成膜，测试得到如图4所示的k、n曲线图，还将对比例制成膜，测试得到如图5所示的k、n曲线图，其中，图4和图5中的横坐标代表波长，单位是nm，左侧的纵坐标代表折射率，右侧的纵坐标代表摩尔消光系数，s代表水平取向参数，s值接近
‑
0.5说明是水平取向。参考图4所示，吲哚咔唑类衍生物的k0和ke在波长0
‑
450nm时相差较大、且s值接近
‑
0.5，因此为各向异性。参考图5所示，对比例的k0和ke在波长0
‑
450nm时几乎重合、且s值离
‑
0.5相差较远，因此为各向同性。
[0054]
可选的，吸电子基团和苯基所在平面，与吲哚咔唑所在平面之间的扭转角为θ；其中，30
°
＜θ＜90
°
。通过限定θ的角度范围，能够减小电子型主体材料中homo与lumo电子云在空间上的重叠，从而提高发光器件的发光效率。
[0055]
上述扭转角为两个平面所构成的角度。
[0056]
这里对于θ的具体数值不做限定，示例的，θ可以为30
°
、50
°
、70
°
或者90
°
。图3以θ为40
°
为例进行绘示，此时，电子型主体材料中homo和lumo电子云在空间上的重叠程度最小，即homo和lumo电子云在空间上完全分离，如图6所示，进而使电子型主体材料中单重态和三重态之间的能级差δe
st
小于0.2ev，此时发光层中激子的利用率最高，发光器件的发光效率最高。
[0057]
上述homo电子云为电子型主体材料中homo电子能级分布模型，lumo电子云为电子型主体材料中lumo电子能级分布模型，其中，homo表示已占有电子的能级最高的轨道，lumo表示未占有电子的能级最低的轨道。该homo和lumo电子云能够以b3lyp为基组，通过高斯09软件模拟得到。并且，如表一中所示的homo和lumo的实际值可以采用ac3(光电子能谱仪)、cv(cyclic voltammetry，循环伏安法测试仪)和uv(ultra
‑
violet ray，紫外可见光谱仪)测试得到。
[0058]
可选的，吸电子基团包括含氮杂芳环。
[0059]
可选的，含氮杂芳环包括吡啶(化学结构式为)、嘧啶(化学结构式为)、均三嗪(化学结构式为)、喹啉(化学结构式为)、
喹喔啉(化学结构式为)、喹唑啉(化学结构式为)中的任一种。
[0060]
可选的，给电子基团包括苯基(化学结构式为)、联苯(化学结构式为)、三亚苯(化学结构式为)、菲(化学结构式为)、二苯并呋喃(化学结构式为)、二苯并噻吩(化学结构式为)、咔唑(化学结构式为)中的任一种。
[0061]
可选的，电子型主体材料包括含氮杂环类化合物或者含氰基芳杂环化合物。
[0062]
可选的，电子型主体材料的化学结构式包括：
[0063]
中的任一种。
[0064]
将上述化合物和对比例(英文名称为11
‑
(4,6
‑
diphenyl
‑
1,3,5
‑
triazin
‑2‑
yl)
‑
12
‑
phenyl
‑
11,12
‑
dihydroindolo[2,3
‑
a]carbazole)分别应用于发光层中，得到发光层1和发光层2。对发光层1和发光层2进行测试，得到表一所示的发光层1和发光层2的性能参数。
[0065]
表一
[0066]
发光层pl(nm)eg(ev)
△
e
st
(ev)homo(ev)lumo(ev)15102.920.11
‑
5.45
‑
2.424922.950.31
‑
5.51
‑
2.33
[0067]
表一中，pl表示发光层1和发光层2的荧光发射峰，eg表示发光层1和发光层2的光学带隙，
△
e
st
表示发光层1和发光层2中单重态和三重态之间的能级差，eqe表示发光层1和发光层2的外部量子效率。
[0068]
从表一可以得出：发光层1的
△
e
st
比发光层2的
△
e
st
小很多，发光层1的
△
e
st
远小于0.2ev，发光层1的homo和lumo电子云在空间上完全分离，并且，发光层1的pl光谱的峰值比发光层2的pl光谱的峰值提高了很多，这样发光层1中激子的利用率最高，使得使用发光层1的发光器件更有利于发光。
[0069]
可选的，空穴型主体材料包括咔唑类衍生物。
[0070]
可选的，电子型主体材料的玻璃态转化温度和空穴型主体材料的玻璃态转化温度均大于第一预设值；电子型主体材料和空穴型主体材料的沉积温度的差值的绝对值小于或等于第二预设值。
[0071]
这里对于上述预设值的大小不做限定，对于不同类型的显示产品，上述预设值的数值可以不同。示例的，上述第一预设值可以为120
°
，第二预设值可以为10
°
。这样，将电子型主体材料和空穴型主体材料应用于发光层时，有利于形成均匀高质量的膜层，从而有利于载流子的运输。
[0072]
上述玻璃态转化温度可以采用dsc(differential scanning calorimetry，差示扫描热仪)进行测试，该测试过程可以参照dsc测试仪的使用方法进行测试，这里不再详述。
[0073]
可选的，参考图7所示，发光器件还包括阴极8和阳极9，阳极9和阴极8分置于发光层1中相对的两侧；发光器件还包括：电子阻挡层3和空穴阻挡层2，电子阻挡层3位于阳极9和发光层1之间，空穴阻挡层2位于阴极8和发光层1之间。
[0074]
上述电子阻挡层的材料可以是芳胺类化合物。上述电子阻挡层的厚度范围可以是5
‑
100nm，示例的，电子阻挡层的厚度可以是5nm、20nm、40nm、60nm、80nm、或者100nm。
[0075]
上述空穴阻挡层的材料可以是三嗪类化合物或者balq。这里balq的中文名称为双
(2
‑
甲基
‑8‑
羟基喹啉
‑
n1,o8)
‑
(1,1'
‑
联苯
‑4‑
羟基)铝，其化学结构式为上述空穴阻挡层的厚度范围可以是5
‑
20nm，示例的，空穴阻挡层的厚度可以是6nm、9nm、12nm、15nm或者20nm。
[0076]
上述电子阻挡层能够阻挡发光层中的电子穿出发光层，保证更多地电子在发光层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。上述空穴阻挡层能够阻挡发光层中的空穴穿出发光层，保证更多地空穴在发光层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。
[0077]
可选的，参考图8所示，发光器件还包括位于阳极9和电子阻挡层之间的空穴注入层7、空穴传输层5，以及位于阴极8和空穴阻挡层2之间的电子注入层6和电子传输层4；其中，空穴注入层7位于阳极9和空穴传输层5之间，电子注入层6位于阴极8和电子传输层4之间。
[0078]
这里对于上述空穴注入层的材料不做具体限定。示例的，上述空穴注入层可以由单组分材料构成，例如可以是hatcn、cupc、moo3中的任一种。这里hatcn的中文名称为2,3,6,7,10,11
‑
六氰基
‑
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂苯并菲，其化学结构式为cupc的中文名称为酞菁铜，其化学结构式为moo3的中文名称为三氧化钼，其化学结构式为或者，上述空穴注入层可以由多组分材料构成，例如可以是轴烯类或醌类化合物掺杂芳胺化合物，示例的，多组分材料可以为f4tcnq
掺杂npb或者tpd。这里f4tcnq的中文名称为，其化学结构式为npb的中文名称为n,n
′‑
二苯基
‑
n,n
′‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1
′‑
联苯
‑
4,4
′‑
二胺，其化学结构式为：tpd的中文名称为n,n
′‑
二苯基
‑
n,n
′‑
二(3
‑
甲基苯基)
‑
1,1
′‑
联苯
‑
4,4
′‑
二胺，其化学结构式为上述空穴注入层的厚度范围可以是5～20nm，示例的，空穴注入层的厚度可以是6nm、10nm、15nm或者20nm。
[0079]
上述空穴传输层的材料可以是芳胺类化合物，例如npb或者tpd。这里npb的中文名称为n,n
′‑
二苯基
‑
n,n
′‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1
′‑
联苯
‑
4,4
′‑
二胺，其化学结构式为：tpd的中文名称为n,n
′‑
二苯基
‑
n,n
′‑
二(3
‑
甲基苯基)
‑
1,1
′‑
联苯
‑
4,4
′‑
二胺。上述空穴传输层的厚度范围可以是80
‑
120nm，示例的，空穴传输层的厚度可以是80nm、90nm、100nm、110nm或者120nm等。
[0080]
上述电子传输层可以由多组分材料构成，该多组分材料可以包括电子传输类材料和八羟基喹啉锂(liq)。这里的电子传输类材料可以为氮杂环类化合物，例如bphen或者tpbi。这里bphen的中文名称为邻二氮菲，其化学结构式为：tpbi的中文名称为1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1h
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯。上述电子传输层的厚度可以是20～50nm，示例的，电子传输层的厚度可以是20nm、30nm、40nm或者50nm。
[0081]
上述电子注入层的材料可以是lif、yb、liq中的任一种。这里lif的中文名称为氟
化锂；yb的中文名称为镱；liq的中文名称为8
‑
羟基喹啉
‑
锂，其化学结构式为
[0082]
下面提供一具体实施例和对比例，以说明提升效果。
[0083]
本发明实施例提供的发光器件结构为：
[0084]
ito(80nm)/hatcn(10nm)/npb(110nm)/c6h7n(30nm)/绿光电子型主体材料:ir(ppy)3(30nm,5％)/balq(7nm)/bphen(30nm)/lif(1nm)/al(100nm)。
[0085]
上述结构中，第一电极(作为阳极)的材料为ito，厚度为80nm；空穴注入层的材料为hatcn，厚度为10nm；空穴传输层的材料为npb，厚度为110nm；电子阻挡层的材料为c6h7n，厚度为30nm；绿光主体层的厚度为30nm，绿光电子型主体材料为绿光空穴型主体材料为tcb，绿光客体材料为ir(ppy)3，绿光客体材料的掺杂浓度为5％；空穴阻挡层的材料为balq，厚度为7nm；电子传输层的材料为bphen，厚度为30nm；电子注入层的材料为lif，厚度为1nm；第二电极(作为阴极)的材料为al，厚度为100nm。
[0086]
对比例的发光器件结构为：
[0087]
ito(80nm)/hatcn(10nm)/npb(110nm)/c6h7n(30nm)/绿光电子型主体材料:ir(ppy)3(30nm,5％)/balq(7nm)/bphen(30nm)/lif(1nm)/al(100nm)。
[0088]
对比例的结构中，第一电极(作为阳极)的材料为ito，厚度为80nm；空穴注入层的材料为hatcn，厚度为10nm；空穴传输层的材料为npb，厚度为110nm；电子阻挡层的材料为c6h7n，厚度为30nm；绿光主体层的厚度为30nm，绿光电子型主体材料为绿光空穴型主体材料为tcb，绿光客体材料为ir(ppy)3，绿光客体材料的掺杂浓度为5％；空穴阻挡层的材料为balq，厚度为7nm；电子传输层的材料为bphen，厚度为30nm；电子注入层的材料为lif，厚度为1nm；第二电极(作为阴极)的材料为al，厚度为100nm。
[0089]
上述两种器件的性能参考表二。
[0090]
表二
[0091] 电压(％)效率(％)寿命(％)外部量子效率(％)对比例100％100％100％100％实施例105％126％105％139％
[0092]
从表二中可以得到：相较于对比例，本实施例提供的发光器件的电压提高了5％，发光效率提高了26％，寿命提高了5％，外部量子效率提高了39％，可见本实施例提供的发光器件的发光效率和外部量子效率提升效果非常显著，且本实施例提供的发光器件的寿命也有一定的提高。
[0093]
需要说明的是，表二中的电压、效率、寿命和外部量子效率的数值均不是实际数值，这里以电压为例进行说明，假设实际测量得到的对比例的电压为1v，那么实际测量得到的本实施例提供的发光器件的电压就为1.05v，其他参数均以此为例，这里不再赘述。
[0094]
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。这里对于显示装置的具体结构不做限定。
[0095]
示例的，显示装置可以包括显示基板和发光器件。显示基板包括阵列排布的多个像素单元，发光器件包括阵列排布的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，红色子像素与红色发光器件电连接，绿色子像素与绿色发光器件电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件电连接。
[0096]
参考图9所示，绿色子像素与绿色发光器件100电连接，红色子像素与红色发光器件200电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件300电连接。参考图9所示，以位于最左端的绿色子像素为例说明具体结构，绿色子像素包括：位于衬底10上的依次层叠设置的缓冲层11、有源层210、栅绝缘层12、栅极金属层(包括栅极110和第一电极212)、绝缘层13、电极层(包括第二电极213)、层间介质层14、源漏金属层(包括源极111和漏极112)、平坦层15、像素界定层302。其中，第一电极212和第二电极213用于形成存储电容。像素界定层302包括开口，开口内设置有红色发光器件100，红色发光器件100的阳极9与薄膜晶体管的漏极112电连接。显示基板还包括位于像素界定层302之上的隔垫物34。需要说明的是，该显示基板中，可以是部分像素界定层上设置有隔垫物，也可以是全部像素界定层上设置有隔垫物，这里不做限定。
[0097]
绿色发光器件100包括阳极9、以及位于阳极9上的依次层叠设置的空穴注入层7、空穴传输层5、电子阻挡层313、绿色发光层113、空穴阻挡层2、电子传输层4、电子注入层6、阴极8。
[0098]
需要说明的是，图9所示的红色发光器件200和蓝色发光器件300的发光层与绿色发光器件100的发光层的材料不同，红色发光器件的发光层用于发出红光，蓝色发光器件的发光层用于发出蓝光，绿色发光器件的发光层用于发出绿光。另外，红色发光器件和蓝色发光器件的电子阻挡层与绿色发光器件的电子阻挡层的材料也不同。除发光层和电子阻挡层以外，红色发光器件、蓝色发光器件包括的其它膜层均与绿色发光器件相同，这里不再赘述。
[0099]
参考图9所示，该显示装置还可以包括覆盖发光器件的光学膜层41、第一无机层421、有机层43、第二无机层422，第一无机层421、有机层43和第二无机层422可以起到封装作用，保护发光器件，延长使用寿命。
[0100]
将图9的结构进行简化，得到图10所示的显示装置的结构示意图。图10中的tet基
板1包括图9中的衬底10与平坦层15之间的所有膜层结构，图10中的封装层400包括图9中的第一无机层421、有机层43、第二无机层422。
[0101]
上述显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示屏)，这里不做限定。上述显示装置可以是oled(organic light
‑
emitting diode，有机发光二极管)显示装置，还可以是lcd(liquid crystal display，液晶显示装置)，又可以是包括oled或lcd的大屏电视、数码相机、手机、平板电脑、笔记本电脑、车载仪表等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置可以形成非激基复合物，具有显示效果好、寿命长、稳定性高、对比度高等优点。
[0102]
下面以图9中最左端的绿色子像素为例，具体说明显示面板的制作方法。
[0103]
该制作方法包括：
[0104]
s01、在衬底10上形成缓冲层11、有源层210、栅绝缘层12、栅极金属层(包括栅极110和第一电极212)、绝缘层13、电极层(包括第二电极213)、层间介质层14、源漏金属层(包括源极111和漏极112)、平坦层15、像素界定层302和阳极9。
[0105]
具体的，上述阳极的材料可以为ito(indium tin oxides，铟锡氧化物)。
[0106]
s02、在阳极9上形成空穴注入层7和空穴传输层5。
[0107]
具体的，上述空穴注入层和空穴传输层均可以采用open mask(开口掩膜板)蒸镀得到。
[0108]
上述空穴注入层的厚度可以为10nm。
[0109]
上述空穴传输层的厚度可以为100nm。
[0110]
s03、在空穴传输层5上形成电子阻挡层313和绿色发光层113。
[0111]
具体的，上述电子阻挡层和绿色发光层均可以采用fmm(fine metal mask，高精度金属掩模板)蒸镀得到。
[0112]
上述电子阻挡层的厚度可以为90nm。
[0113]
上述绿色发光层的厚度可以为50nm。
[0114]
s04、在绿色发光层113上形成空穴阻挡层2、电子传输层4和电子注入层6。
[0115]
具体的，上述空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层均可以采用open mask蒸镀得到得到。
[0116]
上述空穴阻挡层的厚度可以为10nm。
[0117]
上述电子传输层的厚度可以为30nm。
[0118]
s05、在电子注入层6上形成阴极8。
[0119]
具体的，上述阴极的材料可以为银。
[0120]
上述显示装置的制作方法简单易实现，且通过该方法形成的显示装置的显示效果较好。
[0121]
本文中所称的“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本技术的至少一个实施例中。
[0122]
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本技术的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
[0123]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管
参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。