技术特征：
1.一种阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，包括：在基板上制备阳极层；确定所述阳极层的待平坦化区域；对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄。2.根据权利要求1所述的阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，所述确定所述阳极层的待平坦化区域，包括：在阳极层上制备像素定义层，所述像素定义层上设有开口，其中，所述阳极层露出于所述开口的区域为所述待平坦化区域。3.根据权利要求1所述的阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，所述在基板上制备阳极层，包括：在所述基板上制备阳极底层；在所述阳极底层上制备金属层；在所述金属层上制备厚度大于所述阳极底层厚度的阳极顶层。4.根据权利要求1所述的阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，所述待平坦化区域的所述阳极层刻蚀减薄后的厚度范围为大于或等于5纳米。5.根据权利要求1所述的阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，所述对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄，包括：确定刻蚀体系以及减薄厚度数据，根据所述减薄厚度数据以及刻蚀体系获取刻蚀时间；基于所述刻蚀时间对所述阳极层远离所述基板的一面刻蚀减薄。6.根据权利要求5所述的阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，所述确定刻蚀体系以及减薄厚度数据，根据所述减薄厚度数据以及刻蚀体系获取刻蚀时间，包括：确定刻蚀体系为湿刻蚀，并获取刻蚀液的刻蚀速率、刻蚀液温度；基于所述减薄厚度数据、所述刻蚀液温度以及所述刻蚀速率确定刻蚀时间。7.根据权利要求1
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6任一项所述的阳极层表面平坦化处理方法，其特征在于，所述对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄的步骤之后还包括：在厚度减薄的所述阳极层上制备发光层，其中，所述发光层设于所述开口内。8.一种oled器件，包括基板以及制备在基板上的阳极层，其特征在于，所述阳极层远离所述基板的一面设有用于制备发光层的凹槽。9.根据权利要求8所述的oled器件结构，其特征在于，所述阳极层上设有像素限定层，所述像素限定层对应所述凹槽的位置设有开口。10.根据权利要求9所述的oled器件结构，其特征在于，所述阳极层包括：阳极底层，所述阳极底层设于所述基板上的阳极底层；金属层，所述金属层设于所述阳极底层上；阳极顶层，所述阳极顶层设于所述金属层上，所述凹槽设于所述阳极顶层背向所述金属层的一面。11.一种oled显示装置，其特征在于，包括，如权利要求8
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10任一项所述的oled器件。
技术总结
本申请提供一种阳极层表面平坦化处理方法、OLED器件及显示装置，其中，一种阳极层表面平坦化处理方法，包括：在基板上制备阳极层；确定所述阳极层的待平坦化区域；对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄。通过在完成阳极层制备后，确定待平坦化区域并对该区域内的阳极层进行厚度减薄处理，使得在阳极层制备过程中对应所述开口处残留在所述阳极层表面的有机物能够随着减薄被去除，使得在后续的制备过程中减薄后的阳极层处的一面不会有凸起，避免了在制备较薄层结构时该些凸起穿透层结构造成破膜，导致电路连接异常。导致电路连接异常。导致电路连接异常。
技术研发人员：徐乾坤
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2021/12/3