一种阳极层表面平坦化处理方法、OLED器件及显示装置与流程

一种阳极层表面平坦化处理方法、oled器件及显示装置
技术领域
1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阳极层表面平坦化处理方法、oled器件及显示装置。


背景技术：

2.在现有在显示技术领域中，直接在阳极层上制备较薄的层结构，实现电路连接已经是比较常见的技术手段，但是，在制备一些较薄的层结构是，就要求阳极层的表面非常平坦，光滑，否则会对制备在阳极上的层结构造成厚度上的限制。
3.但是，阳极层的制备工艺过程中会有有机物覆盖在阳极层表面，阳极层制备完成后阳极层表面会残留有机物，使得阳极层表面有凸起，在阳极层上制备较薄层结构时易造成破膜，导致电路连接异常。


技术实现要素：

4.本技术提供一种阳极层表面平坦化处理方法、oled器件及显示装置，能够解决阳极层表面有凸起的问题，避免在阳极层上制备较薄层结构时破膜导致电路异常。
5.一方面，本技术提供一种阳极层表面平坦化处理方法，包括：
6.在基板上制备阳极层；
7.确定所述阳极层的待平坦化区域；
8.对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄。
9.在本技术一种可能的实现方式中，所述确定所述阳极层的待平坦化区域，包括：
10.在阳极层上制备像素定义层，所述像素定义层上设有开口，其中，所述阳极层露出于所述开口的区域为所述待平坦化区域。
11.在本技术一种可能的实现方式中，所述在基板上制备阳极层，包括：
12.在所述基板上制备阳极底层；
13.在所述阳极底层上制备金属层；
14.在所述金属层上制备厚度大于所述阳极底层厚度的阳极顶层。
15.在本技术一种可能的实现方式中，所述待平坦化区域的所述阳极层刻蚀减薄后的厚度范围为大于或等于5纳米。
16.在本技术一种可能的实现方式中，所述对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄，包括：
17.确定刻蚀体系以及减薄厚度数据，根据所述减薄厚度数据以及刻蚀体系获取刻蚀时间；
18.基于所述刻蚀时间对所述阳极层远离所述基板的一面刻蚀减薄。
19.在本技术一种可能的实现方式中，所述确定刻蚀体系以及减薄厚度数据，根据所述减薄厚度数据以及刻蚀体系获取刻蚀时间，包括：
20.确定刻蚀体系为湿刻蚀，并获取刻蚀液的刻蚀速率、刻蚀液温度；
21.基于所述减薄厚度数据、所述刻蚀液温度以及所述刻蚀速率确定刻蚀时间。
22.在本技术一种可能的实现方式中，所述对所述待平坦化区域的阳极层进行厚度减薄的步骤之后还包括：
23.在厚度减薄的所述阳极层上制备发光层，其中，所述发光层设于所述开口内。
24.另一方面，本发明还提供一种oled器件，包括基板以及制备在基板上的阳极层，所述阳极层远离所述基板的一面设有用于制备发光层的凹槽。
25.在本技术一种可能的实现方式中，所述阳极层上设有像素限定层，所述像素限定层对应所述凹槽的位置设有开口。
26.在本技术一种可能的实现方式中，所述阳极层包括：
27.阳极底层，所述阳极底层设于所述基板上的阳极底层；
28.金属层，所述金属层设于所述阳极底层上；
29.阳极顶层，所述阳极顶层设于所述金属层上，所述凹槽设于所述阳极顶层背向所述金属层的一面。
30.另一方面，本发明还提供一种oled显示装置，包括，如上述任一项所述的oled器件。
31.本技术中通过在完成阳极层制备后，确定待平坦化区域并对该区域内的阳极层进行厚度减薄处理，使得在阳极层制备过程中对应所述开口处残留在所述阳极层表面的有机物能够随着减薄被去除，使得在后续的制备过程中减薄后的阳极层处的一面不会有凸起，避免了在制备较薄层结构时该些凸起穿透层结构造成破膜，导致电路连接异常。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术实施例提供的阳极层表面平坦化处理方法的一个实施例流程示意图；
34.图2是本技术实施例提供的阳极层表面平坦化处理方法中步骤s200后的工艺流程示意图；
35.图3是本技术实施例提供的阳极层表面平坦化处理方法中步骤s300后的工艺流程示意图；
36.图4是本技术实施例提供的阳极层表面平坦化处理方法的一个实施例流程示意图；
37.图5是本技术实施例提供的阳极层表面平坦化处理方法中步骤s400后的工艺流程示意图；
38.图6是本技术实施例提供的oled器件结构示意图；
39.图7是图6中a的放大结构意图。
40.图中：1、基板，2、阳极层，20、阳极底层，21、金属层，22、阳极顶层，220、凹槽，3、像素定义层，30、开口，4、发光层，5、阴极层。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
42.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
43.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。
44.本技术实施例提供一种阳极层表面平坦化处理方法、oled器件及显示装置，所述阳极层表面平坦化处理方法，可以用于需要在阳极层上制备较薄层结构的基板或是电路结构上，比如，在通过阴阳极间的有机物oled进行电致发光技术中，该有机层通常通过蒸镀或者打印的方式制备在阳极层上。随着oled显示的发展，薄oled器件也是业界主流研究方向，需要在阳极层上制备越来越薄的发光层结构。所述阳极层表面平坦化处理方法可以应用于oled器件的制备，以下分别进行详细说明。
45.参见图1，为本技术实施例中一种阳极层表面平坦化处理方法的一个实施例流程示意图，该阳极层表面平坦化处理方法包括步骤s100
‑
s300：
46.结合参见图2和图7，s100，在基板1上制备阳极层2。
47.所述基板1可包括衬底层，本技术所述衬底可以为透明材质，具体可以是玻璃、陶瓷基板1、透明塑料以及聚酰亚胺柔性衬底等任意形式的基板1，此处本技术不做具体限定。
48.所述基板1可包括制备在所述衬底层上的源漏极层、栅极层，所述漏源极层、栅极层的制备可以使用金属材料如cu、mo、ti、al等单层或多层组合或合金材料，用物理沉积镀膜的方式沉积一层金属，作为源漏电极层，再分别进行光阻涂布、曝光、显影、刻蚀、剥膜形成相应的图案。
49.所述基板1可包括绝缘层、平坦化层，所述绝缘层、所述平坦化层依次制备所述源漏极层上，所述阳极层2制备在所述平坦化层背向所述源漏极层的一面，且通过所述平坦化层以及绝缘层上的开孔实现所述杨基层与源漏极层的电连接。
50.上所述阳极层2可以为单层阳极或者是多层阳极，通过黄光制程在所述基板1上制
备阳极层2。所述基板1的结构可以根据实际设计需求进行调整，具体本发明不做具体的限定。
51.结合参见图2，在本发明的一种实施方案中，所述阳极层2为三层阳极，包括阳极顶层22、阳极底层20所述步骤s100在基板1上制备阳极层2，包括：在所述基板1上制备阳极底层20；在所述阳极底层20上制备金属层21；在所述金属层21上制备厚度大于所述阳极底层20厚度的阳极顶层22。具体的，在本发明的其中一种实施方案中，所述阳极顶层的厚度不超过80纳米，具体制备厚度可根据实际制备环境、制备需求进行调节。所述底层阳极底层20和所述阳极顶层22为ito层，所述三层阳极可以为ito/ag/ito阳极，具体本发明不做限定。
52.具体的，通过设置所述阳极顶层22的厚度大于所述阳极底层20，保证所述阳极顶层22的减薄步骤能够将阳极顶层22表面的有机物以及微小异物通过减薄步骤完全清除干净，同时保证减薄后的所述阳极顶层22具有一定的厚度能够完全覆盖所述金属层21上的凸起，避免金属层21在制备过程中面向所述阳极顶层22的一面有凸起穿透所述阳极顶层22的减薄处。
53.具体的，所述阳极顶层22的厚度不超过80纳米。
54.结合参见图2，s200，在阳极层2上制备像素定义层3，所述像素定义层3上设有开口30。
55.所述像素定义层3分别为疏水性挡墙材料和常规非疏水性挡墙材料，通过bank制程在于所述有机层上直接制备像素定义层3，具体可进行像素定义层3涂布像素定义层3材料、曝光、显影、刻蚀、剥膜形成。
56.结合参见图3，s300，将漏出于所述开口30的所阳极层2进行厚度减薄。
57.在本技术的一些实施方案中，所述厚度减薄的可以通过不同的刻蚀体系实现，包括采用干法刻蚀或是湿法刻蚀的方式实现厚度刻蚀减薄。具体可以根据刻蚀需求进行设计。
58.在本发明的一种实施方案中，所述刻蚀体系采用湿法刻蚀，然后基于湿法刻蚀选择刻蚀液，不同的刻蚀液具有不同的刻蚀速率，然后基于所述刻蚀液以及要刻蚀厚度确认刻蚀时间，所述刻蚀时间可以在实际刻蚀之前进行刻蚀实验采集数据，得到合适的刻蚀时间，在运用时可以直接根据确认的刻蚀体系、刻蚀液以及要刻蚀的厚度(减薄厚度数据)、刻蚀液的温度直接获取对应的可是时间。
59.在本发明的其他实施方案中，所述刻蚀体系如果采用的是干法刻蚀的话，所述刻蚀时间与干刻的功率、干刻的气体、刻蚀压强等实验参数有关，具体也可以在刻蚀前通过实验调配得到合适的刻蚀时间。
60.在申请中，刻蚀减薄后的阳极层2厚度范围为大于或等于5纳米。可以制备出很薄的阳极层2。基于上实施方案中的三层阳极来说，能够制备出很薄的阳极顶层22，由于单层样机或是三层阳极的阳极顶层22的厚度是算在oled谐振腔里面的，为了制备省材料、高性能的第一节点oled器件，就需要很短的谐振腔，所以单层阳极或是阳极顶层22需要很薄，比如5～10nm的厚度。然而以现有的阳极层2的物理气相沉积(pvd)制备工艺很难制备出如此薄的厚度(目前业界是10nm以上，最低10nm保证膜厚)，本技术可以通过控制减薄工艺参数(例如power、时间、温度等)来控制减薄量，从而达到很薄的阳极结构，能够制备省材料、高性能的第一节点oled器件。
61.继续参见图4和图5，所述步骤s300将漏出于所述开口30的所阳极层2进行厚度减薄，之后还包括:
62.步骤s400：在厚度减薄的所述阳极层2上制备发光层4，其中，所述发光层4设于所述开口30内。
63.在本技术中，所述发光层4覆盖在减薄后的阳极上。所述发光层4可以通过喷墨打印、蒸镀等方式实现制备，所述发光有机材料分别为蒸镀型有机材料和有机发光喷墨。
64.进一步的，在上述实施方案的基础上，在上述步骤s400之后还可以通过蒸镀的方式在所述发光层4上制备阴极层5，所述阴极层5覆盖在所述阳极层2上。
65.参见图3和图6，在上述阳极层表面平坦化处理方法的实施方案基础之上，本技术实施例中还提供一种oled器件，所述oled器件通过上述阳极层表面平坦化处理方法制备得到，所述oled器件包括：基板1以及制备在基板1上的阳极层2，所述阳极层2远离所述基板1的一面设有用于制备发光层4的凹槽220。
66.在本发明的其中一种实施方案中，所述凹槽220设于所述开口30的正下方，所述凹槽220的侧壁与所述开口30面向所述凹槽220一侧的开口30边缘对齐。
67.在本发明的其中一种实施方案中，所述发光层4上还设有阴极层5。
68.其中，所述凹槽220通过上述实施方案中的步骤s300得到，所述阳极层2上还设有像素限定层，所述像素限定层对应所述凹槽220的位置设有开口30，所述像素限定层通过上述实施方案中的s200制备得到。
69.参见图7，在本发明的其中一种实施方案中，所述阳极层2包括：阳极底层20，所述阳极底层20设于所述基板1上的阳极底层20；金属层21，所述金属层21设于所述阳极底层20上；阳极顶层22，所述阳极顶层22设于所述金属层21上，所述凹槽220设于所述阳极顶层22背向所述金属层21的一面。所述底层阳极底层20和所述阳极顶层22为ito层，所述三层阳极可以为ito/ag/ito阳极，具体本发明不做限定。
70.其中，所述凹槽220的槽底厚度为大于或等于5纳米，比如说5纳米、6纳米、8纳米、9纳米等等，具体可以根据实际情况进行设计。
71.在上述实施方案的基础上，本发明还提供一种oled显示装置，包括，如上述实施方案任一项所述的oled器件。
72.本技术在基板1上制备阳极层2；在阳极层2上制备像素定义层3，所述像素定义层3上设有开口30；将漏出于所述开口30的所阳极层2进行厚度减薄形成凹槽220。通过在完成阳极层2制备以及像素层制备后对所述阳极层2对应露出于所述开口30的阳极层2进行厚度减薄处理，使得在阳极层2制备过程中对应所述开口30处残留在所述阳极层2表面的有机物、像素定义层3制备过程中掉落所述开口30处阳极层2表面的微小异物能够随着减薄被去除，使得对应所述开口30出的所述阳极层2露出于所述开口30处的一面不会有凸起，进而避免了在制备较薄oled工艺时该些有机物或者微小异物穿透所述oled发光层4造成破膜，导致阴/阳极短接造成显示异常。
73.以上对本技术实施例所提供的一种阳极层表面平坦化处理方法oled器件及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说
明书内容不应理解为对本发明的限制。