一种修复方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种修复方法。


背景技术：

2.micro-led显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求新一代显示技术的研究热点。在micro-led屏体中，micro-led芯片数量至少在数十万甚至千万，为了将led芯片巨量转移至基板上，需要的工艺包括临时键合、激光剥离、转移、bonding、检测以及修复等，这些工艺都会对转移后屏体的良率产生影响。
3.本技术发明人在关于修复工艺的长期研究中发现，现有的修复工艺易对基板的膜层造成损伤，从而降低巨量转移之后屏体的良率。有鉴于此，如何开发出一种减少基板损伤的修复工艺成为亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供一种修复方法，能够降低led芯片巨量转移过程中对基板的损伤。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种修复方法，包括：
6.提供接收组件和补位组件；其中，所述接收组件包括接收基板，所述接收基板的第一表面设置有至少一个补位区域；所述补位组件包括补位基板和设置于所述补位基板第二表面的至少一个补位件，且至少部分所述补位件背离所述补位基板一侧设置有补位芯片；
7.将所述第二表面与所述第一表面相对设置，并使所述补位芯片与对应的所述补位区域贴合；其中，所述补位芯片与所述补位件之间的贴合力小于所述补位芯片与所述补位区域之间的贴合力；
8.使所述补位件与所述补位芯片分离。
9.其中，所述补位件能够发生正向形变并恢复原形，所述正向形变使补位件在垂直所述补位基板方向上的长度变大；所述将所述第二表面与所述第一表面相对设置，并使所述补位芯片与对应的所述补位区域贴合的步骤，包括：
10.将所述第二表面与所述第一表面相对设置，并使所述补位芯片与所述补位区域之间的距离为预设间距；其中，所述预设间距小于或等于所述补位件在垂直所述补位基板方向上的最大形变量；
11.使所述补位件发生所述正向形变至所述补位芯片与所述补位区域贴合；
12.所述使所述补位件与所述补位芯片分离的步骤，包括：
13.使所述补位件恢复原形以使所述补位件与所述补位芯片分离。
14.其中，所述补位件的材质包括光敏形变材料。
15.其中，所述将所述第二表面与所述第一表面相对设置，并使所述补位芯片与对应的所述补位区域贴合的步骤之前，还包括：
16.在所述补位基板的所述第二表面设置至少一个所述补位件；
17.在所述补位件背离所述补位基板一侧设置第一粘性层；
18.在至少部分所述第一粘性层背离所述补位件一侧设置所述补位芯片；
19.在所述补位芯片背离所述第一粘性层一侧设置第二粘性层；其中，所述第一粘性层的粘性小于所述第二粘性层的粘性。
20.其中，所述补位件通过静电吸附或真空吸附与所述补位芯片贴合；所述将所述第二表面与所述第一表面相对设置，并使所述补位芯片与对应的所述补位区域贴合的步骤，包括：
21.将所述第二表面与所述第一表面相对设置，并使所述补位芯片与所述补位区域接触并贴合；
22.减小所述补位件与所述补位芯片之间的静电吸附力或真空吸附力至其小于所述补位芯片与所述补位区域之间的贴合力。
23.其中，所述补位基板的第二表面设置有多个所述补位件，且所述补位芯片在所述第二表面的排布与所述补位区域在所述第一表面的排布相同。
24.其中，所述补位件在所述补位基板上的正投影小于或等于所述补位芯片在所述补位基板上的正投影，且所述补位芯片在所述补位区域的正投影小于或等于所述补位区域。
25.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种修复方法，包括：
26.将多个led芯片设置于接收基板的第一表面；
27.对所述多个led芯片进行检测，以确定异常led芯片的位置；
28.在所述第一表面上方设置转移基板，并使所述转移基板上设置的转移头与所述异常led芯片的位置对应；
29.使所述转移头与对应位置处的所述异常led芯片贴合，其中，所述异常led芯片与所述转移头之间的贴合力大于所述异常led芯片与所述接收基板之间的贴合力；
30.移除所述转移头，以使所述异常led芯片与所述接收基板分离，并在所述接收基板上形成补位区域。
31.其中，所述转移头能够发生正向形变并恢复原形，所述正向形变使转移头在垂直所述转移基板方向上的长度变大；所述使所述转移头与对应位置处的所述异常led芯片贴合的步骤，包括：
32.使所述转移头与所述异常led芯片之间的距离为预设间距；其中，所述预设间距小于或等于所述转移头在垂直所述转移基板方向上的最大形变量；
33.使所述转移头发生所述正向形变至所述转移头与所述异常led芯片贴合；
34.所述移除所述转移头，以使所述异常led芯片与所述接收基板分离，并在所述接收基板上形成所述补位区域的步骤，包括：
35.使所述转移头恢复原形以使所述异常led芯片与所述接收基板分离。
36.其中，所述在所述第一表面上方设置转移基板，并使所述转移基板上设置的转移头与所述异常led芯片的位置对应的步骤之前，还包括：
37.将多个所述转移头设置于所述转移基板的一侧表面，其中，所述转移头在所述转移基板上的排布与所述led芯片在所述接收基板上的排布相同；
38.在至少部分所述转移头背离所述转移基板一侧设置第三粘性层。
39.本技术的有益效果是：本技术提供的修复方法首先提供接收组件和补位组件；其中，接收组件包括接收基板，接收基板的第一表面设置有至少一个补位区域；补位组件包括补位基板和设置于补位基板第二表面的至少一个补位件，且至少部分补位件背离补位基板一侧设置有补位芯片。然后将第二表面与第一表面相对设置，并使补位芯片与对应的补位区域贴合；其中，补位芯片与补位件之间的贴合力小于补位芯片与补位区域之间的贴合力。再使补位件与补位芯片分离，则补位芯片贴合于补位区域，完成修复。本技术可根据补位区域在接收基板上的分布精准设置补位芯片的数量和位置，提高修复效率，而且通过补位件作为中间体实现补位芯片和补位区域的贴合，能够减少修复过程对接收基板的损伤。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施方式中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
41.图1为本技术修复方法一实施方式的流程示意图；
42.图2a为接收组件一实施方式的结构示意图；
43.图2b为补位组件一实施方式的结构示意图；
44.图2c为图1中步骤s12一实施方式的结构示意图；
45.图2d为图1中步骤s13一实施方式的结构示意图；
46.图3为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图；
47.图4为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图；
48.图5a为图4中步骤s32一实施方式的结构示意图；
49.图5b为图4中步骤s34一实施方式的结构示意图；
50.图6为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图；
51.图7a为图6中步骤s42一实施方式的结构示意图；
52.图7b为图6中步骤s44一实施方式的结构示意图；
53.图8为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图；
54.图9a为图8中步骤s51一实施方式的结构示意图；
55.图9b为图8中步骤s53一实施方式的结构示意图；
56.图9c为图8中步骤s54一实施方式的结构示意图；
57.图9d为图8中步骤s55一实施方式的结构示意图；
58.图10为图8中步骤s54一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
59.下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
60.请参阅图1，图1为本技术修复方法一实施方式的流程示意图，该修复方法包括如
下步骤。
61.步骤s11，提供接收组件和补位组件；其中，接收组件包括接收基板，接收基板的第一表面设置有至少一个补位区域；补位组件包括补位基板和设置于补位基板第二表面的至少一个补位件，且至少部分补位件背离补位基板一侧设置有补位芯片。
62.请参阅图2a和图2b，图2a为接收组件一实施方式的结构示意图，图2b为补位组件一实施方式的结构示意图。接收组件10包括接收基板11，接收基板11的第一表面设置有至少一个补位区域110。其中，接收组件10还包括多个正常led芯片12，阵列排布于第一表面，补位区域110分布于正常led芯片12之间，是移除原来分布于正常led芯片12之间的异常led芯片之后形成的。正常led芯片12可通过粘性层设置于接收基板11的第一表面。
63.补位组件20包括补位基板21和设置于补位基板21第二表面的至少一个补位件22，且至少部分补位件22背离补位基板21一侧设置有补位芯片30。在一些应用场景中，可以仅设置一个补位件22和一个补位芯片30，若补位区域110有多个，可对其进行单个重复次修复。在另一些应用场景中，可以设置多个补位件22，再对应补位区域110的数量和位置设置补位芯片30，实现一次修复所有补位区域110。图2a中画出多个补位区域110的情况，图2b中画出多个补位件22及多个补位芯片30的情况，且补位芯片30之下的补位件22由于被覆盖而不可见。
64.步骤s12，将第二表面与第一表面相对设置，并使补位芯片与对应的补位区域贴合；其中，补位芯片与补位件之间的贴合力小于补位芯片与补位区域之间的贴合力。
65.请结合图2a和图2b参阅图2c，图2c为图1中步骤s12一实施方式的结构示意图，其中接收组件10用图2a中a-a方向的截面图表示，补位组件20用图2b中b-b方向的截面图表示。将补位基板21的第二表面与接收基板11的第一表面相对设置，并使补位芯片30与对应的补位区域110贴合，其中，补位芯片30与补位件22之间的贴合力小于补位芯片30与补位区域110之间的贴合力。具体使补位芯片30与对应的补位区域110贴合的方法将在下面描述。
66.步骤s13，使补位件与补位芯片分离。
67.请结合图2c参阅图2d，图2d为图1中步骤s13一实施方式的结构示意图，将补位芯片30与对应的补位区域110贴合之后，由于补位芯片30与补位件22之间的贴合力小于补位芯片30与补位区域110之间的贴合力，只需要将补位基板21移走，即能够同时带走补位件22，而将补位芯片30留在补位区域110，完成修复。图2d中画出补位基板21远离接收基板11的情况。
68.本实施方式可以仅设置一个补位芯片，对补位区域进行单次重复修复，也可根据补位区域在接收基板上的分布精准设置补位芯片的数量和位置，一次完成修复，提高修复效率。而且本实施方式通过补位件作为中间体实现补位芯片和补位区域的贴合，能够减少修复过程对接收基板的损伤。
69.在一个实施方式中，请参阅图3，图3为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图，本实施方式除了包括上述实施方式所述的步骤s11-s13之外，在步骤s12之前，还包括如下步骤。
70.步骤s21，在补位基板的第二表面设置至少一个补位件。
71.请继续参阅图2b，首先在补位基板21的第二表面设置至少一个补位件22，得到图2b中包括补位基板21和补位件22的结构。具体可先在补位基板21表面整层结构，该整层结
构的材质即为补位件22的材质，然后利用光阻工艺和刻蚀工艺形成图2b所示的多个补位件22。
72.步骤s22，在补位件背离补位基板一侧设置第一粘性层。
73.请结合参阅图2b和图2c，形成补位件22之后，在补位件22背离补位基板21一侧设置第一粘性层23，得到图2c中包括补位基板21、补位件22和第一粘性层23的补位组件20。具体可先在补位件22表面形成整层的第一粘性层材质，再利用光阻工艺和刻蚀工艺形成图2c所示的位于补位件22一侧的第一粘性层23。
74.步骤s23，在至少部分第一粘性层背离补位件一侧设置补位芯片。
75.请继续参阅图2c，形成第一粘性层23之后，在至少部分第一粘性层23背离补位件22一侧设置补位芯片30，得到图2c中包括补位基板21、补位件22、第一粘性层23和补位芯片30的结构。具体可根据补位区域110的数量和位置选择部分补位件22，再在这些补位件22一侧设置补位芯片30，由于第一粘性层23的存在，补位芯片30可实现与补位件22的贴合。
76.步骤s24，在补位芯片背离第一粘性层一侧设置第二粘性层；其中，第一粘性层的粘性小于第二粘性层的粘性。
77.请继续参阅图2c，设置补位芯片30之后，在其背离第一粘性层23一侧设置第二粘性层31。其中，第一粘性层23的粘性小于第二粘性层31的粘性，使得补位芯片30后续与补位区域110贴合之后，补位芯片30与补位件22之间的贴合力小于补位芯片30与补位区域110之间的贴合力，便于移除补位组件20，完成修复。在其他实施方式中，第二粘性层31也可设置于补位区域110。
78.本实施方式通过在补位芯片30两侧分别设置粘性层的措施，能够利用中间载体补位件22将补位芯片30转移至补位区域110，且对补位区域110不造成损伤，从而提高修复之后器件整体的良率。
79.在一个实施方式中，请参阅图4，图4为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图，本实施方式包括如下步骤。
80.步骤s31，提供接收组件和补位组件。
81.步骤s31与上述步骤s11相同，其中，补位基板21的第二表面设置有多个补位件22，且补位芯片30在补位基板21第二表面的排布与补位区域110在接收基板11第一表面的排布相同，即根据补位区域110的排布设置补位芯片30的数量和位置。
82.本实施方式中，补位件22能够发生正向形变并恢复原形，正向形变使补位件22在垂直补位基板21方向上的长度变大，恢复原形的过程使补位件22在垂直补位基板21方向上的长度变小。其中，补位件22的材质包括光敏形变材料，例如偶氮苯材料，在特定波长光束照射下能够发生形变。同时，本实施方式设置补位基板21能够允许该特定波长光束透过，满足补位件22发生正向形变或者恢复原形的条件。
83.其中，补位件22在补位基板21上的正投影小于或等于补位芯片30在补位基板21上的正投影，且补位芯片30在补位区域110的正投影小于或等于补位区域110，使得补位芯片30能够顺利与补位区域110贴合。
84.步骤s32，将第二表面与第一表面相对设置，并使补位芯片与补位区域之间的距离为预设间距；其中，预设间距小于或等于补位件在垂直补位基板方向上的最大形变量。
85.请参阅图5a，图5a为图4中步骤s32一实施方式的结构示意图，将补位基板21的第
二表面与接收基板11的第一表面相对设置，并使补位芯片30与补位区域110之间的距离为预设间距d，且该预设间距d小于或等于补位件22在垂直补位基板21方向上的最大形变量，使得补位件22发生正向形变之后，补位芯片30能够与补位区域110接触并贴合。
86.步骤s33，使补位件发生正向形变至补位芯片与补位区域贴合。
87.请结合图5a参阅图2c，设置好预设间距d之后，使用上述特定波长光束透过补位基板21照射部分补位件22，被照射的补位件22即为一侧设置有补位芯片30的补位件22，补位件22受照射后发生正向形变，其在垂直补位基板21方向上的长度变大，使得补位芯片30向补位区域110靠近，直至接触并贴合，从而得到如图2c所示的结构。
88.步骤s34，使补位件恢复原形以使补位件与补位芯片分离。
89.请结合图5a和图2c参阅图5b，图5b为图4中步骤s34一实施方式的结构示意图，确定补位芯片30与补位区域110贴合之后，再次使用上述特定波长光束透过补位基板21照射已发生正向形变的补位件22，使之恢复原形，其在垂直补位基板21方向上的长度变小，同时，由于补位芯片30与补位件22之间的贴合力小于补位芯片30与补位区域110之间的贴合力，导致其与补位芯片30分离，而将补位芯片30留在补位区域110上，完成修复。在图5a、图2c和图5b中，接收基板11和补位基板21之间的距离没有发生变化。
90.本实施方式利用可变形材料制备补位件22，利用其正向形变和恢复原形的过程实现补位芯片30与补位区域110的贴合及补位芯片30与补位件22的分离，能够减少对补位区域110的损伤。而且，根据不同的接收组件10设置补位芯片30，可实现补位组件的循环使用，能够提高修复效率，降低修复成本。
91.在一个实施方式中，请参阅图6，图6为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图，本实施方式包括如下步骤。
92.步骤s41，提供接收组件和补位组件。
93.步骤s41与上述步骤s11相同，接收组件的结构可继续参阅图2a，补位组件的结构可继续参阅图2b，其中，补位件22通过静电吸附或真空吸附与补位芯片30贴合。具体地，可使用导电材料制备补位件22，实现与补位芯片30之间的静电吸附，也可在补位件22内设置气流通道，实现与补位芯片30之间的静电吸附。这均为现有技术中的成熟技术，此处不再赘述。
94.其中，补位芯片30背离补位件22一侧设置有第二粘性层31(图2b中未示出，见图7a)。
95.步骤s42，将第二表面与第一表面相对设置，并使补位芯片与补位区域接触并贴合。
96.请结合图2a和图2b参阅图7a，图7a为图6中步骤s42一实施方式的结构示意图，其中接收组件10用图2a中a-a方向的截面图表示，补位组件20用图2b中b-b方向的截面图表示。将补位基板21的第二表面与接收基板11的第一表面相对设置，并使补位芯片30与补位区域110接触并贴合。第二粘性层31使得补位芯片30与补位区域110接触之后即可实现贴合。未设置有补位芯片30的其他补位件22虽然与接收基板11上的正常芯片12接触，但并不会贴合。
97.步骤s43，减小补位件与补位芯片之间的静电吸附力或真空吸附力至其小于补位芯片与补位区域之间的贴合力。
98.请继续参阅图7a，补位芯片30与补位区域110贴合之后，减小补位件22与补位芯片30之间的静电吸附力或真空吸附力至其小于补位芯片30与补位区域110之间的贴合力。例如破坏静电吸附力或真空吸附力形成的条件，使其直接减小为零，则补位件22与补位芯片30之间为接触而不贴合的状态。
99.步骤s44，使补位件与补位芯片分离。
100.步骤s44与上述步骤s13相同，请结合图7a参阅图7b，图7b为图6中步骤s44一实施方式的结构示意图，经过上述步骤s43之后，直接移除补位组件20，即可将补位件22与补位芯片30分离，将补位芯片30留在补位区域110，完成修复。图7b中画出补位基板21远离接收基板11的情况。
101.本实施方式通过静电吸附或真空吸附的方式实现补位件22与补位芯片30的贴合与分离，从而将补位芯片30贴合在补位区域，能够减少对补位区域110的损伤。而且，根据不同的接收组件10设置补位芯片30，可实现补位组件的循环使用，能够提高修复效率，降低修复成本。
102.在一个实施方式中，请参阅图8，图8为本技术修复方法另一实施方式的流程示意图，包括如下步骤。
103.步骤s51，将多个led芯片设置于接收基板的第一表面。
104.请参阅图9a，图9a为图8中步骤s51一实施方式的结构示意图，将多个led芯片13设置于接收基板11的第一表面。led芯片13可以是micro-led芯片，巨量排布在驱动背板上以实现micro-led显示，图9a只示意性画出几个led芯片13，其中通常会存在异常led芯片130，即坏点。接收基板11可以是驱动背板，也可以是转移过程中的临时基板。具体可利用粘性层14(见图9b)将led芯片13设置于第一表面。
105.步骤s52，对多个led芯片进行检测，以确定异常led芯片的位置。
106.请继续参阅图9a，巨量排布led芯片13之后，对其进行坏点检测，以确实异常led芯片130的位置。具体的检测方法为现有技术中的成熟技术，此处不再赘述。
107.步骤s53，在第一表面上方设置转移基板，并使转移基板上设置的转移头与异常led芯片的位置对应。
108.请结合图9a参阅图9b，图9b为图8中步骤s53一实施方式的结构示意图，基于图9a中的c-c方向的截面图进行进一步的说明，设置好多个led芯片13并检测出异常led芯片130的位置之后，在接收基板11第一表面的上方设置转移基板41，并使转移基板41上设置的转移头42与异常led芯片130的位置对应。
109.在此步骤s53之前，还包括如下步骤：
110.步骤一，将多个转移头设置于转移基板的一侧表面，其中，转移头在转移基板上的排布与led芯片在接收基板上的排布相同。
111.请继续参阅图9b，首先将多个转移头42设置于转移基板41的一侧表面，其中，转移头42在转移基板41上的排布与led芯片13在接收基板11上的排布相同。则后续将转移基板41和接收基板11相对设置时，只需将转移头42与led芯片13一一对应，则异常led芯片130自然能与转移头42一一对应，且不论异常led芯片130以何种方式分布，均可适用。
112.步骤二，在至少部分转移头背离转移基板一侧设置第三粘性层。
113.请继续参阅图9b，设置多个转移头42之后，在至少部分转移头42背离转移基板41
一侧设置第三粘性层43。可以根据异常led芯片130的分布在部分转移头42一侧设置第三粘性层43，也可以在所有转移头42一侧均设置第三粘性层43。图9b画出所有转移头42一侧均设置第三粘性层43的情况。
114.步骤s54，使转移头与对应位置处的异常led芯片贴合，其中，异常led芯片与转移头之间的贴合力大于异常led芯片与接收基板之间的贴合力。
115.请结合图9b参阅图9c，图9c为图8中步骤s54一实施方式的结构示意图，使转移头42与对应位置处的异常led芯片130贴合，其中，异常led芯片130与转移头42之间的贴合力大于异常led芯片130与接收基板11之间的贴合力。第三粘性层43使得转移头42与异常led芯片130之间实现贴合。
116.根据异常led芯片130的分布在部分转移头42一侧设置第三粘性层43适用于贴合过程中转移头42发生形变和不发生形变的情况，但是设置第三粘性层43的工艺复杂度较高。在所有转移头42一侧均设置第三粘性层43只适用于贴合过程中转移头42发生形变的情况，但是设置第三粘性层43的工艺复杂度较低。
117.步骤s55，移除转移头，以使异常led芯片与接收基板分离，并在接收基板上形成补位区域。
118.请结合图9c参阅图9d，图9d为图8中步骤s55一实施方式的结构示意图，转移头42与异常led芯片130贴合之后，移除转移头42，例如将转移基板41向远离接收基板11的方向移动，由于异常led芯片130与转移头42之间的贴合力大于异常led芯片130与接收基板11之间的贴合力，转移头42移动时，异常led芯片130将与接收基板11分离，而被转移头42带走，在接收基板11上留下补位区域110。补位区域110的分布则与异常led芯片130的分布相同。异常led芯片130与接收基板11之间的粘性层14可能跟随异常led芯片130离开接收基板11，也可能留在补位区域110。
119.本实施方式利用转移头42作为中间载体，通过其与异常led芯片130之间的贴合而移除坏点，能够降低对接收基板11上的损伤，且能够根据坏点分布设置转移头42与异常芯片130的贴合，一次性移除所有坏点，提高移除效率。
120.下面以转移头42可发生形变的情况说明上述贴合过程。
121.在一个实施方式中，转移头42能够发生正向形变并恢复原形，正向形变使转移头42在垂直转移基板41方向上的长度变大，恢复原形的过程使转移头42在垂直转移基板41方向上的长度变小。其中，转移头42的材质包括光敏形变材料，例如偶氮苯材料，在特定波长光束照射下能够发生形变。同时，本实施方式设置转移基板41能够允许该特定波长光束透过，满足转移头42发生正向形变或者恢复原形的条件。请参阅图10，图10为图8中步骤s54一实施方式的流程示意图，可通过如下步骤使转移头与对应位置处的异常led芯片贴合。
122.步骤s61，使转移头与异常led芯片之间的距离为预设间距；其中，预设间距小于或等于转移头在垂直转移基板方向上的最大形变量。
123.请继续参阅图9b，在上述步骤s53的基础上，使转移头42与异常led芯片130之间的距离为预设间距；其中，预设间距小于或等于转移头42在垂直转移基板41方向上的最大形变量，使得转移头42发生正向形变之后能够与异常led芯片130接触并贴合。
124.步骤s62，使转移头发生正向形变至转移头与异常led芯片贴合。
125.请继续参阅图9b和图9c，设置好上述预设间距之后，使用上述特定波长光束透过
转移基板41照射部分转移头42，被照射的转移头42即为一与异常led芯片130对应的转移头42，转移头42受照射后发生正向形变，其在垂直转移基板41方向上的长度变大，向异常led芯片130靠近，直至接触并贴合，从而得到如图9c所示的结构。
126.进一步地，在转移头42可发生形变的情况下，通过使转移头42正向形变而与异常led芯片130贴合之后，可再次使用上述特定波长光束透过转移基板41照射已发生正向形变的转移头42，使之恢复原形，其在垂直转移基板41方向上的长度变小，则异常led芯片130与接收基板11分离，跟随转移头42远离接收基板11，得到如图9d所示的结构，完成坏点移除。
127.本实施方式利用可变形材料制备转移头42，利用正向形变和恢复原形的过程实现异常led芯片130与转移头42的贴合及异常led芯片130与接收基板11的分离，能够减少对接收基板11的损伤。
128.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。