电子装置及包含其的制备方法与流程

1.本发明是涉及一种电子装置及包含的制备方法，尤其涉及一种利于组装的电子装置及包含的制备方法。


背景技术：

2.一般电子装置的面板上可以设有保护基板，在面板与保护基板对组时需要对位标记辅助对组。在现有的技术中，对位标记的设置需要较繁杂的工艺，故需较长的工艺时间或高成本等缺点。因此，本发明提供一种可改善对位标记的繁杂的工艺的电子装置方法及电子装置。


技术实现要素：

3.本发明提供一种电子装置，其特征在于，包含：一面板；一保护基板，设置于该面板上；以及一遮光层，设置于该保护基板上且包含一第一部分及一第二部分，其中该第二部分与该第一部分相连，该第一部分具有一第一厚度，该第二部分具有一第二厚度，且该第二厚度大于该第一厚度。
4.在其中一个实施例中，该第二厚度与该第一厚度的差异大于或等于2微米且小于或等于4微米。
5.在其中一个实施例中，该第一厚度大于或等于3微米且小于或等于7微米。
6.在其中一个实施例中，该第二厚度大于或等于5微米且小于或等于11微米。
7.在其中一个实施例中，该保护基板具有邻近该面板的一表面，该遮光层设置于该表面上，该第一部分具有远离该保护基板的一第一表面，该第二部分具有远离该保护基板的一第二表面，在该保护基板的该表面的法线方向上，该第一表面与该保护基板的该表面之间的距离小于该第二表面与该保护基板的该表面之间的距离。
8.在其中一个实施例中，该面板具有邻近于该第二部分的一侧边，其中，在该保护基板的一表面的法线方向上，该第二部分与该面板的该侧边未重叠。
9.在其中一个实施例中，该第二部分具有至少一凹陷。
10.在其中一个实施例中，该至少一凹陷的深度为大于或等于2微米且小于或等于5微米。
11.在其中一个实施例中，该遮光层为单层结构。
12.本发明另提供一种电子装置的制备方法，其特征在于，包含：提供一保护基板；形成一遮光层于该保护基板上，其中，该遮光层包含一第一部分及一第二部分，该第二部分与该第一部分相连，该第一部分具有一第一厚度，该第二部分具有一第二厚度，且该第二厚度大于该第一厚度；以及在形成该遮光层于该保护基板上之后，将一面板与该保护基板对组，以形成该电子装置。
13.在其中一个实施例中，该第二厚度与该第一厚度的差异大于或等于2微米且小于或等于4微米。
14.在其中一个实施例中，在将该面板与该保护基板对组前，还包含对该第二部分进行一图案化工艺，以使该第二部分具有至少一凹陷。
15.在其中一个实施例中，在将该面板与该保护基板对组的步骤中包括将该遮光层朝向该面板。
附图说明
16.图1a至图1c是本发明的一实施例的电子装置的制备方法的示意图；
17.图2a至图2c分别是沿图1a至图1c的线段a-a’之剖面图；
18.图3a是本发明的一实施例的电子装置的示意图；
19.图3b是沿图3a的线段b-b’的剖面图；
20.图4a至图4c是本揭露的一实施例的部分保护基板的示意图；
21.图5a是本发明的一实施例的部分保护基板的示意图；
22.图5b是沿图5a的线段c-c’的剖面图；
23.图6是本发明的一实施例的保护基板的示意图；
24.图7a是本发明的一实施例的电子装置的剖面图；
25.图7b是图7a的面板的上视图。
26.【附图标记说明】
[0027]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
保护基板
[0028]
11
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表面
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遮光层
[0030]
21
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第一部分
[0031]
211
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表面
[0032]
22
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第二部分
[0033]
221
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表面
[0034]
22c
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凹陷
[0035]
22c1
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表面
[0036]
23
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开口区
[0037]3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
面板
[0038]
31
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第一基板
[0039]
32
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第二基板
[0040]
311、311-1、321、321-1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
表面
[0041]
312、322
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侧边
[0042]
33
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对位标记
[0043]
34
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遮光元件
[0044]4ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
中间层
[0045]
d1、d2
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深度
[0046]
d3、d4
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距离
[0047]
t1
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第一厚度
[0048]
t2
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第二厚度
[0049]zꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
法线方向
[0050]mꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
介质层
[0051]
p
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端点
[0052]
se
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侧边
[0053]eꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
轮廓
具体实施方式
[0054]
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
[0055]
以下将详细地参考本发明的具体实施例，具体实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0056]
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包含”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
[0057]
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各附图所示的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
[0058]
本发明中所叙述的一结构(或层别、元件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上/上方，可以指两个结构相邻且直接连接，或是可以指两个结构相邻而非直接连接。非直接连接是指两个结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介元件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本发明中，当某结构设置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
[0059]
术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
[0060]
说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等用词用于修饰元件，其本身并没有意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可以不使用相同用词，因此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
[0061]
本发明中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，在直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或用一导体线段互相连接，而在间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述
元件的组合，但不限于此。
[0062]
在本发明中，厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。另外，本发明中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
[0063]
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将多个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
[0064]
除非另外定义，在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语例如在通常使用的字典中定义用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
[0065]
在本发明中，电子装置可包括显示设备、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置，但不以此为限。电子装置可以为可弯折或可挠式电子装置。显示设备可以为非自发光型显示设备或自发光型显示设备。天线装置可以为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置，感测装置可以为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置，但不以此为限。在本发明中，电子元件可包括被动元件与主动元件，例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可以例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)、次毫米发光二极管(mini led)、微发光二极管(micro led)或量子点发光二极管(quantum dot led)，但不以此为限。拼接装置可以例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为上述的任意排列组合，但不以此为限。下文将用显示设备作为电子装置或拼接装置来说明本发明内容，但本发明不以此为限。
[0066]
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本发明精神的情况下构成另一实施例。
[0067]
图1a至图1c为本发明的一实施例的电子装置的制备方法的示意图。图2a至图2c分别为沿图1a至图1c的线段a-a’的剖面图。图3a为本发明的一实施例的电子装置的示意图。图3b为沿图3a的线段b-b’的剖面图。
[0068]
如图1a至图2c所示，本发明的电子装置的制备方法，包含：提供一保护基板1。接着，如图1b及2b所示，形成一遮光层2于保护基板1上，其中遮光层2可包含一第一部分21及一第二部分22，第二部分22与第一部分21相连，第一部分21具有一第一厚度t1，第二部分22具有一第二厚度t2，第二厚度t2可大于第一厚度t1。在一些实施例中，第二厚度t2与第一厚度t1的差异可大于或等于2微米(μm)且小于或等于4微米(2微米≤t2-t1≤4微米)，但不限于此。在一些实施例中，保护基板1可包括石英基板、玻璃基板、陶瓷基板、蓝宝石基板、软硬混合板、其他硬质基板或上述的组合。在一些实施例中，第二部分22的轮廓e外形可以例如
呈圆形、椭圆形、弧边形、矩形或其他合适外型。在一些实施例中，遮光层2可以包含至少一个第二部分22，第一部分21例如环绕此些第二部分22。在一些实施例中，遮光层2可以具有开口区23。在一些实施例中，开口区23可以例如呈矩形、弧边形、圆形、椭圆形、多边形或其他合适外形。第一厚度t1可以定义为邻近于开口区23的第一部分21于保护基板1的表面11的法线方向z上的最大厚度。第二厚度t2可以定义为第二部分22于保护基板1的表面11的法线方向z上的最大厚度。
[0069]
在一些实施例中，如图2b和图3b所示，保护基板1可以具有邻近面板3的一表面11，遮光层2可设置于表面11上，但不限于此。在一些实施例中，第一部分21可具有远离保护基板1的一第一表面211，第二部分22可具有远离保护基板1的一第二表面221，在保护基板1的表面11的法线方向z上，第一表面211与保护基板1的表面11之间的距离d3可以小于第二表面221与保护基板1的表面11之间的距离d4。在一些实施例中，当遮光层2接触保护基板1，第一厚度t1可以相等于第一表面211与保护基板1的表面11之间的距离d3，第二厚度t2可以相等于第二表面221与保护基板1的表面11之间的距离d4。如图1c和图2c所示，在将面板3与保护基板1对组前，还包含对第二部分22进行一图案化工艺，以使第二部分22具有至少一凹陷22c。在一些实施例中，图案化工艺可以包括蚀刻工艺、激光雕刻工艺、其他合适的工艺或上述的组合，但不限于此。接着，在形成该遮光层2于该保护基板1上之后，将面板3与保护基板1对组，以形成电子装置(如图3a和图3b所示的电子装置)。其中，在将面板3与保护基板11对组的步骤中包括将遮光层2朝向面板3。
[0070]
在一些实施例中，形成遮光层2的方法并无特别限制，例如可以使用浸涂法、旋涂法、滚筒涂布法、刮刀涂布法、喷涂法、沈积法、或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，遮光层2例如为单层结构，举例遮光层2例如用单一工艺所形成，因此可以改善工艺时间或降低制备成本。由于遮光层2可为单层结构，所以在剖面中，遮光层2不具有任何界面。在一些实施例中，遮光层2的材料可以包括油墨、光阻、树脂、金属、其它合适材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，当遮光层2使用激光雕刻工艺来形成凹陷22c，激光雕刻工艺可以视需要调整激光功率、频率、时间等参数来控制凹陷22c的深度。在一些实施例中，凹陷22c的外形举例为十型，但不限于此。在一些实施例中，凹陷22c的外形可包括l形、x形、t型、ㄑ字或其他合适外形。在一些实施例中，多个第二部分22所分别具有的凹陷22c外形可以例如彼此相同或不同。
[0071]
如图3a和图3b所示，电子装置可以包含一面板3、一保护基板1以及一遮光层2，保护基板1可以设置于面板3上，遮光层2可以设置于保护基板1上且包含一第一部分21及一第二部分22。在一些实施例中，第二部分22与第一部分21相连，第一部分21可以具有一第一厚度t1，第二部分22可具有一第二厚度t2，且第二厚度t2大于第一厚度t1。在一些实施例中，第二厚度t2与第一厚度t1的差异大于或等于2微米且小于或等于4微米(2微米≤t2-t1≤4微米)，但不限于此。在一些实施例中，第二厚度t2与第一厚度t1的差异可大于或等于2.5微米(μm)且小于或等于3.5微米(2.5微米≤t2-t1≤3.5微米)。在一些实施例中，第二厚度t2与第一厚度t1的差异可大于或等于2.8微米且小于或等于3.2微米(2.8微米≤t2-t1≤3.2微米)。在一些实施例中，第一厚度t1可大于或等于3微米，且小于或等于7微米(3微米≤t1≤7微米)，但不限于此。在一些实施例中，第一厚度t1可大于或等于3.5微米，且小于或等于6.5微米(3.5微米≤t1≤6.5微米)。在一些实施例中，第一厚度t1可大于或等于4微米，且小
于或等于6微米(4微米≤t1≤6微米)。在一些实施例中，第二厚度t2可大于或等于5微米，且小于或等于11微米(5微米≤t2≤11微米)，但不限于此。在一些实施例中，第二厚度t2可大于或等于5.5微米，且小于或等于10.5微米(5.5微米≤t2≤10.5微米)。在一些实施例中，第二厚度t2可大于或等于6微米，且小于或等于10微米(6微米≤t2≤10微米)。本发明通过将遮光层2的第一部份21及第二部分22的厚度差异设计在特定范围内，可以在不需要涂布多层遮光层2的情况下，达到对位效果，可达到缩短工艺时间、提高产能或降低制备成本等功效。当遮光层2的第一厚度t1太小时，遮光效果不佳，因此当遮光层2的第一厚度t1符合上述范围时，可以提供良好的遮光效果。当遮光层2的第二厚度t2符合上述范围时，可以提供足够的厚度以形成凹陷22c，以提供良好的对位效果。当遮光层2的第二厚度t2太大时，则会增加遮光层2的材料成本。
[0072]
在一些发明中，如图3b所示，面板3可以包含一第一基板31和/或一第二基板32，第二基板32与第一基板31可相对设置。第一基板31可以为一薄膜晶体管基板(tft基板)，第二基板32可为彩色滤光基板或触控基板，但不限于此。在一实施例中，第一基板31与第二基板32之间可以还包含一介质层m，介质层m的材料可包括液晶、有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)、量子点(quantum dot，qd)、荧光分子(fluorescence molecule)、磷光分子(phosphor)、发光二极管(light-emitting diode，led)、微发光二极管(micro light-emitting diode，micro led)、次毫米发光二极管(mini light-emitting diode，mini led)或各式电子元件，但不限于此。在一些实施例中，第二基板32可设置于第一基板31与保护基板1之间，但不限于此。在一些实施例中，面板3可以选择性不包括第二基板32，介质层m例如设置于第一基板31与保护基板1之间。本发明的电子装置可以包括各种应用的面板的电子装置，面板例如包括显示面板、触控面板、天线面板、感测面板、防窥面板、或上述的组合，但不限于此。
[0073]
在一些实施例中，如图3a及图3b所示，在保护基板1的表面11的法线方向z上，面板3可以例如重叠遮光层2的开口区23。在一些实施例中，在保护基板1的表面11的法线方向z上，面板3的面积可以例如大于或等于开口区23的面积。在一些实施例中，在保护基板1的表面11的法线方向z上，面板3与遮光层2的第一部分21可部分重叠。在一些实施例中，在保护基板1的表面11的法线方向z上，面板3与遮光层2的第二部分22可未重叠。在一些实施例中，电子装置可以还包含一中间层4(例如-粘着层)，设置于保护基板1与面板3之间，通过中间层4将保护基板1与面板3彼此固定，但不限于此。在一些实施例中，中间层4的材料可包含光固化型胶材、热固化型胶材、光热固化型胶材、湿气固化胶材、胶带、其它合适的材料或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，中间层4的材料可以包含光学胶(optical clear adhesive，oca)、光学透明树脂(optical clear resin，ocr)、其它合适的材料或上述的组合，但不限于此。
[0074]
在一些实施例中，面板3可以包含至少一个对位标记33。如图3a及3b所示，对位标记33可以设置于面板3的第一基板31上，但不限于此。更具体地，对位标记33可以例如设置于第一基板31的邻近保护基板1的表面311上，但不限于此。在其他实施例中(未示出)，对位标记33可以例如设置于第一基板31的远离保护基板1的表面311-1上。在其他实施例中(未示出)，对位标记33可以设置于面板3的第二基板32上，但不限于此。更具体地，对位标记33可以设置于第二基板32的远离保护基板1的表面321上，但不限于此。在其他实施例中(未示
出)，对位标记33可以例如设置于第二基板32的邻近保护基板1的表面321-1上。
[0075]
当将面板3与保护基板1对组时，可通过检测第二部分22的凹陷22c与对位标记33之间的相对距离，作为面板3与保护基板1的对位依据，改善对组效果。更具体地(如图3a)，第二部分22的凹陷22c与对位标记33之间的距离例如为在一方向上所测量的距离，该方向与保护基板1的表面11的法线方向z大致垂直，该方向可以例如为图3a的x方向，但不限于此。
[0076]
在一些实施例中，对位标记33的材料可以包含黑色油墨、光阻、树脂、金属、其它合适的材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，当对位标记33的材料包括金属，其可以例如与设置于第一基板31或第二基板32上的电路结构中的任一导电层为同一层，但不限于此。需注意的是，本案的对位标记33的形状仅为示意但并无特别限制，对位标记33的形状例如可以为圆形、椭圆形、矩形、十字形、l字形、t字形、或其他形状，但不局限于此。
[0077]
在一些实施例中，面板3可具有邻近于第二部分22的一侧边，其中，在保护基板1的表面11的法线方向z上，第二部分22与面板3的侧边未重叠。当面板3具有第一基板31及第二基板32时，且第一基板31及第二基板32的尺寸不同时，面板3的侧边可以例如定义为第一基板31及第二基板32中的尺寸较大的一个的邻近于第二部分22的侧边。如图3a及3b所示，当第一基板31的尺寸大于第二基板32时，面板3的侧边可以例如定义为第一基板31的邻近于第二部分22的侧边312，而在保护基板1的表面11的法线方向z上，第二部分22与面板3的第一基板31的侧边312未重叠，但不限于此。在此实施例中，第二基板32可具有邻近于第二部分22的侧边322，在保护基板1的表面11的法线方向z上，第二部分22与第二基板32的侧边322可以例如未重叠，但不限于此。在其它实施例中(未示出)，例如当第二基板32的尺寸大于第一基板31时，面板3的侧边可以例如定义为第二基板32的邻近于第二部分22的侧边322，而在保护基板1的表面11的法线方向z上，第二部分22与面板3的第二基板32的侧边322的侧边未重叠，但不限于此。
[0078]
图4a至图4c是本发明的一实施例的部分保护基板的示意图。图4a至图4c是沿图1c的线段a-a’的部分剖面图。
[0079]
如图4a至图4c所示，遮光层2的第二部分22可以具有至少一凹陷22c，且该第二部分22具有被凹陷22c所露出的表面22c1。详细来说，遮光层2的第二部分22具有远离保护基板1的第二表面221，凹陷22c的深度d1例如为表面22c1与第二部分22的第二表面221之间在保护基板1的表面11的法线方向z上的最大距离。另外，虽然图4a至图4c所示剖面图中的凹陷22c的外形成矩形，但不限于此，凹陷22c的外形可呈现弧边形或其他合适外形。在一些实施例中，凹陷22c的深度d1可以例如小于第二部分22的第二厚度t2，更具体地，凹陷22c的深度d1可以例如大于或等于2微米，且小于或等于5微米(2微米≤d1≤5微米)，但不限于此。在一些实施例中，凹陷22c的深度d1可例如大于或等于2.5微米，且小于或等于4.5微米(2.5微米≤d1≤4.5微米)。在一些实施例中，凹陷22c的深度d1可例如大于或等于3微米，且小于或等于4微米(3微米≤d1≤4微米)。当凹陷22c的深度d1符合上述范围时，可具有优选的对位效果。若凹陷22c的深度d1过大时，可能会导致漏光。
[0080]
在一些实施例中，如图4a所示，凹陷22c的深度d1可大于第二厚度t2与第一厚度t1的差异(t2-t1《d1)，但不限于此。在一些实施例中，如图4b所示，凹陷22c的深度d1可大致等于第二厚度t2与第一厚度t1的差异(t2-t1＝d1)，但不限于此。在一些实施例中，如图4c所
示，凹陷22c的深度d1可小于第二厚度t2与第一厚度t1的差异(t2-t1》d1)，但不限于此。
[0081]
在一些实施例中，被凹陷22c所露出的第二部分22的表面22c1可以为粗糙表面，且表面22c1的粗糙度例如大于第一表面211的粗糙度和/或第二表面221的粗糙度，但不限于此。
[0082]
图5a是本发明的一实施例的部分保护基板的示意图。图5b是沿图5a的线段c-c’的剖面图。图5a和5b的保护基板如图1c、图4a至图4c所示，除了以下差异。
[0083]
如图1c及图4a至图4c所示，在一剖面下，第二部分22具有至少一凹陷22c，但不限于此。在一些实施例中，如图5a及图5b所示，在一剖面下，第二部分22可以具有多个凹陷22c，如图5a及图5b所示，凹陷22c的外型可以例如呈现环状图案，所以在一剖面(如线段c-c’之剖面图)下，第二部分22可具有多个凹陷22c，但不限于此。
[0084]
在一些实施例中，凹陷22c的环状图案并无特别限制，例如可为十字环状、l字环状、t字环状或其他环状形状。
[0085]
图6是本发明的一实施例的保护基板的示意图。图6的保护基板与图1c相似，除了以下差异。
[0086]
在一些实施例中，如图6所示，遮光层2的第二部分22的轮廓e例如为具有弧边的矩形，但不限于此。此外，如图6所示，凹陷22c的形状可为l字型，但不限于此。在一些实施例中，多个第二部分22例如邻近于开口23的任一侧边设置，但不限于此。在一些实施例中，多个第二部分22例如邻近于开口23的多个侧边se或多个端点p设置，端点p例如定义为两个具有不同延伸方向的侧边se所相接的点。在一些实施例中，当开口23为矩形，多个第二部分22可以例如邻近于开口23的至少一端点p设置，但不限于此。在一些实施例中(未示出)，多个第二部分22例如邻近于开口23的至少一侧边se设置，但不限于此。
[0087]
图7a是本发明的一实施例的电子装置的剖面图。图7b是图7a的面板的上视图。图7a的电子装置与图3b相似，除了以下差异。
[0088]
如图7a所示，面板3可具有邻近于第二部分22的一侧边，在保护基板1的表面11的法线方向z上，第二部分22与面板3的侧边可重叠。当面板3具有第一基板31及第二基板32时，且第一基板31及第二基板32的尺寸不同时，面板3的侧边可以例如定义为第一基板31及第二基板32中尺寸较大的一个邻近于第二部分22的侧边。如图7a所示，当第一基板31的尺寸大于第二基板32时，面板3的侧边可以例如定义为第一基板31的邻近于第二部分22的侧边312，而在保护基板1的表面11的法线方向z上，第二部分22与面板3的第一基板31的侧边312重叠，但不限于此。在一些实施例中，在保护基板1的表面11的法线方向z上，对位标记33与第二部分22可例如重叠。在一些实施例中，在保护基板1的表面11的法线方向z上，对位标记33与第二部分22的凹陷22c可例如未重叠。
[0089]
在一些实施例中，面板3可还具有一遮光元件34，遮光元件34可设置于面板3上。如图7a所示，遮光元件34可例如设置于面板3的第二基板32上，但不限于此。更具体地，遮光元件34可以例如设置于第二基板32朝向第一基板31的表面321上，但不限于此。遮光元件34的材料可以包含黑色油墨、光阻、树脂或上述的组合，但不限于此。在其它实施例(未示出)，遮光元件34可以例如还延伸至第二基板32的侧边322，但不限于此。
[0090]
在一些实施例中，如图7a所示，在保护基板1的表面11的法线方向z上，遮光元件34可与遮光层2的第一部分21重叠，但不限于此。在一些实施例中，在保护基板1的表面11的法
线方向z上看，遮光元件34相对于对位标记33可更邻近于开口区23，但不限于此。在一些实施例中，遮光元件34可例如呈环状。在一些实施例中，如图7b所示，在保护基板1的表面11的法线方向z上，遮光元件34可以例如与对位标记33未重叠，但不限于此。
[0091]
综上所述，本发明通过将遮光层设计成包含第一部份及第二部分，且两部分的厚度差异符合特定范围时，可达到缩短工艺时间、提高产能或降低制备成本等功效。此外，遮光层的第二部分包含至少一凹陷，可改善保护基板与面板间的对组效果。
[0092]
以上的具体实施例应被解释为仅仅是说明性的，而不以任何方式限制本公开的其余部分。