一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机的制作方法

1.本发明涉及蚀刻机技术领域，具体为一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机。


背景技术：

2.蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类，化学蚀刻是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，而电解蚀刻机是利用金属在自来水或盐水为蚀刻主体的溶液中发生阳极溶解的原理，在对晶圆进行蚀刻的时候不会产生污染物，在半导体晶圆蚀刻的过程中，为了提高生产的效率，于是出现了连续式半导体晶圆湿法蚀刻机。
3.但是现有的连续式半导体晶圆湿法蚀刻机在蚀刻时没有对晶圆进行很好的固定，容易在蚀刻时产生漂浮现象，另外现有的连续式半导体晶圆湿法蚀刻机对半导体晶圆进行清洗时一般是通过纯水进行漂洗，清洗的效率以及质量不高，达不到现今使用的要求，因此我们提出了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机。


技术实现要素：

4.针对现有技术的不足，本发明提供了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，解决了上述背景技术中提出的问题。
5.为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，包括机箱，所述机箱的内腔设置有蚀刻台，所述蚀刻台顶面的中部设置有固定盘，所述固定盘的侧面设置有第一凸起部，所述固定盘的侧面设置有第二凸起部，所述蚀刻台的内部固定安装有伺服电机，所述伺服电机的输出轴连接有转动盘，所述转动盘的顶部设置有电动液压杆，所述电动液压杆输出端的顶部固定连接有升降块，所述升降块的侧面固定连接有若干组连杆，所述连杆的一端固定连接有支撑板，若干所述支撑板均匀布置在固定盘的侧部，所述支撑板的表面对称设置有倾斜的两个导向滑槽，所述导向滑槽的内腔设置有滑杆，所述滑杆的一端延伸至支撑板的顶面且固定连接有推动块，所述滑杆的另一端分别延伸至支撑板的底部且固定连接有定位板，一个所述定位板内侧面的中部设置有带有内腔的定位套，另一个所述定位板内侧面的中部设置有定位杆，所述定位杆的一端活动套接至定位套的内腔，所述定位套的外侧套接有第二弹簧，所述第二弹簧的两端分别与两个定位板的内侧面相连接，两个所述定位板靠近固定盘的一侧均设置有顶板，两个所述顶板相互滑动贴合，所述顶板的位置与第二凸起部相适配，所述支撑板的顶面设置有贯穿前后侧壁的定位滑槽，所述定位滑槽的内腔设置有定位滑块，所述定位滑块顶端的一端且位于支撑板的上方固定连接有推板，所述推板的位置与第一凸起部的位置相适配，所述支撑板的顶面且靠近固定盘的一侧设置有挡块，所述挡块的内侧固定连接有第一弹簧，所述第一弹簧的一端与推板的侧面相连接。
6.可选的，所述蚀刻台的顶部开设有刻蚀槽，所述蚀刻台的顶部开设有碱洗槽，所述蚀刻台的顶部开设有hf酸槽，所述蚀刻台的顶部开设有清洗槽，所述清洗槽的内壁设置有吸嘴，所述刻蚀槽、碱洗槽、hf酸槽以及清洗槽的位置与支撑板相适配。
7.可选的，所述蚀刻台的顶面设置有支撑块，所述支撑块的侧面设置有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的输出端延伸至清洗槽的上方且固定连接有喷水管，所述喷水管的底部开设有喷水孔，所述支撑块的上方设置有过滤箱，所述过滤箱的内腔设置有过滤海绵，所述过滤箱的顶部螺纹安装有密封盖，所述过滤箱的侧面固定连接有导水软管，所述导水软管的一端延伸至喷水管的内腔，所述蚀刻台的侧面且位于清洗槽的外侧固定连接有安装块，所述安装块的顶面固定安装有水泵，所述水泵的输入端和输出端均固定连接有吸水管，一个所述吸水管的一端与吸嘴相连接，另一个所述吸水管的一端延伸至过滤箱的内腔。
8.可选的，所述推板的高度大于推动块的高度。
9.可选的，所述机箱的外侧设置有进料传送机构，所述进料传送机构的一端延伸至机箱的内腔且与第二凸起部的位置相适配，所述机箱的外侧设置有出料传送机构，所述出料传送机构的一端延伸至机箱的内腔与第一凸起部的位置相适配。
10.可选的，所述转动盘的底部卡接有支撑滚珠，所述支撑滚珠的表面与固定盘的顶面相贴合。
11.可选的，所述机箱的正面铰接有维修门，所述维修门的中部设置有钢化玻璃，所述机箱的正面固定安装有控制面板，所述控制面板分别与伺服电机、电动液压杆、进料传送机构、出料传送机构电性连接。
12.本发明提供了一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，具备以下有益效果：1、该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，通过第二凸起部与顶板之间的挤压配合，推动两块推动块通过滑杆沿导向滑槽进行相互远离的移动，使得两块推动块之间形成大于半导体晶圆面积的区域，使得半导体晶圆移动至支撑板的顶面，并在第二弹簧的弹力作用下使得两块推动块对半导体晶圆进行挤压配合，实现了自动对半导体晶圆进行固定的功能。
13.2、该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，通过第一凸起部与推板之间的挤压配合，推动推板沿导向滑槽进行移动，从而将完成蚀刻的半导体晶圆推至出料传送机构上进行下料，实现了自动对半导体晶圆进行下料的功能。
14.3、该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，当支撑板以及半导体晶圆浸入至清洗槽内腔的纯水中时，控制面板控制水泵和电动伸缩杆启动，水泵把位于清洗槽内腔的纯水抽到过滤箱的内腔进行过滤，过滤后的纯水从导水软管进入喷水管的内腔，从喷水孔喷向半导体晶圆的表面，同时水泵带动喷水管移动，实现了对半导体晶圆进行冲洗的功能，辅助清洗槽内腔的纯水对半导体晶圆进行漂洗，提高了该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机清洗时的工作质量。
附图说明
15.图1为本发明机箱的内部示意图；图2为本发明剖视的结构示意图；图3为本发明正面的结构示意图；图4为本发明固定盘的结构示意图；图5为本发明固定盘的顶面示意图；图6为本发明固定盘的底面示意图；图7为本发明固定盘的侧面示意图；
图8为本发明推动块的结构示意图；图9为本发明定位板的结构示意图；图10为本发明夹持机构的爆炸示意图；图11为本发明第二弹簧的结构示意图；图12为本发明第一弹簧的结构示意图；图13为本发明支撑块的结构示意图。
16.图中：1、机箱；2、蚀刻台；3、伺服电机；4、转动盘；5、固定盘；6、升降块；7、电动液压杆；8、支撑板；9、第一凸起部；10、第二凸起部；11、连杆；12、支撑滚珠；13、刻蚀槽；14、碱洗槽；15、hf酸槽；16、清洗槽；17、导向滑槽；18、定位滑槽；19、挡块；20、第一弹簧；21、定位滑块；22、安装块；23、水泵；24、吸水管；25、吸嘴；26、支撑块；27、过滤箱；28、过滤海绵；29、密封盖；30、电动伸缩杆；31、喷水管；32、喷水孔；33、导水软管；34、推板；35、滑杆；36、推动块；37、定位板；38、顶板；39、定位杆；40、定位套；41、第二弹簧；42、进料传送机构；43、出料传送机构；44、控制面板；45、维修门；46、钢化玻璃。
具体实施方式
17.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
18.请参阅图1至图13，本发明提供一种技术方案：一种连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，包括机箱1，机箱1的内腔设置有蚀刻台2，蚀刻台2顶面的中部设置有固定盘5，固定盘5的侧面设置有第一凸起部9，固定盘5的侧面设置有第二凸起部10，蚀刻台2的内部固定安装有伺服电机3，伺服电机3的输出轴连接有转动盘4，转动盘4的顶部设置有电动液压杆7，电动液压杆7输出端的顶部固定连接有升降块6，升降块6的侧面固定连接有六组连杆11，连杆11的一端固定连接有支撑板8，六个支撑板8均匀布置在固定盘5的侧部，支撑板8的表面对称设置有倾斜的两个导向滑槽17，两个导向滑槽17的内腔设置有滑杆35，滑杆35能够在导向滑槽17的内腔进行滑动，滑杆35的一端延伸至支撑板8的顶面且固定连接有推动块36，滑杆35的另一端分别延伸至支撑板8的底部且固定连接有定位板37，一个定位板37内侧面的中部设置有带有内腔的定位套40，另一个定位板37内侧面的中部设置有定位杆39，定位杆39的一端活动套接至定位套40的内腔，定位套40的外侧套接有第二弹簧41，第二弹簧41的两端分别与两个定位板37的内侧面相连接，利用第二弹簧41的弹力作用带动两个推动块36沿导向滑槽17进行滑动，以实现对工件进行夹紧，两个定位板37靠近固定盘5的一侧均设置有顶板38，两个顶板38相互滑动贴合，顶板38的位置与第二凸起部10相适配，第二凸起部10对顶板38进行挤压时，得以驱动两个推动块36沿导向滑槽17相互远离的进行移动，从而方便工件被进料传送机构42上料至支撑板8上两个推动块36之间的位置，支撑板8的顶面设置有贯穿前后侧壁的定位滑槽18，定位滑槽18的内腔设置有定位滑块21，定位滑块21顶端的一端且位于支撑板8的上方固定连接有推板34，推板34的位置与第一凸起部9的位置相适配，支撑板8的顶面且靠近固定盘5的一侧设置有挡块19，挡块19的内侧固定连接有第一弹簧20，第一弹簧20的一端与推板34的侧面相连接，在第一凸起部9对推板34的挤压驱动下，带动推板34向远离固定盘5的方向进行移动，从而驱动推板34将位于两个推动块36之间的工件推至出料传送机构43上进行下料。
19.其中，蚀刻台2的顶部开设有刻蚀槽13，刻蚀槽13的内腔设置有蚀刻液，蚀刻台2的顶部开设有碱洗槽14，碱洗槽14的内腔设置有氢氧化钠或氢氧化钾溶液，用于中和酸性物质，去除多空硅，蚀刻台2的顶部开设有hf酸槽15，hf酸槽15的内腔设置有hf溶液，用于对氢离子进行钝化，蚀刻台2的顶部开设有清洗槽16，清洗槽16的内腔均设置有纯水，用于清洗半导体晶圆表面的化学物质，清洗槽16的内壁设置有吸嘴25，刻蚀槽13、碱洗槽14、hf酸槽15以及清洗槽16的位置与支撑板8相适配。
20.其中，蚀刻台2的顶面设置有支撑块26，支撑块26的侧面设置有电动伸缩杆30，电动伸缩杆30的输出端延伸至清洗槽16的上方且固定连接有喷水管31，喷水管31的底部开设有喷水孔32，支撑块26的上方设置有过滤箱27，过滤箱27的内腔设置有过滤海绵28，过滤箱27的顶部螺纹安装有密封盖29，过滤箱27的侧面固定连接有导水软管33，导水软管33的一端延伸至喷水管31的内腔，蚀刻台2的侧面且位于清洗槽16的外侧固定连接有安装块22，安装块22的顶面固定安装有水泵23，水泵23的输入端和输出端均固定连接有吸水管24，一个吸水管24的一端与吸嘴25相连接，另一个吸水管24的一端延伸至过滤箱27的内腔。
21.其中，推板34的高度大于推动块36的高度。
22.其中，机箱1的外侧设置有进料传送机构42，进料传送机构42的一端延伸至机箱1的内腔且与第二凸起部10的位置相适配，通过进料传送机构42把半导体晶圆输送到机箱1的内腔，并使得半导体晶圆移动到支撑板8的表面，机箱1的外侧设置有出料传送机构43，出料传送机构43的一端延伸至机箱1的内腔与第一凸起部9的位置相适配，通过出料传送机构43把蚀刻完成的半导体晶圆输送出机箱1的内腔。
23.其中，转动盘4的底部卡接有支撑滚珠12，支撑滚珠12的表面与固定盘5的顶面相贴合，通过支撑滚珠12对转动盘4进行支撑，另外通过支撑滚珠12辅助转动盘4进行转动。
24.其中，机箱1的正面铰接有维修门45，维修门45的中部设置有钢化玻璃46，机箱1的正面固定安装有控制面板44，控制面板44分别与伺服电机3、电动液压杆7、进料传送机构42、出料传送机构43电性连接。
25.综上，该连续式半导体晶圆湿法蚀刻机，使用时，当转动盘4带动其中一个支撑板8移动至第二凸起部10的位置时，通过固定盘5下侧的第二凸起部10与顶板38进行挤压配合，推动两块推动块36通过滑杆35沿导向滑槽17进行相互远离的移动，使得两块推动块36之间形成大于半导体晶圆面积的区域，然后启动进料传送机构42将半导体晶圆移动至支撑板8的顶面，随后在转动盘4的继续转动下，推板34脱离与第二凸起部10之间的配合，从而在第二弹簧41的弹力作用下，两块推动块36通过滑杆35沿导向滑槽17进行相互靠近的移动，直至分别与半导体晶圆的两侧进行挤压配合，从而对半导体晶圆进行夹紧固定，当装夹有半导体晶圆的支撑板8转动至刻蚀槽13的上方时，关闭伺服电机3使其停止转动，启动电动液压杆7带动支撑板8以及半导体晶圆浸入到刻蚀槽13内腔的蚀刻液进行蚀刻，蚀刻固定时长后启动电动液压杆7提起支撑板8以及半导体晶圆，并带动支撑板8以及半导体晶圆转动至碱洗槽14的上方，通过碱洗槽14内腔的氢氧化钠或氢氧化钾溶液中和半导体晶圆上的酸性物质，同理通过hf酸槽15内腔的hf溶液对氢离子进行钝化，当支撑板8以及半导体晶圆浸入至清洗槽16内腔的纯水中时，控制面板44控制水泵23和电动伸缩杆30启动，使得水泵23把位于清洗槽16内腔的纯水抽到过滤箱27的内腔进行过滤，过滤后的纯水从导水软管33导入到喷水管31的内腔，从喷水孔32喷向半导体晶圆的表面，同时电动伸缩杆30带动喷水管31
移动，当半导体晶圆完成蚀刻后移动至第一凸起部9的位置时，因推板34的高度大于推动块36的高度，所以第一凸起部9可以和推板34的上部进行配合，从而推动推板34沿导向滑槽17进行移动，从而将完成蚀刻的半导体晶圆推至出料传送机构43上进行下料，此时第一弹簧20处于拉伸状态，随后随着转动盘4的继续转动，推板34与第一凸起部9逐渐脱离，在脱离的过程中，推板34在第一弹簧20的弹力作用下进行复位，按照上述步骤依次对半导体晶圆进行蚀刻，即可。
26.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。