发光装置及包括发光装置的电子设备的制作方法

发光装置及包括发光装置的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月10日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0149590号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。
技术领域
3.本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。


背景技术：

4.发光装置是将电能转化成光能的装置。此类发光装置的实例包括使用有机材料用于发射层的有机发光装置、使用量子点用于发射层的量子点发光装置等。
5.在发光装置中，第一电极在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。


技术实现要素：

6.本说明书的实施方案提供了具有低驱动电压、高发光效率、长使用寿命和高颜色纯度的发光装置。
7.实施方案的额外的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
8.根据一个或多于一个的实施方案，发光装置包括：
9.第一电极，
10.面对所述第一电极的第二电极，
11.堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间并且各自包括发射层的m个发光单元，以及
12.分别在所述m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层，
13.其中m可以是2或大于2的整数，
14.除了与所述第二电极相邻的发光单元之外的所述m-1个发光单元中的至少一个可以包括在所述发射层与所述第二电极之间的n-掺杂的电子传输层，
15.在所述n-掺杂的电子传输层上的电荷产生层可以包括与所述n-掺杂的电子传输层直接接触的p-型电荷产生层，
16.所述n-掺杂的电子传输层可以包含第一电子传输材料、第二电子传输材料和金属，
17.所述第一电子传输材料和所述第二电子传输材料可以彼此不同，以及
18.所述第一电子传输材料可以是包含菲咯啉基团、氧化膦基团、硫化膦基团或其任
意组合的化合物。
19.根据一个或多于一个的实施方案，电子设备包括所述发光装置。
附图说明
20.根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面和特征将更加显而易见，在附图中：
21.图1示出根据本公开内容的实施方案的发光装置的示意性横截面视图；
22.图2是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图；以及
23.图3示出示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。
具体实施方式
24.现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字在说明书通篇是指相同的元件。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的实施方案的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。
25.因为本公开内容的主题可以具有多种修改的实施方案，所以在附图中例示并且在详细描述中描述实施方案。当提及参考附图描述的实施方案时，本公开内容的实施方案的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开内容的主题可以以许多不同的形式实施并且不应被解释为局限于本文阐述的实施方案。
26.以下将参考附图更详细地进一步描述本公开内容的一个或多于一个的实施方案。无论附图编号，彼此相同或一致的那些组件被呈现为相同的附图标记，并且不重复冗余的解释。
27.本文以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
28.应进一步理解，本文使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指明规定的特征或元件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征或元件的存在或增添。
29.应理解，当层、区或组件被称为在另一个层、区或组件“上”或“之上”时，它可以直接地或间接地形成在其它层、区或组件上。例如，可以存在介于中间的层、区或组件。
30.为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。换而言之，因为附图中的组件的尺寸和厚度可以为了便于解释而被任意地例示，所以以下实施方案不限于此。
31.如本文使用的术语“中间层”是指在有机发光装置中的阳极与阴极之间的单个层和/或多个层。包含在“中间层”中的材料不限于有机材料。例如，中间层可以包含无机材料。
32.如本文使用的表述“(中间层)包含至少一种由式1表示的化合物”可以意指“(中间层)可以包含一种属于式1的类别的化合物或者两种或多于两种的彼此不同并且属于式1的类别的化合物”。
33.根据一个或多于一个的实施方案，发光装置包括：
34.第一电极；
35.面对第一电极的第二电极；
36.堆叠在第一电极与第二电极之间并且各自包括发射层的m个发光单元；以及
37.分别在m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层，
38.其中m是2或大于2的整数，
39.除了与第二电极相邻的发光单元之外的m-1个发光单元中的至少一个包括在发射层与第二电极之间的n-掺杂的电子传输层，
40.在n-掺杂的电子传输层上的电荷产生层包括与n-掺杂的电子传输层直接接触(例如，物理接触)的p-型电荷产生层，
41.n-掺杂的电子传输层包含第一电子传输材料、第二电子传输材料和金属，
42.第一电子传输材料和第二电子传输材料彼此不同，以及
43.第一电子传输材料是包含菲咯啉基团、氧化膦基团、硫化膦基团或其任意组合的化合物。
44.图1是根据实施方案的有机发光装置10的示意性横截面视图。有机发光装置10包括第一电极110、面对第一电极110的第二电极190以及在第一电极110与第二电极190之间的中间层150。中间层150可以包括m个发光单元150-1、150-2和150-3。
45.发光单元150-1、150-2和150-3
46.m个发光单元150-1、150-2和150-3不受限制，只要它们具有能够发射光的功能即可。例如，发光单元150-1、150-2和150-3可以各自包括一个或多于一个的发射层153-1、153-2和153-3。当必要或需要时，发光单元150-1、150-2和150-3可以各自进一步包括除了发射层153-1、153-2和153-3之外的有机层。
47.发光单元150-1、150-2和150-3的数量(即，m)可以按需要选择，并且数量的上限不受限制。在实施方案中，发光装置10可以包括两个、三个、四个或五个发光单元。图1示出m是3的发光装置。
48.在根据实施方案的发光装置10中，m可以是3或大于3的整数，但本公开内容的实施方案不限于此。例如，m可以是3或4，但本公开内容的实施方案不限于此。
49.发光单元可以按在发光单元150-1、150-2和150-3中接近第一电极110的顺序命名为第一发光单元150-1、第二发光单元150-2和第三发光单元150-3。
50.在本说明书中，包括在第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元中的每个组件的描述不局限于“第一”、“第二”和“第三”，除非另外指明。例如，对于“第一发射层”、“第二发射层”和“第三发射层”的描述，可以参考本说明书中的“发射层”的一般描述，除非另外指明。
51.如图1中示出，在发光装置10中，除了与第二电极190相邻的发光单元150-3之外的m-1个发光单元150-1和150-2中的至少一个(例如，第一发光单元150-1)包括在发射层153-1与第二电极190之间的n-掺杂的电子传输层154，并且在n-掺杂的电子传输层154上的电荷产生层155-1包括直接接触(例如，物理接触)n-掺杂的电子传输层154的p-型电荷产生层155p-1。与第二电极190相邻的发光单元150-3不包括n-掺杂的电子传输层，因为电荷产生层不在发光单元150-3上。
52.在实施方案中，由m个发光单元150-1、150-2和150-3发射的光的最大发射波长可
以彼此相同。例如，在第一发光单元150-1、第二发光单元150-2和第三发光单元150-3堆叠在其中的发光装置10中，由第一发光单元150发射的光的最大发射波长、由第二发光单元150-2发射的光的最大发射波长和由第三发光单元150-3发射的光的最大发射波长可以全部彼此相同。在这种情况下，由m个发光单元150-1、150-2和150-3发射的光的颜色可以彼此相同。
53.在实施方案中，由m个发光单元150-1、150-2和150-3中的至少一个发光单元发射的光的最大发射波长可以与由其它发光单元中的至少一个发光单元发射的光的最大发射波长不同。例如，在第一发光单元150-1、第二发光单元150-2和第三发光单元150-3堆叠在其中的发光装置10中，由第一发光单元150发射的光的最大发射波长可以与由第二发光单元150-2发射的光的最大发射波长相同，但可以与由第三发光单元150-3发射的光的最大发射波长不同。在实施方案中，由第一发光单元150-1发射的光的最大发射波长、由第二发光单元150-2发射的光的最大发射波长和由第三发光单元150-3发射的光的最大发射波长可以彼此不同。例如，发光装置10可以通过混合由m个发光单元150-1、150-2和150-3发射的光来发射白色光。
54.在一个或多于一个的实施方案中，由m个发光单元150-1、150-2和150-3发射的光的最大发射波长可以各自独立地选自约370nm至约780nm。例如，由m个发光单元150-1、150-2和150-3发射的光的最大发射波长可以各自独立地选自约445nm至约480nm、约480nm至约580nm和约580nm至约780nm。
55.在实施方案中，m可以是2，并且由m个发光单元中的每一个发射的光的最大发射波长可以彼此相同。例如，发光单元可以各自发射具有约440nm至约480nm的最大发射波长的蓝色光。
56.在实施方案中，m可以是2，由m个发光单元中的一个发射的光的最大发射波长可以与由另一个发光单元发射的光的最大发射波长不同，并且由m个发光单元发射的光可以混合成发射白色光。
57.在实施方案中，m可以是3或大于3的整数，并且由m个发光单元中的至少三个发光单元发射的光的最大发射波长可以彼此相同。例如，所述至少三个发光单元可以各自发射具有约440nm至约480nm的最大发射波长的蓝色光。
58.在实施方案中，m可以是3或大于3的整数，并且m个发光单元中的至少三个发光单元可以发射第一颜色光。例如，在第一发光单元150-1、第二发光单元150-2和第三发光单元150-3堆叠在其中并且其中m是3的发光装置10中，第一发光单元150-1、第二发光单元150-2和第三发光单元150-3可以全部发射第一颜色光。
59.在一个或多于一个的实施方案中，发光装置10可以进一步包括发射不同于第一颜色光的第二颜色光的发光单元。例如，发光装置10可以进一步包括发射不同于第一颜色光的第二颜色光的第四发光单元。在这种情况下，第四发光单元的位置不受限制。例如，第一颜色光可以是蓝色光，并且第二颜色光可以是绿色光，但本公开内容的实施方案不限于此。
60.在实施方案中，m可以是4，m个发光单元中的三个发光单元可以发射蓝色光，并且其它发光单元可以发射绿色光。
61.电荷产生层155-1和155-2
62.电荷产生层可以分别在两个相邻发光单元之间。电荷产生层可以充当将电子注入
至两个相邻发光单元的一个发光单元的阴极，并且可以充当将空穴注入至另一个发光单元的阳极。电荷产生层不直接联接至(例如，不物理联接至)电极并且隔开相邻发光单元。
63.如图1中示出，发光装置10可以包括分别在m个发光单元150-1、150-2和150-3中的两个相邻发光单元之间的电荷产生层155-1和155-2，并且术语“相邻”是指以上描述的相邻层中的最接近的层的位置关系。在实施方案中，如本文使用的术语“两个相邻发光单元”是指多个发光单元中的彼此最接近定位的两个发光单元。术语“相邻”可以是指其中两个层彼此物理接触的情况以及其中未提及的另一个层可以在所述两个层之间的情况。例如，与第二电极190相邻的发光单元意指在多个发光单元150-1、150-2和150-3中的最接近第二电极190定位的发光单元。此外，第二电极190和与第二电极190相邻的发光单元可以彼此物理接触。然而，在实施方案中，未提及的其它层可以在第二电极190和与第二电极190相邻的发光单元之间。在实施方案中，电子传输层可以在第二电极190与发光单元之间。
64.电荷产生层可以包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层。在这点上，n-型电荷产生层可以直接接触(例如，物理接触)p-型电荷产生层以形成np结。由于np结，电子和空穴可以并发地(例如，同时地)产生在n-型电荷产生层与p-型电荷产生层之间。n-型是指n-型半导体特性，即，注入电子和/或传输电子的特性。p-型是指p-型半导体特性，即，注入空穴和/或传输空穴的特性。产生的电子可以通过n-型电荷产生层转移至两个相邻发光单元中的一个。产生的空穴可以通过p-型电荷产生层转移至两个相邻发光单元中的另一个。
65.在根据本公开内容的发光装置10中，m-1个电荷产生层155-1和155-2中的至少一个仅包括p-型电荷产生层，并且另一个电荷产生层可以包括p-型电荷产生层和n-型电荷产生层。
66.如图1中示出，发光装置10的第一发光单元150-1包括在发射层153-1与第二电极190之间的n-掺杂的电子传输层154，并且在n-掺杂的电子传输层154上的电荷产生层155-1包括直接接触(例如，物理接触)n-掺杂的电子传输层154的p-型电荷产生层155p-1。与第二电极190相邻的第二电荷产生层155-2可以包括p-型电荷产生层155p-2和n-型电荷产生层155n-2。
67.在根据实施方案的发光装置中，至少一个电荷产生层不包括n-型电荷产生层，并且其中两种类型或种类的电荷传输材料掺杂有金属的n-掺杂的电子传输层直接接触(例如，物理接触)p-型电荷产生层，从而允许n-掺杂的电子传输层不仅充当电荷传输层还充当n-型电荷产生层。以这种方式，与包括额外的n-型电荷产生层的发光装置相比，本公开内容的发光装置可以改善装置的发光效率，同时满足一定水平的驱动电压和使用寿命特性。
68.n-掺杂的电子传输层154
69.n-掺杂的电子传输层154可以包含第一电子传输材料、第二电子传输材料和金属。
70.第一电子传输材料和第二电子传输材料彼此不同，并且第一电子传输材料可以是包含菲咯啉基团、氧化膦基团、硫化膦基团或其任意组合的化合物。
71.在实施方案中，第一电子传输材料可以是由以下式1和式2中的任一种表示的化合物或其任意组合：
72.式1
[0073][0074]
式1a
[0075]
＊-(l
11
)a
11-(ar
11
)b
11
[0076]
式2
[0077][0078]
在式1、式1a和式2中，
[0079]
cy1是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0080]
x
21
是o或s，
[0081]
l
11
、l
21
至l
23
各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，ar
11
、ar
21
和ar
22
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0082]
a11和a21至a23可以各自独立地是0至5的整数，
[0083]
b11可以是1至5的整数，
[0084]
n1可以是1至3的整数，
[0085]
r1至r8各自独立地是由式1a表示的基团、氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，其中r1至r8中的至少一个是由式1a表示的基团，
[0086]r10a
是：
[0087]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
[0088]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团，
[0089]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团，或者
[0090]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0091]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，以及
[0092]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0093]
在实施方案中，在式1中，r1至r8中的至少一个可以是由式1b表示的基团：
[0094]
式1b
[0095][0096]
在式1b中，
[0097]z11
可以是n或c(r
13
)，z
12
可以是n或c(r
14
)，z
13
可以是n或c(r
15
)，
[0098]r11
至r
15
各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0099]
l
11
、r
10a
和a11各自与先前描述中描述的相同，
[0100]
*表示与相邻原子的结合位点。
[0101]
在实施方案中，第一电子传输材料可以是由式1-1至式1-3和式2-1至式2-3中的任一种表示的化合物或其任意组合：
[0102]
式1-1
[0103][0104]
式1-2
[0105][0106]
式1-3
[0107][0108]
式2-1
[0109][0110]
式2-2
[0111][0112]
式2-3
[0113][0114]
在式1-1至式1-3和式2-1至式2-3中，
[0115]z21
可以是n或c(r
21
)，z
22
可以是n或c(r
22
)，z
23
可以是n或c(r
23
)，
[0116]
x
22
是o、s、n(r
28
)、c(r
28
)(r
29
)或si(r
28
)(r
29
)，
[0117]r11
至r
15
和r
21
至r
29
各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b
(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0118]
l
24
和l
25
各自独立地与关于l
21
描述的相同，
[0119]
a24和a25各自独立地与关于a21描述的相同，
[0120]
ar
23
和ar
24
各自独立地与关于ar
21
描述的相同，以及
[0121]
x
21
、l
11
、l
21
至l
23
、ar
11
、ar
21
、ar
22
、a11、a21至a23、z
11
至z
13
、x
21
、q1至q3、r1至r8和r
10a
各自与以上描述的相同。
[0122]
在实施方案中，第一电子传输材料可以是化合物1-1至化合物1-25中的一种或其任意组合：
[0123]
[0124][0125]
在实施方案中，第二电子传输材料可以包含至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团。
[0126]
在实施方案中，第二电子传输材料可以是由式601表示的化合物：
[0127]
式601
[0128]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
。
[0129]
在式601中，
[0130]
ar
601
和l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0131]
xe11可以是1、2或3，
[0132]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0133]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，q
601
至q
603
与关于q1描述的相同，
[0134]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0135]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团。r
10a
与以上描述的相同。
[0136]
在实施方案中，第二电子传输材料可以是由式601-1表示的化合物：
[0137]
式601-1
[0138][0139]
在式601-1中，
[0140]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0141]
l
611
至l
613
与关于l
601
描述的相同，
[0142]
xe611至xe613与关于xe1描述的相同，
[0143]r611
至r
613
与关于r
601
描述的相同，以及
[0144]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。r
10a
与以上描述的相同。
[0145]
在实施方案中，第二电子传输材料可以包括化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz、tpm-taz中的一种或其任意组合：
[0146]
[0147]
[0148][0149]
在实施方案中，n-掺杂的电子传输层154中的第一电子传输材料与第二电子传输材料的重量比可以是约1:9至约9:1。例如，第一电子传输材料至第二电子传输材料的重量比可以是约8:2至约2:8，并且作为另一个实例，约7:3至约3:7。
[0150]
在实施方案中，在n-掺杂的电子传输层154中，金属可以是碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属、后过渡金属，或其任意组合。
[0151]
碱金属可以选自li、na、k、rb和cs。在实施方案中，碱金属可以是li、na或cs。在一个或多于一个的实施方案中，碱金属可以是li或cs，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0152]
碱土金属可以选自mg、ca、sr和ba。
[0153]
稀土金属可以选自sc、y、ce、tb、yb和gd。
[0154]
例如，金属可以是li、mg、yb或其任意组合。
[0155]
在实施方案中，基于100重量份的n-掺杂的电子传输层154，n-掺杂的电子传输层154中的金属的量可以是约1重量份至约20重量份。例如，基于100重量份的第一电子传输材料和第二电子传输材料的总量，n-掺杂的电子传输层154中的金属的量可以是约1重量份至约20重量份。
[0156]
n-掺杂的电子传输层154的厚度可以是约至约例如，n-掺杂的电子传输层154的厚度可以是约至约但本公开内容的实施方案不限于此。当n-掺杂的电子传输层154的厚度满足以上描述的范围时，可以实现高品质发光装置，而没有
驱动电压的显著增加。
[0157]
在实施方案中，在除了与第二电极相邻的发光单元之外的m-1个发光单元中，第k个发光单元可以包括n-掺杂的电子传输层，第k个发光单元可以包括第k个发射层，并且第k个发光单元可以进一步包括在第k个发射层与n-掺杂的电子传输层之间的空穴阻挡层。
[0158]
在实施方案中，在除了与第二电极相邻的发光单元之外的m-1个发光单元中，第k个发光单元可以包括n-掺杂的电子传输层，第k个发光单元可以包括第k个发射层，并且第k个发射层可以直接接触n-掺杂的电子传输层。
[0159]
在实施方案中，p-型电荷产生层155p-1和155p-2可以包含p-掺杂剂。p-掺杂剂与关于本文以下将描述的空穴传输区描述的相同。
[0160]
在实施方案中，在电荷产生层155-2中，n-型电荷产生层155n-2可以直接接触(例如，物理接触)p-型电荷产生层155p-2。
[0161]
在现有技术的串联发光装置中，使用其中作为有机化合物的单个主体掺杂有金属的n-型电荷产生层，并且包括诸如电子传输层和空穴阻挡层的多个层的电子传输区在n-型电荷产生层与相邻发射层之间，从而增加驱动电压。
[0162]
在根据实施方案的发光装置中，至少一个发光单元可以包括可以用作n-型电荷产生层的n-掺杂的电子传输层。n-掺杂的电子传输层可以是其中两种或多于两种类型或种类的电子传输材料掺杂有金属的层，并且可以用作电子传输层和n-型电荷产生层。因此，与现有技术的发光装置相比，因为根据实施方案的发光装置具有去除至少一个有机层的结构，所以减少了n-型电荷产生层与发射层之间的有机层之间的界面的数量，使得可以将电子有效地注入发射层中。因此，可以降低发光装置的驱动电压并且可以改善发光效率。
[0163]
根据实施方案的发光装置包含其中第一电子传输材料包含菲咯啉基团、氧化膦基团、硫化膦基团或其任意组合的化合物。菲咯啉基团、氧化膦基团和硫化膦基团全部具有能够结合至金属的非共用电子对。例如，当第一电子传输材料包含菲咯啉基团时，菲咯啉的氮原子结合至金属，使得与其中未结合金属的情况相比，第一电子传输材料的有效lumo能级降低，并且因此，发光装置10的驱动电压可以降低并且发光效率可以改善。此外，因为第一电子传输材料具有高电荷迁移率，所以可以有效地转移在p-型电荷产生层与n-掺杂的电子传输层之间产生的电子，从而导致发光装置的发光效率的改善。
[0164]
此外，在根据实施方案的发光装置中，n-掺杂的电子传输层包含不同于第一电子传输材料的第二电子传输材料作为共主体。与结合至金属的第一电子传输材料相比，第二电子传输材料可以具有相对高的电子迁移率。因此，因为n-掺杂的电子传输层进一步包含第二电子传输材料，所以可以更有效地将电子注入至发射层中，从而导致发光装置的发光效率的改善。
[0165]
第一电极110
[0166]
在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方和/或第二电极190上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底和/或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0167]
可以通过例如在衬底上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴的注入的
高功函材料。
[0168]
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
[0169]
第一电极110可以具有包括单层结构(例如，由单层结构组成)的单个层或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0170]
中间层150
[0171]
中间层150在第一电极110上。中间层150包括发光单元150-1、150-2和150-3，并且发光单元150-1、150-2和150-3各自包括发射层153-1、153-2和153-3。
[0172]
发光单元150-1、150-2和150-3可以各自进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极190之间的电子传输区。
[0173]
除了各种适合的有机材料之外，中间层150可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
[0174]
空穴传输区
[0175]
空穴传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
[0176]
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0177]
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，层从第一电极110依次堆叠。
[0178]
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0179]
式201
[0180][0181]
式202
[0182][0183]
在式201和式202中，
[0184]
l
201
至l
204
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0185]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
3-c
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的二价c
1-c
60
杂环基团，
[0186]
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
[0187]
xa5可以是1至10的整数，
[0188]r201
至r
204
和q
201
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0189]r201
和r
202
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的、或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基团等)(参见化合物ht16等)，
[0190]r203
和r
204
可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，以及
[0191]
na1是1至4的整数。r
10a
与以上描述的相同。
[0192]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0193][0194]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
与关于r
10a
描述的相同，并且环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代。
[0195]
在实施方案中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
[0196]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种。
[0197]
在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一种以及由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0198]
在一个或多于一个的实施方案中，式201中的xa1是1，r
201
是由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可以是0，并且r
202
可以是由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0199]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一个表示的基团。
[0200]
在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，并且可以包含由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一种。
[0201]
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式cy201至式cy217中的一个表示的基团。
[0202]
在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物ht1至化合物ht44、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)中的一种或其任意组合：
[0203]
[0204]
[0205]
[0206]
[0207][0208]
空穴传输区的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约至约例如约至约并且空穴传输层的厚度可以是约至约例如约至约当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得适合的或令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0209]
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包含如以上描述的材料。
[0210]
p-掺杂剂
[0211]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质(导电性质)的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。
[0212]
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
[0213]
在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(lumo)能级可以是-3.5ev或小于-3.5ev。
[0214]
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其任意组合。
[0215]
醌衍生物的实例是tcnq、f4-tcnq等。
[0216]
含氰基基团的化合物的实例是hat-cn和由以下式221表示的化合物。
[0217][0218]
式221
[0219][0220]
在式221中，
[0221]r221
至r
223
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，以及
[0222]r221
至r
223
中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-f；-cl；-br；-i；被氰基基团、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基基团；或者其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0223]
在含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或其组合，并且元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0224]
金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0225]
准金属的实例是硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0226]
非金属的实例是氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0227]
在实施方案中，含有元素el1和元素el2的化合物的实例是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
[0228]
金属氧化物的实例是钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和铼氧化物(例如，reo3等)。
[0229]
金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0230]
碱金属卤化物的实例是lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0231]
碱土金属卤化物的实例是bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0232]
过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0233]
后过渡金属卤化物的实例是锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和锡卤化物(例如，sni2等)。
[0234]
镧系金属卤化物的实例是ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl
3 smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr
3 smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0235]
准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，sbcl5等)。
[0236]
金属碲化物的实例是碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0237]
发射层153-1、153-2和153-3
[0238]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层153-1、发射层153-2和发射层153-3图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层153-1、153-2和153-3可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触(例如，物理接触)或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合成发射白色光。
[0239]
发射层153-1、153-2和153-3可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0240]
在实施方案中，发射层153-1、153-2和153-3中的至少一个包括两个发射层，并且
所述两个发射层可以彼此直接接触(例如，物理接触)。
[0241]
例如，所述两个发射层中的一个可以包含第一主体和荧光掺杂剂，并且另一个可以包含第二主体和磷光掺杂剂。第一主体和第二主体各自与关于本文以下将描述的主体描述的相同，并且荧光掺杂剂和磷光掺杂剂将各自在本文以下更详细地描述。
[0242]
基于100重量份的主体，发射层153-1、153-2和153-3中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
[0243]
在实施方案中，发射层153-1、153-2和153-3可以包含量子点。
[0244]
在实施方案中，发射层153-1、153-2和153-3可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0245]
发射层153-1、153-2和153-3的厚度可以是约至约例如，约至约当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0246]
主体
[0247]
在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由以下式301表示的化合物：
[0248]
式301
[0249]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
。
[0250]
在式301中，
[0251]
ar
301
和l
301
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0252]
xb11可以是1、2或3，
[0253]
xb1可以是0至5的整数，
[0254]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0255]
xb21可以是1至5的整数，以及
[0256]q301
至q
303
与关于q1描述的相同，并且r
10a
与以上描述的相同。
[0257]
例如，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
301
可以经由单键彼此连接。
[0258]
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[0259]
式301-1
[0260][0261]
式301-2
[0262][0263]
在式301-1至式301-2中，
[0264]
环a
301
至环a
304
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0265]
x
301
可以是o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0266]
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
[0267]
l
301
、xb1、r
10a
和r
301
与本说明书中描述的相同，
[0268]
l
302
至l
304
可以各自独立地与关于l
301
描述的相同，
[0269]
xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
[0270]r302
至r
305
和r
311
至r
314
与关于r
301
描述的相同。
[0271]
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。在实施方案中，主体可以包括be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物、zn络合物或其组合。
[0272]
在实施方案中，主体可以包括化合物h1至化合物h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)中的一种或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此：
[0273]
[0274]
[0275]
[0276]
[0277]
[0278]
[0279][0280]
磷光掺杂剂
[0281]
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属原子。
[0282]
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0283]
磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0284]
例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0285]
式401
[0286]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0287]
式402
[0288][0289]
在式401和式402中，
[0290]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0291]
l
401
可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的l
401
可以彼此相同或不同，
[0292]
l
402
可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的l
402
可以彼此相同或不同，
[0293]
x
401
和x
402
可以各自独立地是氮或碳，
[0294]
环a
401
和环a
402
可以各自独立地是c
3-c
60
碳环基团或者c
1-c
60
杂环基团，
[0295]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0296]
x
403
和x
404
可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键(例如，配价键或配位共价键))、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0297]q411
至q
414
与关于q1描述的相同，
[0298]r401
和r
402
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0299]q401
至q
403
与关于q1描述的相同，并且r
10a
与以上描述的相同，
[0300]
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
[0301]
式402中的*和*'各自表示与式401中的m的结合位点。
[0302]
例如，在式402中，i)x
401
是氮并且x
402
是碳，或者ii)x
401
和x
402
中的每一个是氮。
[0303]
在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的l
401
中的两个环a
401
可以任选地经由作为连接基团的t
402
彼此连接，并且两个环a
402
可以任选地经由作为连接基团的t
403
彼此连接(参见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。t
402
和t
403
与关于t
401
描述的相同。
[0304]
式401中的l
402
可以是有机配体。例如，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn基团、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
[0305]
磷光掺杂剂化合物可以包括，例如，化合物pd1至化合物pd25中的一种或其任意组合：
[0306][0307]
荧光掺杂剂
[0308]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
[0309]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0310]
式501
[0311][0312]
在式501中，
[0313]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0314]
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，并且r
10a
与以上描述的相同，以及
[0315]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0316]
在实施方案中，式501中的ar
501
可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起(例如，彼此组合在一起)的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0317]
在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。
[0318]
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物fd1至化合物fd36；dpvbi；dpavbi中的一种；或其任意组合：
[0319]
[0320]
[0321][0322]
延迟荧光材料
[0323]
发射层153-1、153-2和153-3可以包含延迟荧光材料。
[0324]
在本说明书中，延迟荧光材料可以选自能够基于延迟荧光发射机理发射延迟荧光的化合物。
[0325]
根据包含在发射层中的其它材料的类型或种类，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0326]
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以大于或等于0ev且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发射效率。
[0327]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团)的材料，或者ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合(例如，组合在一起)同时共用硼(b)的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0328]
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括以下化合物df1至化合物df9中的至少一
种：
[0329][0330]
量子点
[0331]
发射层可以包含量子点。
[0332]
在本说明书中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种适合的发射波长的光的任何适合的材料。
[0333]
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
[0334]
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺和/或与其类似的任何适合的工艺合成量子点。
[0335]
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法更容易进行的工艺来控制，例如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe)，并且其需要低成本或以低成本操作。
[0336]
量子点可以包括ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；iv族元素或化合物；或者其任意组合。
[0337]
ii-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs；三元化合物，例如cdses、cdsete、cdste、znses、
znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse和/或mgzns；四元化合物，例如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste；或者其任意组合。
[0338]
iii-v族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等；三元化合物，例如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb等；四元化合物，例如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等；或者其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，iii-v族半导体化合物可以进一步包含ii族元素。进一步包含ii族元素的iii-v族半导体化合物的实例是inznp、ingaznp、inalznp等。
[0339]
iii-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如gas、gase、ga2se3、gate、ins、in2s3、inse、in2se3和/或inte；三元化合物，例如ingas3和/或ingase3；或其任意组合。
[0340]
i-iii-vi族半导体化合物的实例是三元化合物，例如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2；或者其任意组合。
[0341]
iv-vi族半导体化合物的实例是二元化合物，例如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，例如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，例如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或者其任意组合。
[0342]
iv族元素或化合物可以包括单一元素化合物，例如si或ge；二元化合物，例如sic和/或sige；或者其任意组合。
[0343]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
[0344]
在一个或多于一个的实施方案中，量子点可以具有单一结构或双核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的(例如，基本上均匀的)。在实施方案中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0345]
量子点的壳可以充当防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或充当向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，所述浓度梯度沿朝向壳中存在的元素的中心的方向降低。
[0346]
量子点的壳的实例可以是金属和/或非金属的氧化物、半导体化合物或其任意组合。金属和/或非金属的氧化物的实例是二元化合物，例如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio；三元化合物，例如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4；或其任意组合。半导体化合物的实例是如本文描述的ii-vi族半导体化合物；iii-v族半导体化合物；iii-vi族半导体化合物；i-iii-vi族半导体化合物；iv-vi族半导体化合物；或其任意组合。此外，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0347]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加颜色纯度和/或色域。此外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善广视角。
[0348]
此外，量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、
纳米线、纳米纤维和/或纳米板。
[0349]
因为能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有各种适合的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种适合的波长的光的发光显示器。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，量子点可以通过组合各种适合的颜色的光来发射白色光。
[0350]
电子传输区
[0351]
电子传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
[0352]
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0353]
在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层依次堆叠。
[0354]
在实施方案中，电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团的不含金属的化合物。
[0355]
在实施方案中，电子传输区可以包含由以下式601表示的化合物：
[0356]
式601
[0357]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
。
[0358]
在式601中，
[0359]
ar
601
和l
601
可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0360]
xe11可以是1、2或3，
[0361]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0362]r601
可以是未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，q
601
至q
603
与关于q1描述的相同，
[0363]
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
[0364]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个r
10a
取代的含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团。r
10a
与以上描述的相同。
[0365]
例如，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的ar
601
可以经由单键连接。
[0366]
在实施方案中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0367]
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
[0368]
式601-1
[0369][0370]
在式601-1中，
[0371]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0372]
l
611
至l
613
与关于l
601
描述的相同，
[0373]
xe611至xe613与关于xe1描述的相同，
[0374]r611
至r
613
与关于r
601
描述的相同，
[0375]r614
至r
616
可以各自独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
20
烷基基团、c
1-c
20
烷氧基基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。r
10a
与以上描述的相同。
[0376]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
[0377]
第二电子传输区可以包含化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz、tpm-taz中的一种或其任意组合：
[0378]
[0379]
[0380][0381]
电子传输区的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约至约例如约至约并且电子传输层的厚度可以是约至约例如约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可以获得适合的或令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0382]
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
[0383]
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子和/或cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子和/或ba离子。与碱金属络合物和/或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0384]
例如，含金属的材料可以包括li络合物。li络合物可以包括例如化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0385][0386]
电子传输区可以包括促进来自第二电极190的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触(例如，物理接触)第二电极190。
[0387]
电子注入层可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。
[0388]
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0389]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0390]
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或者其任意组合。
[0391]
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(例如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)、ba
x
ca
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3或lu2te3。
[0392]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，以及ii)作为键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0393]
电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0394]
在实施方案中，电子注入层可以包括以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合
物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0395]
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基质中。
[0396]
电子注入层的厚度可以是约至约例如，约至约当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，电子注入层可以具有适合的或令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[0397]
第二电极190
[0398]
第二电极190可以在具有如之前描述的结构的中间层150上。第二电极190可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极190的材料。
[0399]
在实施方案中，第二电极190可以包含锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo中的至少一种或其组合。第二电极190可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
[0400]
第二电极190可以具有单层结构或者包括两个或多于两个的层的多层结构。
[0401]
覆盖层
[0402]
第一覆盖层可以在第一电极110外部和/或第二覆盖层可以在第二电极190外部。更详细地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层150和第二电极190依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层150、第二电极190和第二覆盖层依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层150、第二电极190和第二覆盖层依次堆叠的结构。
[0403]
在发光装置10的中间层150的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出，或者在发光装置10的中间层150的发射层中产生的光可以通过第二电极190(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。
[0404]
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发射效率。
[0405]
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有1.6或大于1.6的折射率(在589nm的波长处)的材料。
[0406]
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0407]
选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、基于碱土的络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
[0408]
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式
201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0409]
在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含选自化合物ht28至化合物ht33、化合物cp1至化合物cp6、β-npb或其任意组合的化合物，但本公开内容的实施方案不限于此：
[0410][0411][0412]
电子设备
[0413]
发光装置10可以被包括在各种适合的设备中。在实施方案中，包括发光装置10的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
[0414]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以在从发光装置10发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置10发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置10可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。
[0415]
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。
[0416]
像素限定膜可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。
[0417]
滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域中的光阻挡图案，并且
颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域中的光阻挡图案。
[0418]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。更详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体(例如，光散射体)。
[0419]
在实施方案中，发光装置10可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一的第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二的第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三的第一颜色光。在这点上，第一的第一颜色光、第二的第一颜色光和第三的第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。更详细地，第一光可以是蓝色光，第一的第一颜色光可以是红色光，第二的第一颜色光可以是绿色光，并且第三的第一颜色光可以是蓝色光。
[0420]
除了如以上描述的发光装置10之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，并且选自源电极和漏电极中的任一个可以电联接至选自发光装置10的第一电极110和第二电极190中的一个。
[0421]
薄膜晶体管可以包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0422]
有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0423]
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置10的密封部。密封部可以在滤色器和/或颜色转换层与发光装置10之间。密封部允许来自发光装置10的光被引出至外部，而并发地(例如，同时地)防止或减少环境空气和/或湿气渗透进入发光装置10中。密封部可以是包括透明玻璃和/或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0424]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可以额外地在密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层和/或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
[0425]
除了有机发光装置10之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
[0426]
电子设备可以应用于各种适合的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和/或船舶的仪表)、投影仪等。
[0427]
图2和图3的描述
[0428]
图2是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。
[0429]
图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
[0430]
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底和/或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底
100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
[0431]
tft可以在缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0432]
有源层220可以包含无机半导体(例如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
[0433]
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅电极240可以在栅绝缘膜230上。
[0434]
层间绝缘膜250在栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且置于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0435]
源电极260和漏电极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触(例如，物理接触)。
[0436]
tft电联接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层150和第二电极190。
[0437]
第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110联接至漏电极270的暴露部分。
[0438]
包含绝缘材料的像素限定层290可以在第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的一部分，并且中间层150可以在第一电极110的暴露的部分中。像素限定层290可以是聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一个或多于一个的实施方案中，中间层150的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以处于公共层的形式。
[0439]
第二电极190可以在中间层150上，并且覆盖层170可以额外地在第二电极190上。覆盖层170可以覆盖第二电极190。
[0440]
封装部300可以在覆盖层170上。封装部300可以在发光装置上以保护发光装置免于湿气和/或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0441]
图3示出了示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。
[0442]
图3的发光设备与图2的发光设备相同，但光阻挡图案500和功能区400额外地在封装部300上。功能区400可以是以下的组合：i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[0443]
制造方法
[0444]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(langmuir-blodgett，lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的
方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
[0445]
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度进行沉积。
[0446]
至少一些术语的定义
[0447]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”是指仅由碳组成并且具有三个至六十个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子并且进一步具有除了碳之外的杂原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合(例如，组合在一起)的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子数可以是3至61，例如3至30、3至24或3至18。在一些实施方案中，c
3-c
60
碳环基团可以是c
3-c
30
碳环基团、c
3-c
24
碳环基团或c
3-c
18
碳环基团。
[0448]
如本文使用的术语“环状基团”可以包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0449]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”是指具有三个至六十个碳原子并且不包含*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指具有一个至六十个碳原子并且包含*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。在一些实施方案中，富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是富π电子的c
3-c
30
环状基团、富π电子的c
3-c
24
环状基团或富π电子的c
3-c
18
环状基团。在一些实施方案中，含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团以是含缺π电子的氮的c
1-c
30
环状基团、含缺π电子的氮的c
1-c
24
环状基团或含缺π电子的氮的c
1-c
18
环状基团。
[0450]
例如，
[0451]c3-c
60
碳环基团可以是i)基团t1或者ii)其中两个或多于两个的基团t1彼此稠合(例如，彼此组合在一起)的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
[0452]c1-c
60
杂环基团可以是i)基团t2，ii)其中两个或多于两个的基团t2彼此稠合(例如，彼此组合在一起)的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合(例如，彼此组合在一起)的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪
基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0453]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可以是i)基团t1，ii)其中两个或多于两个的基团t1彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团，iii)基团t3，iv)其中两个或多于两个的基团t3彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团(例如，c
3-c
60
碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
[0454]
含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团可以是i)基团t4，ii)其中两个或多于两个的基团t4彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合(例如，组合在一起)的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团，苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
[0455]
基团t1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0456]
基团t2可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
[0457]
基团t3可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
[0458]
基团t4可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基
团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0459]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基团”、“c
1-c
60
杂环基团”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”或“含缺π电子的氮的c
1-c
60
环状基团”是指取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团稠合(例如，组合在一起)的基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯环、苯基基团、亚苯基基团等，其可以被本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解。
[0460]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
环烷基基团、c
1-c
10
杂环烷基基团、c
3-c
10
环烯基基团、c
1-c
10
杂环烯基基团、c
6-c
60
芳基基团、c
1-c
60
杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例是c
3-c
10
亚环烷基基团、c
1-c
10
亚杂环烷基基团、c
3-c
10
亚环烯基基团、c
1-c
10
亚杂环烯基基团、c
6-c
60
亚芳基基团、c
1-c
60
亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团的实例。
[0461]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。在一些实施方案中，c
1-c
60
烷基基团可以是c
1-c
30
烷基基团、c
1-c
20
烷基基团或c
1-c
10
烷基基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基基团”是指具有与c
1-c
60
烷基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0462]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的主链(例如，在中间)处或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例是乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。在一些实施方案中，c
2-c
60
烯基基团可以是c
2-c
30
烯基基团、c
2-c
20
烯基基团或c
2-c
10
烯基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基基团”是指具有与c
2-c
60
烯基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0463]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基基团”是指在c
2-c
60
烷基基团的主链(例如，在中间)处或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。在一些实施方案中，c
2-c
60
炔基基团可以是c
2-c
30
炔基基团、c
2-c
20
炔基基团或c
2-c
10
炔基基团。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基基团”是指具有与c
2-c
60
炔基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0464]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基基团”是指由-oa
101
(其中a
101
是c
1-c
60
烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
[0465]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基基团”是指具有与c
3-c
10
环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0466]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基基团”是指进一步包含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例是1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0467]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基基团”是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性(例如，非芳香族)的单价环状基团，并且其实例是环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基基团”是指具有与c
3-c
10
环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0468]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基基团”是指具有与c
1-c
10
杂环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。
[0469]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基基团”是指具有含六个至六十个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。c
6-c
60
芳基基团的实例是芴基基团、苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。在一些实施方案中，c
6-c
60
芳基基团可以是c
6-c
30
芳基基团、c
6-c
24
芳基基团或c
6-c
18
芳基基团。当c
6-c
60
芳基基团和c
6-c
60
亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合(例如，组合在一起)。
[0470]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的二价基团。c
1-c
60
杂芳基基团的实例是咔唑基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。在一些实施方案中，c
1-c
60
杂芳基基团可以是c
1-c
30
杂芳基基团、c
1-c
24
杂芳基基团或c
1-c
18
杂芳基基团。当c
1-c
60
杂芳基基团和c
1-c
60
亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合(例如，组合在一起)。
[0471]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有彼此稠合(例如，组合在一起)的两个或多于两个的环，仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子，例如8个至30个或8个至24个碳原子)作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性(例如，当视为整体时不是芳香族)的单价基团。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、螺-二
芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。
[0472]
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合(例如，组合在一起)的两个或多于两个的环，除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子，例如1个至30个或1个至24个碳原子)之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性(例如，当视为整体时不是芳香族)的单价基团。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例是9,10-二氢吖啶基基团和9h-呫吨基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。
[0473]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基基团”表示-oa
102
(其中a
102
是c
6-c
60
芳基基团)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基基团”表示-sa
103
(其中a
103
是c
6-c
60
芳基基团)。
[0474]
如本文使用的术语“r
10a”是指：
[0475]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团或硝基基团，
[0476]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合取代的c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团或c
1-c
60
烷氧基基团，
[0477]
各自未取代的或者被氘、-f、-cl、-br、-i、羟基基团、氰基基团、硝基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
2-c
60
烯基基团、c
2-c
60
炔基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团、c
6-c
60
芳硫基基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基基团或c
6-c
60
芳硫基基团，或者
[0478]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0479]
本文使用的q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
以及q
31
至q
33
可以各自独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基基团；氰基基团；硝基基团；c
1-c
60
烷基基团；c
2-c
60
烯基基团；c
2-c
60
炔基基团；c
1-c
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-f、氰基基团、c
1-c
60
烷基基团、c
1-c
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团。
[0480]
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例是o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0481]
如本文使用的术语“ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“me”是指甲基基团，如本文使用的术语“et”是指乙基基团，如本文使用的术语“ter-bu”或“bu
t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“ome”是指甲氧基基团。
[0482]
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有c
6-c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0483]
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被c
6-c
60
芳基基团取代的c
6-c
60
芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
[0484]
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位
点。
[0485]
在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方案的发光装置。
[0486]
实施例
[0487]
比较例1-1
[0488]
作为衬底和阳极，将15ω/cm2ito/ag/ito玻璃衬底(康宁公司(corning inc.)的产品)切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。将得到的玻璃衬底装载到真空沉积设备上。
[0489]
将hat-cn沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，并且将npb和tcta依次沉积在空穴注入层上以形成空穴传输层。
[0490]
将h8和fd37以97:3的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的第一发射层，将t2t以的厚度沉积在第一发射层上以形成空穴阻挡层，并且将tpm-taz和化合物1-25以8:2的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第一发光单元。
[0491]
在第一发光单元上，将bcp和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的第一n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积以形成具有的厚度的第一p-型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。
[0492]
在第一电荷产生层上，将npb和tcta依次沉积以形成空穴传输层。
[0493]
将h8和fd37以97:3的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的第二发射层，将t2t以的厚度沉积在第二发射层上以形成空穴阻挡层，并且将tpm-taz和化合物1-25以8:2的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第二发光单元。
[0494]
在第二发光单元上，将bcp和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的第二n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在其上以形成具有的厚度的第二p-型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。
[0495]
在第二电荷产生层上，将npb和tcta依次沉积以形成空穴传输层，并且将h8和fd37以97:3的重量比共沉积在其上以形成具有的厚度的第三发射层。
[0496]
在第三发射层上，将tpm-taz和liq以5:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，并且将yb沉积在其上以形成电子注入层，从而形成电子传输区。
[0497]
在电子传输区上，将ag和mg(mg的量为10wt％)共沉积以形成具有的阴极，并且将ht28沉积在阴极上以形成覆盖层，从而完成发光装置的制造。
[0498][0499]
比较例1-2
[0500]
以与比较例1-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将化合物1-25和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0501]
实施例1-1
[0502]
以与比较例1-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0503]
实施例1-2
[0504]
以与比较例1-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第二n-型电荷产生层，并且当形成第二发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0505]
实施例1-3
[0506]
以与比较例1-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，不形成第二电荷产生层，并且当形成第二发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0507]
关于比较例1-1和比较例1-2以及实施例1-1至实施例1-3中制造的发光装置，测量
并且在以下表1中以基于比较例1-1的发光装置的百分比值示出在1,500nit的初始亮度下的驱动电压(v)、通过将发光效率除以cie y坐标所获得的转换效率(cd/a/y)以及降低至初始亮度的97％的时间(t97使用寿命)。
[0508]
通过使用电流伏特计(吉时利(keithley)smu 236)供电，使用亮度计pr650测量亮度。
[0509]
通过使用电流伏特计(吉时利smu 236)供电，使用亮度计pr650测量发光效率。
[0510]
表1
[0511][0512]
表1示出实施例1-1至实施例1-3的发光装置通常具有与比较例1-1和比较例1-2的发光装置相比更低的驱动电压、以及等同或改善的发光效率和使用寿命。可以理解，与比较例1-1的发光装置相比，将实施例1-1至实施例1-3的发光装置的n-型电荷产生层和电子传输层集成到一个层中，使得电子流畅地注入至发射层中，并且因此改善驱动电压、发光效率和使用寿命特性。此外，与使用单一电子传输主体的比较例1-2的发光装置的发光效率相比，通过使用两种类型或种类的电子传输主体，改善了实施例1-1至实施例1-3的发光装置的发光效率。虽然本公开内容不局限于任何特定的机理或理论，但这可以用已经通过引入第二电子传输材料来改善电子传输能力的理由来解释，但本公开内容的实施方案不限于此。
[0513]
比较例2-1
[0514]
作为衬底和阳极，将15ω/cm2ito/ag/ito玻璃衬底(康宁公司的产品)切割成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。将得到的玻璃衬底装载到真空沉积设备上。
[0515]
将hat-cn沉积在阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，并且将npb和tcta依次沉积在空穴注入层上以形成空穴传输层。
[0516]
将h8和fd37以97:3的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的第一发射层，将t2t以的厚度沉积在第一发射层上以形成空穴阻挡层，并且将tpm-taz和化合物1-25以8:2的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第一发光单元。
[0517]
在第一发光单元上，将bcp和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的第一n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在其上以形成具有的厚度的第一p-型
电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。
[0518]
在第一电荷产生层上，将npb和tcta依次沉积以形成空穴传输层。
[0519]
将h8和fd37以97:3的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的第二发射层，将t2t以的厚度沉积在第二发射层上以形成空穴阻挡层，并且将tpm-taz和化合物1-25以8:2的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第二发光单元。
[0520]
在第二发光单元上，将bcp和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的第二n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在其上以形成具有的厚度的第二p-型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。
[0521]
在第二电荷产生层上，将npb和tcta依次沉积以形成空穴传输层，将h8和fd37以97:3的重量比共沉积在其上以形成具有的厚度的第三发射层，并且将t2t沉积在第三发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层。将tpm-taz和化合物1-25以8:2的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第三发光单元。
[0522]
在第三发光单元上，将bcp和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的第三n-型电荷产生层，并且将hat-cn沉积在其上以形成具有的厚度的第三p-型电荷产生层，从而形成第三电荷产生层。
[0523]
在第三电荷产生层上，将npb和tcta依次沉积以形成空穴传输层，并且将tpbi和ir(ppy)3以97:3的重量比共沉积在其上以形成具有的厚度的第四发射层。
[0524]
在第四发射层上，将tpm-taz和liq以5:5的重量比共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，并且将yb沉积在其上以形成电子注入层，从而形成电子传输区。
[0525]
在电子传输区上，将ag和mg(mg的量为10wt％)共沉积以形成具有的阴极，并且将cp1沉积在阴极上以形成覆盖层，从而完成发光装置的制造。
[0526][0527]
比较例2-2
[0528]
以与比较例1-1中基本上相同的方式制造发光装置，但当形成第一发光单元时，不形成电子传输层，并且将化合物1-25和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的第一n-型电荷产生层。
[0529]
实施例2-1
[0530]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0531]
实施例2-2
[0532]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第二n-型电荷产生层，并且当形成第二发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0533]
实施例2-3
[0534]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第三n-型电荷产生层，并且当形成第三发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0535]
实施例2-4
[0536]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为
10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，不形成第二n-型电荷产生层，并且当形成第二发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0537]
实施例2-5
[0538]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，不形成第三n-型电荷产生层，并且当形成第三发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0539]
实施例2-6
[0540]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第二n-型电荷产生层，并且当形成第二发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，不形成第三n-型电荷产生层，并且当形成第三发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0541]
实施例2-7
[0542]
以与比较例2-1中基本上相同的方式制造发光装置，但不形成第一n-型电荷产生层，并且当形成第一发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，不形成第二n-型电荷产生层，并且当形成第二发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层，不形成第三n-型电荷产生层，并且当形成第三发光单元时，将tpm-taz、化合物1-25(重量比为8:2)和li(li的量为10wt％)共沉积以形成具有的厚度的电子传输层。
[0543]
关于比较例2-1和比较例2-2以及实施例2-1至实施例2-7中制造的发光装置，测量并且在以下表2中以基于比较例2-1的发光装置的百分比值示出在1,500nit的初始亮度下的驱动电压(v)、通过将发光效率除以cie y坐标所获得的转换效率(cd/a/y)以及降低至初始亮度的97％的时间(t97使用寿命)。
[0544]
通过使用电流伏特计(吉时利smu 236)供电，使用亮度计pr650测量亮度。
[0545]
通过使用电流伏特计(吉时利smu 236)供电，使用亮度计pr650测量发光效率。
[0546]
表2
[0547][0548][0549]
表2示出实施例2-1至实施例2-7的发光装置具有与比较例2-1的发光装置相比更低的驱动电压、以及等同或改善的发光效率和使用寿命。可以理解，与比较例2-1的发光装置相比，将实施例2-1至实施例2-7的发光装置的n-型电荷产生层和电子传输层集成到一个层中，使得电子流畅地注入至发射层中，从而改善驱动电压、发光效率和使用寿命特性。此外，与使用单一电子传输主体的比较例2-2的发光装置的发光效率相比，通过使用两种类型或种类的电子传输主体，改善了实施例2-1至实施例2-7的发光装置的发光效率。
[0550]
发光装置可以具有低驱动电压、高发光效率、长使用寿命和/或高颜色纯度。
[0551]
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离如由所附权利要求及等同物限定的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。