电子装置以及电子装置检查方法与流程

1.本发明涉及可靠性提高的电子装置以及电子装置检查方法。


背景技术：

2.用于智能电话、电视、监视器等的电子装置包括包括公共电极的显示层以及感测层之类各种元件。为了确保所述元件的可靠性，在开发以及制造过程中，需要验证所述元件的工作特性以及所述元件之间的电连接关系的步骤。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于，提供一种可靠性提高的电子装置以及电子装置检查方法。
4.根据本发明的一实施例的电子装置检查方法可以包括：提供电子装置的步骤，所述电子装置包括：显示层，包括公共电极；以及感测层，配置在所述显示层之上，并包括第一感测电极以及与所述第一感测电极绝缘交叉的第二感测电极；向所述第一感测电极提供具有检查频率的检查信号的步骤；从所述检查信号测定所述第一感测电极和所述第二感测电极之间的电容的步骤；以及依据所述电容，检查所述公共电极的步骤。
5.可以是，所述检查频率具有500khz以上且700khz以下的频率。
6.可以是，所述电子装置还包括向所述公共电极提供电源的电源供应部，所述显示层还包括将所述公共电极和所述电源供应部电连接的第一连接电极、第二连接电极、第三连接电极以及第四连接电极。
7.可以是，所述第一连接电极以及所述第二连接电极各自向第一方向延伸，所述第一连接电极以及所述第二连接电极彼此相对，所述第三连接电极以及所述第四连接电极各自向与所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第三连接电极和所述第四连接电极相邻配置。
8.可以是，检查所述公共电极的步骤包括：判断所述公共电极和所述第一至第四连接电极之间是否电连接的步骤。
9.可以是，判断所述公共电极和所述第一至第四连接电极之间是否电连接的步骤包括：若所述电容相比参考电容增加，则判断为所述第一至第四连接电极中的至少一个与所述公共电极没有电连接。
10.可以是，判断所述公共电极和所述第一至第四连接电极之间是否电连接的步骤包括：若所述电容与参考电容相同，则判断为所述第一至第四连接电极各自与所述公共电极电连接。
11.可以是，所述电容包括：第一电容，形成在所述第一感测电极和所述第二感测电极之间；以及第二电容，形成在所述第一感测电极、所述公共电极和所述第二感测电极之间。
12.可以是，所述检查信号包括：第一信号，包括与所述第一电容有关的信息；以及第二信号，包括与所述第二电容有关的信息。
13.可以是，提供所述检查信号的步骤包括：依据所述第二信号的变化，所述电容发生
变化的步骤。
14.可以是，检查所述公共电极的步骤包括：若所述电容相比参考电容增加，则判断所述公共电极为不良的步骤。
15.可以是，检查所述公共电极的步骤包括：若所述电容与参考电容相同，则判断所述公共电极为良好的步骤。
16.可以是，所述第一感测电极和所述公共电极之间的距离为8μm以上且12μm以下。
17.根据本发明的一实施例的电子装置检查方法可以包括：提供电子装置的步骤，所述电子装置包括：显示层，包括公共电极；以及感测层，直接配置在所述显示层之上，并包括以驱动频率工作的多个感测电极；向所述多个感测电极中的一部分提供具有检查频率的检查信号的步骤，所述检查频率具有比所述驱动频率高的频率；以及依据所述检查信号，判断所述公共电极是否不良的步骤。
18.可以是，所述检查频率具有500khz以上且700khz以下的频率。
19.可以是，所述检查信号包括第一信号以及与所述第一信号不同的第二信号，所述第一信号包括与形成在所述多个感测电极之间的第一电容有关的信息，所述第二信号包括与形成在所述多个感测电极中的一个、所述公共电极和所述多个感测电极中的另一个之间的第二电容有关的信息。
20.可以是，判断所述公共电极是否不良的步骤包括：若所述第一电容和所述第二电容之和相比参考电容增加，则判断所述公共电极为不良的步骤。
21.可以是，判断所述公共电极是否不良的步骤包括：若所述第一电容和所述第二电容之和与参考电容相同，则判断所述公共电极为良好的步骤。
22.根据本发明的一实施例的电子装置可以包括：显示层，包括公共电极以及与所述公共电极电连接的多个连接电极；感测层，配置在所述显示层之上，并包括第一感测电极以及与所述第一感测电极绝缘交叉的第二感测电极；以及电源供应部，向所述公共电极提供电源，所述多个连接电极包括：第一连接电极，与所述电源供应部电连接，并向第一方向延伸；第二连接电极，向所述第一方向延伸，并与所述第一连接电极相对；第三连接电极，向与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及第四连接电极，向所述第二方向延伸，并与所述第三连接电极相邻。
23.可以是，所述第一感测电极和所述公共电极之间的距离为8μm以上且12μm以下。
24.如上所述，可以通过第一至第四连接电极，减小显示层的公共电极的电阻。可以减少在公共电极中可能产生的发热。另外，可以减小公共电极的消耗电流。即，可以改善显示层的整体驱动。因此，可以提供可靠性提高的电子装置。
25.另外，根据本发明，电子装置的检查方法可以通过向感测层提供的具有感测频率的检查信号，确认配置有第一至第四连接电极的各个区域的电容，并依据电容判断第一至第四连接电极各自是否连接。因此，可以提供可靠性提高的电子装置检查方法。
附图说明
26.图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
27.图2是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。
28.图3是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。
29.图4是根据本发明的一实施例的显示层以及驱动部的框图。
30.图5是根据本发明的一实施例的显示层以及电路板的平面图。
31.图6是根据本发明的一实施例的多个像素中的一个像素的等效电路图。
32.图7是示出根据本发明的一实施例的显示层的一部分的透视平面图。
33.图8是根据本发明的一实施例的感测层的平面图。
34.图9a是沿着根据本发明的一实施例的图8的i-i
′
线截取的截面图。
35.图9b是沿着根据本发明的一实施例的图8的ii-ii
′
线截取的截面图。
36.图10是根据本发明的一实施例的电子装置检查方法的流程图。
37.图11是根据本发明的一实施例的电子装置的电路图。
38.图12是示出根据本发明的一实施例的基于频率的电容的图表。
39.(附图标记说明)
40.1000：电子装置
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ce：公共电极
41.100：显示层
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200：感测层
42.sg：检查信号
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cm：电容
具体实施方式
43.在本说明书中，在提及某构成要件(或者区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接”或者“结合”其它构成要件的情况下，其意指可以直接配置/连接/结合于其它构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。
44.相同的附图标记指称相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例以及尺寸为了技术内容的有效说明而放大。
[0045]“以及/或”是将能够定义关联的结构的一个以上的组合全部包括。
[0046]
第一、第二等术语可以用于说明各种构成要件，但是所述构成要件不能被所述术语限定。所述术语仅以将一个构成要件区分于其它构成要件的目的使用。例如，在不脱离本发明的权利范围的同时，第一构成要件可以命名为第二构成要件，类似地第二构成要件也可以命名为第一构成要件。除非在文脉上明确不同地表示，否则单数的表述包括复数的表述。
[0047]
另外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等术语是为了说明示出于附图的结构的关联关系而使用。所述术语是相对的概念，以在附图标示的方向为基准进行说明。
[0048]
除非不同地定义，否则在本说明书中使用的所有术语(包括技术术语以及科学术语)具有与由本发明所属的技术领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。另外，可以是，与在通常使用的字典中定义的术语相同的术语应该解释为具有与在关联技术的脉络中含义一致的含义，并且不解释为理想化的或过于形式的含义，除非在此明示地定义。
[0049]“包括”或“具有”等术语应理解为是要指定存在说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要件、部件或这些组合，并不预先排除一个或其以上的其它特征或数字、步骤、动作、构成要件、部件或这些组合的存在或附加可能性。
[0050]
以下，参照附图说明本发明的实施例。
[0051]
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
[0052]
参照图1，电子装置1000可以包括电视、监视器或者外部广告牌之类大型电子装
置。然而，电子装置1000也可以包括个人计算机、笔记本计算机、个人数码终端、汽车导航仪、游戏机、智能电话、平板电脑或者相机之类中小型电子装置。然而，其作为示例性实施例，也可以在不脱离本发明的概念的范围内包括其它电子装置。图1中示例性地示出电子装置1000为蜂窝电话的情况。
[0053]
电子装置1000可以通过有源区域1000a显示图像。可以在有源区域1000a定义第一显示面1000a1以及第二显示面1000a2，第一显示面1000a1与由第一方向dr1以及与第一方向dr1交叉的第二方向dr2定义的面平行，所述第二显示面1000a2从第一显示面1000a1延伸。
[0054]
第二显示面1000a2可以从第一显示面1000a1的一侧弯曲提供。另外，第二显示面1000a2可以提供为多个。在此情况下，第二显示面1000a2可以从第一显示面1000a1的至少两个侧部弯曲提供。可以在有源区域1000a定义一个第一显示面1000a1以及一个以上且四个以下的第二显示面1000a2。然而，有源区域1000a的形状不限于此，也可以在有源区域1000a仅定义第一显示面1000a1。
[0055]
电子装置1000的厚度方向可以和第一方向dr1以及第二方向dr2交叉的第三方向dr3平行。因此，可以以第三方向dr3为基准定义构成电子装置1000的部件的前面(或者上面)和背面(或者下面)。
[0056]
图2是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。
[0057]
参照图2，电子装置1000可以包括显示层100以及感测层200。
[0058]
根据本发明的一实施例的显示层100可以为发光型显示层，不受特别限制。例如，显示层100可以为有机发光显示层、量子点显示层、微型led显示层或者纳米led显示层。显示层100可以包括基底层110、电路层120、发光元件层130以及封装层140。
[0059]
基底层110可以为提供配置电路层120的基底面的部件。基底层110可以为玻璃基板、金属基板或者高分子基板。然而，实施例不限于此，基底层110可以为无机层、有机层或者复合材料层。
[0060]
基底层110可以具有多层结构。例如，基底层110可以包括第一合成树脂层、配置在所述第一合成树脂层之上的氧化硅(sio
x
)层、配置在所述氧化硅层之上的非晶硅(a-si)层以及配置在所述非晶硅层之上的第二合成树脂层。所述氧化硅层以及所述非晶硅层可以被称为基底阻挡层。
[0061]
所述第一以及第二合成树脂层各自可以包含聚酰亚胺(polyimide)类树脂。另外，所述第一以及第二合成树脂层各自可以包含丙烯酸(acrylate)类树脂、丙烯酸甲酯(methacrylate)类树脂、聚异戊二烯(polyisoprene)类树脂、乙烯基(vinyl)类树脂、环氧(epoxy)类树脂、尿烷(urethane)类树脂、纤维素(cellulose)类树脂、硅氧烷(siloxane)类树脂、聚酰胺(polyamide)类树脂以及二萘嵌苯(perylene)类树脂中的至少一种。一方面，在本说明书中，“～～”类树脂意指包含“～～”的官能团。
[0062]
电路层120可以配置在基底层110之上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案以及信号线等。绝缘层、半导体层以及导电层可以通过涂层、蒸镀等方式形成在基底层110之上，然后，可以通过多次的光刻工艺，将绝缘层、半导体层以及导电层选择性地图案化。然后，可以形成包含在电路层120中的半导体图案、导电图案以及信号线。
[0063]
发光元件层130可以配置在电路层120之上。发光元件层130可以包括发光元件。例
如，发光元件层130可以包括有机发光物质、量子点、量子棒、微型led或者纳米led。
[0064]
封装层140可以配置在发光元件层130之上。封装层140可以保护发光元件层130免受水分、氧气以及灰尘颗粒之类异物的影响。
[0065]
感测层200可以通过连续的工艺形成在显示层100之上。在此情况下，可以表述为感测层200直接配置在显示层100之上。直接配置可以意指在感测层200和显示层100之间不配置第三构成要件。即，可以在感测层200和显示层100之间不配置额外的粘合部件。或者，感测层200可以通过粘合部件与显示层100彼此结合。粘合部件可以包括常规的粘合剂或者粘着剂。
[0066]
虽未图示，可以在感测层200之上配置窗口部件。所述窗口部件可以保护电子装置1000的内部结构免受外部冲击的影响，实质上为提供电子装置1000的有源区域1000a的结构。例如，所述窗口部件可以包括玻璃基板、蓝宝石基板或者塑胶膜。所述窗口部件可以具有多层或者单层结构。例如，所述窗口部件可以具有由粘合剂结合的多个塑胶膜的层叠结构，或者也可以具有由粘合剂结合的玻璃基板以及塑胶膜的层叠结构。
[0067]
图3是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。在图3的说明中，针对通过图2说明的构成要件标记相同的附图标记，省略对其的说明。
[0068]
参照图3，可以在基底层110的上面形成至少一个无机层。无机层可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多层。多层无机层可以构成阻挡层以及/或者缓冲层。在本实施例中示出显示层100包括缓冲层bfl。
[0069]
缓冲层bfl可以提高基底层110和半导体图案之间的结合力。缓冲层bfl可以包括氧化硅层以及氮氧化硅层，氧化硅层以及氮氧化硅层可以交替层叠。
[0070]
半导体图案可以配置在缓冲层bfl之上。半导体图案可以包含多晶硅。然而，不限于此，半导体图案也可以包含非晶硅、低温多晶硅或者氧化物半导体。
[0071]
图3仅是示出一部分的半导体图案，在其它区域可以还配置半导体图案。半导体图案可以跨像素以特定规则排列。半导体图案可以根据是否掺杂而电性不同。半导体图案可以包括传导率高的第一区域和传导率低的第二区域。第一区域可以由n型掺杂物或者p型掺杂物进行掺杂。可以是，p型的晶体管包括由p型掺杂物掺杂的掺杂区域，n型的晶体管包括由n型掺杂物掺杂的掺杂区域。可以是，第二区域为非掺杂区域，或者相比第一区域由低浓度掺杂。
[0072]
可以是，第一区域的导电性比第二区域大，实质上起到电极或者信号线的作用。第二区域实质上可以属于晶体管的有源区(或者沟道)。换句而言，半导体图案的一部分可以为晶体管的有源区，另一部分可以为晶体管的源极或者漏极，又另一部分可以为连接电极或者连接信号线。
[0073]
各个像素可以具有包括7个晶体管、1个电容器以及发光元件的等效电路，像素的等效电路可以变形为各种形态。对于所述像素进行后述。图3中示例性地示出包括在像素中的一个晶体管100pc以及发光元件100pe。
[0074]
晶体管100pc可以包括源极sc1、有源区a1、漏极d1以及栅极g1。源极sc1、有源区a1以及漏极d1可以由半导体图案形成。在截面上，源极sc1以及漏极d1可以从有源区a1向彼此相反方向延伸。图3中示出由半导体图案形成的连接信号线scl的一部分。虽未单独图示，在平面上，连接信号线scl可以与晶体管100pc的漏极d1电连接。
[0075]
第一绝缘层10可以配置在缓冲层bfl之上。第一绝缘层10可以与多个像素共同重叠，并覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以为无机层以及/或者有机层，并可以具有单层或者多层结构。第一绝缘层10可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以为单层的氧化硅层。不仅是第一绝缘层10，而且后述的电路层120的绝缘层可以为无机层以及/或者有机层，并可以具有单层或者多层结构。无机层可以包含上述的物质中的至少一种，但不限于此。
[0076]
栅极g1配置在第一绝缘层10之上。栅极g1可以为金属图案的一部分。栅极g1与有源区a1重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极g1可以起到掩模功能。
[0077]
第二绝缘层20可以配置在第一绝缘层10之上，并覆盖栅极g1。第二绝缘层20可以与像素共同重叠。第二绝缘层20可以为无机层以及/或者有机层，并可以具有单层或者多层结构。第二绝缘层20可以包含氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。在本实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层以及氮化硅层的多层结构。
[0078]
第三绝缘层30可以配置在第二绝缘层20之上。第三绝缘层30可以具有单层或者多层结构。例如，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层以及氮化硅层的多层结构。
[0079]
第一连接电极cne1可以配置在第三绝缘层30之上。第一连接电极cne1可以通过贯穿第一、第二以及第三绝缘层10、20、30的接触孔cnt-1与连接信号线scl接通。
[0080]
第四绝缘层40可以配置在第三绝缘层30之上。第四绝缘层40可以为单层的氧化硅层。第五绝缘层50可以配置在第四绝缘层40之上。第五绝缘层50可以为有机层。
[0081]
第二连接电极cne2可以配置在第五绝缘层50之上。第二连接电极cne2可以通过贯穿第四绝缘层40以及第五绝缘层50的接触孔cnt-2与第一连接电极cne1接通。
[0082]
第六绝缘层60可以配置在第五绝缘层50之上，并覆盖第二连接电极cne2。第六绝缘层60可以为有机层。
[0083]
发光元件层130可以配置在电路层120之上。发光元件层130可以包括发光元件100pe。例如，发光元件层130可以包括有机发光物质、量子点、量子棒、微型led或者纳米led。以下，以发光元件100pe为有机发光元件的情况为例进行说明，然而不特别限定于此。
[0084]
发光元件100pe可以包括第一电极ae、发光层el以及第二电极ce。第一电极ae可以配置在第六绝缘层60之上。第一电极ae可以通过贯穿第六绝缘层60的接触孔cnt-3与第二连接电极cne2接通。
[0085]
像素界定膜70可以配置在第六绝缘层60之上，并覆盖第一电极ae的一部分。在像素界定膜70中定义开口部70-op。像素界定膜70的开口部70-op暴露第一电极ae的至少一部分。
[0086]
有源区域1000a(参照图1)可以包括发光区域pxa和与发光区域pxa相邻的非发光区域npxa。非发光区域npxa可以围绕发光区域pxa。在本实施例中，发光区域pxa被定义为与由开口部70-op暴露的第一电极ae的一部分区域相对应。
[0087]
发光层el可以配置在第一电极ae之上。发光层el可以配置在与开口部70-op相对应的区域。即，发光层el可以与像素各自分离而形成。当发光层el与像素各自分离而形成时，各个发光层el可以发出蓝色、红色以及绿色中的至少一种颜色的光。然而，不限于此，发光层el也可以与像素连接而共同提供。在此情况下，发光层el可以提供蓝光，也可以提供白光。
[0088]
第二电极ce可以配置在发光层el之上。第二电极ce可以具有一体的形状，并在多个像素中共同配置。第二电极ce可以被称为公共电极ce。
[0089]
虽未图示，可以在第一电极ae和发光层el之间配置空穴控制层。空穴控制层可以共同配置于发光区域pxa和非发光区域npxa。空穴控制层包括空穴传输层，可以还包括空穴注入层。可以在发光层el和第二电极ce之间配置电子控制层。电子控制层包括电子传输层，可以还包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以利用开放掩模共同形成在多个像素中。
[0090]
封装层140可以配置在发光元件层130之上。封装层140可以包括依次层叠的无机层、有机层以及无机层，然而构成封装层140的层不限于此。
[0091]
可以是，无机层保护发光元件层130免受水分以及氧气的影响，有机层保护发光元件层130免受灰尘颗粒之类异物的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层等。有机层可以包括丙烯酸类有机层，不限于此。
[0092]
感测层200可以通过连续的工艺形成在显示层100之上。在此情况下，可以表述为感测层200直接配置在显示层100之上。直接配置可以意指在感测层200和显示层100之间不配置第三构成要件。即，可以在感测层200和显示层100之间不配置额外的粘合部件。或者，感测层200可以通过粘合部件与显示层100彼此结合。粘合部件可以包括常规的粘合剂或者粘着剂。
[0093]
感测层200可以包括基底绝缘层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204以及覆盖绝缘层205。
[0094]
基底绝缘层201可以为包含氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的至少一种的无机层。或者，基底绝缘层201也可以为包含环氧树脂、丙烯酸树脂或者酰亚胺类树脂的有机层。基底绝缘层201可以具有单层结构，或者具有沿着第三方向dr3层叠的多层结构。
[0095]
第一导电层202以及第二导电层204各自可以具有单层结构，或者具有沿着第三方向dr3层叠的多层结构。
[0096]
单层结构的导电层可以包括金属层或者透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或者它们的合金。透明导电层可以包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ito)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，izo)、氧化锌(zinc oxide，zno)或者铟锌锡氧化物(indium zinc tin oxide，izto)等之类透明的导电性氧化物。除此之外，透明导电层可以包括pedot(聚3,4-乙撑二氧噻吩)之类导电性高分子、金属纳米线、石墨烯等。
[0097]
多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的3层结构。多层结构的导电层可以包括至少一个金属层以及至少一个透明导电层。
[0098]
可以在第二导电层204和第二电极ce之间形成寄生电容cb。第二导电层204和第二电极ce之间的距离ht可以为8μm以上且12μm以下。
[0099]
感测绝缘层203以及覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括无机膜。无机膜可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。
[0100]
感测绝缘层203以及覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括有机膜。有机膜可以包含丙烯酸类树脂、丙烯酸甲酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、尿烷类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂以及二萘嵌苯类树脂中的至少一种。
[0101]
图4是根据本发明的一实施例的显示层以及驱动部的框图。
[0102]
参照图4，显示层100可以包括多个扫描线sl1-sln、多个数据线dl1-dlm以及多个像素px。多个像素px各自可以与多个数据线dl1-dlm中相对应的数据线连接，与多个扫描线sl1-sln中相对应的扫描线连接。在本发明的一实施例中，可以是，显示层100还包括发光控制线，显示驱动部还包括向发光控制线提供控制信号的发光驱动电路。显示层100的结构不受特别限制。
[0103]
电子装置1000还可以包括信号控制电路100c1、扫描驱动电路100c2以及数据驱动电路100c3、电源供应部100c4。
[0104]
信号控制电路100c1可以从主控制部接收图像数据rgb以及控制信号d-cs。控制信号d-cs可以包括各种信号。例如，控制信号d-cs可以包括输入垂直同步信号、输入水平同步信号、主时钟以及数据使能信号等。
[0105]
信号控制电路100c1可以接收图像数据rgb以及控制信号d-cs。控制信号d-cs可以包括多种信号。例如，控制信号d-cs可以包括输入垂直同步信号、输入水平同步信号、主时钟以及数据使能信号等。
[0106]
信号控制电路100c1可以基于控制信号d-cs生成第一控制信号cont1以及垂直同步信号vsync，并向扫描驱动电路100c2输出第一控制信号cont1以及垂直同步信号vsync。垂直同步信号vsync可以包括在第一控制信号cont1中。
[0107]
信号控制电路100c1可以基于控制信号d-cs生成第二控制信号cont2以及水平同步信号hsync，并向数据驱动电路100c3输出第二控制信号cont2以及水平同步信号hsync。水平同步信号hsync可以包括在第二控制信号cont2中。
[0108]
另外，信号控制电路100c1可以向数据驱动电路100c3输出将图像数据rgb按照显示层100的工作条件处理的数据信号ds。第一控制信号cont1以及第二控制信号cont2为扫描驱动电路100c2以及数据驱动电路100c3的工作中所需的信号，不受特别限制。
[0109]
扫描驱动电路100c2可以响应于第一控制信号cont1以及垂直同步信号vsync，驱动多个扫描线sl1-sln。在本发明的一实施例中，扫描驱动电路100c2可以与显示层100内的电路层120(参照图2)通过相同的工艺形成，然而不限于此。例如，可以是，扫描驱动电路100c2由集成电路(integrated circuit，ic)实现而直接安装于显示层100的预定区域，或者以覆晶薄膜(chip on film，cof)方式安装于额外的印刷电路板而与显示层100电连接。
[0110]
数据驱动电路100c3可以响应来自信号控制电路100c1的第二控制信号cont2、水平同步信号hsync以及数据信号ds而输出用于驱动多个数据线dl1-dlm的灰度电压。可以是，数据驱动电路100c3由集成电路实现而直接安装于显示层100的预定区域，或者以覆晶薄膜方式安装于额外的印刷电路板而与显示层100电连接，然而不限于此。例如，数据驱动电路100c3可以与显示层100内的电路层120(参照图2)通过相同的工艺形成。
[0111]
电源供应部100c4可以向显示层100供应外部电压。电源供应部100c4可以向多个像素px供应第一电源elvdd、第二电源elvss以及第三电源vint。第一电源elvdd可以具有比第二电源elvss高的电压电平。第三电源vint可以为将第一晶体管的栅极电极的电压初始化的初始化电压。第一电源elvdd可以具有3v(伏特)至6v范围的电压，第二电源elvss可以具有-7v至0v范围的电压。然而，其为示例性的，根据本发明的一实施例的第一电源elvdd以及第二电源elvss的电压范围可以具有可以驱动显示层100的各种电压范围。
[0112]
图5是根据本发明的一实施例的显示层以及电路板的平面图。
[0113]
参照图5，可以在显示层100定义有源区域100a以及与有源区域100a相邻的周围区域100n。有源区域100a可以为显示图像的区域。可以在有源区域100a配置多个像素px。周围区域100n可以为配置驱动电路或者驱动线等的区域。从平面上观察时，有源区域100a可以与电子装置1000(参照图1)的有源区域1000a(参照图1)重叠。
[0114]
显示层100可以包括基底层110、多个像素px、多个信号线gl、dl、pl、ecl、多个显示焊盘pdd以及多个感测焊盘pdt。
[0115]
多个像素px各自可以显示基色(primary color)中的一个或者混合颜色中的一个。所述基色可以包括红色、绿色或者蓝色。所述混合颜色可以包括白色、黄色、蓝绿色或者洋红色等各种颜色。然而，像素px各自所显示的颜色不限于此。
[0116]
多个信号线gl、dl、pl、ecl可以配置在基底层110之上。多个信号线gl、dl、pl、ecl可以与多个像素px连接而向多个像素px传递电信号。多个信号线gl、dl、pl、ecl可以包括多个栅极线gl、多个数据线dl、多个电源线pl以及多个发光控制线ecl。然而，其为示例性的，根据本发明的一实施例的多个信号线gl、dl、pl、ecl的结构不限于此。例如，根据本发明的一实施例的多个信号线gl、dl、pl、ecl可以还包括初始化电压线。
[0117]
多个显示焊盘pdd可以配置在周围区域100n。多个显示焊盘pdd可以包括第一焊盘pd1以及第二焊盘pd2。第一焊盘pd1可以提供为多个。多个第一焊盘pd1可以与多个数据线dl各自连接。第二焊盘pd2可以与电源供应部100c4(参照图5)电连接而与多个电源线pl电连接。显示层100可以通过多个显示焊盘pdd向多个像素px提供从外部提供的电信号。一方面，多个显示焊盘pdd除了第一焊盘pd1以及第二焊盘pd2之外，可以还包括用于接收其它电信号的焊盘，不以某一实施例提供。
[0118]
驱动电路dic可以安装在周围区域100n。驱动电路dic可以为芯片形态的时序控制电路。多个数据线dl可以经过驱动电路dic与多个第一焊盘pd1各自电连接。然而，其为示例性的，根据本发明的一实施例的驱动电路dic也可以安装在与显示层100不同的电路板fp上。在此情况下，驱动电路dic可以通过电路板fp与多个显示焊盘pdd电连接。
[0119]
多个感测焊盘pdt可以配置在周围区域100n。多个感测焊盘pdt可以与后述的感测层200(参照图2)的多个感测电极各自电连接。多个感测焊盘pdt可以包括多个第一感测焊盘td1以及多个第二感测焊盘td2。
[0120]
驱动电路dic可以安装在周围区域100n。然而，其为示例性的，根据本发明的一实施例的驱动电路dic也可以安装在与显示层100不同的电路板fp上。在此情况下，驱动电路dic可以通过电路板fp与多个显示焊盘pdd电连接。驱动电路dic可以输出图像中所需的图像信号以及驱动信号。
[0121]
电路板fp可以配置在基底层110之上。电路板fp可以包括印刷电路板(printed circuit board，pcb)或者柔性印刷电路板(flexible printed circuit board，fpcb)。
[0122]
电源供应部100c4可以配置在电路板fp之上。电源供应部100c4可以与多个电源线pl接通。电源供应部100c4可以向多个像素px提供相同的电源信号。第二焊盘pd2可以与电源供应部100c4电连接而与多个电源线pl电连接。
[0123]
感测驱动电路tic可以配置在电路板fp上。感测驱动电路tic可以与多个感测焊盘pdt电连接。感测驱动电路tic可以为向感测层200(参照图2)提供控制感测层200(参照图2)的工作的检测信号，或者从感测层200(参照图2)接收感测外部输入的感测信号的电路。
[0124]
电路板fp的一部分可以配置在显示层100的周围区域100n之上。电路板fp可以通过多个显示焊盘pdd以及多个感测焊盘pdt与显示层100电连接。例如，电路板fp可以通过多个显示焊盘pdd与电路层120(参照图2)电连接。
[0125]
图6是根据本发明的一实施例的多个像素中的一个像素的等效电路图。
[0126]
图6中示例性地示出了与第i栅极线gli以及第i发光控制线ecli连接的像素px。像素px的结构不限于此，可以进行变形来实施。
[0127]
参照图6，像素px可以包括发光元件oled以及像素电路cc。像素电路cc可以包括多个晶体管t1～t7以及电容器cp。像素电路cc可以对应于数据信号而控制流过发光元件oled的电流量。
[0128]
发光元件oled可以对应于从像素电路cc提供的电流量，以预定的亮度发光。第一电源elvdd的电平可以设定为高于第二电源elvss的电平。
[0129]
多个晶体管t1～t7各自可以包括输入电极(或者源极电极)、输出电极(或者漏极电极)以及控制电极(或者栅极电极)。在本说明书中，为了方便，可以将输入电极以及输出电极中的任一个称为第一电极ae(参照图3)，将另一个称为第二电极ce(参照图3)。
[0130]
第一晶体管t1的第一电极可以经由第五晶体管t5与电源供应部100c4(参照图4)接通。第一晶体管t1的第二电极可以经由第六晶体管t6与发光元件oled的阳极电极接通。在本说明书中，第一晶体管t1可以被称为驱动晶体管。
[0131]
第一晶体管t1可以对应于向第一晶体管t1的控制电极施加的电压而控制流过发光元件oled的电流量。
[0132]
第二晶体管t2可以接通在数据线dl和第一晶体管t1的第一电极之间。第二晶体管t2的控制电极可以与第i栅极线gli接通。第二晶体管t2可以在向第i栅极线gli提供第i栅极信号时导通并将数据线dl和第一晶体管t1的第一电极电接通。
[0133]
第三晶体管t3可以接通在第一晶体管t1的第二电极和第一晶体管t1的控制电极之间。第三晶体管t3的控制电极可以与第i栅极线gli接通。第三晶体管t3可以在向第i栅极线gli提供第i栅极信号时导通而将第一晶体管t1的第二电极和第一晶体管t1的控制电极电接通。在第三晶体管t3导通时，第一晶体管t1可以以二极管形态接通。
[0134]
第四晶体管t4可以接通在节点nd和初始化电源生成部(未图示)之间。第四晶体管t4的控制电极可以与第i-1栅极线gli-1接通。第四晶体管t4可以在向第i-1栅极线gli-1提供第i-1栅极信号时导通并向节点nd提供第三电源vint。
[0135]
第五晶体管t5可以接通在电源线pl和第一晶体管t1的第一电极之间。可以向第五晶体管t5提供第一电源elvdd。第五晶体管t5的控制电极可以与第i发光控制线ecli接通。
[0136]
第六晶体管t6可以接通在第一晶体管t1的第二电极和发光元件oled的阳极电极之间。第六晶体管t6的控制电极可以与第i发光控制线ecli接通。
[0137]
第七晶体管t7可以接通在电源供应部100c4(参照图4)的初始化电源生成部和发光元件oled的阳极电极之间。第七晶体管t7的控制电极可以与第i+1栅极线gli+1接通。第七晶体管t7可以在向第i+1栅极线gli+1提供第i+1栅极信号时导通并向发光元件oled的阳极电极提供初始化电压vint。
[0138]
第七晶体管t7可以提高像素px的黑色表现能力。若第七晶体管t7导通，则发光元件oled的寄生电容(未图示)可以放电。在呈现黑色亮度时，发光元件oled因来自第一晶体
管t1的泄漏电流而不发光，由此，可以提高黑色表现能力。
[0139]
图6中示出第七晶体管t7的控制电极与第i+1栅极线gli+1接通的情况，但本发明不限于此。在本发明的另一实施例中，第七晶体管t7的控制电极可以与第i栅极线gli或者第i-1栅极线gli-1接通。
[0140]
图6中以pmos为基准示出，但不限于此。在本发明的另一实施例中，像素电路cc可以由nmos构成。在本发明的又另一实施例中，像素电路cc可以由nmos和pmos的组合构成。
[0141]
电容器cp可以配置在电源线pl和节点nd之间。电容器cp可以存储与数据信号相对应的电压。当根据存储在电容器cp中的电压而第五晶体管t5以及第六晶体管t6导通时，可以确定流过第一晶体管t1的电流量。在本发明中，像素px的等效电路不限于图5中示出的等效电路。在本发明的另一实施例中，像素px可以由用于使发光元件oled发光的各种形式实现。
[0142]
驱动电流可以从第一电源elvdd经由第五晶体管t5、第一晶体管t1、第六晶体管t6以及发光元件oled而流向第二电源elvss。
[0143]
图7是示出根据本发明的一实施例的显示层的一部分的透视平面图。
[0144]
参照图7，电源供应部100c4可以安装在电路板fp。然而，其示例性的，根据本发明的一实施例的电源供应部100c4也可以安装在显示层100的周围区域100n。电源供应部100c4可以向公共电极ce提供第二电源elvss。
[0145]
显示层100可以还包括与公共电极ce电连接的多个连接电极ct1～ct4。
[0146]
多个连接电极ct1～ct4可以与电源供应部100c4电连接。从平面上观察时，多个连接电极ct1～ct4可以与公共电极ce重叠。多个连接电极ct1～ct4可以向第三方向dr3贯穿，与公共电极ce接触。
[0147]
多个连接电极ct1～ct4可以包括第一连接电极ct1、第二连接电极ct2、第三连接电极ct3以及第四连接电极ct4。
[0148]
第一连接电极ct1可以向第二方向dr2延伸。
[0149]
第二连接电极ct2可以向第二方向dr2延伸。第二连接电极ct2可以与第一连接电极ct1在第一方向dr1上隔开。第二连接电极ct2可以与第一连接电极ct1相对。
[0150]
第三连接电极ct3可以向第一方向dr1延伸。第三连接电极ct3可以与电路板fp相邻。
[0151]
第四连接电极ct4可以向第一方向dr1延伸。第四连接电极ct4可以与电路板fp相邻。第四连接电极ct4可以与第三连接电极ct3在第一方向dr1上隔开。第四连接电极ct4可以与第三连接电极ct3相邻。
[0152]
公共电极ce可以通过多个连接电极ct1～ct4减小电阻。
[0153]
根据本发明，可以减小显示层100的公共电极ce的电阻。可以减少在公共电极ce中可能产生的发热。另外，可以减小公共电极ce的消耗电流。即，可以改善显示层100的整体驱动。因此，可以提供可靠性提高的电子装置1000(参照图1)。
[0154]
图7中作为示例示出4个连接电极，然而，根据本发明的一实施例的多个连接电极的数量不限于此，也可以是4个以上的连接电极与公共电极ce电连接而减小公共电极ce的电阻。
[0155]
图8是根据本发明的一实施例的感测层的平面图。
[0156]
参照图8，可以在感测层200定义有源区域200a以及围绕有源区域200a的周围区域200n。有源区域200a可以是随着电信号而被激活的区域。例如，有源区域200a可以为感测外部的输入的区域。从平面上观察时，有源区域200a可以与显示层100(参照图5)的有源区域100a(参照图5)重叠，周围区域200n可以与显示层100(参照图5)的周围区域100n(参照图5)重叠。
[0157]
感测层200可以包括基底绝缘层201、多个第一感测电极te1、多个第二感测电极te2、多个感测线tl1、tl2。可以是，多个第一感测电极te1以及多个第二感测电极te2配置在有源区域200a，多个感测线tl1、tl2配置在周围区域200n。
[0158]
基底绝缘层201可以为包含氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的任一种无机层。或者，基底绝缘层201可以为包含环氧树脂、丙烯酸树脂或者酰亚胺类树脂的有机层。基底绝缘层201可以直接形成在显示层100(参照图2)之上。
[0159]
感测层200可以通过对多个第一感测电极te1和多个第二感测电极te2之间的具有驱动频率的感测信号的电容的变化，获得与外部输入有关的信息。所述驱动频率可以具有250khz(千赫兹)以上且350khz以下的频率。
[0160]
多个第一感测电极te1各自可以沿着第一方向dr1延伸。多个第一感测电极te1可以沿着第二方向dr2排列。多个第一感测电极te1各自可以包括多个第一部分sp1以及多个第二部分bp1。多个第二部分bp1各自可以将彼此相邻的两个第一部分sp1电连接。多个第一部分sp1以及多个第二部分bp1可以具有网格结构。
[0161]
多个第二感测电极te2各自可以沿着第二方向dr2延伸。多个第二感测电极te2可以沿着第一方向dr1排列。多个第二感测电极te2各自可以包括多个感测图案sp2以及多个桥接图案bp2。多个桥接图案bp2各自可以将彼此相邻的两个感测图案sp2电连接。多个感测图案sp2可以具有网格结构。
[0162]
图8中作为示例示出一个桥接图案bp2与彼此相邻的两个感测图案sp2连接的情况，然而根据本发明的一实施例的多个桥接图案bp2以及多个感测图案sp2的连接关系不限于此。例如，彼此相邻的两个感测图案sp2也可以通过两个桥接图案bp2进行连接。
[0163]
多个第二部分bp1可以配置在与多个桥接图案bp2不同的层。多个桥接图案bp2可以与多个第一感测电极te1绝缘交叉。例如，多个第二部分bp1可以与多个桥接图案bp2各自绝缘交叉。
[0164]
第一导电层202(参照图3)可以包括多个桥接图案bp2。第二导电层204(参照图3)可以包括多个第一感测电极te1以及多个感测图案sp2。
[0165]
多个感测线tl1、tl2可以包括多个第一感测线tl1以及多个第二感测线tl2。多个第一感测线tl1可以与多个第一感测电极te1各自电连接。多个第二感测线tl2可以与多个第二感测电极te2各自电连接。多个感测线tl1、tl2各自可以具有网格结构。
[0166]
多个第一感测焊盘td1(参照图5)可以通过接触孔与多个第一感测线tl1各自电连接。多个第二感测焊盘td2(参照图5)可以通过接触孔与多个第二感测线tl2各自电连接。
[0167]
图9a是沿着根据本发明的一实施例的图8的i-i
′
线截取的截面图。
[0168]
参照图8以及图9a，可以在基底绝缘层201之上配置多个桥接图案bp2。感测绝缘层203可以配置在多个桥接图案bp2之上。感测绝缘层203可以具有单层或者多层结构。感测绝缘层203可以包含无机物、有机物或者复合材料。
[0169]
多个感测图案sp2、多个第二部分bp1可以配置在感测绝缘层203之上。多个感测图案sp2、以及多个第二部分bp1可以具有网格结构。
[0170]
多个接触孔cnt可以是感测绝缘层203在第三方向dr3上贯穿形成。多个感测图案sp2中相邻的两个感测图案sp2可以通过多个接触孔cnt与桥接图案bp2电连接。
[0171]
覆盖绝缘层205可以配置在多个感测图案sp2、以及多个第二部分bp1之上。覆盖绝缘层205可以具有单层或者多层结构。覆盖绝缘层205可以包含无机物、有机物或者复合材料。
[0172]
图9a中作为示例示出多个桥接图案bp2配置在多个感测图案sp2、以及多个第二部分bp1之下的底部桥接结构，然而不限于此。例如，感测层200也可以具有多个桥接图案bp2配置在多个感测图案sp2、以及多个第二部分bp1之上的顶部桥接结构。
[0173]
图9b是沿着根据本发明的一实施例的图8的ii-ii
′
线截取的截面图。在图9b的说明中，针对通过图8以及图9a说明的构成要件标记相同的附图标记，省略对其的说明。
[0174]
参照图9b，多个第一部分sp1以及多个第二部分bp1可以配置在多个桥接图案bp2之上。多个第二部分bp1各自可以连接相邻的两个第一部分sp1。多个第一部分sp1以及多个第二部分bp1可以具有网格结构。
[0175]
图10是根据本发明的一实施例的电子装置检查方法的流程图，图11是根据本发明的一实施例的电子装置的电路图，图12是示出根据本发明的一实施例的基于频率的电容的图表。
[0176]
参照图7至图12，可以提供包括显示层100以及感测层200的电子装置1000(参照图1)(s100)，所述显示层100包括公共电极ce，所述感测层200包括第一感测电极te1以及第二感测电极te2。
[0177]
可以向第一感测电极te1提供具有检查频率的检查信号sg(s200)。例如，检查信号sg可以输入到第一节点nd1后向第二节点nd2输出。所述检查频率可以具有500khz以上且700khz以下的频率。所述检查频率可以具有比驱动感测层200的驱动频率大的频率。
[0178]
检查信号sg可以包括第一信号p1以及第二信号p2。
[0179]
第一信号p1可以为通过第一感测电极te1的第一电阻rtx、第一电容cr以及第二感测电极te2的第二电阻rrx的信号。第一信号p1可以包括与第一感测电极te1和第二感测电极te2之间的第一电容cr有关的信息。
[0180]
第二信号p2可以为通过第一感测电极te1的第一电阻rtx、形成在第一感测电极te1和公共电极ce之间的第一寄生电容cb.tx、公共电极ce的电阻rs.cat、形成在第二感测电极te2和公共电极ce之间的第二寄生电容cb.rx以及第二感测电极te2的第二电阻rrx的信号。第二信号p2可以包括与形成在第一感测电极te1、公共电极ce和第二感测电极te2之间的第二电容有关的信息。
[0181]
寄生电容cb(参照图3)可以包括第一寄生电容cb.tx以及第二寄生电容cb.rx。第一感测电极te1以及第二感测电极te2与第二电极ce(参照图3)之间的距离ht(参照图3)可以为8μm以上且12μm以下。在距离ht(参照图3)不足8μm的情况下，当第一寄生电容cb.tx以及第二寄生电容cb.rx各自的值增加而提供具有第一感测电极te1和第二感测电极te2之间的驱动频率的信号时，所述信号向公共电极ce容易传递而当显示层100显示图像时，所述信号可能产生噪音。另外，在距离ht(参照图3)超过12μm的情况下，显示层100以及感测层200
的厚度增加而电子装置1000(参照图1)的厚度可能会增加，第一寄生电容cb.tx以及第二寄生电容cb.rx各自的值变小而检查信号sg不能通过第一寄生电容cb.tx，从而可能不形成第二信号p2。第三寄生电容cp.disp可以是形成于显示层100的寄生电容。
[0182]
可以从检查信号sg测定第一感测电极te1和第二感测电极te2之间的电容(s300)。图12示出根据频率的大小测定第一节点nd1和第二节点nd2之间的电容cm的图表。
[0183]
电容cm可以为第一电容cr以及所述第二电容之和。
[0184]
第一图表gp1为根据频率的大小测定没有产生寄生电容cb(参照图3)的影响的第一节点nd1和第二节点nd2之间的理想电容cm的图表。即，第一图表gp1为根据频率的大小测定仅由第一信号p1形成的电容cm的图表。
[0185]
第二图表gp2为根据频率的大小测定根据本发明的一实施例的电子装置1000(参照图1)的第一节点nd1和第二节点nd2之间的电容cm的图表。即，第二图表gp2为根据频率的大小测定由第一信号p1以及第二信号p2形成的电容cm的图表。
[0186]
若频率增加，则第二信号p2引起的影响可能增加。因此，可以依据第二信号p2的变化，电容cm发生变化。
[0187]
可以基于电容cm，检查公共电极ce(s400)。可以依据电容cm，判断公共电极ce和第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4之间是否电连接。在第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4连接的状态下，依据检查信号sg测定的电容cm可以被称为参考电容。
[0188]
当第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4中的至少一个与公共电极ce没有电连接时，公共电极ce的电阻rs.cat可以增加。通过增加的电阻rs.cat，第二信号p2可以不流向供应第二电源elvss的电源供应部100c4而提供到第二节点nd2。即，由第二信号p2产生的所述第二电容可以增加。因此，通过检查信号sg测定的电容cm可以增加。
[0189]
若向电子装置1000(参照图1)提供检查信号sg测定的电容cm相比所述参考电容增加时，则可以判断为第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4中的至少一个与公共电极ce没有电连接。即，可以判断公共电极ce为不良。
[0190]
例如，当第三连接电极ct3与公共电极ce没有连接时，与公共电极ce的第三连接电极ct3相邻的第一区域的电阻可以增加。因此，在所述第一区域中，由检查信号sg测定的电容cm可以比所述参考电容增加。因此，可以依据测定的电容cm，判断第三连接电极ct3与公共电极ce没有电连接。另外，当第四连接电极ct4与公共电极ce没有连接时，与公共电极ce的第四连接电极ct4相邻的与所述第一区域不同的第二区域的电阻可以增加。因此，在所述第二区域中，通过检查信号sg测定的电容cm可以比所述参考电容增加。因此，可以依据测定的电容cm，判断第四连接电极ct4与公共电极ce没有电连接。
[0191]
若向电子装置1000(参照图1)提供检查信号sg测定的电容cm与所述参考电容相同时，则可以判断为第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4各自与公共电极ce电连接。即，可以判断公共电极ce为良好。
[0192]
根据本发明，当第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4各自与公共电极ce电连接时，可以减小公共电极ce的电阻。可以减少在公共电极ce中可能产生的发热。另外，可以减小公共电极ce的消耗电流。即，可以改善显示层100的整体驱动。因此，可以提供可靠性提高的电子装置1000(参照图1)。
[0193]
参考第二图表gp2，检查信号sg的检查频率可以具有500khz以上且700khz以下的
频率。当所述检查频率不足500khz时，第二信号p2对电容cm的影响不充分，可能难以判断公共电极ce是否不良。另外，当所述检查频率超过700khz时，超过可以在感测驱动电路tic(参照图5)处理的信号的频率范围，因此可能无法测定。然而，其为示例性的，只要是提高感测驱动电路tic(参照图5)的信号处理能力，则也可以增加所述检查频率的上限值。
[0194]
与本发明不同，在现有的判断公共电极ce和第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4之间是否电连接的方法的情况下，可以是，通过驱动显示层100，依据有源区域100a(参照图5)中显示的图像，判断公共电极ce和第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4之间是否电连接。然而，所述方法是即便第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4中的一个没有连接，也在有源区域100a(参照图5)正常显示所述图像，因此不能准确判断第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4各自是否连接。然而，根据本发明，电子装置1000(参照图1)的检查方法不是通过在显示层100的有源区域100a(参照图5)显示的所述图像，而是通过在感测层200提供的具有感测频率的检查信号sg，确认配置有第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4的区域各自的电容cm，并依据电容cm，可以判断第一至第四连接电极ct1、ct2、ct3、ct4各自是否连接。因此，可以提供可靠性提高的电子装置1000(参照图1)。
[0195]
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，若为本技术领域的熟练的技术人员或在本技术领域具有通常知识的人员，则应可以理解在不脱离权利要求书中记载的本发明的构思以及技术领域的范围内可以对本发明进行各种修改以及变更。因此，本发明的技术范围不应通过说明书的详细说明中记载的内容限定，而应通过权利要求书确定。