电子装置及其制造方法与流程

电子装置及其制造方法
1.本技术是2018年8月27日申请的，申请号为“201810981438.0”，发明名称为“电子装置及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请
技术领域
2.本技术是关于一种电子装置。更具体地来说，本技术是关于一种具有发光组件的电子装置。


背景技术：

3.随着显示技术的发展，各种显示面板不断推陈出新。举例来说，液晶显示面板、等离子显示面板及发光二极管显示面板等已取代传统阴极射线显像管显示器。
4.在发光二极管显示面板的结构中，发光二极管需要与基板连结，然而，在基板有翘曲的情况下，发光二极管将不易设置于前述基板上。因此，如何解决前述问题成为一重要的课题。


技术实现要素：

5.为了解决上述已知的问题点，本技术提供一种电子装置，包括：一基板；多个接合垫，设置于该基板上；以及多个二极管芯片，设置于该多个接合垫上；该多个二极管芯片在一第一方向上包括：一第一两相邻二极管芯片，具有一第一间距、一第二两相邻二极管芯片，具有一第二间距、以及一第三两相邻二极管芯片，具有一第三间距，且该第一两相邻二极管芯片、该第二两相邻二极管芯片以及该第三两相邻二极管芯片沿该第一方向依序排列；其中该第三间距大于该第二间距，且该第二间距大于该第一间距。
6.本技术提供一种电子装置的制造方法，包括：提供一压合装置，其中该压合装置具有一可挠性层，将多个二极管芯片粘贴于该可挠性层上；提供一基板，其中该基板上设有多个接合垫；以及利用该压合装置使该多个二极管芯片和该多个接合垫接合。
7.本技术提供一种电子装置，包括：一基板；多个二极管芯片，设置于该基板上；该多个二极管芯片包括：一第一两相邻二极管芯片，具有一第一间距、一第二两相邻二极管芯片，具有一第二间距、以及一第三两相邻二极管芯片，具有一第三间距；其中该第三间距大于该第二间距，且该第二间距大于该第一间距。
附图说明
8.为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
9.图1是表示本技术一实施例的压合装置、发光组件、基板和接合垫的示意图。
10.图2是表示本技术一实施例中，借由压合装置使发光组件接触接合垫的示意图，其中设置接合垫的基板表面为平面。
11.图3是表示本技术一实施例中，借由压合装置使发光组件接触接合垫的示意图，其
中设置接合垫的基板表面弯曲。
12.图4a是表示本技术一实施例中的电子装置的示意图。
13.图4b是表示本技术一实施例中的电子装置的示意图。
14.图5是表示本技术一实施例中的发光组件的示意图。
15.图6是表示本技术一实施例中的发光组件和接合垫的示意图。
16.图7是表示本技术另一实施例中的发光组件的示意图。
17.图8是表示本技术另一实施例的压合装置、发光组件、基板和接合垫的示意图。
18.图9是表示本技术另一实施例的压合装置、发光组件、基板和接合垫的示意图。
19.图10是表示本技术另一实施例的压合装置、发光组件、基板和接合垫的示意图。
20.图11a是表示本技术另一实施例中，将可挠性材料涂布于输送带上以形成可挠性层的示意图。
21.图11b是表示本技术另一实施例中，捡取头下压输送带使发光组件接触可挠性层的示意图。
22.图11c是表示本技术另一实施例中，输送带移动使粘贴于可挠性层上的发光组件对齐接合垫的示意图。
23.图11d是表示本技术另一实施例中，压合头下压输送带使发光组件接触接合垫的示意图。
24.图11e是表示本技术另一实施例中，压合头移动使发光组件自可挠性层脱离的示意图。
25.10 压合头
26.11 压合面
27.20 可挠性层
28.21 区块
29.22 底部
30.23 凸出部
31.30 输送带
32.40 捡取头
33.100 发光组件
34.101 第一电极
35.102 第一材料层
36.103 发光层
37.104 第二材料层
38.105 第二电极
39.106 基座
40.110 第一群组(第一两相邻发光组件)
41.120 第二群组(第二两相邻发光组件)
42.130 第三群组(第三两相邻发光组件)
43.140 第四群组(第四两相邻发光组件)
44.150 第五群组(第五两相邻发光组件)
45.160 第六群组(第六两相邻发光组件)
46.200 基板
47.201 表面
48.202 底面
49.300、300a 接合垫
50.a 第一面积
51.b 第二面积
52.c 压合装置
53.d 距离
54.e 电子装置
55.l 长度
56.m 平台
57.px1 第一间距
58.px2 第二间距
59.px3 第三间距
60.py1 第一间距
61.py2 第二间距
62.py3 第三间距
63.w 宽度
具体实施方式
64.以下说明本技术实施例的电子装置及其制造方法。然而，可轻易了解本技术实施例提供许多合适的发明概念而可实施于广泛的各种特定背景。所揭示的特定实施例仅仅用于说明以特定方法使用本技术，并非用以局限本技术的范围。
65.除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇申请所属的本领域技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本技术的背景或上下文一致的意思，而不应以理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
66.首先请参阅图1，本技术一实施例的压合装置c包括一压合头10以及一可挠性层20，其中可挠性层20是固定于压合头10的压合面11上，在部分靠压合头10抓取组件的实施例中，可挠性层20可具有粘性，但在部分不靠压合头10抓取组件(压合头10只做压合的动作而不抓取组件)的实施例中，可挠性层20可不具有粘性。前述可挠性层20例如可包括高分子材料或光阻材料，且其厚度可介于0.5～200μm(例如1～50μm)，但并不限定于此。
67.前述压合头10可装设于一可移动机构(未图示)上。如图1所示，在使用时，可先使多个发光组件100(例如发光二极管芯片(light-emitting diode chip,led chip))粘贴于可挠性层20上，接着利用可移动机构将压合头10移动至一基板200上方，基板200可以是硬板(例如玻璃、蓝宝石
…
等)、软板(例如pi、pet
…
等)，但并不限定于此，只要可以提供一定支撑能力即可。最后，如图2所示，压合头10可下降使可挠性层20上的发光组件100接触基板200上的接合垫300，以使两者结合，例如透过共晶结合，但并不限定于此。
68.在结合完后，由于共晶结合产生的结合力会大于可挠性层20粘贴发光组件100的粘贴力，因此压合头10可上升并使发光组件100脱离可挠性层20。经由前述步骤组合的基板200、接合垫300以及可挠性层100即可构成本技术的电子装置e。
69.如图2所示，当前述基板200上设置接合垫300的表面201为水平，则在压合头10下降时，可挠性层20上的各个发光组件100可同时接触基板200上的接合垫300，且可挠性层20产生的变形不会很明显。
70.请参阅图3，当前述基板200上设置接合垫300的表面201为弯曲，则在压合头10下降时，最接近压合头10的接合垫300会首先接触发光组件100。接着，可挠性层20可变形，使其余的发光组件100和接合垫300接触。换言之，本技术的前述压合装置c可适用于任何基板200上，即使是在基板200有翘曲的情况。在基板200上与其底面202相隔最大距离(即最接近压合头10)的一个接合垫300a与发光组件100结合后，两者的中心会大致对齐，而其他接合垫300和发光组件100的中心则会略有偏移。
71.图4a是表示当利用压合装置c将发光组件100设置于表面201弯曲的基板200上时，基板200上的至少部分区域中的发光组件100和接合垫300的配置示意图。
72.具体而言，在一第一方向(x轴方向)上，发光组件100可被划分为一第一群组110、一第二群组120、以及一第三群组130(在本技术中，群组表示沿一方向排列的两个以上发光组件100所形成的集合，且不同群组也可以有不同数目的发光组件100)，依序排列于第一方向上，换言之，第二群组120位于第一群组110和第三群组130之间。第一群组110、第二群组120和第三群组130分别包含两个相邻且沿第一方向排列的发光组件100，其中，第一群组110中的两个发光组件100(第一两相邻发光组件)的几何中心之间具有一第一间距px1，第二群组120中的两个发光组件100(第二两相邻发光组件)的几何中心之间具有一第二间距px2，且第三群组130中的两个发光组件100(第三两相邻发光组件)的几何中心之间具有一第三间距px3。由于接合垫300彼此之间的距离相同，且第三间距px3》第二间距px2》第一间距px1，因此在第一方向上越远离接合垫300a的发光组件100会越偏离其对应的接合垫300。
73.同样的，在一第二方向(y轴方向)上，发光组件100可被划分为一第四群组140、一第五群组150、以及一第六群组160，依序排列于第二方向上，换言之，第五群组150位于第四群组140和第六群组160之间。第四群组140、第五群组150和第六群组160分别包含两个相邻且沿第二方向排列的发光组件100，其中，第四群组140中的两个发光组件100(第四两相邻发光组件)的几何中心之间具有一第四间距py1，第五群组150中的两个发光组件100(第五两相邻发光组件)的几何中心之间具有一第五间距py2，且第六群组160中的两个发光组件100(第六两相邻发光组件)的几何中心之间具有一第六间距py3。由于接合垫300彼此之间的距离相同，且第六间距py3》第五间距py2》第四间距py1，因此在第二方向上越远离接合垫300a的发光组件100会越偏离其对应的接合垫300。此处的对应是在说明应该要互相结合的发光组件100与接合垫300。
74.应注意的是，虽然在本实施例中，第一方向和第二方向分别对应x轴方向和y轴方向，但在一些实施例中，第一方向和第二方向亦可为相异但未垂直的方向。
75.请参阅图4b，在一些实施例中，沿着第一方向(x轴方向)上划分第一群组110、第二群组120、第三群组130时，可将其中一个发光组件100同时划入第一群组110和第二群组120中，且将另一个发光组件100同时划入第二群组120和第三群组130中。也就是说，第一群组
110和第二群组120可共享一个发光组件100，且第二群组120和第三群组130可共享另一个发光组件100。亦即，在此实施例中，有一颗发光组件100位于靠近两个群组的交界且同时属于第一群组跟第二群组，该颗发光组件100即被两群组所共享；而有另一颗发光组件100位于靠近两个群组的交界且同时属于第二群组跟第三群组，该另一颗发光组件100即被两群组所共享。同样的，沿着第二方向(y轴方向)上划分第四群组140、第五群组150、第六群组160时，可将其中一个发光组件100同时划入第四群组140和第五群组150中，且将另一个发光组件100同时划入第五群组150和第六群组160中，亦即第四群组140和第五群组150可共享一个发光组件100，且第五群组150和第六群组160可共享另一个发光组件100。
76.在部分实施例中，当群组中的发光组件数目等于两个发光组件100时，第一群组110具有第一两相邻发光组件110，第二群组120具有第二两相邻发光组件120，第三群组130具有第三两相邻发光组件130，所以第一两相邻发光组件110与第二两相邻发光组件120可共享一个发光组件100，第二两相邻发光件120和第三两相邻发光组件130可共享另一个发光组件100。亦即，在此实施例中，有一颗发光组件100会同时属于第一两相邻发光组件110及第二两相邻发光组件120，该颗发光组件100被第一两相邻发光组件110及第二两相邻发光组件120所共享；有另一颗发光组件100会同时属于第二两相邻发光组件110及第三两相邻发光组件120，该另一颗发光组件100被第二两相邻发光组件110及第三两相邻发光组件120所共享。第四群组140具有第四两相邻发光组件140，第五群组150具有第五两相邻发光组件150，第六群组160具有第六两相邻发光组件160，所以第四两相邻发光组件140和第五两相邻发光组件150可共享一个发光组件100且第五两相邻发光组件150和第六两相邻发光组件160可共享另一发光组件100。
77.此外，需特别说明的是，接合垫300和发光组件100之间偏离的上限会根据发光组件100的种类不同而改变。举例而言，如图5所示，在本实施例中，发光组件100可为一垂直结构发光二极管芯片(vertical led chip)，包括一第一电极101、一第一材料层102、一发光层103、一第二材料层104、以及一第二电极105。第一材料层102、发光层103和第二材料层104设置于第一电极101和第二电极105之间，发光层103设置于第一材料层102和第二材料层104之间，且第一材料层102设置于第一电极101和发光层103之间。在本实施例中，第一电极101、第一材料层(第一氮化镓层)102、发光层103、第二材料层(第二氮化镓层)104、以及第二电极105可分别为p型电极、p型氮化镓层(p-gan)、多重量子井(multi-quantum wells,mqws)、n型氮化镓层(n-gan)、以及n型电极，但并不限定于此。
78.前述第一电极101在第一方向和第二方向上分别具有一长度l和一宽度w。当具有垂直结构发光二极管芯片的发光组件100与接合垫300结合时，其第一电极101会朝向接合垫300并与接合垫300连接。如图4a、4b所示，第二间距px2应小于第一间距px1加上前述长度l的2/3(px2《px1+2/3l)，且第三间距px3亦应小于第一间距px1加上前述长度l的2/3(px3《px1+2/3l)，以避免第一电极101在第一方向上同时连接至两个接合垫300。
79.在第二方向上，第五间距py2应小于第四间距py1加上前述宽度w的2/3(py2《py1+2/3w)，且第六间距py3也应小于第四间距py1加上前述宽度y的2/3(py3《py1+2/3w)，以避免第一电极101在第二方向上同时连接至两个接合垫300。
80.请参阅图6，就面积来说，从基板200的法线方向(z轴方向)观察时，发光组件100覆盖接合垫300的区域具有一第一面积a，且发光组件100的第一电极101具有一第二面积b。第
一面积a应大于第二面积b的1/3，以避免第一电极101同时连接至两个接合垫300。
81.请参阅图7，在本技术另一实施例中，发光组件100可为一倒装结构发光二极管芯片(flip led chip)，包括一第一电极101、一第一材料层102、一发光层103、一第二材料层104、一第二电极105、以及一基座106。其中，第二材料层104设置于基座106上，发光层103和第二电极105设置于第二材料层104上，第一材料层102设置于发光层103上，且第一电极101设置于第一材料层102上。在本实施例中，第一电极101、第一材料层(第一氮化镓层)102、发光层103、第二材料层(第二氮化镓层)104、第二电极105、以及基座106可分别为p型电极、p型氮化镓层、多重量子井、n型氮化镓层、n型电极、以及蓝宝石基板，但并不限定于此。
82.由于本实施例中的第一电极101和第二电极105位于发光组件100的同一侧，因此在连接发光组件100时，第一电极101和第二电极105会各自连接一个接合垫300，亦即一个发光组件100会连接至两个接合垫300。
83.如图7所示，第一电极101和第二电极105之间间隔一距离d。前述第二间距px2应小于第一间距px1加上此距离d(px2《px1+d)，且第三间距px3应小于第一间距px1加上此距离d(px3《px1+d)，以避免第一电极101或第二电极105在第一方向上连接至两个接合垫300。再者，第五间距py2应小于第四间距py1加上距离d(py2《py1+d)，且第六间距py3也应小于第四间距py1加上距离d(py3《py1+d)，以避免第一电极101或第二电极105在第二方向上连接至两个接合垫300、或避免第一电极101、第二电极102以及两个接合垫300无法形成导通回路。
84.前述基板200、接合垫300以及发光组件100构成的电子装置e可为显示面板或显示器，例如可为量子点发光二极管显示器(quantum dots light-emitting diode display,qled display)、发光二极管显示器(包括微发光二极管显示器(micro led)和次毫米发光二极管显示器(mini led))、拼接显示器、或软性显示器，但并不限定于此。
85.因此，经由以上说明，可以理解到，用户可借由以下制造方法生成例如图4a、4b所示的电子装置e。首先，可提供具有可挠性层20的压合装置c，并将多个发光组件100粘贴于可挠性层20上。其次，可提供设有多个接合垫300的基板200。最后，用户可利用压合装置c使发光组件100与接合垫300接合。待发光组件100与接合垫300接合后，发光组件100、基板200和接合垫300即可构成图4a、4b所示的电子装置e。
86.请参阅图8，在本技术另一实施例中，压合装置c的可挠性层20包括多个彼此分离的区块21，该多个区块21的位置对应基板200上的接合垫300的位置。当利用压合装置c粘贴发光组件100时，发光组件100可粘贴于各个区块21上，借此可提升可挠性层20的变形幅度。
87.请参阅图9，在本技术另一实施例中，压合装置c的可挠性层20可包括一底部22和多个凸出部23。凸出部23连接底部22并朝向远离压合头10的方向凸出。当利用压合装置c粘贴发光组件100时，发光组件100会粘贴于前述各个凸出部23上，当可挠性层20有底部22和多个凸出部23时，可以使压合装置c的可挠性层20在损坏时更易于替换。如图10所示，在一些实施例中，凸出部23可具有相异的高度，以配合不同磊晶厚度的发光组件100。待发光组件100粘贴至凸出部23上后，发光组件100未粘贴于可挠性层20的表面会大致对齐，以利与基板200上的接合垫300接合。
88.请参阅图11a～11e，在本技术另一实施例中，压合装置c可包括一压合头10、一输送带30、以及一捡取头40。以下说明利用此压合装置c连续制造电子装置e的方法。
89.如图11a所示，首先，可利用仪器(例如狭缝涂布(slit coating))或手动涂布可挠
性材料于输送带30上，以在输送带30上形成一具有粘性的可挠性层20。其次，如图11b所示，输送带30可将可挠性层20运送至设有发光组件100的平台m上方，捡取头40下压输送带30使可挠性层20接触发光组件100，发光组件100可因此粘贴于可挠性层20上。
90.接着，如图11c所示，捡取头40可朝远离平台m的方向移动而可不再施力于输送带30上，输送带30再移动使粘于可挠性层20上的发光组件100位于基板200上方，且前述发光组件100对齐基板200上的接合垫300。
91.最后，请参阅图11d，压合头10可朝向基板200移动以下压输送带30，使发光组件100接触接合垫300。发光组件100和接合垫300之间可结合，例如透过共晶结合或低温(小于400摄氏度)结合，但并不限定于此，以生成电子装置e。如图11e所示，待电子装置e组合完成后，压合头10可朝远离平台m的方向移动而可不再施力于输送带30上。由于发光组件100与结合垫300之间的结合力会大于可挠性层20粘贴发光组件100的粘贴力，因此压合头10可上升并使发光组件100脱离可挠性层20。
92.借由此压合装置c，可连续地制造电子装置e，或可省去在可挠性层20失效时(例如失去粘性)需替换可挠性层20的步骤。
93.综上所述，本技术提供一种电子装置，包括一基板、多个接合垫、以及多个发光组件，其中接合垫设置于基板上，且发光组件设置于接合垫上。前述发光组件在一第一方向上被划分为一第一群组、一第二群组、以及一第三群组，沿着第一方向依序配置。第一群组包括两个相邻的发光组件，且第一群组中的两个发光组件之间具有一第一间距。第二群组包括两个相邻的发光组件，且第二群组中的两个发光组件之间具有一第二间距。第三群组包括两个相邻的发光组件，且第三群组中的两个发光组件之间具有一第三间距。其中，前述第三间距大于第二间距，且第二间距大于第一间距。
94.本技术更提供一种电子装置的制造方法，包括：提供一压合装置，其中压合装置具有一可挠性层，且可挠性层具有粘性；将多个发光组件粘贴于可挠性层上；提供一基板，其中基板上设有多个接合垫；以及利用压合装置使发光组件和接合垫结合，例如共晶结合、低温结合、acf结合或胶粘合，但并不限定于此。
95.虽然本技术的实施例及其优点已披露如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本技术的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本技术揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本技术使用。因此，本技术的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一项权利要求构成个别的实施例，且本技术的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。