一种微黑体硅APD光电探测器及其制作方法与流程

一种微黑体硅apd光电探测器及其制作方法
技术领域
1.本发明涉及光电探测器及其制作技术领域，特别是涉及一种微黑体硅apd光电探测器及其制作方法。


背景技术：

2.近红外光硅apd光电探测器由于其具有灵敏度高、增益大、暗电流小、成本低等优点，广泛应用于三维成像、激光测距、微光探测等领域。近红外硅apd光电探测器一般采用拉通型(reach through)n+-p-π-p+器件结构，相较于普通的pn或pin型apd，具有击穿电压相对较小的优点，是目前硅apd采用最多的器件构型，其主要由高掺杂电荷层(n+)、雪崩倍增区(p)、本征吸收层(π)、阳极接触层(p+)、保护环、截止环、增透膜和电极组成。
3.传统的近红外硅apd光电探测器为了获得在近红外波段较高的量子效率(即响应率和灵敏度)，通常做法是增加吸收层的厚度，但随着吸收层厚度的增加，光电探测器的击穿电压温度系数和响应时间也随之增大；而要想减小击穿电压温度系数和响应时间，又必然要减薄吸收层的厚度，但随着吸收层厚度的减薄，其量子效率又会同步减小，从而限制了器件的性能提高及其适用范围，使得近红外硅apd光电探测器无法同时满足高的响应率、低的击穿电压温度系数以及小的响应时间的性能要求。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种微黑体硅apd光电探测器及其制作方法，以解决现有技术中近红外硅apd光电探测器的量子效率与击穿电压温度系数和响应时间的同时优化相互矛盾的问题。
5.为解决上述问题，本发明的第一方面提供一种微黑体硅apd光电探测器，包括探测器本体，所述探测器本体包括从下至上依次设置的微黑体阵列和透光区，所述微黑体阵列包括多个呈阵列分布的微黑体像元，每一所述微黑体像元均包括吸收区、相对设置在所述吸收区上、下两侧的正面反射区和背面反射区以及设置在所述正面反射区和背面反射区之间且包围所述吸收区的侧面反射区；所述正面反射区上设有一通光孔，近红外光经所述透光区聚合并由所述通光孔射入吸收区，并在所述正面反射区、背面反射区和侧面反射区之间来回反射，实现所述吸收区对近红外光的反复吸收。
6.进一步的，所述微黑体像元还包括一形成在所述吸收区上部的雪崩倍增区、一形成在所述雪崩倍增区的上表面且与所述正面反射区的下表面接触的高掺电荷层以及一环设在所述高掺电荷层的外缘的保护环，所述高掺电荷层在水平投影面上的直径大于所述雪崩倍增区在水平投影面上的直径，使所述保护环间隔环绕在所述雪崩倍增区的周围；所述雪崩倍增区、高掺电荷层以及保护环均采用注入或扩散的方式形成于所述吸收区的上部。
7.进一步的，所述微黑体像元还包括一形成在所述吸收区的底部且对应所述背面反射区的上表面上的阳极接触层，所述背面反射区上形成有背面电极孔，所述背面电极孔内形成有与所述阳极接触层连接的阳极电极；所述正面反射区上形成有正面电极孔，所述正
面电极孔内形成有与所述高掺电荷层连接的阴极电极。
8.进一步的，所述探测器本体包括从下至上依次设置的背面反射层、吸收层和正面反射层，所述吸收层内形成有呈阵列分布多个隔离沟槽，所述隔离沟槽沿竖向贯通所述吸收层以将所述吸收层分隔形成所述吸收区，所述隔离沟槽内设置有包围所述吸收区的侧面反射层以形成所述侧面反射区，所述吸收区上、下两侧对应区域内的正面反射层和背面反射层分别形成所述微黑体像元的正面反射区和背面反射区。
9.进一步的，所述正面反射层包括淀积在所述吸收层上表面的正面钝化层以及淀积在所述正面钝化层上表面的正面反射镜；所述背面反射层包括淀积在所述吸收层下方的背面钝化层以及淀积在所述背面钝化层下表面的背面反射镜；所述侧面反射层包括淀积在所述隔离沟槽两侧壁上的侧面钝化层以及淀积在两侧的侧面钝化层之间的侧面反射镜。
10.进一步的，所述透光区包括形成在所述正面反射镜上表面的微透镜垫层以及与所述微黑体像元一一对应地形成在所述微透镜垫层上的微透镜，且所述微透镜与所述通光孔同轴设置；所述微透镜为凸透镜，所述微透镜垫层的厚度与所述凸透镜的焦距相适配。
11.进一步的，所述探测器本体还包括形成在吸收层上部的截止环，所述截止环间隔环设在所述微黑体阵列的周围，所述正面反射层上对应所述截止环的位置处环设有一正面电极槽，所述正面电极槽内形成有与所述截止环连接的截止环电极。
12.进一步的，所述正面反射镜和背面反射镜采用金属介质、氧化物介质、非氧化物介质中的一种或多种组合淀积而成；所述侧面反射镜采用金属介质淀积而成或者采用金属介质与氧化物介质组合淀积而成。
13.进一步的，所述通光孔内形成有一增透膜。
14.本发明的第二方面提供一种微黑体硅apd光电探测器的制作方法，用于制作上述微黑体硅apd光电探测器，包括以下步骤：
15.s1：利用高阻单晶硅材料作为吸收层；
16.s2：在吸收层上表面进行注入或扩散形成一截止环；
17.s3：在吸收层的上表面对应所述截止环内侧的区域内形成多个呈阵列分布的一保护环；在所述吸收层的上表面对应每一保护环内侧的区域内进行注入或扩散形成一雪崩倍增区；以及在所述吸收层的上表面对应所述保护环内侧的区域内进行注入形成一与保护环具有重叠部分的高掺电荷层；
18.s4：在所述吸收层上对应每一保护环的外围区域向下刻蚀出隔离沟槽，形成多个阵列分布的吸收区，在所述隔离沟槽的表面氧化或淀积形成侧面钝化层，并在所述隔离沟槽内对应侧面钝化层的表面上淀积填充材料；去除吸收层表面多余的填充材料形成侧面反射镜；
19.s5：在吸收层的上表面依次淀积一层正面钝化层和一层正面反射镜；
20.s6：在所述正面反射镜和正面钝化层上对应每一高掺电荷层的区域内向下刻蚀形成与所述高掺电荷层一一对应的通光孔，并在通光孔内淀积一层增透膜；
21.s7：在所述正面反射镜和正面钝化层上对应每一高掺电荷层的区域内向下刻蚀形成与所述高掺电荷层一一对应的正面电极孔，并在所述正面电极孔内淀积阴极电极；在所述正面反射镜和正面钝化层上对应截止环的区域内向下刻蚀形成一正面电极槽，并在所述正面电极槽内淀积截止环电极；
22.s8：对吸收层的下表面进行减薄处理；
23.s9：在吸收层的下表面进行注入一阳极接触层；
24.s10：在所述阳极接触层的下表面淀积一层背面钝化层，并在所述背面钝化层的下表面淀积一层背面反射镜；
25.s11：在所述背面反射镜和背面钝化层上对应每一吸收区的区域内向上刻蚀形成与所述吸收区一一对应的背面电极孔，并在所述背面电极孔内淀积形成阳极电极；
26.s12：在正面反射镜的上表面淀积一层微透镜垫层，并在所述微透镜垫层的表面形成微透镜阵列，完成微黑体硅apd光电探测器的制作。
27.本发明通过设置透光区将入射的近红外光汇聚至通光孔位置射入微黑体像元内被吸收区所吸收，吸收不完全的近红外光在设置的正面反射镜、侧面反射镜和背面反射镜之间来回反射，使吸收区可以对吸收不完全的近红外光反复吸收，以提高近红外光的吸收率，进而提高光电探测器的响应率。另外，还可通过减小吸收区的厚度来进一步减小光电探测器的击穿电压温度系数和响应时间，从而大幅提高光电探测器的综合性能。
附图说明
28.图1为本发明实施例一的一种微黑体硅apd光电探测器的结构示意图。
29.图2为图1中为微黑体像元的结构示意图。
30.图3为图2的微黑体像元的近红外光吸收增强原理图。
31.图4为本发明实施例二的一种微黑体硅apd光电探测器的制作方法的流程图。
32.说明书附图标记如下：
33.探测器本体100、微黑体阵列1、微黑体像元11、吸收区11a、正面反射区11b、背面反射区11c、侧面反射区11d、通光孔12、增透膜13、雪崩倍增区14、高掺电荷层15、保护环16、透光区2、微透镜阵列21、微透镜211、微透镜垫层22、阳极接触层3、背面电极孔41、阳极电极42、正面电极孔43、阴极电极44、正面电极槽45、截止环电极46、背面反射层5、背面钝化层51、背面反射镜52、吸收层6、正面反射层7、正面钝化层71、正面反射镜72、侧面反射层8、侧面钝化层81、侧面反射镜82、截止环9。
具体实施方式
34.下面结合附图对本发明作进一步说明。
35.实施例一
36.如图1所示，本实施例的一种微黑体硅apd光电探测器包括探测器本体100，所述探测器本体100包括从下至上依次设置的微黑体阵列1和透光区2，所述透光区2用于对入射的近红外光进行汇聚，所述微黑体阵列1用于探测近红外光。所述微黑体阵列1包括多个呈阵列分布的微黑体像元11，所述微黑体像元11对近红外光进行反复吸收，以增加近红外光的吸收率，进而提高光电探测器的响应率(即灵敏度)。
37.如图2和图3所示，所述微黑体像元11包括吸收区11a、正面反射区11b、背面反射区11c和侧面反射区11d，所述吸收区11a用于吸收入射的近红外光。所述正面反射区11b和背面反射区11c相对设置在所述吸收区11a的上、下两侧，所述侧面反射区11d设置在正面反射区11b和背面反射区11c之间且包围所述吸收区11a设置，用于对吸收区11a吸收不完全的近
红外光进行反射。所述正面反射区11b上设有一通光孔12，以便于近红外光入射至吸收区11a；在所述通光孔12内形成有一增透膜13，以增加透光率。本实施例在具体实现时，近红外光照射在所述透光区2上，透光区2通过其聚光作用将近红外光汇聚至通光孔12的位置处并经由通光孔12射入吸收区11a，近红外光在沿吸收区11a向前传播的过程中逐渐被吸收区11a吸收，由于在正面反射区11b上仅设置有一口径较小的通光孔12，使得吸收不完全近红外光仅能在正面反射区11b、背面反射区11c和侧面反射区11d围合形成的空间内来回反射(所述近红外光的反射过程如图3所示)，进而使得吸收区11a可以对入射的近红外光进行反复吸收，而无法逃逸出吸收区11a(仅极小一部分近红外光能从通光孔12逃逸)，直至吸收区11a吸收完全，以增加近红外光的吸收率。
38.所述微黑体像元11还包括雪崩倍增区14、高掺电荷层15和保护环16，所述雪崩倍增区14采用离子注入工艺或杂质扩散工艺形成在所述吸收区11a内对应所述正面反射区11b的一侧，用于形成高电场，使载流子发生雪崩，进而实现电流的倍增；所述高掺电荷层15采用离子注入工艺形成在所述吸收区11a内对应所述雪崩倍增区14的上表面，且所述高掺电荷层15的上表面与所述正面反射区11b相接触，所述高掺电荷层15用于耗尽雪崩倍增区14产生的载流子；所述保护环16采用离子注入工艺和高温推介工艺形成在所述吸收区11a的上部且环绕所述高掺电荷层15的外缘设置，用于防止微黑体像元11的边缘被击穿。在本实施例中，所述高掺电荷层15在水平投影面上的直径大于所述雪崩倍增区14在水平投影面上的直径，以使得所述保护环16间隔环绕在所述雪崩倍增区14的周围(即所述保护环16的内缘与雪崩倍增区14的外缘具有一间隙，二者不接触)，以减小吸收区11a与雪崩倍增区14之间产生的局部电场，加大载流子漂移的速度，进而提高频率响应。在其他的一些实施例中，当对所述频率响应的要求精度相对较低或者工艺要求较低的情况下，所述雪崩倍增区14在水平投影面上的直径也可以等于所述高掺电荷层15在水平投影面上的直径，也即所述雪崩倍增区14也可以与所述保护环16相接触设置，以降低制作工艺的难度，提高光电探测器的制作效率的同时还可降低制作成本。
39.所述微黑体像元11还包括一形成在所述吸收区11a的底部且对应所述背面反射区11c的上表面上的阳极接触层3，用于降低阳极接触电阻。所述背面反射区11c上形成有背面电极孔41，所述背面电极孔41内形成有阳极电极42，所述阳极电极42与所述阳极接触层3连接；所述正面反射区11b上形成有正面电极孔43，所述正面电极孔43内形成有阴极电极44，所述阴极电极44与所述高掺电荷层15连接，所述阴极电极44接收光信号后产生光电效应，使得产生光电子在所述高电场的作用下加速向阳极电极42运动，从而在阳极电极42形成光电流。
40.所述探测器本体100包括从下至上依次设置的背面反射层5、吸收层6和正面反射层7，所述吸收层6内形成有呈阵列分布多个隔离沟槽(图中未标示)，所述隔离沟槽沿竖向贯通所述吸收层6以将所述吸收层6分隔形成所述吸收区11a，每一吸收区11a相互独立，以用于吸收近红外光。在本实施例中，所述吸收层6采用高阻单晶硅材料制作而成。所述隔离沟槽内设置有包围所述吸收区11a的侧面反射层8以形成所述侧面反射区11d，所述侧面反射层8用于反射近红外光。具体的，所述侧面反射层8包括淀积在所述隔离沟槽两侧壁上的侧面钝化层81以及淀积在两侧的侧面钝化层81之间的侧面反射镜82，所述侧面钝化层81用于钝化光电探测器的器件表面，以减小暗电流。所述侧面反射镜82用于将未吸收完全的近
红外光反射会吸收区11a以重复吸收；在本实施例中，所述侧面反射镜82采用金属介质淀积而成或采用金属介质与氧化物介质(如sio2等)或非氧化物介质(如si 3n4等)的组合物淀积而成。所述吸收区11a上、下两侧对应区域内的正面反射层7和背面反射层5分别形成所述微黑体像元11的正面反射区11b和背面反射区11c，所述正面反射层7和背面反射层5用于反射近红外光。具体的，所述正面反射层7包括淀积在所述吸收层6上表面的正面钝化层71以及淀积在所述正面钝化层71上表面的正面反射镜72；所述背面反射层5包括淀积在所述吸收层6下方的背面钝化层51以及淀积在所述背面钝化层51下表面的背面反射镜52；所述正面钝化层71和背面钝化层51均用于钝化光电探测器的器件表面，以减小暗电流。所述正面反射镜72和背面反射镜52用于将未完全吸收的近红外光反射回吸收区11a进行重复吸收。在本实施例中，所述正面反射镜72和背面反射镜52均采用金属介质(如al、au或ag等)、氧化物介质(sio2、tio2等)或非氧化物介质(如si3n4、mgf等)淀积而成，或采用金属介质与氧化物介质或非氧化物介质的组合物淀积而成。
41.所述透光区2包括一微透镜阵列21和微透镜垫层22，所述微透镜阵列21包括形成在所述微透镜垫层22上表面上的且与所述微黑体像元11一一对应设置的微透镜211，所述微透镜211为凸透镜，用于对入射的近红外光进行聚光。所述微透镜211与所述通光孔12同轴设置，便于微透镜211将近红外光汇聚至通光孔12内，进而使得绝大部分的近红外光过可以由通光孔12进入吸收区11a，从而保证光电探测器的外量子效率。在本实施例中，所述微透镜211采用高透过率材料制成，如sio2、pmma、聚酰亚胺等。所述微透镜垫层22形成在所述微透镜阵列21的下表面与正面反射镜72上表面之间，所述微透镜垫层22的厚度与所述凸透镜的焦距相适配，以调节所述微透镜211的焦距。
42.所述探测器本体100还包括形成在吸收层6上部的截止环9，所述截止环9间隔环设在所述微黑体阵列1的周围，用于降低整个光电探测器的暗电流。所述正面反射层7上对应所述截止环9的位置处环设有一正面电极槽45，所述正面电极槽45内形成有与所述截止环9连接的截止环电极46，所述截止环电极46作为整个光电探测器的阴极电极与所述阳极电极42(光电探测器与所述微黑体像元11共用一阳极电极42)共同为光电探测器提供基础电势，以保证光电探测器正常工作。在其他的一些实施例中，根据具体的工艺要求，所述正面电极槽45也可设置成孔状、半圆弧槽结构或者1/4圆弧槽结构等等，以降低制作的工艺难度。
43.本实施例在工作时，近红外光照射在透光区2上，微透镜211将各自区域内接收到的近红外光进行聚光并经所述微透镜垫层22传输至通光孔12处汇聚，汇聚后的近红外光经通光孔12入射至吸收区11a内，并在沿吸收区11a向前传播时被吸收区11a吸收，而未完全吸收的近红外光继续向前传播至背面反射区11c、侧面反射区11d或正面反射区11b处被反射回吸收区11a继续吸收，直至被吸收区11a完全吸收，以增加近红外光的吸收率，提高近红外光的利用率，进而提高光电探测器的响应率。
44.另，本实施例还可通过改变近红外光的入射角度，从而改变射入吸收区11a的方向，增加近红外光在吸收区11a内的吸收长度，能够进一步提高近红外光的利用率，进而提高期间的内量子效率；并且，由于微透镜211的设置，可以使绝大部分的近红外光能够从通光孔12进行吸收区11a，保证了光电探测器的外量子效率，进而提高光电探测器的响应率。
45.实施例二
46.如图4所示，为本实施例的一种微黑体硅apd光电探测器的制作方法的流程图。本
实施例的一种微黑体硅apd光电探测器的制作方法包括与实施例一结构和功能相同或相似的探测器本体100，可用于制作实施例一的微黑体硅apd光电探测器，具体包括以下步骤：
47.s1：提供一吸收层6。
48.具体的，利用高阻单晶硅材料作为吸收层6，以用于对射入的近红外光进行吸收。
49.s2：在吸收层6上形成截止环9。
50.具体的，采用离子注入工艺或杂质扩散工艺在吸收层6上表面形成一截止环9，所述截止环9用于降低整个光电探测器的暗电流。
51.s3：在吸收层6上分别形成保护环16、雪崩倍增区14和高掺电荷层15。
52.具体的，首先，依次采用离子注入工艺和高温推结工艺在吸收层6的上表面形成多个阵列分布的保护环16，所述保护环16对应形成在所述截止环9内侧的区域内，所述保护环16用于防止微黑体像元11被击穿。
53.然后，采用离子注入工艺或杂质扩散工艺在所述吸收层6的上表面对应每一保护环16内侧的区域内形成一雪崩倍增区14，所述雪崩倍增区14用于在吸收区11a内形成高电场，实现电流的倍增。
54.最后，采用离子注入工艺在所述吸收层6的上表面对应所述保护环16内侧的区域内形成高掺电荷层15，所述高掺电荷层15的外缘与所述保护环16的内缘具有一重叠部分，所述高掺电荷层15用于耗尽雪崩倍增区14产生的载流子。
55.本实施例的步骤s2和步骤s3在具体实现时，上述顺序为非必要执行顺序，可根据实际操作环境调换执行，如先执行步骤s3后执行步骤s2均可。
56.s4：在吸收层6内刻蚀隔离沟槽，并在隔离沟槽内淀积形成侧面反射层8。
57.具体的，首先，采用icp深硅刻蚀工艺在所述吸收层6上对应每一保护环16的外围区域形成微黑体像元11的隔离沟槽，以将所述吸收层6隔离形成多个阵列分布的吸收区11a。
58.然后，采用热氧化工艺或淀积工艺在所述隔离沟槽的表面形成侧面钝化层81，所述侧面钝化层81用于钝化光电探测器的表面，以减小暗电流。
59.最后，采用淀积工艺对所述隔离沟槽内对应所述侧面钝化层81的表面上淀积填充材料以对所述隔离沟槽进行填充，在本实施例中，所述填充材料为金属填充材料(即实施例一中的金属介质)；并采用cmp工艺或回刻工艺去除吸收层6表面多余的填充材料形成侧面反射镜82，所述侧面反射镜82用于将近红外光反射回吸收区11a。在本实施例中，所述侧面反射镜82采用金属介质淀积而成或采用金属介质与氧化物介质(如sio2等)或非氧化物介质(如si 3n4等)的组合物淀积而成。
60.s5：在吸收层6的上表面淀积正面反射层7。
61.具体的，首先，采用介质淀积工艺在吸收层6的上表面形成一层正面钝化层71，所述正面钝化层71用于钝化光电探测器的表面，以减少暗电流。
62.然后，采用薄膜淀积工艺在所述正面钝化层71的上表面形成一层正面反射镜72，所述正面反射镜72用于将近红外光反射回吸收区11a。在本实施例中，所述正面反射镜72采用金属介质(如al、au或ag等)、氧化物介质(sio2、tio2等)或非氧化物介质(如si3n4、mgf等)淀积而成。
63.s6：形成通光孔12和增透膜13。
64.具体的，采用可是工艺在所述正面反射镜72和正面钝化层71上对应每一高掺电荷层15的区域内向下刻蚀形成通光孔12，所述通光孔12与所述高掺电荷层15一一对应设置，用于将近红外光通入所述吸收层6内。然后采用薄膜淀积工艺在通光孔12内淀积一层增透膜13，所述增透膜13用于增加近红外光的透光率。
65.s7：形成阴极电极44
66.具体的，首先，采用刻蚀工艺在所述正面反射镜72和正面钝化层71上对应每一高掺电荷层15的区域内向下刻蚀出正面电极孔43，所述正面电极孔43与所述高掺电荷层15一一对应设置，并依次采用薄膜淀积工艺和刻蚀工艺在所述正面电极孔43内形成阴极电极44。
67.然后，采用刻蚀工艺在所述正面反射镜72和正面钝化层71上对应截止环9的区域内向下刻蚀形成一正面电极槽45，并依次采用薄膜淀积工艺和刻蚀工艺在在所述正面电极槽45内形成截止环电极46。
68.s8：对吸收层6的下表面进行减薄处理。
69.具体的，对所述吸收层6的下表面进行减薄处理。在本实施例中，减薄后的吸收层6的厚度为3μm～300μm。
70.s9：在吸收层6的下表面形成阳极接触层3。
71.具体的，采用离子注入工艺在所述吸收层6的下表面对应每一吸收区11a的位置处形成阳极接触层3，所述阳极接触层3用于降低阳极接触电阻。
72.s10：在阳极接触层3的下表面淀积背面反射层5。
73.具体的，首先，采用薄膜淀积工艺在所述阳极接触层3的下表面淀积一层背面钝化层51，所述背面钝化层51用于钝化光电探测器的表面，以减少暗电流。
74.然后，采用薄膜淀积工艺在所述背面钝化层51的下表面淀积一层背面反射镜52，所述背面反射镜52用于将未完全吸收的近红外光反射回吸收区11a。在本实施例中，所述正面反射镜72采用金属介质(如al、au或ag等)、氧化物介质(sio2、tio2等)或非氧化物介质(如si3n4、mgf等)淀积而成。
75.s11：形成阳极电极42。
76.具体的，采用双面对准光刻和刻蚀工艺在所述背面反射镜52和背面钝化层51上对应每一吸收区11a的区域内向上刻蚀形成背面电极孔41，所述背面电极孔41与所述吸收区11a一一对应设置，并依次采用薄膜淀积工艺以及双面对准光刻和刻蚀工艺在所述背面电极孔41内形成阳极电极42。
77.s12：形成透光区2。
78.具体的，首先，采用低温淀积工艺在正面反射镜72的上表面淀积一层微透镜垫层22，所述微透镜垫层22的厚度为微透镜211的角度，以保证入射的近红外光都均通过通光孔12进入吸收层6。
79.然后，采用光敏聚酰亚胺在所述微透镜垫层22的上表面光刻出微透镜211前驱体图形，并采用热熔法在所述微透镜211前驱体图形上形成微透镜阵列21，完成微黑体硅apd光电探测器的制作。
80.本发明借助微黑体像元11的近红外光吸收增强作用，可大幅提升光电探测器对于近红外光的吸收率，进而提高光电探测器的灵敏度(响应率)，并且该灵敏度的提高不依赖
于吸收层6厚度的增加，因而不会造成探测器击穿电压温度系数与响应时间增加；并且，由于近红外光入射至吸收区11a后，未吸收完的近红外光能够在正面反射镜72、背面反射镜52和侧面反射镜82之间来回反射，直至完全吸收，使得本发明还可通过进一步减小吸收层6的厚度来减小光电探测器的击穿电压温度系数以及提高光电探测器的响应速度，从而可以大幅度提高光电探测器的综合性能。
81.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本发明的专利保护范围之内。