技术特征：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：具有处理空间的处理容器，所述处理空间能够收纳表面被液体润湿的状态的基片；和处理流体供给部，其将超临界状态的处理流体朝向所述液体供给到所述处理容器，所述处理流体供给部包括：流体供给管线，其一侧与流体供给源连接，另一侧与所述处理容器连接；冷却部，其插设在所述流体供给管线，对气体状态的所述处理流体进行冷却而生成液体状态的所述处理流体；泵，其插设在所述流体供给管线，设置在所述冷却部的下游侧；加热部，其插设在所述流体供给管线，设置在所述泵的下游侧，对液体状态的所述处理流体进行加热而生成超临界状态的所述处理流体；第一流量调节部，其插设在所述流体供给管线，设置在所述泵与所述加热部之间，调节对所述处理容器供给的所述处理流体的供给流量；和控制所述第一流量调节部的控制部。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部以使所述供给流量为第一流量的方式使所述处理容器内升压，之后，以使所述供给流量为比所述第一流量高的第二流量的方式使所述处理容器内进一步升压。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部在所述处理容器内的压力达到第一压力之前使所述供给流量为所述第一流量，在所述处理容器内的压力达到所述第一压力时使所述供给流量为所述第二流量。4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一流量调节部包括：彼此并联连接地插设在所述流体供给管线的第一节流部和第二节流部；以及与所述第二节流部串联连接的第一开闭阀。5.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：在所述泵与所述加热部之间，所述处理流体为气体状态或液体状态。6.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：在所述流体供给管线上设置于所述泵与所述第一流量调节部之间的分支点；在所述流体供给管线上设置于所述冷却部的上游侧的连接点；将所述分支点和所述连接点相连的分支管线；以及第二流量调节部，其插设在所述流体供给管线，调节在所述分支管线中流动的所述处理流体的流量。7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：所述第二流量调节部包括：彼此并联连接地插设在所述流体供给管线的第三节流部和第四节流部；以及与所述第四节流部串联连接的第二开闭阀。8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部根据所述第三节流部的上游侧与下游侧之间的压差，来控制所述第二开闭阀。9.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第四节流部和所述第二开闭阀在所述第二流量调节部设置有多组。10.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置包括多个所述处理容器，所述流体供给管线包括：插设有所述冷却部和所述泵的第一流体供给管线；以及多个第二流体供给管线，其分别连接在所述第一流体供给管线与多个所述处理容器的每一者之间，所述加热部和所述第一流量调节部插设在多个所述第二流体供给管线的每一者。11.一种使用基片处理装置的基片处理方法，其特征在于：所述基片处理装置包括：具有处理空间的处理容器，所述处理空间能够收纳表面被液体润湿的状态的基片；和处理流体供给部，其将超临界状态的处理流体朝向所述液体供给到所述处理容器，所述处理流体供给部包括：流体供给管线，其一侧与流体供给源连接，另一侧与所述处理容器连接；冷却部，其插设在所述流体供给管线，对气体状态的所述处理流体进行冷却而生成液体状态的所述处理流体；泵，其插设在所述流体供给管线，设置在所述冷却部的下游侧；加热部，其插设在所述流体供给管线，设置在所述泵的下游侧，对液体状态的所述处理流体进行加热而生成超临界状态的所述处理流体；和第一流量调节部，其插设在所述流体供给管线，设置在所述泵与所述加热部之间，调节对所述处理容器供给的所述处理流体的供给流量，所述基片处理方法包括：控制所述第一流量调节部以使所述供给流量为第一流量的方式使所述处理容器内升压的步骤；和然后，控制所述第一流量调节部以使所述供给流量为比所述第一流量高的第二流量的方式使所述处理容器内进一步升压步骤。
技术总结
本发明提供在使用超临界状态的处理流体的干燥处理时，能够抑制晶片的图案倒塌的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理容器和对其供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部，处理流体供给部包括：一侧与流体供给源连接，另一侧与处理容器连接的流体供给管线；插设在流体供给管线，冷却气体状态的处理流体而生成液体状态的处理流体的冷却部；插设在流体供给管线，设置在冷却部的下游侧的泵；插设在流体供给管线，设置在泵的下游侧，加热液体状态的处理流体而生成超临界状态的处理流体的加热部；插设在流体供给管线，设置在泵与加热部之间，调节对处理容器供给的处理流体的供给流量的第一流量调节部；和控制第一流量调节部的控制部。量调节部的控制部。量调节部的控制部。
技术研发人员：中岛干雄 梅
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.12.13
技术公布日：2022/6/28