太阳能电池及其标记方法与流程

本发明涉及太阳能电池，更具体地，涉及一种太阳能电池及其标记方法。

背景技术：

1、在太阳能电池的生产过程中，为了方便对电池进行追踪，需要在电池上制作标记以示区分。

2、但是，在现有技术中，利用硅片基底制造具有一个活跃区的太阳能电池，运用激光照射在硅片基底表面上生成至少一个凹坑，构成标记，标记位于由半导体晶片构成的太阳能电池的活跃区内，以上方式在硅片基底上进行激光标记必然会对硅片基底造成损伤。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种太阳能电池及其标记方法，通过在硅片基底形成功能层后，在功能层形成标识区，可以有效避免损伤硅片基底。

2、一方面，本发明提供一种太阳能电池，包括

3、硅片基底，所述硅片基底包括相对设置的正面和背面，所述正面为形成所述太阳能电池入光面的一侧；

4、功能层，所述功能层位于所述正面远离所述背面的一侧，所述功能层远离所述硅片基底的一侧包括至少一个标识区，所述标识区用于太阳能电池片生产过程中的跟踪记录，所述标识区包括多个凹坑，沿垂直所述硅片基底的方向上，所述凹坑的深度小于所述功能层的厚度。

5、在一些可选的实施例中，所述功能层包括减反射膜。

6、在一些可选的实施例中，所述功能层包括n层；

7、沿垂直所述硅片基底的方向上，所述凹坑贯穿第1至第n-1层；

8、其中，所述n＞2，且n为正整数。

9、在一些可选的实施例中，沿垂直所述硅片基底的方向上，所述功能层的厚度为80-120nm。

10、在一些可选的实施例中，所述标识区在所述硅片基底所在平面的正投影的面积为2mm2-25mm2。

11、在一些可选的实施例中，所述标识区的数量为1-20个。

12、又一方面，本发明提供了一种太阳能电池的标记方法，包括：

13、提供硅片基底，所述硅片基底包括相对设置的正面和反面，所述正面为形成所述太阳能电池出光面的一侧；

14、在所述硅片基底的所述正面上形成功能层；

15、利用低功率激光在所述功能层远离所述硅片基底的一侧照射生成至少一个标识区，所述标识区包括多个凹坑，沿垂直所述硅片基底的方向上，所述凹坑的深度小于所述功能层的厚度；

16、其中，所述低功率激光的功率范围为2.5-5w。

17、在一些可选的实施例中，所述功能层包括减反射膜。

18、在一些可选的实施例中，所述低功率激光的脉冲宽度为100-200fs。

19、在一些可选的实施例中，所述低功率激光的波长范围为690-1040nm。

20、与现有技术相比，本发明提供的太阳能电池及其标记方法，太阳能电池，包括硅片基底，所述硅片基底包括相对设置的正面和背面，所述正面为形成所述太阳能电池入光面的一侧；功能层，所述功能层位于所述正面远离所述背面的一侧，所述功能层远离所述硅片基底的一侧包括至少一个标识区，所述标识区用于太阳能电池片生产过程中的跟踪记录，所述标识区包括多个凹坑，沿垂直所述硅片基底的方向上，所述凹坑的深度小于所述功能层的厚度。本发明提供的太阳能电池可以通过在硅片基底的正面设有功能层，并在功能层远离硅片基底的一侧设置标识区，限定标识区内的凹坑的深度小于功能层的深度，相对于现有技术中直接在硅片基底上形成凹坑可以有效避免标识区内的凹坑导致硅片基底的破损。

21、当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上的所有技术效果。

22、通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述功能层包括减反射膜。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述功能层包括n层；

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直所述硅片基底的方向上，所述功能层的厚度为80-120nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述标识区在所述硅片基底所在平面的正投影的面积为2mm2-25mm2。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述标识区的数量为1-20个。

7.一种太阳能电池的标记方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的标记方法，其特征在于，所述功能层包括减反射膜。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池的标记方法，其特征在于，所述低功率激光的脉冲宽度为100-200fs。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池的标记方法，其特征在于，所述低功率激光的波长范围为690-1040nm。

技术总结
本发明公开了一种太阳能电池及其标记方法，太阳能电池包括：硅片基底，硅片基底包括相对设置的正面和背面，正面为形成太阳能电池入光面的一侧；功能层，功能层位于正面远离背面的一侧，功能层远离硅片基底的一侧包括至少一个标识区，标识区用于太阳能电池片生产过程中的跟踪记录，标识区包括多个凹坑，沿垂直硅片基底的方向上，凹坑的深度小于功能层的厚度。通过在硅片基底形成功能层后，在功能层形成标识区，可以有效避免损伤硅片基底。

技术研发人员：黄纪德,吴君立,金井升,刘长明,张昕宇
受保护的技术使用者：浙江晶科能源有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13