技术特征：
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，同时对所述第二刻蚀窗口底部的所述第二掩膜层以及所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方的所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。2.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层，包括以下步骤：在所述衬底上方形成第一掩膜层，并对所述第一掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口；形成覆盖所述第一掩膜层、所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口的第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第二掩膜层的第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口与所述第一刻蚀窗口对应设置，以裸露出所述第一刻蚀窗口。3.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层，包括以下步骤：在所述衬底上方形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第二掩膜层的第三刻蚀窗口；形成覆盖所述第三刻蚀窗口和所述第二掩膜层的第一掩膜层，并对所述第一掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口；其中，所述第一刻蚀窗口与所述第三刻蚀窗口对应设置，以裸露出所述第三刻蚀窗口。4.根据权利要求2或3所述的沟槽的形成方法，其特征在于，对所述第一掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，包括以下步骤：形成覆盖所述第一掩膜层的第一光刻胶，对所述第一光刻胶进行图案化处理，以形成第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜，对所述第一掩膜层进行刻蚀，以形成贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口；去除剩余的所述第一光刻胶。5.根据权利要求2或3所述的沟槽的形成方法，其特征在于，对所述第二掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第二掩膜层的第三刻蚀窗口，包括以下步骤：形成覆盖所述第二掩膜层的第二光刻胶，对所述第二光刻胶进行图案化处理，以形成第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜，对所述第二掩膜层进行刻蚀，以形成贯穿所述第二掩膜层的第三刻蚀窗口；去除剩余的所述第二光刻胶。6.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，还包括：
去除剩余的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。7.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料和所述第二掩膜层的材料不相同。8.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氧化硅。9.根据权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料包括氮化硅或多晶硅。10.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，同时对所述第二刻蚀窗口底部的所述第二掩膜层以及所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方的所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成对应的器件结构。11.根据权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述器件结构包括栅极结构、源极结构或隔离结构。12.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求10或11所述的半导体器件的制备方法制备而成。
技术总结
本申请提供一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，该沟槽的形成方法包括在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；通过所述第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，以第一掩膜层为掩膜，同时对所述第二掩膜层和所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽。该方法对衬底的进行一次刻蚀同时形成不同深度的双沟槽结构，工艺流程简单，简化了双沟槽的制备工艺。的制备工艺。的制备工艺。
技术研发人员：赵艳黎 龚芷玉 王志成 杨毅 潘昭海 罗海辉
受保护的技术使用者：株洲中车时代半导体有限公司
技术研发日：2021.12.15
技术公布日：2022/3/21