技术特征：
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供硅基底；在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层；在所述硅基底的正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，刻蚀掉所述图形区域内的所述硼硅玻璃层；在扩散温度下对经过所述刻蚀后的所述硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在所述硅基底上形成所述图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，包括：采用常压化学气相淀积设备基于沉积源在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层。3.根据所述权利要求2所述的方法，其特征在于，所述常压化学气相淀积设备包括预热腔、反应腔、冷却腔，所述采用常压化学气相淀积设备基于沉积源在所述硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，包括：将所述硅基底传输至所述预热腔中，在390℃-410℃的温度下对所述硅基底进行预热；将所述硅基底传输至所述反应腔中，在590℃-610℃的温度下基于所述沉积源在所述硅基底的正面沉积第二工艺时间，制备硼硅玻璃层；将所述硅基底传输至所述冷却腔中，对所述硅基底进行冷却。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积源包括乙硼烷、硅烷、氧气、氮气。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉积源中乙硼烷：硅烷：氧气：氮气的体积比为8:12:12:15。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二工艺时间为7min-9min。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为90nm-100nm；或，所述硼硅玻璃层的方阻范围为800ω/
□‑
1200ω/
□
。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩散温度为950℃-1050℃；或，所述第一工艺时间为170min-190min。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在扩散温度下对经过所述刻蚀后的所述硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在所述硅基底上形成所述图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度之后，还包括：在所述硅基底的背面依次制备隧穿氧化层以及磷掺杂多晶硅层，形成钝化接触结构；在所述硅基底的正面制备氧化铝层；在所述硅基底的正面以及所述硅基底的背面制备氮化硅层；在所述硅基底的正面以及所述硅基底的背面制备电极。10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池通过如权利要求1-9任一所述的太阳能电池制备方法制备得到。
技术总结
本发明提供了一种太阳能电池制备方法以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，提供硅基底后，在硅基底的正面沉积硼硅玻璃层，并在硅基底正面预设的图形区域内涂覆刻蚀浆料，以刻蚀掉图形区域内的硼硅玻璃层，再在扩散温度下对经过刻蚀后的硅基底的正面进行硼掺杂第一工艺时间，在硅基底上形成图形区域内的第一硼掺杂浓度和图形区域外的第二硼掺杂浓度。该方法通过沉积在硅基底的正面制备硼硅玻璃层，仅需一步硼扩散即可制备图形区域内第一硼掺杂浓度、图形区域外第二硼掺杂浓度的选择性发射极结构，减少硅基底处于高温环境的时间，提高少子寿命，也避免高温应力作用下的弯曲形变，以及激光去除硼硅玻璃层对硅基底的损伤，提升电池效率。提升电池效率。提升电池效率。
技术研发人员：张东威
受保护的技术使用者：西安隆基乐叶光伏科技有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/4/22