端口抽头片安装结构及腔体滤波器的制作方法

文档序号:35818552发布日期:2023-10-22 08:25阅读:30来源:国知局
端口抽头片安装结构及腔体滤波器的制作方法

本技术属于通信设备,具体涉及一种端口抽头片安装结构及腔体滤波器。


背景技术:

1、随着通信技术的不断发展和市场需求的持续增长,通信产品的需求量持续增长,而生产成本要求越来越低,生产周期要求越来越短。

2、腔体滤波器是一种常用的通信产品,一般需要用到抽头片,而现有的腔体滤波器的抽头片与抽头片容置槽之间为间隙装配,无固定件,导致抽头片的一致性较差,产品的调试合格率较低,需要大量的时间进行调试,浪费大量时间和成本。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种端口抽头片安装结构及腔体滤波器,旨在用于解决现有的腔体滤波器的抽头片与抽头片容置槽之间为间隙装配,无固定件,导致抽头片的一致性较差的问题。

2、本实用新型是这样实现的:

3、一方面,本实用新型提供一种端口抽头片安装结构,包括安装柱、连接器、主杆以及抽头片,所述连接器固定在所述安装柱的中心,所述主杆的一端与所述连接器的底部焊接固定,另一端与所述抽头片的末端相接触,还包括支撑柱,所述支撑柱位于腔体滤波器的抽头片容置槽中,所述抽头片的中部设有限位孔,所述支撑柱具有伸入所述限位孔中的限位柱。

4、进一步地,所述支撑柱还包括支撑座,所述支撑座位于所述抽头片和所述抽头片容置槽底壁之间,所述限位柱设置于所述支撑座的上方。

5、进一步地,所述支撑座的厚度与所述抽头片到所述抽头片容置槽底壁的距离一致。

6、进一步地,所述支撑座的宽度与所述抽头片容置槽的宽度一致,所述限位柱位于所述支撑座的中心。

7、进一步地,所述限位柱的底部四周凹设有一圈卡槽,所述抽头片卡止于所述卡槽中。

8、进一步地,所述限位柱的顶部四周具有导引斜面。

9、进一步地,所述支撑柱为塑胶材质且采用注塑方式一体成型。

10、进一步地,还包括导电屏蔽圈,所述安装柱的外侧设有一圈台阶部,所述导电屏蔽圈位于所述台阶部上。

11、另一方面,本实用新型还提供一种腔体滤波器,包括腔体,所述腔体内设置有如上任一所述的端口抽头片安装结构。

12、与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

13、本实用新型提供的这种端口抽头片安装结构及腔体滤波器,通过设置支撑柱,支撑柱位于腔体滤波器的抽头片容置槽中,抽头片的中部设有限位孔,支撑柱具有伸入限位孔中的限位柱,从而对抽头片进行限位,提高抽头片的一致性,从而提高产品的调试合格率,节约调试工时,降低生产周期和成本。



技术特征:

1.一种端口抽头片安装结构,包括安装柱、连接器、主杆以及抽头片,所述连接器固定在所述安装柱的中心,所述主杆的一端与所述连接器的底部焊接固定,另一端与所述抽头片的末端相接触,其特征在于:还包括支撑柱,所述支撑柱位于腔体滤波器的抽头片容置槽中,所述抽头片的中部设有限位孔,所述支撑柱具有伸入所述限位孔中的限位柱。

2.如权利要求1所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:所述支撑柱还包括支撑座,所述支撑座位于所述抽头片和所述抽头片容置槽底壁之间,所述限位柱设置于所述支撑座的上方。

3.如权利要求2所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:所述支撑座的厚度与所述抽头片到所述抽头片容置槽底壁的距离一致。

4.如权利要求2所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:所述支撑座的宽度与所述抽头片容置槽的宽度一致,所述限位柱位于所述支撑座的中心。

5.如权利要求2所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:所述限位柱的底部四周凹设有一圈卡槽,所述抽头片卡止于所述卡槽中。

6.如权利要求2所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:所述限位柱的顶部四周具有导引斜面。

7.如权利要求2所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:所述支撑柱为塑胶材质且采用注塑方式一体成型。

8.如权利要求1所述的端口抽头片安装结构,其特征在于:还包括导电屏蔽圈,所述安装柱的外侧设有一圈台阶部,所述导电屏蔽圈位于所述台阶部上。

9.一种腔体滤波器,包括腔体,其特征在于:所述腔体内设置有如权利要求1-8任一所述的端口抽头片安装结构。


技术总结
本技术提供了一种端口抽头片安装结构及腔体滤波器,该端口抽头片安装结构包括安装柱、连接器、主杆以及抽头片,所述连接器固定在所述安装柱的中心,所述主杆的一端与所述连接器的底部焊接固定,另一端与所述抽头片的末端相接触,还包括支撑柱,所述支撑柱位于腔体滤波器的抽头片容置槽中,所述抽头片的中部设有限位孔,所述支撑柱具有伸入所述限位孔中的限位柱。本技术提供通过设置支撑柱,支撑柱位于腔体滤波器的抽头片容置槽中,抽头片的中部设有限位孔,支撑柱具有伸入限位孔中的限位柱,从而对抽头片进行限位,提高抽头片的一致性,从而提高产品的调试合格率,节约调试工时,降低生产周期和成本。

技术研发人员:杨岳,钟道琼,刘明星,蔡绍伟
受保护的技术使用者:武汉凡谷电子技术股份有限公司
技术研发日:20210119
技术公布日:2024/1/15
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