一种Micro-LED芯片的贴片结构的制作方法

一种micro
‑
led芯片的贴片结构
技术领域
1.本技术涉及一种芯片的贴片结构，尤其是涉及一种micro
‑
led芯片的贴片结构。


背景技术：

2.光疗作为一种治疗疾病的手段可追溯到1903年，丹麦科学家芬森因发明紫外线光疗法治疗皮肤病获得诺贝尔生理学或医学奖。由于当时的光疗受到光源的限制，很难满足治疗的要求，因而没有得到广泛推广。
3.led光源作为新一代的照明产品，具有低能耗、省电、使用寿命长、体积小、反应快等特点，被逐渐利用在光疗仪产品上；为了提高光疗仪的光照均匀度以提高光疗仪的治疗效果，micro
‑
led芯片成为不错的选择；相关技术中的一种micro
‑
led芯片的贴片方法为，将micro
‑
led芯片放置在电路基板上，此时micro
‑
led芯片的两极分别放置在电路基板上的两个pad上，并通过锡焊的方法将micro
‑
led芯片固定在电路基板上。
4.针对上述相关技术方案，发明人发现：由于micro
‑
led芯片体积较小，因此micro
‑
led芯片的正负两极即电路基板上的两个pad之间距离较短，在进行锡焊的过程中两极之间易被焊锡连通，进而造成micro
‑
led芯片短路。


技术实现要素：

5.为了方便micro
‑
led芯片的焊接，并降低micro
‑
led芯片发生短路的可能性，本技术提供一种micro
‑
led芯片的贴片结构。
6.本技术提供的一种micro
‑
led芯片的贴片结构采用如下的技术方案：
7.一种micro
‑
led芯片的贴片结构，包括电路基板，电路基板上成对设置有pad；pad上涂覆有锡膏层；两个锡膏层之间设置有用于将两个锡膏层相互隔开的阻隔部，锡膏层表面与阻隔部表面齐平。
8.通过采用上述技术方案，当需要将micro
‑
led芯片锡焊在电路基板上时，将micro
‑
led芯片放置在锡膏层上，此时micro
‑
led芯片同时与阻隔部表面贴合，这样micro
‑
led芯片与电路基板之间不存在使两部分锡膏相互接触的空隙；接着，通过回流焊将micro
‑
led芯片的正负极与相应的pad之间通过焊锡连接起来，在此过程中两部分焊锡由于阻隔部的设置难以相互接触，不需要时刻注意焊锡的状态，方便了micro
‑
led芯片的焊接并降低了micro
‑
led芯片发生短路的可能性。
9.优选的，电路基板上涂覆有绝缘反射层。
10.通过采用上述技术方案，micro
‑
led芯片发出的光，一部分直射在人体表面，另一部分则向周围发射；绝缘反射层用于改变micro
‑
led芯片向其他方向照射的光线的传播方向以使这部分光线照射在人体表面，并减少电路基板对光线的吸收。
11.优选的，绝缘反射层避开micro
‑
led芯片设置；电路基板上开设有供相应的锡膏层嵌入的容纳槽，pad置于容纳槽的槽底；阻隔部自然形成在两个容纳槽之间，锡膏层表面与电路基板表面齐平。
12.通过采用上述技术方案，在进行micro
‑
led芯片锡焊之前，将pad置于容纳槽的槽底，再向容纳槽内部加入锡膏并构成锡膏层，接着将micro
‑
led芯片放置在电路基板表面并使micro
‑
led芯片的正负极分别与相应的锡膏层表面对准，最后通过回流焊的方式将micro
‑
led芯片与锡膏层固定起来并使锡膏层与pad固定起来。
13.优选的，绝缘反射层涂敷在整个电路基板上；电路基板上开设有供pad嵌入的焊盘槽，绝缘反射层上开设有供相应的锡膏层嵌入的容锡槽，容锡槽与焊盘槽相连通；阻隔部自然形成在两个容锡槽之间以及两个焊盘槽之间。
14.通过采用上述技术方案，在进行micro
‑
led芯片锡焊之前，将pad置于焊盘槽内部，再向容锡槽内部加入锡膏并构成锡膏层，接着将micro
‑
led芯片放置在绝缘反射层表面并使micro
‑
led芯片的正负极分别与相应的锡膏层表面对准，最后通过回流焊的方式将micro
‑
led芯片与锡膏层固定起来并使锡膏层与pad固定起来。
15.优选的，绝缘反射层包括多个层叠分布的反射单元；每个反射单元包括低折射率层以及高折射率层，低折射率层的折射率小于高折射率层的折射率。
16.通过采用上述技术方案，高折射率层与低折射率层构成了布拉格反射镜的基本单元，多个反射单元构成了一个布拉格反射镜，进而获得micro
‑
led芯片所发出光线的强反射效果。
17.优选的，反射单元设置有5
‑
10个。
18.优选的，低折射率层的厚度为20nm，高折射率层的厚度为20nm，绝缘反射层的厚度为200
‑
400nm。
19.优选的，micro
‑
led芯片的表面涂覆有led灌封胶层。
20.通过采用上述技术方案，led灌封胶是一种led封装的辅料，具有高折射率和高透光率，可以起到保护micro
‑
led芯片并增加micro
‑
led芯片的光通量的作用，led灌封胶层的设置使micro
‑
led芯片有较好的耐久性和可靠性。
21.综上所述，本技术具有以下技术效果：
22.1.通过在电路基板上设置了能够将两个pad上的锡膏层相互分隔开来阻隔部，在锡焊的过程中两部分焊锡由于阻隔部的设置难以相互接触，不需要时刻注意焊锡的状态，方便了micro
‑
led芯片的焊接并降低了micro
‑
led芯片发生短路的可能性；
23.2.通过设置了绝缘反射层，绝缘反射层包括多个反射单元，反射单元包括低折射率层和高折射率层，构成了布拉格反射镜的基本单元，多个反射单元构成了一个布拉格反射镜，进而获得micro
‑
led芯片所发出光线的强反射效果。
附图说明
24.图1是实施例一中的micro
‑
led芯片的贴片结构的整体结构图；
25.图2是实施例一中的电路基板与绝缘反射层之间的结构示意图，图中的矩形虚线框所框选的实体区域为阻隔部；
26.图3是本技术中的绝缘反射层的局部结构示意图；
27.图4是实施例二中的micro
‑
led芯片的贴片结构的整体结构图；
28.图5是实施例二中的电路基板与绝缘反射层之间的结构示意图，图中的矩形虚线框所框选的实体区域为阻隔部。
29.图中，1、micro
‑
led芯片；2、电路基板；21、容纳槽；22、焊盘槽；3、pad；4、锡膏层；5、阻隔部；6、绝缘反射层；61、容锡槽；62、反射单元；621、高折射率层；622、低折射率层；7、led灌封胶层。
具体实施方式
30.以下结合附图对本技术作进一步详细说明。
31.实施例一：
32.参照图1和图2，本技术提供了一种micro
‑
led芯片的贴片结构，包括电路基板2以及成对设置在电路基板2上的pad3，电路基板2采用fpc或pcb板；电路基板2表面涂覆有绝缘反射层6，绝缘反射层6采用包括但不限于pvd或pecvd沉积的方法设置在电路基板2表面；进一步的，在电路基板2上开设有供pad3嵌入的焊盘槽22，pad3的表面与电路基板2的表面平齐；绝缘反射层6上开设有与焊盘槽22相连通的容锡槽61，容锡槽61内部通过电铸钢网填充有锡膏并形成设置于pad3表面上的锡膏层4，锡膏层4的表面与绝缘反射层6的表面平齐；两个容锡槽61之间存在距离，并在两个容锡槽61之间以及两个焊盘槽22之间自然形成能够将两个焊锡层分隔开来的阻隔部5，可以理解的是，阻隔部5包含两个容锡槽61之间的绝缘反射层6以及两个焊盘槽22之间的电路基板2；micro
‑
led芯片1放置在阻隔部5上，且micro
‑
led芯片1的正负极分别对准两个pad3所对应的锡膏层4。
33.由于锡膏层4的表面与绝缘反射层6的表面平齐，此时micro
‑
led芯片1与阻隔部5表面贴合，这样micro
‑
led芯片1与电路基板2之间不存在使两部分锡膏相互接触的空隙；当需要将将micro
‑
led芯片1锡焊在电路基板2上时，通过回流焊将micro
‑
led芯片1的正负极与相应的pad3之间通过锡膏层4连接起来，在此过程中两部分锡膏由于阻隔部5的设置难以相互接触，不再需要时刻注意焊锡的状态，方便了micro
‑
led芯片1的焊接并降低了micro
‑
led芯片1发生短路的可能性。
34.此外，对于容锡槽61以及焊盘槽22的开设方式，在本实施例中，在绝缘反射层6表面旋涂一层光刻胶，在光刻胶的表面放置多个黑色不透光的掩膜版，掩膜版放置在欲安装pad3的位置处且掩膜版的形状与容锡槽61的形状相同，则绝缘反射层6的其它位置具有透光性；对绝缘反射层6表面进行光照，掩膜版覆盖区域以外的光刻胶发生交联固化，接着通过能够与没发生交联固化的光刻胶发生反应的显影液将掩膜版处的光刻胶清洗掉；使用等离子体刻蚀的方法在绝缘反射层6表面刻蚀出容锡槽61，并在电路基板2上刻蚀出焊盘槽22；最后将发生交联固化的光刻胶从绝缘反射层6上清除即可。
35.参照图1和图3，绝缘反射层6包括多个在电路基板2表面上层叠分布的反射单元62，反射单元62设置有5
‑
10个；每个反射单元62包括低折射率层622以及高折射率层621，高折射率层621的材料折射率大于低折射率层622的材料折射率；即首先在电路基板2上沉积一层20nm厚的低折射率层622，接着在该低折射率层622上沉积一层20nm厚的高折射率层621，至此第一个反射单元62形成，接着在该反射单元62上沉积一层20nm厚的低折射率层622，接着在该低折射率层622上沉积一层20nm厚的高折射率层621，至此第二个反射单元62形成，如此循环往复5
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10次并构成了总厚度为200
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400nm的绝缘反射层6。
36.micro
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led芯片1发出的光，一部分直射在人体表面，另一部分则向周围发射；绝缘反射层6用于改变micro
‑
led芯片1向其他方向照射的光线的传播方向以使这部分光线照射
在人体表面；此外，高折射率层621与低折射率层622构成了布拉格反射镜的基本单元即反射单元62，5
‑
10个反射单元62构成了一个布拉格反射镜，进而获得micro
‑
led芯片1所发出光线的强反射效果；由于该强反射效果，绝缘反射层6的设置进而也减少了电路基板2对micro
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led芯片1发出光线的吸收。
37.参照图1，为了提高micro
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led芯片1的耐久性和可靠性，在micro
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led芯片1表面涂覆有led灌封胶层7，led灌封胶是一种led封装的辅料，具有高折射率和高透光率，可以起到保护micro
‑
led芯片1并增加micro
‑
led芯片1的光通量的作用。
38.实施例二：
39.参照图4和图5，本实施例与实施例一的区别在于，电路基板2上未开设焊盘槽22且绝缘反射层6上未开设容锡槽61；绝缘反射层6避开micro
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led芯片1设置，进一步解释为，在绝缘反射层6上刻蚀有供micro
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led芯片1与贴合在电路基板2上的空白区域；在电路基板2上开设有容纳槽21，pad3放置在容纳槽21的槽底，此时pad3的表面与电路基板2的表面之间存在供锡膏层4置入的容纳槽21槽内空间，锡膏层4的表面与电路基板2的表面齐平，即pad3以及锡膏层4均纳入容纳槽21中。
40.当需要将micro
‑
led芯片1锡焊在电路基板2上时，将micro
‑
led芯片1放置在电路基板2表面并使micro
‑
led芯片1的正负极分别与相应的锡膏层4表面对准，最后通过回流焊的方式将micro
‑
led芯片1与锡膏层4固定起来并使锡膏层4与pad3固定起来，进而实现micro
‑
led芯片1与pad3之间的连通。
41.本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。