技术特征：
1.一种高栅极可靠性的增强型gan hemt器件，其特征在于：包括依次层叠的衬底层(1)、异质结层、p
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gan层(4)、aln高势垒层(5)，以及金属电极；所述异质结层包括设于衬底上的gan缓冲层(2)及设于gan缓冲层(2)上的algan势垒层(3)，所述金属电极包括设于异质结上的源极(6)和漏极(7)以及设于aln高势垒层(5)上且位于源极和漏极之间的栅极(8)。2.根据权利要求1所述的高栅极可靠性的增强型gan hemt器件，其特征在于：所述aln高势垒层(5)位于栅下区域，栅下区域为栅极(8)在异质结上正投影所覆盖的区域。3.根据权利要求1所述的高栅极可靠性的增强型gan hemt器件，其特征在于：所述p
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gan层(4)位于栅下区域，栅下区域为栅极在异质结上正投影所覆盖的区域。4.根据权利要求1所述的高栅极可靠性的增强型gan hemt器件，其特征在于：所述源极(6)和漏极(7)设置于algan势垒层(3)上。5.根据权利要求1
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4任一所述的高栅极可靠性的增强型gan hemt器件，其特征在于：所述gan缓冲层厚度为1～3μm；所述algan势垒层厚度为5～15nm；所述p
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gan层厚度为30～120nm；所述aln高势垒层厚度为1～2nm；所述栅极厚度为50～200nm；所述源极和漏极厚度相等，厚度为200～500nm。
技术总结
本实用新型公开了一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，该GaN HEMT器件，包括依次层叠的衬底层、异质结层、p
技术研发人员：罗启宇 陈子煊 李霆威 左建伟 杨博 施媛媛
受保护的技术使用者：成都信息工程大学
技术研发日：2021.06.04
技术公布日：2021/11/9