一种三极管双排框架结构的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三极管双排框架结构。


背景技术：

2.二极管是现今电子设备实现各种复杂功能的基础单元，随后诞生的三极 管作为半导体的一员，具有很强的电流放大功能。三极管是在一块半导体基 片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间 部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。
3.且现有的三极管只有pnp和npn两种构架形式，一个三极管只能具备一 种构架形式。例如在中国专利网上检索到一种专利号为201310456033.2的三 极管，通过合理地进行构架优化来避免局部击穿现象，从而提高三极管的使 用稳定性。但优化构架方案仍只具备一种基本构架形式，不能向另一种构架 形式转换，在实际使用中只能通过更换三极管才能实现另一种基本构架的功 能。为了解决上述问题，这里提出了一种新型的。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种三 极管双排框架结构。
5.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种三极管双排 框架结构，包括掺杂半导体、隔离金属环、塑料封盖、塑料侧封盖和引线电 极，所述塑料侧封盖的内壁且靠近上端固定连接有塑料上封盖，所述塑料侧 封盖的内壁且靠近下端固定连接有塑料下封盖；
6.所述塑料上封盖和塑料下封盖相对的面固定连接有同轴的第一隔离金属 环，所述塑料上封盖和塑料下封盖相对的面且位于第一隔离金属环的外围固 定连接有第二隔离金属环，所述塑料上封盖和塑料下封盖相对的面且位于第 二隔离金属环的外围固定连接有第三隔离金属环；
7.所述第一隔离金属环的内部均匀填充有高浓度p型掺杂半导体，所述第 一隔离金属环与第二隔离金属环之间均匀填充有高浓度n型掺杂半导体，所 述第二隔离金属环与第三隔离金属环之间均匀填充有低浓度p型掺杂半导体， 所述第三隔离金属环与塑料侧封盖之间均匀填充有低浓度n型掺杂半导体；
8.所述塑料上封盖固定连接有由下表面延伸至上表面下方的pnp型发射极、 pnp型基极和pnp型集电极，所述塑料下封盖固定连接有由上表面延伸至下表 面下方的npn型发射极、npn型基极和npn型集电极。
9.作为上述技术方案的进一步描述：
10.所述pnp型发射极位于高浓度p型掺杂半导体的正上方，所述pnp型发 射极的下端与高浓度p型掺杂半导体接触并电性连接。
11.作为上述技术方案的进一步描述：
12.所述pnp型基极位于高浓度n型掺杂半导体的正上方，所述pnp型基极 的下端与高浓度n型掺杂半导体接触并电性连接。
13.作为上述技术方案的进一步描述：
14.所述pnp型集电极位于低浓度p型掺杂半导体的正上方，所述pnp型集 电极的下端与低浓度p型掺杂半导体接触并电性连接。
15.作为上述技术方案的进一步描述：
16.所述npn型发射极位于高浓度n型掺杂半导体的正下方，所述npn型发 射极的下端与高浓度n型掺杂半导体接触并电性连接。
17.作为上述技术方案的进一步描述：
18.所述npn型基极位于低浓度p型掺杂半导体的正下方，所述npn型基极 的下端与低浓度p型掺杂半导体接触并电性连接。
19.作为上述技术方案的进一步描述：
20.所述npn型集电极位于低浓度n型掺杂半导体的正下方，所述npn型集 电极的下端与低浓度n型掺杂半导体接触并电性连接。
21.作为上述技术方案的进一步描述：
22.所述塑料上封盖的上表面和塑料下封盖的下表面均设置有型号标识符。
23.本实用新型具有如下有益效果：
24.1、与现有技术相比，该一种三极管双排框架结构，通过设置四层不同浓 度和类型的掺杂半导体，使得一个三极管具备pnp和npn两种属性的功能， 提高了三极管的适用性。
25.2、与现有技术相比，该一种三极管双排框架结构，通过在每层不同属性 的掺杂半导体之间设置隔离金属环，既能保证导电性，又能避免半导体之间 形成的p-n结处发生局部击穿。
26.3、与现有技术相比，该一种三极管双排框架结构，通过设置塑料封盖对 半导体进行封装，在起到很好保护作用的同时降低了三极管的自重。
27.4、与现有技术相比，该一种三极管双排框架结构，通过在塑料封盖上标 识型号符，能够帮助使用者如何辨别三极管的方向，具有较好的提示功能。
附图说明
28.图1为本实用新型提出的一种三极管双排框架结构的整体结构第一视图；
29.图2为本实用新型提出的一种三极管双排框架结构的整体结构第二视图；
30.图3为本实用新型提出的一种三极管双排框架结构的侧视图；
31.图4为本实用新型提出的一种三极管双排框架结构的图3的a-a处剖视 图；
32.图5为本实用新型提出的一种三极管双排框架结构的图3的b-b处剖视 图。
33.图例说明：
34.1、pnp型发射极；2、pnp型基极；3、pnp型集电极；4、型号标识符；5、 npn型发射极；6、npn型基极；7、npn型集电极；8、塑料上封盖；9、塑料 下封盖；10、塑料侧封盖；11、第一隔离金属环；12、第二隔离金属环；13、 第三隔离金属环；14、高浓度p型掺杂半导体；15、高浓度n型掺杂半导体； 16、低浓度p型掺杂半导体；17、低浓度n型掺杂半导体。
具体实施方式
35.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术 方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部 分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本 实用新型保护的范围。
36.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、
ꢀ“
左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位 置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和 简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特 定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、
ꢀ“
第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性， 此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应 做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接； 可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介 间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言， 可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
37.参照图1-5，本实用新型提供的一种三极管双排框架结构：包括掺杂半导 体、隔离金属环、塑料封盖、塑料侧封盖10和引线电极，作为构成三极管双 排框架的各个组分，塑料侧封盖10的内壁且靠近上端固定连接有塑料上封盖 8，塑料侧封盖10的内壁且靠近下端固定连接有塑料下封盖9，用于保护和封 装各种不同类型的半导体。
38.塑料上封盖8和塑料下封盖9相对的面固定连接有同轴的第一隔离金属 环11，塑料上封盖8和塑料下封盖9相对的面且位于第一隔离金属环11的外 围固定连接有第二隔离金属环12，塑料上封盖8和塑料下封盖9相对的面且 位于第二隔离金属环12的外围固定连接有第三隔离金属环13，用于分隔开各 种不同类型的掺杂半导体，并避免不同的掺杂半导体之间发生击穿。
39.第一隔离金属环11的内部均匀填充有高浓度p型掺杂半导体14，第一隔 离金属环11与第二隔离金属环12之间均匀填充有高浓度n型掺杂半导体15， 第二隔离金属环12与第三隔离金属环13之间均匀填充有低浓度p型掺杂半 导体16，第三隔离金属环13与塑料侧封盖10之间均匀填充有低浓度n型掺 杂半导体17，构成双排阶梯度的半导体组。
40.塑料上封盖8固定连接有由下表面延伸至上表面下方的pnp型发射极1、 pnp型基极2和pnp型集电极3，作为pnp型三极管的引线电极，pnp型发射 极1位于高浓度p型掺杂半导体14的正上方，pnp型发射极1的下端与高浓 度p型掺杂半导体14接触并电性连接，pnp型基极2位于高浓度n型掺杂半 导体15的正上方，pnp型基极2的下端与高浓度n型掺杂半导体15接触并电 性连接，pnp型集电极3位于低浓度p型掺杂半导体16的正上方，pnp型集 电极3的下端与低浓度p型掺杂半导体16接触并电性连接，用于构成导电元 件，塑料下封盖9固定连接有由上表面延伸至下表面下方的npn型发射极5、 npn型基极6和npn型集电极7，作为npn型三极管的引线电极，npn型发射 极5位于高浓度n型掺杂半导体15的正下方，npn型发射极5的下端与高浓 度n型掺杂半导体15接触并电性连接，npn型基极6位于低浓度p型掺杂半 导体16的正下方，npn型基极6的下端与低浓度p型掺杂半导体16接触并电 性连接，npn型集电极7位于低浓度n型掺杂半导体17的正下方，npn型集 电极7的下端与低浓度n型掺杂半导体17接触并电性连接，用于构成导电元 件。
41.塑料上封盖8的上表面和塑料下封盖9的下表面均设置有型号标识符4， 用于指示该三极管的型号和方向。
42.工作原理：使用时，根据设备需要的三极管类型选择给三极管的方向， 然后插入电路板上即可使用，实现电流放大功能。当选择pnp型三极管未通 电时，高浓度p型掺杂半导体14与高浓度n型掺杂半导体15在第一隔离金 属环11处构成pn结，高浓度n型掺杂半导体15与低浓度p型掺杂半导体16 在第二隔离金属环12处构成pn结；当选择npn型三极管未通电时，高浓度n 型掺杂半导体15与低浓度p型掺杂半导体16在第二隔离金属环12处构成pn 结，低浓度p型掺杂半导体16与低浓度n型掺杂半导体17在第三隔离金属 环13处构成pn结。
43.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用 于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明， 对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案 进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神 和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型 的保护范围之内。