一种微晶芯片屏蔽罩冲压料带结构的制作方法

1.本实用新型属于冲压技术领域，尤其是涉及到一种微晶芯片屏蔽罩冲压料带结构。
技术背景
2.微晶芯片的屏蔽罩的四周折弯边的末端设置有向外翻折的裙边，以给予微晶芯片装配导向。图1中所示的一种屏蔽罩，其具有一圈折弯边a，以及连接折弯边的裙边b，为保证产能，小尺寸的屏蔽罩采用连续模生产。图2中所示的是图1中的屏蔽罩的工艺排布料带图，产品与料带的连料位c位于产品对应料带侧边的一侧，即对应裙边处。在连续模冲压工艺中，四周折弯工序与产品下料工序在同一工步完成，通过在模具内安装机构产生时间差，完成折弯和切断。裙边的成型位于折弯工艺之前，即在裙边成型时，存在的连料位会影响了裙边的完整性，因此最终成型的产品具有没有裙边的折弯边a’，致使微晶芯片装配时具有卡料的风险。


技术实现要素：

3.本实用新型要解决的技术问题是：如果保证屏蔽罩裙边的成型完整性。
4.为达上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
5.一种微晶芯片屏蔽罩冲压料带结构，包括基带和若干产品位，所述产品位沿着基带的长度方向分布于所述基带上，所述产品位的两端与所述基带的两侧距离相等，相邻的两个产品位之间设置有第一废料冲切区域，所述产品位对应基带的一个侧边的位置处设置有第二废料冲切区域，所述产品位对应基带的另一个侧边的位置处设置有第三废料冲切区域，所述第二废料冲切区域的一侧与所述第一废料冲切区域之间连通，所述第二废料冲切区域的另一侧与前一个所述第一废料冲切区域之间形成连接料一，所述连接料一位于屏蔽罩的一条折弯边的侧边，所述第二废料冲切区域的两侧与所述第一废料冲切区域之间分别形成连接料二和连接料三，所述连接料二和连接料三位于屏蔽罩的另一条折弯边的侧边，从所述连接料一、连接料二和连接料三处将产品位与基带断开得到屏蔽罩产品。
6.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
7.将基带与产品位之间的连接料由裙边处移至折弯边的侧边处，如此便消除了连接料对于裙边成型的影响，保证了屏蔽罩裙边的成型完整性。
附图说明
8.图1为现有技术中的微晶芯片屏蔽罩的结构示意图；
9.图2为现有技术中的冲压料带的示意图；
10.图3为实施例中的微晶芯片屏蔽罩的结构示意图；
11.图4为实施例中的冲压料带的示意图。
具体实施方式
12.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
13.图3中所示的是成型微晶芯片屏蔽罩的冲压料带结构，包括基带和若干产品位，基带的两侧均设置有定位孔。产品位沿着基带的长度方向分布于基带上，产品位的两端与基带的两侧距离相等。前一个产品位10与后一个产品位10’之间设置有第一废料冲切区域20，此冲切区域同时成型前一个屏蔽罩的左侧外形和后一个屏蔽罩的右侧外形。产品位对应基带的一个侧边的位置处设置有第二废料冲切区域30，此冲切区域成型屏蔽罩的上方外形。产品位对应基带的另一个侧边的位置处设置有第三废料冲切区域40，此冲切区域成型屏蔽罩的下方外形。第二废料冲切区域的一侧与第一废料冲切区域之间连通，第二废料冲切区域的另一侧与前一个第一废料冲切区域之间形成连接料一50，连接料一位于屏蔽罩的一条折弯边的侧边，第二废料冲切区域的两侧与第一废料冲切区域之间分别形成连接料二60和连接料三70，连接料二和连接料三位于屏蔽罩的另一条折弯边的侧边，从连接料一、连接料二和连接料三处将产品位与基带断开得到屏蔽罩产品(参见图4)。将基带与产品位之间的连接料由裙边处移至折弯边的侧边处，如此便消除了连接料对于裙边成型的影响，保证了屏蔽罩裙边的成型完整性。
14.对于该实施例的多种修该对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。


技术特征：
1.一种微晶芯片屏蔽罩冲压料带结构，包括基带和若干产品位，所述产品位沿着基带的长度方向分布于所述基带上，所述产品位的两端与所述基带的两侧距离相等，相邻的两个产品位之间设置有第一废料冲切区域，所述产品位对应基带的一个侧边的位置处设置有第二废料冲切区域，所述产品位对应基带的另一个侧边的位置处设置有第三废料冲切区域，其特征在于：所述第二废料冲切区域的一侧与所述第一废料冲切区域之间连通，所述第二废料冲切区域的另一侧与前一个所述第一废料冲切区域之间形成连接料一，所述连接料一位于屏蔽罩的一条折弯边的侧边，所述第二废料冲切区域的两侧与所述第一废料冲切区域之间分别形成连接料二和连接料三，所述连接料二和连接料三位于屏蔽罩的另一条折弯边的侧边，从所述连接料一、连接料二和连接料三处将产品位与基带断开得到屏蔽罩产品。2.根据权利要求1所述的一种微晶芯片屏蔽罩冲压料带结构，其特征在于，所述基带的两侧均设置有定位孔。

技术总结
本实用新型提供了一种微晶芯片屏蔽罩冲压料带结构，包括基带和若干产品位，相邻的两个产品位之间设置有第一废料冲切区域，产品位对应基带的一个侧边的位置处设置有第二废料冲切区域，产品位对应基带的另一个侧边的位置处设置有第三废料冲切区域，第二废料冲切区域的另一侧与前一个第一废料冲切区域之间形成连接料一，连接料一位于屏蔽罩的一条折弯边的侧边，第二废料冲切区域的两侧与第一废料冲切区域之间分别形成连接料二和连接料三，连接料二和连接料三位于屏蔽罩的另一条折弯边的侧边。本实用新型将基带与产品位之间的连接料由裙边处移至折弯边的侧边处，如此便消除了连接料对于裙边成型的影响，保证了屏蔽罩裙边的成型完整性。型完整性。型完整性。


技术研发人员：夏爽 王国胜 裴昌权 张学君 胡诚森
受保护的技术使用者：昆山嘉丰盛精密电子有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2022/1/18