基于金属罩的耦合片的制作方法

1.本实用新型属于通讯技术领域，具体涉及一种基于金属罩的耦合片。


背景技术：

2.微带线是附在pcb表面的带状导线，常规的选用氧化铝陶瓷或pcb板材作为基板，由于微带线裸漏在空气中，可以向周围形成辐射或受到周围辐射的干扰，而另一面附在pcb的绝缘电介质上，形成的电场一部分分布在空中，一部分分布在pcb的绝缘电介质中，微带线的信号传输速度要快于带状线的信号传输速度。但是，采用pcb板材和氧化铝陶瓷，如果需要将低频段产品小型化，由于本身介电常数在10左右，这样1/4波长的耦合性就比较长，无法实现小型化，需要把氧化铝陶瓷材料减薄，但是减薄的基板强度不能满足印刷的介质材料的要求，且由于氧化铝基板太薄，强度也无法满足要求，也就无法满足50欧姆阻抗条件。
3.基于此，如何实现既能满足50欧姆阻抗条件要求，也能提高耦合片的强度，满足小型化的发展趋势，是耦合片需要解决的一个问题。


技术实现要素：

4.本实用新型实施例提供一种基于金属罩的耦合片，能够提高减薄基板制作的耦合片的强度，实现耦合片小型化。
5.为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种基于金属罩的耦合片，包括：下基板以及金属罩，所述下基板上设有带状导线；金属罩罩设在所述下基板上，且与所述带状导线之间具有间隔；其中，所述金属罩的四周侧板连接在所述下基板的四周侧面，且与所述下基板底部的下接地板连接，且与所述下基板底部的下接地板连接。
6.在一种可能的实现方式中，所述侧板的内侧面设有卡凸，所述下基板的侧面设有适配所述卡凸的卡槽。
7.在一种可能的实现方式中，所述金属罩的底部与所述带状导线之间的距离小于所述带状导线的厚度。
8.在一种可能的实现方式中，还包括上基板，所述上基板与所述下基板之间设有绝缘介质，所述金属罩罩设在所述上基板上，且所述金属罩的四周侧板与所述下基板底部的下接地板连接，所述金属罩构成所述上基板的接地结构。
9.在一种可能的实现方式中，所述上基板与所述下基板胶接在一起。
10.在一种可能的实现方式中，所述上基板与所述下基板通过金属罩直接压紧在一起，所述金属罩的内表面与所述上基板的上表面贴合。
11.在一种可能的实现方式中，所述金属罩为铜质件。
12.在一种可能的实现方式中，所述下基板为氧化铝陶瓷材质。
13.本实用新型提供的基于金属罩的耦合片，与现有技术相比，有益效果在于：采用微带线制作工艺，并采用减薄的板材作为下基板，在下基板上设置带状导线，制作微带线，具
有微带线的信号传输速度，且能够实现耦合片的小型化；为了避免下基板减薄带来的强度下降的问题，在微带线上设置金属罩，通过金属罩能够提高基于微带线的耦合片的强度，满足50欧姆阻抗条件要求；同时在微带线上设置金属罩，金属罩与下基板下面的下接地板接地，且金属罩对带状导线实现屏蔽作用，满足带状线的性能要求。
附图说明
14.图1为本实用新型实施例提供的基于金属罩的耦合片的爆炸结构示意图；
15.图2为本实用新型实施例提供的基于金属罩的耦合片的结构示意图一；
16.图3为本实用新型实施例提供的基于金属罩的耦合片的结构示意图二；
17.附图标记说明：
18.1、金属罩；2、上基板；3、绝缘介质；4、下基板；5、带状导线；6、下接地板。
具体实施方式
19.为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
20.请一并参阅图1及图2，现对本实用新型提供的基于金属罩1的耦合片进行说明。所述基于金属罩1的耦合片，包括下基板4以及金属罩1，下基板4上设有带状导线5；金属罩1罩设在下基板4上，且与带状导线5之间具有间隔；其中，金属罩1的四周侧板连接在下基板4的四周侧面，且与下基板4底部的下接地板6连接。
21.本实施例提供的基于金属罩1的耦合片，与现有技术相比，采用微带线制作工艺，并采用减薄的板材作为下基板4，在下基板4上设置带状导线5，制作微带线，具有微带线的信号传输速度，且能够实现耦合片的小型化；为了避免下基板4减薄带来的强度下降的问题，在微带线上设置金属罩1，通过金属罩1能够提高基于微带线的耦合片的强度，满足50欧姆阻抗条件要求；同时在微带线上设置金属罩1，金属罩1与下基板4下面的下接地板6接地，且金属罩1对带状导线5实现屏蔽作用，满足带状线的性能要求。
22.在微带线上设置金属罩1，满足带状线的性能要求，解释如下：带状线是嵌在两层导体之间的带状导线5(相当于本技术的下接地板6和金属罩1)，非常适合于在多层基板中使用，目前基本选用ltcc工艺(低温共烧陶瓷，low temperature co-fired ceramic-ltcc)和pcb工艺。带状线的优势是可以通过灵活调整介质层厚度和层数，实现不同宽度尺寸的线条在不同频率下，也能实现1/4波长，并且也满足50欧姆阻抗条件。由于带状线电场分布在两层导体之间，不会辐射出去能量，也不会受到外部辐射的干扰，具有很好的屏蔽特性；但是，带状线加工时，需要两层基板胶合，成本高，体积大，且由于带状线的周围全是介电常数大于1的电介质，因此带状线的信号传输速度比微带线的信号传输速度慢。本实施例基于微带线上设置金属罩1，构成带状线结构，能够提高信号传输速度；相比带状线，没有设置上基板2，成本低，体积小。
23.本文中所提及的50欧姆阻抗条件的解释如下：(1)在早期的一些电子仪器中，比如雷达和电报设备，已经设计成要求信号传输阻抗为50ω，并且，很多的电子系统测试仪也已经按照这个接口要求设计，因此延续历史习惯，现代的电子设备也要求按照50ω的传输阻
抗设计，有时这个数值甚至是pcb板的缺省值。(2)50欧姆的传输阻抗设计，有利于按照目前工艺技术和设备参数进行大规模生产。(3)目前比较流行的cmos器件，其输出阻抗一般在几十欧姆左右，因此，可以方便地和这些大规模集成电路进行互连。(4)使用50欧姆的传输阻抗设计，是对功耗、串扰、匹配、信号延迟、负载电容、以及系统集成度等几个方面综合权衡的考虑，有利于整个系统的性能优化。本实施例沿用了50欧姆阻抗条件的常规性能。
24.在一些实施例中，侧板的内侧面设有卡凸，下基板4的侧面设有适配卡凸的卡槽。金属罩1与下基板4卡接，金属罩1即作为屏蔽功能，也作为接地功能。本实施例的卡凸和卡槽在图中未示出。
25.基于微带线的耦合片，参见图2，作为上述本实施例提供的耦合片的一种实施方式，金属罩1的底部与带状导线5之间的距离小于带状导线5的厚度。其中，在金属罩1与带状导线5之间的间隙内填充惰性保护气体，对带状导线5实现保护。为实现器件小型化，设定了金属罩1与带状导线5之间的间距。
26.作为上述特征耦合片的另一种变形实施方式为，参见图3，耦合片包括下基板4、设置与下基板4上的带状导线5及上基板2，带状导线5在上基板2和下基板4之间，构成带状线结构的耦合片，上基板2与所述下基板4之间设有绝缘介质3，金属罩1罩设在上基板2上，且金属罩1的四周侧板与下基板4底部的下接地板6连接，金属罩1构成上基板2的接地结构。本实施例基于微带线的结构，带状导线5上设置上基板2，在上基板2上设置金属罩1，金属罩1相当于上接地板，起到接地的作用，而由于金属罩1的设置，在减薄的下基板4的基础上，同样是具有提高耦合片强度的作用。
27.本实施例利用金属罩1作为上接地板，直接可以与下接地板6接地，无需在上基板2和下基板4内部构建接地通孔，降低了耦合片的制作难度。
28.作为一种改进的实施方式，上基板2的厚度与下基板4的厚度相同。
29.一些可能的实现方式中，上基板2与下基板4胶接在一起。上基板2与下基板4之间设有绝缘介质3，带状导线5包围在绝缘介质3中，绝缘介质3也可以直接是胶接层，上基板2和下基板4通过胶接固定在一起。
30.如图3所示，在带状线耦合片的基础上，上基板2和下基板4的连接方式还可以如下：上基板2与下基板4通过金属罩1直接压紧在一起，金属罩1的内表面与上基板2的上表面贴合。利用金属罩1直接压紧，无需使用胶接，简化制作工艺。
31.图1至图3所示为金属罩1的一种实施方式，金属罩1为铜质件。
32.具体地，本实施例中基板的可选结构为，上基板2和下基板4均为氧化铝陶瓷材质。
33.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。