低通及滤波器的制作方法

1.本技术涉及通信技术领域，尤其涉及一种低通及具有该低通的滤波器。


背景技术：

2.滤波器中的低通也称为高低阻抗结构件，通常为一体成型的一体式结构，即低通的高阻抗段和低阻抗段为一体成型的一体式结构，只能根据预设低通的结构进行一次加工成型，制造后的结构即固定而无法改变，无法根据需要调整低通的节数，而且加工精度要求高，受损时需整体报废，成本较高。


技术实现要素：

3.本技术的一个目的在于提供一种低通，以解决相关技术中的低通为一体式结构而无法根据需要调整低通的节数的技术问题。
4.为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：提供一种低通，所述低通包括：高阻抗段；以及低阻抗段，所述低阻抗段连接于所述高阻抗段，所述低阻抗段的阻抗小于所述高阻抗段的阻抗；其中，所述低阻抗段与所述高阻抗段相拼接。
5.在一个实施例中，所述低阻抗段的端面上设有插接部，所述高阻抗段的端部设有插接配合部，所述插接部与所述插接配合部相插接配合。
6.在一个实施例中，所述插接部为凹进结构，所述插接配合部为凸出结构。
7.在一个实施例中，所述插接配合部的横截面积小于所述高阻抗段的横截面积，所述高阻抗段的端面抵接于所述低阻抗段的端面。
8.在一个实施例中，所述插接部的内表面设有卡合部，所述插接配合部的外表面设有卡合配合部，所述卡合部与所述卡合配合部相卡合配合。
9.在一个实施例中，所述低阻抗段上开设有螺纹孔，所述高阻抗段的外表面设有外螺纹结构，所述外螺纹结构与所述螺纹孔相螺纹配合。
10.在一个实施例中，所述低阻抗段上开设有通孔，所述高阻抗段穿设于所述通孔。
11.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少三个，所述高阻抗段同时穿设于各所述低阻抗段上的所述通孔。
12.在一个实施例中，所述低通包括第一限位件，所述第一限位件套设于所述高阻抗段并抵接于所述低阻抗段的一端；和/或，所述低通包括第二限位件，所述第二限位件套设于所述高阻抗段并抵接于所述低阻抗段的另一端。
13.在一个实施例中，所述低阻抗段的横截面积大于所述高阻抗段的横截面积。
14.在一个实施例中，所述低阻抗段为金属柱状结构，所述高阻抗段为金属杆状结构，所述低阻抗段的外径大于所述高阻抗段的外径。
15.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段的厚度大于或小于其他所述低阻抗段的厚度。
16.在一个实施例中，所述低阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述低阻抗段之间设
有一所述高阻抗段；至少一所述低阻抗段的横截面积大于或小于其他所述低阻抗段的横截面积。
17.在一个实施例中，所述高阻抗段的数量为至少两个，相邻两所述高阻抗段之间设有一所述低阻抗段；至少一所述高阻抗段的横截面积大于或小于其他所述高阻抗段的横截面积。
18.在一个实施例中，所述低阻抗段与所述高阻抗段同轴设置。
19.在一个实施例中，所述低通包括分别位于所述低通的相对两端的信号输入段和信号输出段，所述信号输入段连接于所述低通一端的所述高阻抗段或所述低阻抗段，所述信号输出段连接于所述低通另一端的所述高阻抗段或所述低阻抗段。
20.本技术的另一目的在于提供一种滤波器，所述滤波器包括：腔体，所述腔体具有安置槽；上述任一实施例所述的低通；以及绝缘结构，所述低通通过所述绝缘结构设置于所述安置槽中。
21.本技术实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
22.本技术实施例提供的低通，通过设置高阻抗段和连接于高阻抗段的低阻抗段，低阻抗段的阻抗小于高阻抗段的阻抗，可实现基本的低通滤波作用；并通过设置低阻抗段与高阻抗段相拼接，即低阻抗段与高阻抗段为分体成型而相拼接，因此可分别加工制造出低阻抗段和高阻抗段，再根据所需低通的节数而将低阻抗段和高阻抗段相拼接，因此结构更为灵活；而且，拼接的方式更易于调整低阻抗段和高阻抗段的尺寸以及调整相邻两低阻抗段之间的距离，进而利于调节低通的滤波性能；并且，相较于低阻抗段和高阻抗段一体加工成型的方式而言，加工精度和难度较低，加工成本较低，且在低通受损时可仅更换受损的低阻抗段或高阻抗段，可降低报废成本。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本技术实施例提供的低通的结构示意图；
25.图2为图1中的低通的分解结构示意图；
26.图3为图1中a-a方向的剖视结构示意图；
27.图4为本技术另一实施例提供的低通的截面示意图；
28.图5为本技术另一实施例提供的低通的截面示意图；
29.图6为本技术另一实施例提供的低通的截面示意图。
30.其中，图中各附图标记：
31.10、低通；11、高阻抗段；12、低阻抗段；121、插接部；111、插接配合部；122、螺纹孔；112、外螺纹结构；123、通孔；13、第一限位件；14、第二限位件；15、信号输入段；16、信号输出段。
具体实施方式
32.下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
33.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
34.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
35.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
36.滤波器为频率选择装置，用于容许通带频率范围内的信号通过而抑制通带频率范围之外的无用频率信号。滤波器中存在需装配低通的情况，以实现过滤信号的高频谐波和高频噪声，起高频抑制作用。低通通常包括相串联的高阻抗段和低阻抗段，低通也称为高低阻抗结构件。
37.在实现本技术技术方案的创造过程中，发明人发现，相关技术中的低通通常为一体成型的一体式结构，即低通的高阻抗段和低阻抗段为一体成型的一体式结构，只能根据预设低通的结构进行一次加工成型，制造后的结构即固定而无法改变，导致无法根据需要调整低通的节数；在不同的滤波器需采用不同规格(例如长度、节数等)的低通时，需要分别加工制造多个不同规格的低通，而且加工精度要求高，加工成本较高；且低通受损时需整体报废，导致报废成本较高。
38.基于此，为解决相关技术中的低通为一体式结构而无法根据需要调整低通的节数的技术问题，发明人提出了以下方案。
39.请参阅图1和图2，本技术实施例提供了一种低通10，应用于滤波器上。
40.低通10包括高阻抗段11和低阻抗段12，其中：
41.低阻抗段12的阻抗小于高阻抗段11的阻抗，低阻抗段12连接于高阻抗段11。可以理解，高阻抗段11和低阻抗段12为低通实现低通滤波作用的基本组成单元。高阻抗段11可以采用现有技术中的任意一种低通的高阻抗段的形状结构或对现有技术中的低通的高阻抗段的形状结构进行改进之后的形状结构，例如可以是杆状结构、片状结构、板状结构、条状结构等，但不限于此。低阻抗段12可以采用现有技术中的任意一种低通的低阻抗段的形状结构或对现有技术中的低通的低阻抗段的形状结构进行改进之后的形状结构，例如可以是盘状结构、块状结构、片状结构、柱状结构、框形结构、螺旋状结构等，但不限于此。高阻抗
段11的数量可以是一个或多个，低阻抗段12的数量可以是一个或多个。
42.其中，低阻抗段12与高阻抗段11相拼接。即，第一低阻抗段12与高阻抗段11为分体成型设置而相装配，可以采用各种装配方式相装配。例如，低阻抗段12与高阻抗段11可以相插接、卡接、螺纹连接、通过紧固件相连接等，但不限于此。
43.本技术实施例提供的低通10，通过设置高阻抗段11和连接于高阻抗段11的低阻抗段12，可实现基本的低通滤波作用；并通过设置低阻抗段12与高阻抗段11相拼接，即低阻抗段12与高阻抗段11为分体成型而相拼接，因此可分别加工制造出低阻抗段12和高阻抗段11，再根据所需低通10的节数而将低阻抗段12和高阻抗段11相拼接，因此结构更为灵活；而且，拼接的方式更易于调整低阻抗段12和高阻抗段11的尺寸以及调整相邻两低阻抗段12之间的距离，进而利于调节低通10的滤波性能；并且，相较于低阻抗段12和高阻抗段11一体加工成型的方式而言，加工精度和难度较低，加工成本较低，且在低通10受损时可仅更换受损的低阻抗段12或高阻抗段11，无需整体报废，可降低报废成本。
44.低阻抗段12与高阻抗段11相拼接的方式具有多种，下面将示例性地进行举例说明，但不局限于以下方式。
45.在一个实施例中，请参阅图2和图3，低阻抗段12的端面上设有插接部121，高阻抗段11的端部设有插接配合部111，插接部121与插接配合部111相插接配合。插接配合也可以理解为凹凸配合，即一部件插设于另一部件，因此可以是插接配合部111插设于插接部121，也可以是插接部121插设于插接配合部111。可选地，插接部121与插接配合部111可以过盈配合或过渡配合。
46.如此设置，高阻抗段11端部的插接配合部111即可与低阻抗段12端面上的插接部121相插接，不仅利于两者相装配连接，装配便捷；而且可根据需要调整插接深度而调节相邻两低阻抗段12之间的距离，从而调节低通10的结构及滤波性能。
47.可选地，在一个实施例中，请参阅图2和图3，插接部121为凹进结构，例如可以是孔、槽等，但不限于此。插接配合部111为凸出结构，例如可以是凸柱、凸台、凸起等，但不限于此。
48.如此设置，高阻抗段11端部的插接配合部111即可插设于低阻抗段12端面上的插接部121中，由于低阻抗段12的横截面积通常大于高阻抗段的横截面积，更加利于在低阻抗段12的端面上设置凹进结构而供插接配合部111插接。
49.可选地，请参阅图2和图3，插接配合部111的横截面积(垂直于插接配合部111的轴线方向或长度方向的截面面积或断面面积)小于高阻抗段11的横截面积(垂直于高阻抗段11的轴线方向或长度方向的截面面积或断面面积)，高阻抗段11的端面抵接于低阻抗段12的端面。
50.如此设置，由于插接配合部111的横截面积小于高阻抗段11的横截面积，即可使插接配合部111与高阻抗段11形成阶梯结构，当插接配合部111插设于插接部121中后，可通过高阻抗段11的端面抵接于低阻抗段12的端面，不仅可实现插接配合部111与插接部121两者相插接限位，而且可提高低阻抗段12与高阻抗段11相插接配合的稳定性，降低低阻抗段12发生移动或偏转的可能性。
51.当然，在其他一些实施方式中，请参阅图4，插接配合部111的横截面积也可以等于高阻抗段11的横截面积，此时插接配合部111也可以视为高阻抗段11的一部分，即高阻抗段
11的端部插接于插接部121中。在其他一些实施方式中，插接配合部111的横截面积也可以大于高阻抗段11的横截面积。
52.可选地，插接部121的内表面设有卡合部，插接配合部111的外表面设有卡合配合部，卡合部与卡合配合部相卡合配合。其中，卡合部可以是凹设于插接部121内表面的槽结构，例如环槽结构，但不限于此；卡合配合部可以是凸设于插接配合部111外表面的凸起，例如环状凸起，但不限于此。
53.如此设置，在插接配合部111插接于插接部121中时，可使卡合部与卡合配合部相卡合配合，可提高插接配合部111与插接部121相插接的稳定性，降低两者相脱离的可能性。
54.当然，在其他一些实施方式中，也可以不设置卡合部和卡合配合部。
55.需要说明的是，在其他一些实施方式中，插接部121可以为凸起结构，例如可以是凸柱、凸台、凸起等，但不限于此。插接配合部111可以为凹进结构，例如可以是孔、槽等，但不限于此。
56.在另一个实施例中，请参阅图5，低阻抗段12上开设有螺纹孔122，高阻抗段11的外表面设有外螺纹结构112，外螺纹结构112与螺纹孔122相螺纹配合。可选地，螺纹孔122可以是盲孔或通孔。可选地，高阻抗段11可以仅外表面局部(例如高阻抗段11的一端)设置外螺纹结构112(图5即示例性地示出了该种情况)，也可以外表面全部设置外螺纹结构112，具体可根据需要进行设置。
57.如此设置，高阻抗段11即可通过外螺纹结构112而旋入低阻抗段12上的螺纹孔122，不仅便于高阻抗段11与低阻抗段12相拼接；而且可根据需要调整旋入深度而调节相邻两低阻抗段12之间的距离，从而调节低通10的结构及滤波性能。
58.在另一个实施例中，请参阅图6，低阻抗段12上开设有通孔123，通孔123即贯穿低阻抗段12的相对两端面。高阻抗段11穿设于通孔123。可选地，高阻抗段11与通孔123可以过盈配合或过渡配合。当然，在其他一些实施方式中，高阻抗段11与通孔123也可以螺纹配合，例如通孔123的内表面可以设置内螺纹，高阻抗段11的外表面可以设置外螺纹。
59.如此设置，可直接通过高阻抗段11穿设于低阻抗段12上的通孔123而实现两者的拼接，并且此时可通过同一高阻抗段11同时穿设多个低阻抗段12上的通孔123而实现高阻抗段11与多个低阻抗段12之间的拼接；而且通过调整低阻抗段12在高阻抗段11上的位置即可调节相邻两低阻抗段12之间的距离，进而调节低通10的结构及滤波性能。
60.可选地，请参阅图6，低阻抗段12的数量为至少三个，高阻抗段11同时穿设于各低阻抗段12上的通孔123。此时，低通10可以仅设置一个高阻抗段11。
61.当然，在其他一些实施方式中，低阻抗段12的数量也可以仅为两个，高阻抗段11穿设于两个低阻抗段12上的通孔123。
62.为降低低阻抗段12相对于高阻抗段11发生移动的可能性，提高两者相拼接的稳定性。在一个实施例中，请参阅图5和图6，低通10包括第一限位件13，第一限位件13套设于高阻抗段11并抵接于低阻抗段12的一端。其中，第一限位件13可以是具有缺口的环状结构，可通过缺口而套设于高阻抗段11；当然，第一限位件13也可以是周向封闭的环状结构，此时可从高阻抗段11的端部而套设于高阻抗段11。可选地，第一限位件13可以是绝缘材料制成的结构件，例如可以采用橡胶、塑料等绝缘材料，但不限于此。可选地，第一限位件13可以与高阻抗段11过盈配合或过渡配合。低通10包括第二限位件14，第二限位件14套设于高阻抗段
11并抵接于低阻抗段12的另一端。其中，第二限位件14可以是具有缺口的环状结构，可通过缺口而套设于高阻抗段11；当然，第二限位件14也可以是周向封闭的环状结构，此时可从高阻抗段11的端部而套设于高阻抗段11。可选地，第二限位件14可以是绝缘材料制成的结构件，例如可以采用橡胶、塑料等绝缘材料，但不限于此。可选地，第二限位件14可以与高阻抗段11过盈配合或过渡配合。
63.如此设置，第一限位件13和第二限位件14可分别从低阻抗段12的相对两端抵接于低阻抗段12，以避免低阻抗段12相对于高阻抗段11发生平移或偏转，提高两者相拼接的稳固性。能够适用于抵接相对两端均连接有高阻抗段11的低阻抗段12(例如图5中位于中部的低阻抗段12)，或适用于抵接位于高阻抗段11中部的低阻抗段12(例如图6中位于中部的低阻抗段12)。
64.当然，在其他一些实施方式中，也可以仅设置第一限位件13，或者仅设置第二限位件14，即仅设置一个限位件。可适用于抵接位于高阻抗段11端部的低阻抗段12(例如图5和图6中位于两端的低阻抗段12)。在其他一些实施方式中，也可以不设置第一限位件13和第二限位件14。
65.当然，在其他一些实施方式中，也可以采用其他结构限制低阻抗段12与高阻抗段11发生相对移动。例如，高阻抗段11上可以凸设有连接结构，可通过螺钉、螺栓等紧固件将连接结构与低阻抗段12相连接，但不限于此。例如，在根据所需低通10的结构而将低阻抗段12与高阻抗段11相拼接后，可采用焊接的方式(例如点焊)使低阻抗段12与高阻抗段11相固定。
66.在一个实施例中，请参阅图1至图3，低阻抗段12的横截面积(垂直于低阻抗段12的长度方向或轴线方向的断面面积或截面面积)大于高阻抗段11的横截面积(垂直于高阻抗段11的长度方向或轴线方向的断面面积或截面面积)。低阻抗段12的阻抗小于高阻抗段11的阻抗。
67.可选地，在一个实施例中，低阻抗段12为金属柱状结构，即为金属材料制成的柱状结构；例如，可以是圆柱状结构、棱柱状结构等，但不限于此，还可以是其他形状规则或不规则的柱状结构。高阻抗段11为金属杆状结构，即为金属材料制成的杆状结构；例如，可以是圆杆状结构、方杆状结构等，但不限于此，还可以是其他形状规则或不规则的杆状结构。其中，低阻抗段12的外径大于高阻抗段11的外径。
68.在一个实施例中，低阻抗段12的数量为至少两个，相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11。各低阻抗段12的厚度可以相同；当然，在其他一些实施方式中，也可以其中一个或多个低阻抗段12的厚度与其他低阻抗段12的厚度不相同，可通过设置其中一个或多个低阻抗段12的厚度大于或小于其他低阻抗段12的厚度而调整低通10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。图1中即示例性地示出了位于中间的低阻抗段12的厚度大于其两侧的低阻抗段12的厚度的情况。
69.在一个实施例中，低阻抗段12的数量为至少两个，相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11。各低阻抗段12的横截面积可以相同；当然，在其他一些实施方式中，也可以其中一个或多个低阻抗段12的横截面积与其他低阻抗段12的横截面积不相同，可通过设置其中一个或多个低阻抗段12的横截面积大于或小于其他低阻抗段12的横截面积而调整低通10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。
70.在一个实施例中，高阻抗段11的数量为至少两个，相邻两高阻抗段11之间设有一低阻抗段12。各高阻抗段11的横截面积可以相同；当然，在其他一些实施方式中，也可以是至少一高阻抗段11的横截面积大于或小于其他高阻抗段11的横截面积，可通过设置其中一个或多个高阻抗段11的横截面积大于或小于其他高阻抗段11的横截面积而调整低通10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。
71.在一个实施例中，请参阅图1和图3，低阻抗段12与高阻抗段11同轴设置，即低阻抗段12的轴线与高阻抗段11的轴线相重合。
72.如此设置，使得低通10的结构更加规整，利于加工制造，也可使得性能更加稳定，利于控制。
73.当然，在其他一些实施方式中，低阻抗段12与高阻抗段11也可以不同轴设置，即两者的轴线不相重合。
74.在一个实施例中，请参阅图1和图3，低通10包括分别位于低通10的相对两端的信号输入段15和信号输出段16，信号输入段15连接于低通10一端的高阻抗段11或低阻抗段12，信号输出段16连接于低通10另一端的高阻抗段11或低阻抗段12。可以理解，图1至图3中所示信号输入段15和信号输出段16的位置仅为示例性展示，图中信号输入段15位于左侧，而信号输出段16位于右侧，在其他一些实施方式中，也可以两者的位置相对调，即信号输入段15位于右侧，而信号输出段16位于左侧。
75.如此设置，利于信号经过信号输入段15而输入至低通10，并利于经过低通10之后的信号可由信号输出段16输出。
76.可选地，信号输入段15可以是金属段，例如柱状结构、片状结构等，信号输入段15可以与所连接的高阻抗段11或低阻抗段12一体成型设置，当然，也可以是分体成型而相连接。信号输出段16可以是金属段，例如杆状结构、片状结构等，信号输出段16可以与所连接的高阻抗段11或低阻抗段12一体成型设置，当然，也可以是分体成型而相连接。
77.示例性地，请参阅图1，高阻抗段11的数量为两个，低阻抗段12的数量为三个，每相邻两低阻抗段12之间设有一高阻抗段11，以使各高阻抗段11和各低阻抗段12相串联，即每一高阻抗段11的相对两端分别连接一低阻抗段12。具体地，信号输入段15可以连接于低通10一端的低阻抗段12，信号输出段16可以连接于低通10另一端的低阻抗段12。
78.需要说明的是，高阻抗段11和低阻抗段12的数量不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，高阻抗段11的数量也可以是一个、三个或三个以上，低阻抗段12的数量也可以是一个、两个、四个或四个以上，具体可根据实际需求进行设置。
79.可以理解，在低阻抗段12的数量为多个时，可以每一低阻抗段12均与高阻抗段11相拼接(图1至图3中即示例性地示出了三个低阻抗段12均与高阻抗段11相拼接的情况)，也可以仅其中的一个或多个低阻抗段12与高阻抗段11相拼接而其余低阻抗段12与高阻抗段11为一体成型的一体式结构。
80.本技术实施例还提供一种滤波器，滤波器包括腔体和上述任一实施例的低通10。腔体具有安置槽，低通10设置于安置槽中。
81.由于本技术实施例提供的滤波器采用了上述实施例的低通10，因而其同样具有上述任一实施例的低通10的技术方案所带来的技术效果。利于根据滤波器所需的滤波指标及抑制性能而调整低通10的节数和滤波性能，进而利于滤波器获得所需的滤波指标和抑制性
能。
82.在一个实施例中，滤波器还包括绝缘结构，低通10通过绝缘结构设置于安置槽中。绝缘结构是指能够使低通10与腔体相绝缘的结构。
83.如此设置，绝缘结构可使低通10与腔体相绝缘，避免两者接触短路，以利于低通10正常工作。
84.可选地，在一个实施例中，绝缘结构为绝缘套管，高阻抗段11和低阻抗段12均位于绝缘套管的内部。其中，绝缘套管可以是聚四氟乙烯绝缘套，可以是热缩套管，但不限于此，还可以是其他绝缘材料制成的绝缘套管。
85.需要说明的是，绝缘结构的结构不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，绝缘结构可以是设置在低通10的外表面的绝缘涂层；也可以是设置在安置槽的内表面的绝缘涂层。可选地，在其他一些实施方式中，绝缘结构可以是绝缘支撑结构，用于将低通10支撑于安置槽中，以使低通10与安置槽的内表面之间形成有空隙，例如绝缘支撑结构可以是支撑块、支撑杆、支撑片等，但不限于此。
86.应理解，滤波器除包括低通10和腔体等元件之外，还可以包括其他元件，例如盖板、连接器等，但不限于此，其他元件可采用现有滤波器的元件，这对于本领域普通技术人员而言是熟知的，本技术实施例中为描述简要而未赘述。
87.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。