技术特征：
1.一种高可靠性超结功率器件，该器件中心区域为有源区，包围有源区的区域为终端保护区；所述有源区包括第一导电类型衬底（1），在第一导电类型衬底（1）上方设有第一导电类型外延层（2），在第一导电类型外延层（2）的顶部设有间隔设置且互相平行的第一导电类型柱（4）与第二导电类型柱（3），在第二导电类型柱（3）的顶部设有第二导电类型体区（5），在第二导电类型体区（5）的顶部的中间位置设有第一导电类型源区（6）；在所述第一导电类型外延层（2）的上表面设有栅氧层（7），在栅氧层（7）的上表面设有第一导电多晶硅（8），在所述第一导电多晶硅（8）的上方设有绝缘介质层（9），在绝缘介质层（9）的上方设有源极金属（10），所述源极金属（10）通过绝缘介质层（9）内的第一通孔（11）与第一导电类型源区（6）、第二导电类型体区（5）欧姆接触，所述源极金属（10）与第一导电多晶硅（8）通过绝缘介质层（9）互相绝缘；所述终端保护区包括第一导电类型衬底（1），在第一导电类型衬底（1）上方设有第一导电类型外延层（2），在靠近有源区的第一导电类型外延层（2）的顶部设有间隔设置且互相平行的第一导电类型柱（4）与第二导电类型柱（3），在靠近有源区的第一导电类型外延层（2）的表面设有第二导电类型体区（5），在第二导电类型体区（5）的上方设有场氧层（12），在场氧层（12）的上方设有第二导电多晶硅（13），在第二导电多晶硅（13）的上方设有绝缘介质层（9），在绝缘介质层（9）的上方设有栅极总线金属（14），栅极总线金属（14）通过绝缘介质层（9）内的第二通孔（15）与第二导电多晶硅（13）欧姆接触；其特征是：在所述第一导电类型外延层（2）的底部、第一通孔（11）的下方设有第一导电类型阱区（16）。2.如权利要求1所述的高可靠性超结功率器件，其特征是：所述第一导电类型阱区（16）内的电阻率小于第一导电类型外延层（2）内的电阻率。3.如权利要求1所述的高可靠性超结功率器件，其特征是：在有源区内，俯视器件，与第二导电类型柱（3）平行的方向为y轴方向，与所述y轴方向垂直的第一导电类型阱区（16）的边界距离第一通孔（11）尽头的端点至少0μm。4.如权利要求1所述的高可靠性超结功率器件，其特征是：在有源区内，俯视器件，与第二导电类型柱（3）垂直的方向为x轴方向，与x轴方向垂直的第一导电类型阱区（16）的边界与最外围的第一通孔（11）之间的距离至少0μm。5.根据权利要求1所述的高可靠性超结功率器件，其特征是：所述栅氧层（7）、场氧层（12）与绝缘介质层（9）均由二氧化硅或氮化硅构成。6.根据权利要求1所述的高可靠性超结功率器件，其特征是：所述功率器件为n型时，第一导电类型为n型，第二导电类型为p型；或者，所述功率器件为p型时，第一导电类型为p型，第二导电类型为n型。
技术总结
本实用新型涉及一种高可靠性超结功率器件，该器件中心区域为有源区，包围有源区的区域为终端保护区；在有源区内设有第一导电类型衬底、外延层、第一、第二导电类型柱、第二导电类型体区、第一导电类型源区、栅氧层、第一导电多晶硅、绝缘介质层、源极金属、第一通孔与第一导电类型阱区；在终端保护区内设有第一导电类型衬底、外延层、第一、第二导电类型柱、第二导电类型体区、绝缘介质层、场氧层、第二导电多晶硅、栅极总线金属与第二通孔。本实用新型可以使得耗尽层提前截止，而终端保护区内由于不存在第一导电类型阱区，耗尽层不会提前截止，这样确保有源区的击穿电压低于终端保护区。样确保有源区的击穿电压低于终端保护区。样确保有源区的击穿电压低于终端保护区。
技术研发人员：朱袁正 叶鹏 周锦程 李宗清
受保护的技术使用者：无锡新洁能股份有限公司
技术研发日：2021.12.23
技术公布日：2022/5/25