晶片清洗水供给装置的制作方法

本发明涉及一种晶片清洗水供给装置，其能够稳定供给半导体用晶片等的清洗/冲洗工序中有效的以极低浓度含有碱、酸、氧化剂、还原剂等溶质的清洗水。

背景技术：

1、在半导体用硅晶片等的清洗工序中，可以使用将对ph或氧化还原电位的控制有效的溶质以极低浓度溶解在超纯水中的水(以下，称作晶片清洗水)。该晶片清洗水以超纯水为基本材料，为了赋予符合清洗或冲洗工序等各个工序的目的的ph或氧化还原电位等液体特性，添加需要的最小限度的酸/碱、氧化剂/还原剂。此时，为了赋予还原性活用h2气体的溶解，但在ph调节和赋予氧化性中，通常活用将药液通过泵注入或用非活性气体的加压方式，来微量添加(注药)液体药剂的方法。

2、在这种情况下，当超纯水的流量为恒定时，注药容易达到所期望的溶质浓度，但在实际使用晶片清洗水的清洗机中，用多个阀的开闭来控制向晶片倾注的清洗水的供给/停止，流量不规律地变动。对于该变动，通过对超纯水流量的比例控制、接受浓度监测器的信号的pid控制等多种手法进行溶解控制，以使晶片清洗水的溶质浓度落入所期望范围。但是，尤其是在具有多个清洗室的枚叶式清洗机中，不能够实现能够充分跟踪不规律的流量变动的注药控制，其结果是，向晶片倾注的清洗水/冲洗水的液体品质，仅控制在远离理想的值的广泛的范围内。

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、因此，虽然也存在优先液体品质稳定化，在规定条件下制造并持续供给晶片清洗水的简单方法，但在这种情况下，直接流下剩余水。在最近的多室枚叶式清洗机中，瞬间需要的最大流量与最低流量的差大，当连续供给最大流量以上的稀功能水(晶片清洗水)时，排出相当大量的剩余晶片清洗水(剩余水)，在对用水排水设备的负担、药液的过量使用/排出方面存在问题。

3、为了解决该剩余水的问题，使用循环型晶片清洗水制造装置，不排出剩余水，使剩余水通过配管返回到设置于晶片清洗水制造装置与清洗机之间的贮留槽。

4、但是，在使剩余水返回贮留槽的情况下，回送配管在即将进入清洗机之前分支连接，未使用晶片清洗水时，清洗机内的晶片清洗水供给配管处于清洗水残留的状态，即使是短时间的残留，清洗水的清洁度劣化和清洗水的ph等液体品质也变化，对晶片清洗效果造成不利影响。因此，在即将用晶片清洗水处理晶片之前，在清洗机侧需要将晶片清洗水中残留在从清洗机入口到喷嘴前端的清洗水从喷嘴喷出以排液，并替换成高清洁度且规定液体品质的清洗水的预分配的操作。在每个清洗工序中实施预分配，排出的清洗水被送入排水设备，但由于回送配管连接在即将进入清洗机之前，因此存在清洗水的排出量增多，对用水排水设备的负担大，过量使用药液等问题。因此，要求将预分配中排出的晶片清洗水(剩余水)抑制到最低限度。

5、本发明是鉴于上述课题而完成的，目的是提供一种能削减剩余的晶片清洗水的晶片清洗水供给装置。

6、用于解决课题的手段

7、为了达成上述目的，本发明提供一种晶片清洗水供给装置，其具备：晶片清洗水制造部，该晶片清洗水制造部通过溶解相对于超纯水的流量为规定的量的药剂，来制造规定药剂浓度的晶片清洗水；贮留槽，该贮留槽贮留该制造出的晶片清洗水；晶片清洗水供给配管，该晶片清洗水供给配管向清洗机供给所述晶片清洗水；以及回送配管，该回送配管从所述晶片清洗水供给配管分支并将清洗机中剩余的晶片清洗水回送至贮留槽，并且，将所述剩余的晶片清洗水回送至贮留槽的回送配管，在距离所述清洗机的晶片清洗水的喷出部10m以下的位置分支(发明1)。

8、根据该发明(发明1)，添加相对于超纯水为规定的量的药液，来制造规定浓度的晶片清洗水，将其暂时贮留于贮留槽中，并从该贮留槽向清洗机供给。此时，在现有的晶片清洗水供给装置中，由于在紧邻清洗机入口的前方被分支为向清洗机内送清洗水的配管和返回贮留槽的配管，因此在未使用清洗水时，清洗机内侧残留相当大量的清洗水，每次运行/停止清洗机都要排出残留在清洗机侧的清洗水，无法完全回收剩余水。因此，为了尽可能回收预分配中排出的清洗水并作为清洗水再利用，采用在距离晶片清洗水的喷出部10m以下的位置处分支的结构。由此，能大幅削减预分配时排出的清洗水量。而且，也能够大幅缩短供给水质稳定的清洗水所需的时间。

9、在上述发明(发明1)中，优选所述回送配管设置于清洗机侧，能在贮留槽、晶片清洗水供给配管和回送配管中循环所述晶片清洗水(发明2)。

10、根据该发明(发明2)，常态向清洗机内供给清洗水，在未使用清洗水时，能够将剩余水从回送配管返回至贮留槽。由此，即使在未使用晶片清洗水时，也能将滞留在清洗机内的晶片清洗水供给配管的清洗水量和清洗水质因滞留而劣化抑制到最低限度。此外，不需要预分配或其量能在最小限度，还能够期待降低对用水排水设备的负荷和改善药液的过量使用/排出。

11、在上述发明(发明1、2)中，优选所述药剂为液体，向超纯水添加该药剂的添加机构是给液泵或压送机构，该压送机构是填充了药剂的密闭罐和向该密闭罐供给非活性气体的加压机构构成的压送机构(发明3)。

12、根据该发明(发明3)，容易控制相对于超纯水的流量以微量添加药液，能够向贮留槽稳定地供给规定浓度的晶片清洗水。

13、在上述发明(发明1～3)中，优选在所述贮留槽设置检测水位的检测机构，并且具备控制机构，该控制机构基于该检测机构的液位信息控制所述晶片清洗水制造部中晶片清洗水的制造开始/停止(发明4)。另外，在上述发明(发明1～3)中，优选能多阶段调节所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造量，并且具备控制机构，该控制机构根据所述贮留槽的水位多阶段调节所述晶片清洗水制造部中的晶片清洗水的制造量(发明5)。

14、根据该发明(发明4、5)，通过根据贮留槽的水位控制晶片清洗水的制造，能够高效制造晶片清洗水。

15、在上述发明(发明1～5)中，优选在所述晶片清洗水制造部与所述贮留槽之间设置排出机构(发明6)。

16、根据该发明(发明6)，能够向体系外排出该晶片清洗水直至晶片清洗水稳定在规定浓度。

17、在上述发明(发明6)中，优选所述排出机构与连通到所述超纯水的供给源的返回配管连接，并在该排出机构设置能除去所述晶片清洗水中的药剂成分的离子交换装置和/或催化装置(发明7)。

18、根据该发明(发明7)，通过从排出的晶片清洗水中除去药剂成分，能够将晶片清洗水回送至超纯水的供给源并再利用。

19、在上述发明(发明1～7)中，优选所述制造部具有除去超纯水或晶片清洗水中的溶解氧的机构(发明8)。

20、根据该发明(发明8)，能够抑制制造出的晶片清洗水的ph和/或氧化还原电位的变动。

21、发明的效果

22、根据本发明的晶片清洗水供给装置，由于将剩余的晶片清洗水回送至贮留槽的回送配管，在距离所述清洗机的晶片清洗水的喷出部10m以下的位置分支，因此即使在一般的清洗机中实施预分配，也大幅削减排出的剩余水，还能够缩短供给水质稳定的清洗水所需的时间。