半导体芯片及其制造方法与流程

文档序号:34224252发布日期:2023-05-19 23:49阅读:86来源:国知局
半导体芯片及其制造方法与流程

本发明涉及半导体芯片及其制造方法,例如,涉及能够确保电气连接部得到更可靠保护的半导体芯片及其制造方法。


背景技术:

1、在现有的一些实用化半导体器件中,把电极部件安装到从晶圆切割出来的芯片上,然后将芯片安装到电路板上。例如,专利文献1提出了一种手段,当在这种半导体器件中使用诸如热硬化树脂等粘合剂将半导体芯片安装到基板上时,该手段能够提高安装可操作性。

2、[引文列表]

3、[专利文献]

4、[专利文献1]:日本专利申请特开jp 2001-250843a


技术实现思路

1、[要解决的技术问题]

2、当涂布热硬化树脂时,如果不能适当地控制在半导体芯片的侧面上爬升的热硬化树脂,则例如可能会导致热硬化树脂渗出到半导体芯片的表面上。另一方面,如果没有充分地涂布热硬化树脂,则可能会让电气连接部露出。

3、目前期望能够适当地控制在半导体芯片的侧面上爬升的热硬化树脂。

4、鉴于上述状况,本发明的目的是对在半导体芯片的侧面上爬升的热硬化树脂的适当控制。

5、[解决问题的技术方案]

6、根据本发明一个方面的半导体芯片具有带状区域,所述带状区域包括所述半导体芯片的侧面上的多个凹部。

7、根据本发明一个方面的制造方法是由半导体芯片制造装置执行的制造方法:其中,利用所述装置来制造如下的半导体芯片,所述半导体芯片具有带状区域,所述带状区域包括所述半导体芯片的侧面上的多个凹部,并且其中,利用所述装置通过在内部聚集激光来形成所述多个凹部。

8、在根据本发明一个方面的半导体芯片中,该半导体芯片具有带状区域,该带状区域包括该半导体芯片的侧面上的多个凹部。

9、在根据本发明一个方面的制造方法中,制造出上述半导体芯片。



技术特征:

1.半导体芯片,具有:

2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述多个凹部以行和列的矩阵排列于所述半导体芯片的所述侧面上。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述多个凹部以z字形图案排列于所述带状区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,设置有至少两个所述带状区域。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,针对所述侧面的中央附近和所述侧面的相对两端,所述带状区域形成于不同位置处。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述带状区域部分地是倾斜的。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述带状区域在所述侧面上的位置是根据底部填充物的涂布量来设定的。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述带状区域形成于所述侧面的中央附近。

9.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述多个凹部各者的深度为1μm至3μm。

10.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述带状区域的宽度是所述半导体芯片的厚度的至少五分之一。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述半导体芯片的厚度小于100μm。

12.由半导体芯片制造装置执行的制造方法,其中,


技术总结
本发明涉及确保对电气连接部进行保护的半导体芯片及其制造方法。半导体芯片具有带状区域,所述带状区域包括所述半导体芯片的侧面上的多个凹部。这些凹部以行和列的矩阵排列在所述半导体芯片的所述侧面上,或者这些凹部以Z字形图案排列在所述带状区域中。形成有至少两个所述带状区域。针对所述侧面的中央附近和所述侧面的相对两端,所述带状区域形成于不同位置处。所述带状区域的一部分是倾斜的。例如,本发明可以应用于如下半导体器件中的半导体芯片:在该半导体器件中,用于把半导体芯片和基板电气连接的连接部由底部填充物保护着。

技术研发人员:小野章吾
受保护的技术使用者:索尼半导体解决方案公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/12
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