浆料、研磨方法及半导体器件的制造方法与流程

本发明涉及一种浆料、研磨方法、半导体器件的制造方法等。

背景技术：

1、在近年来的半导体器件的制造工序中，为了达到高密度化·精细化的加工技术的重要性越来越高。作为加工技术之一的cmp(化学·机械·抛光：化学机械研磨)技术成为在半导体器件的制造工序中，浅沟槽隔离(浅沟·槽·隔离：sti)的形成、预金属绝缘材料或层间绝缘材料的平坦化、栓塞或嵌入金属布线的形成等中必须的技术。作为cmp研磨液，已知含有包含铈氧化物的磨粒的cmp研磨液(例如，参考下述专利文献1及2)。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平10-106994号公报

5、专利文献2：日本特开平08-022970号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、有时需要使用含有包含铈氧化物的磨粒的cmp研磨液对包含氧化硅的部件进行研磨而早期去除。对于这种用作cmp研磨液的浆料，要求提高氧化硅的研磨速度。

3、本发明的一方面的目的为提供一种能够提高氧化硅的研磨速度的浆料。本发明的另一方面的目的为提供一种使用该浆料的研磨方法。本发明的另一方面的目的为提供一种使用该研磨方法的半导体器件的制造方法。

4、用于解决技术课题的手段

5、本发明的一方面提供一种浆料，其含有磨粒、化合物x及水，所述磨粒包含铈氧化物，所述化合物x的汉森溶解度参数的氢键项dh为15.0mpa1/2以上。

6、本发明的另一方面提供一种使用上述浆料对被研磨面进行研磨的研磨方法。

7、根据这种浆料及研磨方法能够提高氧化硅的研磨速度。

8、本发明的另一方面提供一种半导体器件的制造方法，通过将具有通过上述研磨方法进行研磨的被研磨面的部件进行单片化而获得半导体器件。

9、发明效果

10、根据本发明一方面，能够提供一种能够提高氧化硅的研磨速度的浆料。根据本发明的另一方面，能够提供一种使用该浆料的研磨方法。根据本发明的另一方面，能够提供一种使用该研磨方法的半导体器件的制造方法。根据本发明的另一方面，能够提供一种浆料在研磨氧化硅中的应用。

技术特征：

1.一种浆料，其含有磨粒、化合物x及水，

2.根据权利要求1所述的浆料，其中，

3.根据权利要求1或2所述的浆料，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的浆料，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的浆料，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的浆料，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的浆料，其中，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的浆料，其中，

9.根据权利要求1至8中任一项所述的浆料，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的浆料，其不含有具有选自由羟基及酰胺基组成的组中的至少一种的重均分子量为3000以上的化合物，

11.一种研磨方法，其使用权利要求1至10中任一项所述的浆料对被研磨面进行研磨。

12.根据权利要求11所述的研磨方法，其中，

13.一种半导体器件的制造方法，通过将具有通过权利要求11或12所述的研磨方法进行研磨的被研磨面的部件进行单片化而获得半导体器件。

技术总结
一种浆料，其含有磨粒、化合物X及水，所述磨粒包含铈氧化物，所述化合物X的汉森溶解度参数的氢键项dH为15.0MPa1/2以上。一种研磨方法，其使用该浆料对被研磨面进行研磨。

技术研发人员：久保田茂树,岩野友洋,古川晓之,影泽幸一,植田敦子
受保护的技术使用者：株式会社力森诺科
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13