具有延伸的静电卡盘电极的高温基座的制作方法

本公开内容涉及衬底处理系统中的衬底支撑基座。

背景技术：

1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

2、衬底处理系统可以用来处理例如半导体晶片之类的衬底。这些衬底处理的示例可以包含例如蚀刻、沉积、移除光致抗蚀剂等。在处理期间，衬底被配置在例如静电卡盘之类的衬底支撑件上，且可以引入一或多种工艺气体至该处理室。

3、该一或多种工艺气体可以通过气体输送系统输送到处理室。在一些系统中，气体输送系统包含歧管，其通过一或多个导管连接到位于处理室中的喷头。在一些示例中，例如化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)等沉积工艺用于在衬底上沉积材料。

技术实现思路

1、一种被配置成支撑具有直径d的衬底的衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极，其各自都是d形且限定了小于d的第一外径，且被配置成连接至静电卡盘(esc)电压，以在处理期间将所述衬底夹持至所述衬底支撑件上。外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部，以及通过所述第一内部电极和所述第二内部电极之间以连接至所述环形外部的内径的相对侧的中心部。所述环形外部的所述内径大于所述直径d，使得所述环形外部的所述内径以及所述中心部和所述环形外部两者之间的交叉点位于所述衬底的所述直径d的径向外侧。

2、在其他特征中，所述衬底支撑件还包含间隙，该间隙被限定在所述第一内部电极和所述第二内部电极所限定的所述第一外径和所述环形外部的所述内径之间。所述间隙位于所述衬底的外缘下方并与所述衬底的所述外缘重叠。所述间隙具有介于2.2mm和7.5mm之间的宽度。所述环形外部的所述内径比所述衬底的所述直径d大1.0mm以下。所述环形外部的所述内径介于300.4mm和305mm之间。所述第一内部电极和所述第二内部电极所限定的所述第一外径介于290mm和296mm之间。

3、在其他特征中，所述衬底支撑件还包含位于所述衬底支撑件的第一表面中的袋，其中所述袋被配置成容纳所述衬底。所述衬底支撑件还包含被配置在所述袋中的所述衬底。所述袋的直径介于302mm至310mm之间。所述环形外部的所述内径与所述袋重叠。

4、一种在具有直径d的衬底上沉积硬掩模膜的方法，其包含将衬底配置在处理室中的衬底支撑件上。该衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极，其中第一内部电极及第二内部电极中的每一个均为d形且限定了小于d的第一外径；以及外部电极，该外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部；以及通过所述第一内部电极和所述第二内部电极之间以连接至所述环形外部的内径的相对侧的中心部。所述环形外部的所述内径大于所述直径d，使得所述环形外部的所述内径以及所述中心部和所述环形外部两者之间的交叉点位于所述衬底的所述直径d的径向外侧。该方法还包含：将第一内部电极和第二内部电极连接至静电卡盘(esc)电压，以将衬底夹持至所述衬底支撑件；以及沉积所述硬掩模膜至所述衬底上。沉积硬掩模膜包含：在所述处理室中产生等离子体。

5、在其他特征中，该方法还限定在(i)所述第一内部电极和所述第二内部电极所限定的所述第一外径和(ii)所述环形外部的所述内径之间的间隙。所述间隙位于所述衬底的外缘下方并与所述衬底的所述外缘重叠。所述间隙具有介于2.2mm和7.5mm之间的宽度。所述环形外部的所述内径比所述衬底的所述直径d大1.0mm以下。所述环形外部的所述内径介于300.4mm和305mm之间。所述第一内部电极和所述第二内部电极所限定的所述第一外径介于290mm和296mm之间。

6、在其他特征中，该方法还包含将衬底配置在衬底支撑件的第一表面中的袋中。该袋被配置成容纳衬底。该袋的直径介于302至310mm之间。环形外部的内径与该袋重叠。

7、一种被配置成支撑衬底的衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极，所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个都是d形，且被配置成连接至静电卡盘(esc)电压，以在处理期间将所述衬底夹持至所述衬底支撑件上。外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部，以及连接至所述环形外部的内径的相对侧的中心部。所述外部电极并非与所述第一内部电极以及所述第二内部电极共平面。

8、在其他特征中，所述外部电极被定位于所述第一内部电极和所述第二内部电极下方。所述中心部包含多个径向导体，其从导电杆向外延伸以连接至所述环形外部。所述多个径向导体包含所述径向导体中的两个或更多个。所述多个径向导体包含所述径向导体中的四个或更多个。

9、一种被配置成支撑衬底的衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极。所述第一内部电极和所述第二内部电极中的每一个都是d形。所述第一内部电极和所述第二内部电极被配置成连接至静电卡盘(esc)电压，以在处理期间将所述衬底夹持至所述衬底支撑件上。外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部，定位于所述环形外部下方的中心部，电连接至所述中心部的环，其围绕所述中心部并与其共平面，以及至少一个竖直部，其将所述环电连接至所述环形外部。

10、在其他特征中，所述中心部包含多个径向导体，其从导电杆向外延伸以连接至所述环。所述多个径向导体包含所述径向导体中的两个或更多个。所述多个径向导体包含所述径向导体中的四个或更多个。

11、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

技术特征：

1.一种被配置成支撑具有直径d的衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包含：

2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其还包含间隙，该间隙被限定在(i)所述第一内部电极和所述第二内部电极所限定的所述第一外径和(ii)所述环形外部的所述内径之间。

3.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中所述间隙位于所述衬底的外缘下方并与所述衬底的所述外缘重叠。

4.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中所述间隙具有介于2.2mm和7.5mm之间的宽度。

5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述环形外部的所述内径比所述衬底的所述直径d大1.0mm以下。

6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述环形外部的所述内径介于300.4mm和305mm之间。

7.根据权利要求6所述的衬底支撑件，其中所述第一内部电极和所述第二内部电极所限定的所述第一外径介于290mm和296mm之间。

8.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其还包含位于所述衬底支撑件的第一表面中的袋，其中所述袋被配置成容纳所述衬底。

9.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其还包含被配置在所述袋中的所述衬底。

10.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其中所述袋的直径介于302mm至310mm之间。

11.根据权利要求8所述的衬底支撑件，其中所述环形外部的所述内径与所述袋重叠。

12.一种被配置成支撑衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包含：

13.根据权利要求12所述的衬底支撑件，其中所述外部电极被定位于所述第一内部电极和所述第二内部电极下方。

14.根据权利要求12所述的衬底支撑件，其中所述中心部包含多个径向导体，其从导电杆向外延伸以连接至所述环形外部。

15.根据权利要求14所述的衬底支撑件，其中所述多个径向导体包含所述径向导体中的两个或更多个。

16.根据权利要求14所述的衬底支撑件，其中所述多个径向导体包含所述径向导体中的四个或更多个。

17.一种被配置成支撑衬底的衬底支撑件，所述衬底支撑件包含：

18.根据权利要求17所述的衬底支撑件，其中所述中心部包含多个径向导体，其从导电杆向外延伸以连接至所述环。

19.根据权利要求18所述的衬底支撑件，其中所述多个径向导体包含所述径向导体中的两个或更多个。

20.根据权利要求18所述的衬底支撑件，其中所述多个径向导体包含所述径向导体中的四个或更多个。

技术总结
一种被配置成支撑具有直径D的衬底的衬底支撑件包含：第一内部电极和第二内部电极，其各自都是D形，限定了小于D的第一外径，且被配置成连接至静电卡盘电压，以将所述衬底夹持至所述衬底支撑件上。外部电极包含围绕所述第一内部电极和所述第二内部电极的环形外部，以及通过所述第一内部电极和所述第二内部电极之间以连接至所述环形外部的内径的相对侧的中心部。所述环形外部的所述内径大于所述直径D，使得所述环形外部的所述内径以及所述中心部和所述环形外部两者之间的交叉点位于所述衬底的所述直径D的径向外侧。

技术研发人员：毕峰,崎山行则,尼拉杰·拉纳,张鹏翼,西姆兰·沙,蒂莫西·斯科特·托马斯,大卫·弗伦奇,文森特·布克哈特
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13