半导体元件的制造方法、半导体元件以及半导体装置与流程

本公开涉及半导体元件的制造方法、半导体元件以及半导体装置。

背景技术：

1、在专利文献1中，记载了使用自支撑gan系基板并通过elo(epitaxial lateralover growth，外延横向过生长)法制作的sbd(schottky barrier diode，肖特基势垒二极管)。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：jp专利第6070422号公报

技术实现思路

1、1个方式所涉及的半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板的表面上形成具有开口的掩模；第2工序，从由所述开口露出的所述表面起，使半导体沿着所述掩模外延生长，生长第1半导体层；和第3工序，生长第2半导体层，在位于层叠方向上与所述基板相反的一侧且设置电极的表面，从所述表面的端部到所述电极的宽度比所述掩模的宽度小。

2、1个方式所涉及的半导体元件通过上述的半导体元件的制造方法而被制造，在半导体元件的内部，所述掩模存在于所述基板与所述第1半导体层之间。

3、1个方式所涉及的半导体装置包含通过上述的半导体元件的制造方法而被制造的半导体元件。

技术特征：

1.一种半导体元件的制造方法，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

9.一种半导体元件，通过权利要求1～8中任一项所述的半导体元件的制造方法制造，在半导体元件的内部，所述掩模存在于所述基板与所述第1半导体层之间。

10.一种半导体装置，包含通过权利要求1～8中任一项所述的半导体元件的制造方法制造的半导体元件。

技术总结
半导体元件的制造方法包含：第1工序，在基板(11)的表面(11a)上形成具有开口(22)的掩模(21)；第2工序，从由开口(22)露出的表面(11a)起，使半导体沿着掩模(21)外延生长，生长作为第1半导体层的GaN层(32)；和第3工序，生长作为第2半导体层的GaN层(33)。在位于层叠方向上与基板11相反的一侧且设置肖特基电极(41)的表面(33a)，从表面(33a)的端部到肖特基电极(41)的宽度(w2)比掩模(21)的宽度(w1)小。

技术研发人员：东克典,正木克明,藤田高吉,林雄一郎,平山知央,泽田达郎,葛西骏
受保护的技术使用者：京瓷株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14