显示基板、显示基板的制造方法及显示装置与流程

1.本技术属于显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示基板的制造方法及显示装置。


背景技术：

2.目前在显示面板领域，为了实现高响应速度、高对比度、高亮度的屏幕显示，有机发光二极管技术在显示领域得到了大幅的发展。但是随着可穿戴设备以及可穿戴显示领域的发展，以及在目前电池领域技术未得到显著突破的背景下，人们对显示设备的功耗要求越来越高。目前用于驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的低温多晶硅技术是一种主流技术趋势，低温多晶硅薄膜晶体管的功耗较低。但是由于低温多晶硅的载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。因此ltpo(low temperature polycrystalline-si oxide，低温多晶氧化物)技术应运而生。它结合了低温多晶硅和氧化物两者的优异点，形成了一种响应速度快，功耗更低的ltpo解决方案。
3.相关技术中，ltpo基板的制造过程较为复杂，且制造成本较高。因此，现有的ltpo显示面板的结构有待改进。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示基板、显示基板的制造方法及显示装置，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。
5.第一方面，本技术实施例提供一种显示基板，包括：
6.衬底，所述衬底内设置有一遮光层；
7.低温多晶硅薄膜晶体管，设置在所述衬底上，包括第一有源层，所述第一有源层上依次层叠设置有第一栅极和栅极金属层；
8.氧化物薄膜晶体管，包括第二有源层，所述第二有源层上设置有第二栅极；其中，所述栅极金属层和所述第二栅极位于同一层，所述第二有源层在所述衬底上的正投影区域位于所述遮光层在所述衬底上的正投影区域内。
9.可选的，所述第一有源层上覆盖有第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一有源层和所述第一栅极之间，所述第一栅极上覆盖有第二栅极绝缘层。
10.可选的，所述第二栅极绝缘层上设置有第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层包括第一部分和第二部分，所述第三栅极绝缘层的第一部分设置在所述第二栅极绝缘层和所述栅极金属层之间，且所述第三栅极绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影区域与所述栅极金属层在所述衬底上的正投影区域相同。
11.可选的，所述第二有源层设置在所述第二栅极绝缘层上，所述第二栅极和所述第二有源层之间设置有所述第三栅极绝缘层的所述第二部分，且所述第三栅极绝缘层的第二部分在所述衬底上的正投影区域与所述第二栅极在所述衬底上的正投影区域相同。
12.可选的，所述第三栅极绝缘层的第一部分和所述栅极金属层上覆盖有层间绝缘
层；以及所述第三栅极绝缘层的第二部分、所述第二栅极以及所述第二有源层上覆盖有所述层间绝缘层。
13.可选的，所述衬底包括依次层叠设置的第一柔性基底层、第一阻挡层、第二柔性基底层、第二阻挡层以及缓冲层，所述遮光层设置在所述第二阻挡层内。
14.可选的，所述第一有源层在所述衬底上的正投影区域与所述遮光层在所述衬底上的正投影区域错开或一部分重叠。
15.第二方面，本技术实施例提供一种显示基板的制造方法，包括：
16.提供一衬底，并在所述衬底内沉积一遮光层；
17.在所述衬底上形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一有源层；
18.在所述第一有源层上依次形成第一栅极和栅极金属层，其中，所述第一栅极上覆盖有第二栅极绝缘层；
19.在所述第二栅极绝缘层上形成氧化物薄膜晶体管的第二有源层，并在所述第二有源层上形成第二栅极；其中，所述栅极金属层和所述第二栅极位于同一层，所述第二有源层在所述衬底上的正投影区域位于所述遮光层在所述衬底上的正投影区域内。
20.可选的，所述方法还包括：
21.在所述第一有源层上形成第一栅极绝缘层，其中，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一有源层和所述第一栅极之间。
22.可选的，所述方法还包括：
23.在所述第二栅极绝缘层上依次形成第三栅极绝缘层和一层金属层；
24.对所述第三栅极绝缘层和所述金属层进行蚀刻处理，得到所述第三栅极绝缘层对应的第一部分和第二部分、以及所述金属层对应的栅极金属层和第二栅极；其中，所述第三栅极绝缘层的第一部分设置在所述第二栅极绝缘层和所述栅极金属层之间，且所述第三栅极绝缘层的第一部分在所述衬底上的正投影区域与所述栅极金属层在所述衬底上的正投影区域相同；所述第三栅极绝缘层的第二部分设置在所述第二栅极和所述第二有源层之间，且所述第三栅极绝缘层的第二部分在所述衬底上的正投影区域与所述第二栅极在所述衬底上的正投影区域相同。
25.可选的，所述方法还包括：
26.在所述第二栅极绝缘层上形成层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层覆盖所述第三栅极绝缘层的第一部分和所述栅极金属层，以及所述层间绝缘层覆盖所述第三栅极绝缘层的第二部分、所述第二栅极以及所述第二有源层。
27.第三方面，本技术实施例还提供一种显示装置，包括如上任一项所述的显示基板。
28.本技术实施例提供的显示基板包括衬底，衬底内设置有一遮光层；低温多晶硅薄膜晶体管，设置在衬底上，包括第一有源层，第一有源层上依次层叠设置有第一栅极和栅极金属层；氧化物薄膜晶体管，包括第二有源层，第二有源层上设置有第二栅极；其中，栅极金属层和第二栅极位于同一层，第二有源层在衬底上的正投影区域位于遮光层在所述衬底上的正投影区域内。本技术通过减少显示基板中制造膜层的工艺程序，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。
附图说明
29.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其有益效果显而易见。
30.图1是本技术实施例提供的相关技术中显示基板的结构示意图。
31.图2是本技术实施例提供的显示基板的结构示意图。
32.图3是本技术实施例提供的显示基板的制造方法的流程示意图。
33.图4是本技术实施例提供的显示基板的第一中间产物的结构示意图。
34.图5是本技术实施例提供的显示基板的第二中间产物的结构示意图。
35.图6是本技术实施例提供的显示基板的第三中间产物的结构示意图。
36.图7是本技术实施例提供的显示基板的第四中间产物的结构示意图。
37.图8是本技术实施例提供的显示基板的第五中间产物的结构示意图。
38.图9是本技术实施例提供的显示基板的第六中间产物的结构示意图。
39.图10是本技术实施例提供的显示基板的第七中间产物的结构示意图。
40.图11是本技术实施例提供的显示基板的第八中间产物的结构示意图。
41.图12是本技术实施例提供的显示基板的第九中间产物的结构示意图。
42.图13是本技术实施例提供的显示基板的第十中间产物的结构示意图。
43.图14是本技术实施例提供的显示基板的第十一中间产物的结构示意图。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0046]
显示基板是显示装置的主要部件，其包括衬底以及设置在衬底上的显示单元，显示单元可以包括tft(thin film transistor，薄膜晶体管)，ltps(low temperature poly-silicon，低温多晶硅)基板指的是显示单元中的薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管的显示基板，氧化物基板指的是显示单元中的薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管的显示基板。低温多晶硅有源层的迁移率较大，使得低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较大，低温多晶硅基板在低频驱动下的功耗较大，难以很好的保持静态黑画面，画面品质较差；并且，为了更好的展开灰阶，在低温多晶硅基板中，需要将驱动薄膜晶体管的沟道制造的很长，这样就难以实现低温多晶硅基板的高分辨率，分辨率指的是每英寸所设置的像素述目；此外，低温多晶硅有源层的迟滞较大，因此低温多晶硅基板容易出现画面残像的问题。而氧化物有源层迁移率较小，使得氧化物薄膜晶体管的漏电流较小，氧化物基板在低频驱动下的功耗较小，能够很好的保持静态黑画面，提升画面品质；并且，氧化物有源层的迟滞较小，氧化物基板不容易出现画面残像问题。进一步地，氧化物薄膜晶体管的均一性比低温多晶硅薄膜晶体管的均一性更好。
[0047]
通过上述描述可知，氧化物薄膜晶体管工艺能够很好的弥补低温多晶硅薄膜晶体管工艺的一些不足，但二者各有利弊，因此，将氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管结合可得到ltpo技术。但是，由于低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管工艺兼容较为困难，导致ltpo技术稳定性不足。
[0048]
相关技术中，基于ltpo技术的显示基板为ltpo基板，在ltpo基板中，每个显示单元包括低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。请参阅图1，图1是本技术实施例提供的相关技术中显示基板的结构示意图。该显示基板100包括衬底101、设置在衬底101上的低温多晶硅有源层102、覆盖在低温多晶硅有源层102上的第一栅极绝缘层103、设置在第一栅极绝缘层103上的低温多晶硅栅极104、覆盖在低温多晶硅栅极104上的第二栅极绝缘层105、设置在第二栅极绝缘层105上的栅极金属层106和遮光层107、覆盖在栅极金属层106和遮光层107上的第一层间绝缘层108、设置在第一层间绝缘层108上的氧化物有源层109、覆盖在氧化物有源层109上的第三栅极绝缘层110、设置在第三栅极绝缘层110上的氧化物栅极111以及覆盖在氧化物栅极111上的第二层间绝缘层112，其中，栅极金属层106和遮光层107处于同一层，在衬底101上设置有一防静电层113，氧化物栅极111在衬底101上的正投影区域与防静电层113在衬底上的正投影区域错开。
[0049]
图1所示的ltpo基板的制造过程至少需要沉积三层栅极绝缘层以及两层层间绝缘层，从而使得ltpo基板的制造过程较为复杂，制造成本较高。并且，上述ltpo基板的膜层较多，使得整体膜层较厚，不利于超薄显示技术的开发。
[0050]
为解决上述问题，本技术实施例提供了一种显示基板、显示基板的制造方法及显示装置。请参阅图2，图2是本技术实施例提供的显示基板的结构示意图。该显示基板200可以包括衬底20、低温多晶硅薄膜晶体管30以及氧化物薄膜晶体管40。
[0051]
其中，在衬底20内设置有一遮光层201，衬底20内可以包括依次层叠设置的第一柔性基底层202、第一阻挡层203、第二柔性基底层204、第二阻挡层205以及缓冲层206。其中，遮光层201设置在第二阻挡层205内，遮光层201为金属材料，可以是钼、铝、铜、钛等，遮光层201还可以为合金材料，其厚度在2000-8000埃，且具有一定的图形，即遮光层201不占用第二阻挡层205的全部区域，而是以一定图形的形式设置在第二阻挡层205内。
[0052]
需要说明的是，第一阻挡层203可以用于隔绝空气和水汽，以保证显示基板200的稳定性。第二阻挡层205内所设置的遮光层201除了起到遮光的作用还可以起到防静电的作用，在遮光层201起到防静电作用时，第二阻挡层205包括两层cvd子膜层，遮光层201设置在两层cvd子膜层之间。
[0053]
其中，低温多晶硅薄膜晶体管30设置在衬底20上，低温多晶硅薄膜晶体管30包括第一有源层301，第一有源层301是a-si非晶硅材料，对第一有源层301的两侧进行掺杂处理形成第一源漏极搭接区，且在第一有源层301上层叠设置有第一栅极302和栅极金属层303。在第一有源层301上覆盖有第一栅极绝缘层304，第一栅极绝缘层304的一部分设置在第一有源层301和第一栅极302之间，第一栅极绝缘层304可以为氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜等，其厚度为1000-3000埃，氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜制得的器件特性更佳，且氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜与多晶硅的应力匹配性更好。第一栅极302为金属材料，可以是钼、铝、铜、钛等，其厚度为2000-8000埃。栅极金属层303可以用于形成显示基板200上的像素电路中的存储电
容的其中一个极板，存储电容的另一个极板可由第一栅极302构成。
[0054]
在第一栅极302上覆盖有第二栅极绝缘层305，第二栅极绝缘层305可以和第一栅极绝缘层304的材料相同，如氧硅化物层、氮硅化物层或多层结构薄膜等，其厚度为1000-3000埃。在第二栅极绝缘层305上设置有第三栅极绝缘层306，第三栅极绝缘层306可以为氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜等，其厚度为1000-3000埃，第三栅极绝缘层306包括第一部分和第二部分，第三栅极绝缘层306的第一部分设置在第二栅极绝缘层305和栅极金属层303之间，且第三栅极绝缘层306的第一部分在衬底20上的正投影区域与栅极金属层303在衬底20上的正投影区域相同，即只有在栅极金属层303的膜层下方才存在第三栅极绝缘层306的第一部分。其中，栅极金属层303为金属材料，可以为钼、铝、铜、钛等，也可以为合金，其厚度为2000-8000埃。
[0055]
氧化物薄膜晶体管40包括第二有源层401，第二有源层401可以为半导体材料制程的半导体层，可以是igzo、izto或igzto等材料，其厚度为100-1000埃，对第二有源层401中半导体材料进行导体化处理，使得在第二有源层401的两侧形成有第二源漏极搭接区。第二有源层401上设置有第二栅极402，第二栅极402为金属材料，可以为钼、铝、铜、钛等也可以为合金，其厚度为2000-8000埃，第二栅极402与低温多晶硅薄膜晶体管30中的栅极金属层303位于同一层，即第二栅极402和栅极金属层303是采用一次制造工艺制成的。
[0056]
其中，在第二栅极402和第二有源层401之间设置有第三栅极绝缘层306中的第二部分，第三栅极绝缘层306的第一部分和第二部分是采用一次制造工艺制成的，第三栅极绝缘层306的第二部分在衬底20上的正投影区域与第二栅极402在衬底20上的正投影区域相同，即只有在第二栅极402的膜层下方才存在第三栅极绝缘层306的第二部分。
[0057]
另外，在第三栅极绝缘层306的第一部分和栅极金属层303上覆盖有层间绝缘层307，以及第三栅极绝缘层306的第二部分、第二栅极402以及第二有源层401上覆盖有该层间绝缘层307。该层间绝缘层307可以为氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或有机材料等，其厚度为2000-10000埃。
[0058]
需要说明的是，第二有源层402在衬底20上的正投影区域位于遮光层201在衬底20上的正投影区域内，即遮光层201一物多用，在对显示基板200起到防静电作用的同时，还可以对氧化物薄膜晶体管40起到遮光的作用。由图1所示，相关技术中对氧化物薄膜晶体管起到遮光作用的遮光层是在氧化物有源层109的下方设置遮光层107，该遮光层107是与栅极金属层106在一次工艺中制成的，而本技术实施例中由于在衬底20内设置了遮光层201，因此，在制备显示基板200时无需考虑氧化物薄膜晶体管40的遮光问题，即在制备栅极金属层303时无需在第二有源层401的下方增加制备遮光层的工艺，从而使得在制备栅极绝缘层303的工艺中将原本制备遮光层的位置用来制备氧化物薄膜晶体管40的第二栅极402，进而减少了一次金属膜层的制备工艺，简化了显示基板200的制造过程，降低了显示基板200的制造成本。
[0059]
在一种实施例中，氧化物薄膜晶体管40可为双删结构，除了包括第二栅极402外，还可以包括第三栅极。具体地，第三栅极可设置于衬底20内的缓冲层206与第二阻挡层205之间，第三栅极构成氧化物薄膜晶体管40的底栅部分。
[0060]
另外，在相关技术中采用了两层层间绝缘层分别覆盖在两层金属膜层上，即第一层间绝缘层108覆盖在遮光层107上，以及第二层间绝缘层112覆盖在氧化物栅极111上，而
本技术由于将遮光层201设置在衬底20上，因此可以无需通过层间绝缘层对遮光层进行覆盖，仅通过一层层间绝缘层将第二栅极402覆盖即可，并且将第二栅极402覆盖的同时将栅极金属层303覆盖，即层间绝缘层307覆盖在栅极金属层303和第二栅极402上，相比于相关技术中可以减少一层层间绝缘层的制备，减少显示基板200的整体膜层的厚度，有利于超薄显示技术的开发。
[0061]
在形成层间绝缘层307之后，可以在源漏极搭接区的对应位置通过开设过孔形成源漏极搭接孔，其中，低温多晶硅薄膜晶体管30中的第一有源层301上设置有第一源漏极搭接区，在第一源漏极搭接区上形成第一源漏极搭接孔；氧化物薄膜晶体管40中的第二有源层401上设置有第二源漏极搭接区，在第二源漏极搭接区上形成第二源漏极搭接孔；在遮光层201上设置有第三源漏极搭接区，在第三源漏极搭接区上形成第三源漏极搭接孔。
[0062]
通过沉积源漏极金属层定义出源漏电极图形，该源漏极金属层可以包括第一源漏极金属层51、第二源漏极金属层52和第三源漏极金属层53。其中，第一源漏极金属层51、第二源漏极金属层52和第三源漏极金属层53均设置在层间绝缘层307上，第一源漏极金属层51通过设置于第一源漏极搭接孔的第一走线实现与第一源漏极搭接区的连接；第二源漏极金属层52通过设置于第二源漏极搭接孔的第二走线实现与第二源漏极搭接区的连接；第三源漏极金属层53通过设置于第三源漏极搭接孔的第三走线实现与第三源漏极搭接区的连接。其中，第一源漏极金属层51、第二源漏极金属层52和第三源漏极金属层53可通过同一光罩工艺形成，从而减少光罩制程。
[0063]
其中，第一源漏极金属层中的源极和漏极以及第一栅极302分别构成低温多晶硅薄膜晶体管30的源极、漏极以及栅极；第二源漏极金属层中的源极和漏极以及第二栅极402分别构成氧化物薄膜晶体管40的源极、漏极以及栅极。
[0064]
在第一漏极金属层、第二源漏极金属层和第三源漏极金属层覆盖有钝化层50，从而完成对显示基板200的制造。其中，显示基板200可为柔性显示基板也可为刚性显示基板，显示基板200可应用于可穿戴设备，如智能手环、智能手表、vr(virtual reality，即虚拟现实)等设备，还可应用于电子书、电子报纸、电视机、便携式电脑，以及可折叠、可卷曲等oled柔性显示及照明等。
[0065]
由上可知，本实施例中提供的显示基板200显示基板包括衬底，衬底内设置有一遮光层；低温多晶硅薄膜晶体管，设置在衬底上，包括第一有源层，第一有源层上依次层叠设置有第一栅极和栅极金属层；氧化物薄膜晶体管，包括第二有源层，第二有源层上设置有第二栅极；其中，栅极金属层和第二栅极位于同一层，第二有源层在衬底上的正投影区域位于遮光层在所述衬底上的正投影区域内。通过减少显示基板中制造膜层的工艺程序，简化了显示基板的制造过程，降低了显示基板的制造成本。
[0066]
本技术实施例还提供一种显示基板的制造方法，请参阅图3，图3是本技术实施例提供的显示基板的制造方法的流程示意图。该显示基板的制造方法可以包括以下步骤：
[0067]
501、提供一衬底，并在衬底内沉积一遮光层。
[0068]
请参阅图4，图4是本技术实施例提供的显示基板中第一中间产物的结构示意图。显示基板200提供一衬底20，衬底20内可以包括依次层叠设置的第一柔性基底层202、第一阻挡层203、第二柔性基底层204、第二阻挡层205以及缓冲层206。其中，在衬底20内沉积一层遮光层201，遮光层201设置在第二阻挡层205内，遮光层201为金属材料，可以是钼、铝、
铜、钛等，遮光层201还可以为合金材料，其厚度在2000-8000埃，且具有一定的图形，即遮光层201不占用第二阻挡层205的全部区域，而是以一定图形的形式设置在第二阻挡层205内。
[0069]
需要说明的是，第一阻挡层203可以用于隔绝空气和水汽，以保证显示基板200的稳定性。第二阻挡层205内所设置的遮光层201除了起到遮光的作用还可以起到防静电的作用，在遮光层201起到防静电作用时，第二阻挡层205包括两层cvd子膜层，遮光层201设置在两层cvd子膜层之间。
[0070]
502、在衬底上形成低温多晶硅薄膜晶体管的第一有源层。
[0071]
请参阅图5，图5是本技术实施例提供的显示基板的第二中间产物的结构示意图。在衬底20上沉积一层a-si非晶硅材料，对该a-si非晶硅材料进行图形化处理形成多晶硅薄膜晶体管30的第一有源层301。
[0072]
请参阅图6，图6是本技术实施例提供的显示基板的第三中间产物的结构示意图。在第一有源层301上沉积一层第一栅极绝缘层304，该第一栅极绝缘层304覆盖第一有源层301，第一栅极绝缘层304可以为氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜等，其厚度为1000-3000埃。
[0073]
在第一栅极绝缘层304上沉积一层金属层，该金属层的材料可以是钼、铝、铜、钛等，其厚度为2000-8000埃。
[0074]
503、在第一有源层上依次形成第一栅极和栅极金属层，其中，第一栅极上覆盖有第二栅极绝缘层。
[0075]
请参阅图7，图7是本技术实施例提供的显示基板的第四中间产物的结构示意图。将图6中的金属层进行图形化处理形成第一栅极302，并对第一有源层301的两侧进行掺杂处理形成第一源漏极搭接区。其中，在第一有源层301上形成第一栅极绝缘层304，第一栅极绝缘层304的一部分设置在第一有源层301和第一栅极302之间。
[0076]
请参阅图8，图8是本技术实施例提供的显示基板的第五中间产物的结构示意图。在第一栅极302上沉积一层氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜形成第二栅极绝缘层305，该第二栅极绝缘层305覆盖在第一栅极302上，其可以与第一栅极绝缘层304的材料相同，其厚度为1000-3000埃。
[0077]
504、在第二栅极绝缘层上形成氧化物薄膜晶体管的第二有源层，并在第二有源层上形成第二栅极。
[0078]
请参阅图9，图9是本技术实施例提供的显示基板的第六中间产物的结构示意图。在第二栅极绝缘层305上沉积一层金属氧化物半导体材料作为半导体层，对该半导体层进行图形化处理形成第二有源层401，该半导体层可以为igzo、izto或igzto等材料，其厚度为100-1000埃。
[0079]
请参阅图10，图10是本技术实施例提供的显示基板的第七中间产物的结构示意图。在第二有源层305上沉积一层氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或多层结构薄膜形成第三栅极绝缘层306，该第三栅极绝缘层306覆盖在第二有源层305上。其材质可以与第一栅极绝缘层304以及第二栅极绝缘层305相同，厚度为1000-3000埃。
[0080]
在第三栅极绝缘层306上沉积一层金属层，该金属层的材料可以为钼、铝、铜、钛等，也可以为合金，其厚度为2000-8000埃。即在第二栅极绝缘层305上依次形成第三栅极绝缘层306和一层金属层。
[0081]
请参阅图11，图11是本技术实施例提供的显示基板的第八中间产物的结构示意图。对第三栅极绝缘层306和金属层进行蚀刻处理，得到第三栅极绝缘层306对应的第一部分和第二部分、以及金属层对应的栅极金属层303和第二栅极402；其中，第三栅极绝缘层306的第一部分设置在第二栅极绝缘层305和栅极金属层303之间，且第三栅极绝缘层306的第一部分在衬底20上的正投影区域与栅极金属层303在衬底20上的正投影区域相同；第三栅极绝缘层306的第二部分设置在第二栅极402和第二有源层401之间，且第三栅极绝缘层306的第二部分在衬底20上的正投影区域与第二栅极402在衬底20上的正投影区域相同。
[0082]
栅极极金属层303可以用于形成显示基板200上的像素电路中的存储电容的其中一个极板，存储电容的另一个极板可由第一栅极302构成。对第二有源层401中半导体材料进行导体化处理，使得在第二有源层401的两侧形成有第二源漏极搭接区。
[0083]
具体地，通过蚀刻工艺对图10中的金属层进行蚀刻从而形成栅极金属层303，并通过自对准工艺对第三栅极绝缘层306进行蚀刻形成第三栅极绝缘层306的第一部分，使得第三栅极绝缘层306的第一部分在衬底20上的正投影区域与栅极金属层303在衬底20上的正投影区域相同。
[0084]
通过蚀刻工艺对图10中的金属层进行蚀刻从而形成第二栅极402，并通过自对准工艺对第三栅极绝缘层306进行蚀刻形成第三栅极绝缘层306的第二部分，使得第三栅极绝缘层306的第二部分在衬底20上的正投影区域与第二栅极402在衬底20上的正投影区域相同。
[0085]
可以理解的是，栅极金属层303和第二栅极402位于同一层，且第二有源层401在衬底20上的正投影区域位于遮光层201在衬底20上的正投影区域内。栅极金属层303和第二栅极402是通过对同一层金属层进行蚀刻工艺所得到的，即第二栅极402和栅极金属层303是采用一次制造工艺制成的。第三栅极绝缘层306的第一部分和第二部分是通过对第三栅极绝缘层306进行蚀刻工艺所得到的，即第三栅极绝缘层306的第一部分和第二部分是采用一次制造工艺制成的。
[0086]
需要说明的是，第二有源层402在衬底20上的正投影区域位于遮光层201在衬底20上的正投影区域内，即遮光层201一物多用，在对显示基板200起到防静电作用的同时，还可以对氧化物薄膜晶体管40起到遮光的作用。由图1所示，相关技术中对氧化物薄膜晶体管起到遮光作用的遮光层是在氧化物有源层109的下方设置遮光层107，该遮光层107是与栅极金属层106在一次工艺中制成的，而本技术实施例中由于在衬底20内设置了遮光层201，因此，在制备显示基板200时无需考虑氧化物薄膜晶体管40的遮光问题，即在制备栅极金属层303时无需在第二有源层401的下方增加制备遮光层的工艺，从而使得在制备栅极绝缘层303的工艺中将原本制备遮光层的位置用来制备氧化物薄膜晶体管40的第二栅极402，进而减少了一次金属膜层的制备工艺，简化了显示基板200的制造过程，降低了显示基板200的制造成本。
[0087]
另外，在相关技术中采用了两层层间绝缘层分别覆盖在两层金属膜层上，即第一层间绝缘层108覆盖在遮光层107上，以及第二层间绝缘层112覆盖在氧化物栅极111上，而本技术由于将遮光层201设置在衬底20上，因此可以无需通过层间绝缘层对遮光层进行覆盖，仅通过一层层间绝缘层将第二栅极402覆盖即可，并且将第二栅极402覆盖的同时将栅极金属层303覆盖，即层间绝缘层307覆盖在栅极金属层303和第二栅极402上，相比于相关
技术中可以减少一层层间绝缘层的制备，减少显示基板200的整体膜层的厚度，有利于超薄显示技术的开发。
[0088]
请参阅图12，图12是本技术实施例提供的显示基板的第九中间产物的结构示意图。在第二栅极绝缘层305上沉积一层氧硅化物(siox)层、氮硅化物(sinx)层或有机材料等形成层间绝缘层307，其中，层间绝缘层307覆盖第三栅极绝缘层306的第一部分和栅极金属层303，以及层间绝缘层307覆盖第三栅极绝缘层306的第二部分、第二栅极402以及第二有源层401，层间绝缘层307的厚度为2000-10000埃。
[0089]
请参阅图13，图13是本技术实施例提供的显示基板的第十中间产物的结构示意图。在形成层间绝缘层307之后，可以在源漏极搭接区的对应位置通过开设过孔形成源漏极搭接孔，其中，低温多晶硅薄膜晶体管30中的第一有源层301上设置有第一源漏极搭接区，在第一源漏极搭接区上形成第一源漏极搭接孔；氧化物薄膜晶体管40中的第二有源层401上设置有第二源漏极搭接区，在第二源漏极搭接区上形成第二源漏极搭接孔；在遮光层201上设置有第三源漏极搭接区，在第三源漏极搭接区上形成第三源漏极搭接孔。
[0090]
请参阅图14，图14是本技术实施例提供的显示基板的第十一中间产物的结构示意图。通过沉积源漏极金属层定义出源漏电极图形，该源漏极金属层可以包括第一源漏极金属层51、第二源漏极金属层52和第三源漏极金属层53。其中，第一源漏极金属层51、第二源漏极金属层52和第三源漏极金属层53均设置在层间绝缘层307上，第一源漏极金属层51通过设置于第一源漏极搭接孔的第一走线实现与第一源漏极搭接区的连接；第二源漏极金属层52通过设置于第二源漏极搭接孔的第二走线实现与第二源漏极搭接区的连接；第三源漏极金属层53通过设置于第三源漏极搭接孔的第三走线实现与第三源漏极搭接区的连接。其中，第一源漏极金属层51、第二源漏极金属层52和第三源漏极金属层53可通过同一光罩工艺形成，从而减少光罩制程。
[0091]
其中，第一源漏极金属层中的源极和漏极以及第一栅极302分别构成低温多晶硅薄膜晶体管30的源极、漏极以及栅极；第二源漏极金属层中的源极和漏极以及第二栅极402分别构成氧化物薄膜晶体管40的源极、漏极以及栅极。
[0092]
在第一漏极金属层、第二源漏极金属层和第三源漏极金属层沉积一层钝化层50，从而完成对显示基板200的制造，即图2所示的显示基板200。其中，显示基板200可为柔性显示基板也可为刚性显示基板，显示基板200可应用于可穿戴设备，如智能手环、智能手表、vr(virtual reality，即虚拟现实)等设备，还可应用于电子书、电子报纸、电视机、便携式电脑，以及可折叠、可卷曲等oled柔性显示及照明等。
[0093]
本技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置可包括上述实施例提供的显示基板。该显示装置可以为全面屏显示装置，例如，该显示装置可以为手表、手环等可穿戴设备，或者，该显示装置可以为手机或平板电脑等电子设备，或者，该显示装置可以为电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等具有显示功能的产品或部件等。
[0094]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，程序可以存储于一种计算机可读的存储介质中，该存储介质可以是只读存储器、磁盘或光盘等。
[0095]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0096]
以上对本技术实施例所提供的显示基板、显示基板的制造方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。