中压晶体管及其制作方法与流程

本发明涉及一种具有两个浅掺杂区围绕源极/漏极掺杂区的中压晶体管及其制作方法。

背景技术：

1、半导体装置用于多种电子应用如个人电脑、手机、数字相机、与其他电子设备中。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用光刻图案化多种材料层，以形成电路元件于半导体基板上。

2、随着半导体元件的集成度提升可将更多元件整合至给定面积。然而随着最小结构尺寸缩小，每一制作工艺中也产生需解决的额外问题。例如在进行移除介电层时，会使得栅极介电层被蚀刻造成后续完成的晶体管产生漏电流。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明提供一种新的晶体管结构和制作工艺，以有效避免漏电流的问题。

2、根据本发明的一优选实施例，一种中压晶体管包含一基底，一栅极设置在基底上，一栅极介电层设置在基底和栅极之间，一第一浅掺杂区埋入于基底并且延伸至栅极的下方，一第二浅掺杂区埋入于第一浅掺杂区内，第一浅掺杂区围绕第二浅掺杂区，其中第二浅掺杂区具有一第一边缘，一源极/漏极掺杂区埋入于第二浅掺杂区内，第二浅掺杂区围绕源极/漏极掺杂区，其中源极/漏极掺杂区具有一第二边缘，一金属硅化物层覆盖并接触源极/漏极掺杂区，其中金属硅化物层具有一末端，末端位于第一边缘和第二边缘之间。

3、根据本发明的另一优选实施例，一种中压晶体管的制作方法包含提供一基底，基底上定义有一栅极预定区，接着形成一掩模层仅覆盖部分的栅极预定区，然后进行一第一离子注入制作工艺，在掩模层的两侧的基底中注入掺质以形成两个第一浅掺杂区，之后移除掩模层后，形成一栅极，其中栅极完全重叠栅极预定区，接续形成两个第二浅掺杂区各自位于其中之一个第一浅掺杂区内，再形成两个源极/漏极掺杂区各自位于其中之一个第二浅掺杂区内，最后形成两个金属硅化物层各自覆盖并接触其中之一个源极/漏极掺杂区。

4、为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

技术特征：

1.一种中压晶体管，包含：

2.如权利要求1所述的中压晶体管，还包含：

3.如权利要求1所述的中压晶体管，其中该金属硅化物的末端接触该栅极介电层。

4.如权利要求1所述的中压晶体管，其中第一方向定义为垂直于该基底的上表面，该第一边缘和该第二边缘都和该第一方向平行。

5.如权利要求1所述的中压晶体管，其中第一方向定义为垂直于该基底的上表面，第二方向定义于平行该基底的上表面，该栅极具有第三边缘和该第一方向平行，该第一浅掺杂区具有第四边缘和该第一方向平行，沿着该第二方向，该第三边缘和该第四边缘之间的距离小于该栅极的宽度的二分之一。

6.如权利要求1所述的中压晶体管，其中该栅极介电层的厚度介于100埃至250埃之间。

7.如权利要求1所述的中压晶体管，其中该中压晶体管的操作电压介于1.8至9伏特之间。

8.如权利要求1所述的中压晶体管，其中该第一浅掺杂区具有第一掺质浓度，该第二浅掺杂区具有第二掺质浓度，该源极/漏极掺杂区具有第三掺质浓度，该第三掺质浓度大于该第二掺质浓度，该第二掺质浓度大于该第一掺质浓度。

9.如权利要求8所述的中压晶体管，其中该第一掺质浓度介于1e17至5e18cm-3之间，该第二掺质浓度介于5e18至9e18cm-3之间，该第三掺质浓度介于5e18至9e20cm-3之间。

10.一种中压晶体管的制作方法，包含：

11.如权利要求10所述的中压晶体管的制作方法，还包含：

12.如权利要求10所述的中压晶体管的制作方法，其中各该第二浅掺杂区各自具有第一边缘，各该源极/漏极掺杂区各自具有第二边缘，各该金属硅化物层具有末端，该末端位于该第一边缘和该第二边缘之间。

13.如权利要求12所述的中压晶体管的制作方法，其中第一方向定义为垂直于该基底的上表面，该第一边缘和该第二边缘都和该第一方向平行。

14.如权利要求10所述的中压晶体管的制作方法，其中该栅极介电层的厚度介于100埃至250埃之间。

15.如权利要求10所述的中压晶体管的制作方法，其中该第一浅掺杂区具有第一掺质浓度，该第二浅掺杂区具有第二掺质浓度，该源极/漏极掺杂区具有第三掺质浓度，该第三掺质浓度大于该第二掺质浓度，该第二掺质浓度大于该第一掺质浓度。

16.如权利要求10所述的中压晶体管的制作方法，其中该第一掺质浓度介于1e17至5e18cm-3之间，该第二掺质浓度介于5e18至9e18cm-3之间，该第三掺质浓度介于5e18至9e20cm-3之间。

技术总结
本发明公开一种中压电晶体晶体管及其制作方法，其中该中压晶体管的制作方法包含提供一基底，基底上定义有一栅极预定区，接着形成一掩模层仅覆盖部分的栅极预定区，然后进行一第一离子注入制作工艺，在掩模层的两侧的基底中注入掺质以形成两个第一浅掺杂区，之后移除掩模层后，形成一栅极，其中栅极重叠全部的栅极预定区，接续形成两个第二浅掺杂区各自位于其中之一个第一浅掺杂区内，再形成两个源极/漏极掺杂区各自位于其中之一个第二浅掺杂区内，最后形成两个金属硅化物层各自覆盖并接触其中之一个源极/漏极掺杂区。

技术研发人员：张维轩,颜浩评,蔡明桦,郭晋佳
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14