技术特征：
1.一种动态随机存取内存的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层与所述衬底中形成开口；在所述开口的侧壁形成介电层；在所述开口中形成第一阻障层与第一导体层；进行第一干式刻蚀工艺，以第一阶段部分地移除所述第一阻障层与所述第一导体层；进行第一湿式刻蚀工艺，以第二阶段部分地移除所述第一阻障层与所述第一导体层，并裸露出所述开口的上侧壁的所述介电层；在所述开口中形成第二阻障层；在所述开口中形成掩膜层，以覆盖所述第二阻障层；移除部分所述第二阻障层与所述掩膜层，以裸露出在所述开口的所述上侧壁的所述介电层；以及在所述开口中形成第二导体层。2.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：移除部分所述第二阻障层与部分所述掩膜层更包括：进行第二干刻蚀工艺，以第一阶段部分地移除所述第二阻障层；移除所述掩膜层；进行第二湿式刻蚀工艺，以第二阶段部分地所述第二阻障层，裸露出所述开口的上侧壁的所述介电层。3.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：执行所述第一湿式刻蚀工艺后，留下的第一阻障层与留下的第一导体层位在所述开口的下侧壁与底部，其中所述留下的第一导体层的深度为所述开口的深度的1/4至1/3。4.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：所述第一湿式刻蚀工艺所采用的刻蚀剂的温度在60℃以下。5.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：所述第一湿式刻蚀工艺所采用的刻蚀剂包括硫酸与过氧化氢的水溶液。6.根据权利要求2所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：所述第二湿式刻蚀工艺所采用的刻蚀剂的温度在60℃以下。7.根据权利要求2所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：所述第二湿式刻蚀工艺所采用的刻蚀剂包括硫酸与过氧化氢的水溶液。8.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：所述第一干刻蚀工艺包括反应性离子刻蚀工艺，所述第二干刻蚀工艺包括反应性离子刻蚀工艺。9.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：还包括在所述开口中填入绝缘层，以覆盖所述第二导体层。10.根据权利要求1所述的动态随机存取内存的制造方法，其特征在于：所述第二导体层的厚度是10nm至20nm。
技术总结
本发明提供一种动态随机存取内存的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；在硬掩膜层与衬底中形成开口；在开口的侧壁形成介电层；在开口中形成第一阻障层与第一导体层；进行第一干式刻蚀工艺，以第一阶段部分地移除第一阻障层与第一导体层；进行第一湿式刻蚀工艺，以第二阶段部分地移除第一阻障层与第一导体层，并裸露出开口的上侧壁的介电层；在开口中形成第二阻障层；在开口中形成掩膜层，以覆盖第二阻障层；移除部分第二阻障层与部分掩膜层，以裸露出在开口的上侧壁上的介电层；及在开口中形成第二导体层。形成第二导体层。形成第二导体层。
技术研发人员：黒田聡 王芯雅 蔡昌翰 蔡明庭
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2022.02.17
技术公布日：2022/11/10