发光装置、电子设备和用于其的化合物的制作方法

发光装置、电子设备和用于其的化合物
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年3月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0031752号的优先权和权益，其全部内容通过引用由此并入。
技术领域
3.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置。


背景技术：

4.有机发光装置(oled)是自发射装置，与本领域的装置相比，其具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面具有优异或适当的特性。
5.示例oled可以包括基板上的第一电极，以及顺序堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)可以在发射层中复合以产生激子。这些激子可以从激发态跃迁到基态从而产生光。


技术实现要素：

6.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及包括新型主体组合的发光装置和新型主体化合物。
7.另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而认识到。
8.本公开的一个或多个实施方式提供了：
9.发光装置，其包括第一电极，
10.面向第一电极的第二电极，以及
11.第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，
12.其中发射层可以包括由式1表示的化合物和由式2表示的化合物：
13.式1
14.15.在式1中，
16.r1、r2和ar'可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
单价非芳族稠合多环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，
17.l1可以选自单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
亚芳基和未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚杂芳基，
18.r1、r2、ar'和l1可各自不是咪唑部分或不包括咪唑部分，
19.两个相邻的r1和r2取代基可任选地彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
20.m可为选自1至3的整数，并且
21.1a1和1a2可各自独立地为选自1至4的整数。
22.式2
[0023][0024]
在式2中，
[0025]
ar1至ar6可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
单价非芳族稠合多环基
团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，
[0026]
ar1至ar6中两个相邻取代基可任选地彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0027]
l2和l3可各自独立地选自单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
亚芳基和未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚杂芳基，
[0028]
n1和n2可各自独立地为选自1至3的整数，
[0029]
2a2可为选自1至4的整数，
[0030]
2a3可为选自1至3的整数，并且
[0031]r10a
可为：
[0032]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，
[0033]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合，
[0034]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合，或
[0035]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0036]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0037]
本公开的一个或多个实施方式提供了包括该发光装置的电子设备。
[0038]
根据一个或多个实施方式，提供了由式2表示的化合物。
附图说明
[0039]
本公开的某些实施方式的上述和其他方面和特征将从以下结合所附附图的描述中更加显而易见，其中：
[0040]
图1为根据实施方式的发光装置的示意图；
[0041]
图2为根据实施方式的发光设备的示意性截面图；并且
[0042]
图3为根据实施方式的另一发光设备的示意性截面图。
具体实施方式
[0043]
现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通
篇指相同的元件，并且可以不提供对其的重复描述。就此而言，本实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面通过参考附图仅描述实施方式以解释本描述的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。在通篇公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者(例如同时)、a和c二者、b和c二者、所有的a、b和c，或其变体。比如
“……
中的至少一个”、
“……
中的一个”和“选自”的表述在要素列表之前/后时，修饰要素的整个列表，而不修饰列表的单个要素。
[0044]
除非上下文另外清楚地指示，否则如本文使用的，比如“一个(a)”、“一个(an)”和“所述”的单数形式旨在也包括复数形式。此外，当描述本公开的实施方式时“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。
[0045]
如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。将进一步理解，术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、步骤、操作、要素和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、要素、组件和/或其组的存在或添加。
[0046]
近来，随着显示设备变得更大，对占据更少空间的平面显示装置的需求不断增加。作为这些平面显示装置之一，有机发光装置的技术正在迅速发展。
[0047]
有机发光装置是这样的装置，当电子和空穴分别从电子注入电极(阴极)和空穴注入电极(阳极)注入到它们之间的发射层中时，在那里它们结合并熄灭从而发射光。
[0048]
有机发光装置可以形成在柔性透明基板(比如，例如，塑料基板)上。此外，有机发光装置可以在低电压(小于10伏(v))下驱动和/或可以具有相对低的功耗和/或丰富的色彩。
[0049]
有机发光装置可包括形成在基板上的作为阳极的第一电极，与第一电极间隔开并面向第一电极的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的发射层。为了改善发光效率，在一些实施方式中，发射层可以进一步包括可以顺序堆叠在第一电极上(例如，在第一电极和第二电极之间)的空穴注入层、空穴传输层、发射材料层(例如，作为发射层)、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0050]
空穴可以通过空穴注入层和空穴传输层从阳极(第一电极)转移到发射层，并且电子可以通过电子注入层和电子传输层从阴极(第二电极)转移到发射层。
[0051]
转移到发射层的空穴和电子可以结合以形成激子，这些激子可以被激发到不稳定的能态(例如激发态)并返回到稳定的能态(例如基态)，从而发射光。
[0052]
用于发射层中的发光材料的外部量子效率(η
ext
)可由下式获得：
[0053]
η
ext
＝η
int
×
г
×
φ
×
η
out-coupling
[0054]
(η
int
：内部量子效率，г：电荷平衡系数，φ：辐射量子效率，η
out-coupling
：外耦合效率)。
[0055]
术语“电荷平衡系数”(г)指用于形成激子的空穴和电子之间的平衡。通常，在100百分比(％)的1:1匹配(例如，所有空穴和电子都匹配并用于形成激子)的情况下，г的值可为1。术语“辐射量子效率”(φ)为量化大量发光材料参与发光效率的值。φ可取决于主体-掺杂剂体系中掺杂剂的荧光量子效率。
[0056]
术语“内部量子效率”(η
int
)指所生成的激子向光的转化的速率。荧光材料的η
int
可以具有0.25的最大值。当通过结合空穴和电子形成激子时，可以根据自旋的排列(例如，电子自旋对的统计形成)以1:3的比率产生单重态激子和三重态激子。然而，在荧光材料中，只有单重态激子可参与光发射，而其余75％的三重态激子可不参与光发射。
[0057]
术语“外耦合效率”(η
out-coupling
)指发射光相对于整体或全部发射光被提取到外部的比率。通常，当通过热沉积各向同性分子形成薄膜时，单个发光分子可能不具有特定取向并且可能处于随机状态。在这种随机取向状态下，外耦合效率可以是0.2。
[0058]
因此，利用荧光材料的有机发光装置的最大发光效率可以是约5％或更小。为了克服荧光材料的这种低效率问题，正在开发具有将单重态激子和三重态激子都转化为光的发光机制的磷光材料。在红色和绿色发射光的情况下，已经开发出具有高发光效率的磷光材料。但在蓝色发射光的情况下，满足所需发光效率和可靠性的磷光材料尚未得到适当开发。因此，需要开发能够通过可靠地改善荧光材料中的量子效率来增加发光效率的材料。
[0059]
根据实施方式，发光装置可包括：
[0060]
第一电极；
[0061]
面向第一电极的第二电极；以及
[0062]
第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，
[0063]
其中发射层可包括：
[0064]
由式1表示的化合物；和
[0065]
由式2表示的化合物：
[0066]
式1
[0067][0068]
其中，在式1中，
[0069]
r1、r2和ar'可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
单价非芳族稠合多环基
团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，
[0070]
l1可选自单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
亚芳基和未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚杂芳基，
[0071]
r1、r2、ar'和l1可不包括咪唑部分，
[0072]
两个相邻的r1和r2取代基可任选地彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0073]
m可为选自1至3的整数，并且
[0074]
1a1和1a2可各自独立地为选自1至4的整数：
[0075]
式2
[0076][0077]
其中，在式2中，
[0078]
ar1至ar6可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
单价非芳族稠合多环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和p(＝s)(q1)(q2)，
[0079]
ar1至ar6中两个相邻取代基可任选地彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0080]
l2和l3可各自独立地选自单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
亚芳基和未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
亚杂芳基，
[0081]
n1和n2可各自独立地为选自1至3的整数，
[0082]
2a2可为选自1至4的整数，
[0083]
2a3可为选自1至3的整数，并且
[0084]r10a
可为：
[0085]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0086]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合；
[0087]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或
[0088]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0089]
其中q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0090]
在式1中，当m为2或更大时，至少两个l1可彼此相同或不同。当1a1为2或更大时，至少两个r1可彼此相同或不同。当1a2为2或更大时，至少两个r2可彼此相同或不同。
[0091]
在式2中，当n1为2或更大时，至少两个l2可彼此相同或不同。当n2为2或更大时，至少两个l3可彼此相同或不同。当2a2为2或更大时，至少两个ar2可彼此相同或不同。当2a3为2或更大时，至少两个ar3可彼此相同或不同。
[0092]
在一些实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括第一电极和发射层之间的空穴传输区，该空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0093]
在一些实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括第二电极和发射层之间的电子传输区，该电子传输区可包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0094]
在一些实施方式中，发射层可包括具有空穴传输能力的第一主体和具有电子传输能力的第二主体。
[0095]
例如，第一主体可为由式1表示的化合物，并且第二主体可为由式2表示的化合物。
[0096]
由式1表示的化合物可为通过包含咔唑基作为核而具有空穴传输能力的化合物。由式2表示的化合物可为通过包含连接到咔唑基的咪唑基作为核而具有电子传输能力的化合物。
[0097]
由于由式1表示的第一主体化合物具有空穴传输能力，且由式2表示的第二主体化合物具有电子传输能力，因此可以改善或优化根据一个或多个实施方式的发光装置的发射层中的电荷平衡。
[0098]
通过在根据一个或多个实施方式的发光装置的发射层中使用具有空穴传输能力
的由式1表示的第一主体化合物和具有电子传输能力的由式2表示的第二主体化合物，可以均(例如，同时)获得效率和/或寿命。
[0099]
在一些实施方式中，第一主体与第二主体的重量比可在约1:9至约9:1的范围内。在一些实施方式中，第一主体与第二主体的重量比可在约3:7至约7:3的范围内。在一些实施方式中，第一主体与第二主体的重量比可在约3:7至约5:5的范围内。当第一主体与第二主体的重量比在这些范围中的任一个内时，可以改善或优化发射层中的电荷平衡。
[0100]
在一些实施方式中，式1中的l1可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
亚芳基，并且r1和r2可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基。
[0101]
例如，式1中的l1可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的亚苯基，并且r1和r2可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的咔唑基。
[0102]
在一些实施方式中，式2中的l2和l3可各自独立地为单键或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的亚苯基，并且ar5和ar6可彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。例如，ar5和ar6可彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的苯基。
[0103]
在一些实施方式中，式2中的ar2和ar3可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基，并且ar1和ar4可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基。
[0104]
根据一个或多个实施方式，可如上所述提供由式2表示的化合物。
[0105]
在实施方式中，由式2表示的化合物可由式3表示：
[0106]
式3
[0107][0108]
其中，在式3中，
[0109]
ar1至ar4、l2、l3、n1、n2、2a2和2a3可各自独立地与参照式2所描述的相同，ar7可以与参照式2中的ar1所描述的相同，且2a7可为选自1至4的整数。
[0110]
当2a7为2或更大的整数时，至少两个ar7可彼此相同或不同。
[0111]
在一些实施方式中，式1中的ar'和式2中的ar1至ar6可各自独立地为或包括氰基、部分1至部分24或其组合：
[0112][0113]
其中，部分1至部分24中的每一个的取代位置可以是任何适当的氢位置(例如，氢可以被连接位置或键替代的任何位置)。例如，部分1至部分24中的每一个可以通过部分1至部分24中的每一个的任何适当的氢位置处的化学键与式1或式2的结构结合。
[0114]
ar'和ar1至ar6可各自独立地包括部分1至部分24或其组合的表述指示部分1至部分24中的每一个可通过化学键在部分1至部分24中的每一个的任何适当的氢位置处与式1
或式2的结构结合，并且部分1至部分24中的每一个的未通过化学键结合的任何其余氢位置可以被r
10a
取代。
[0115]
例如，部分1具有20个氢位置(例如，＝ch-单元)，并且20个氢位置中的一个可与式1中的l1结合(当l1为单键时，部分1可与咔唑基中的n结合(例如，直接结合))。部分1中未与式1结合的其余氢位置可被至少一个r
10a
取代。
[0116]
例如，部分11具有6个氢位置(例如，五个＝ch-单元和一个-nh-单元)，并且6个氢位置中的一个可与式2中的咔唑基中的n结合(例如，当ar1包括该部分时)、与咔唑基中的苯部分结合(例如，当ar2或ar3包括该部分时)，与l3结合(例如，当ar4包括该部分时)，与咪唑基中的＝ch-结合(例如，当ar5或ar6包括该部分时)。部分11中未与式2结合的其余氢位置可被至少一个r
10a
取代。
[0117]
基本上，式1可以是空穴传输化合物，并且式2可以是电子传输化合物。氰基或部分1至部分24中的每一个可具有(例如，可促进)空穴传输能力或电子传输能力。
[0118]
因为取代基ar'和ar1至ar6中的一个或多个包括氰基、部分1至部分24或其组合(例如，部分1至部分24中的一个或多个，其各自独立地未被取代或被氰基取代)，所以根据一个或多个实施方式的发光装置可以在发射层中具有改善或优化的电荷平衡。因此，难以彼此兼容的效率和寿命可均(例如，同时)得到满足。
[0119]
在一些实施方式中，部分1至部分24的氢位置可以通过取代基ar'或ar1至ar6与式1或式2的核结合。
[0120]
表述“包括部分1至部分24或其组合”指示式1中的ar'和式2中的ar1至ar6可以共同结合部分1至部分24中的一个以上，例如结合部分2和部分6，结合至少两个部分6，或结合部分2和部分5。
[0121][0122]
例如，式1中的ar'和式2中的ar1至ar6可共同结合氰基和部分5，或氰基和部分6。
[0123][0124]
在一些实施方式中，由式1表示的化合物可以是以下化合物中的一种：
[0125]
[0126][0127]
在一些实施方式中，由式2表示的化合物可以是以下化合物中的一种：
[0128][0129]
在实施方式中，发射层可包括荧光掺杂剂。例如，荧光掺杂剂可为热激活延迟荧光(tadf)掺杂剂。
[0130]
在实施方式中，发射层可包括磷光掺杂剂。例如，磷光掺杂剂可为有机金属化合物。
[0131]
荧光掺杂剂和磷光掺杂剂可各自独立地与本文描述的相同。
[0132]
电子设备可包括：薄膜晶体管和发光装置，其中薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极、活化层(例如，有源层)和栅电极，并且发光装置的第一电极可与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
[0133]
如本文使用的术语“夹层”指发光装置中的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。“夹层”中包括的材料不限于有机材料。例如，“夹层”可以包括无机材料。
[0134]
图1的描述
[0135]
图1为根据实施方式的发光装置10的示意图。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0136]
下文，将参照图1来描述根据实施方式的发光装置10的结构和根据实施方式的制造发光装置10的方法。
[0137]
第一电极110
[0138]
在图1中，基板可以另外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。基板可以是玻璃基板和/或塑料基板。基板可以是柔性基板，其包括具有优异或适当的耐热性和/或耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
[0139]
可以通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，可容易地注入空穴的高功函数材料可用作用于第一电极110的材料。
[0140]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可为氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其任意组合。在一些实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其任意组合可用作用于形成第一电极110的材料。
[0141]
第一电极110可以具有包括(例如，由以下组成)单个层的单层结构或包括两层或更多层的多层结构。在一些实施方式中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0142]
夹层130
[0143]
夹层130可在第一电极110上。夹层130可包括发射层。
[0144]
夹层130可以进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区和/或在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0145]
除了各种适当的有机材料之外，夹层130可以进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。
[0146]
夹层130可以包括：i)在第一电极110和第二电极150之间顺序堆叠的至少两个发光单元；和ii)位于至少两个发光单元之间的电荷生成层。当夹层130包括至少两个发光单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0147]
夹层130中的空穴传输区
[0148]
空穴传输区可具有i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)，ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同材料，或iii)具有多个层的多层结构，该多个层包括多种不同材料。
[0149]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
[0150]
例如，空穴传输区可具有多层结构，例如，空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每种结构的各层以各自陈述的次序顺序堆叠在第一电极110上，但实施方式不限于此。
[0151]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[0152]
式201
[0153]
[0154]
式202
[0155][0156]
其中，在式201和式202中，
[0157]
l
201
至l
204
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0158]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0159]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0160]
xa5可为选自1至10的整数，
[0161]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0162]r201
和r
202
可任选地通过单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此结合，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，本文所述的化合物ht16)，
[0163]r203
和r
204
可任选地通过单键、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此结合，以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0164]
在一些实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个(例如，作为基团r
201
至基团r
204
中的一个)：
[0165][0166]
其中，在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自可以通过参考r
10a
的描述来理解，
环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0167]
在一些实施方式中，在式cy201至式cy217中，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0168]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0169]
在一个或多个实施方式中，式201可以包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0170]
在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的任一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的任一个表示的基团。
[0171]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团。
[0172]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0173]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0174]
在一些实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至ht46的一种、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4',4'-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)或其任意组合：
[0175]
[0176]
[0177]
[0178][0179]
[0180]
空穴传输区的厚度可以在约50埃至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围中的任一个内时，可以在驱动电压没有显著增加的情况下获得优异或适当的空穴传输特性。
[0181]
发射辅助层可以通过补偿由发射层发射的光的波长的光学共振距离来增加装置的光发射效率。电子阻挡层可以防止或减少电子从发射层泄漏到空穴传输区。可以包含在空穴传输区中的材料也可以包含在发射辅助层和/或电子阻挡层中。
[0182]
p-掺杂剂
[0183]
空穴传输区可以包括电荷产生材料以及(例如，除此之外)上述材料以改善空穴传输区的传导性质。电荷产生材料可以(例如，作为由电荷产生材料组成的单层)基本上均匀或非均匀地分散在空穴传输区中。
[0184]
电荷产生材料可包括，例如，p-掺杂剂。
[0185]
在一些实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可为-3.5ev或更小。
[0186]
在一些实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物，或其任意组合。
[0187]
醌衍生物的实例可包括tcnq和/或f4-tcnq等。
[0188]
含氰基化合物的实例包括hat-cn和/或由式221表示的化合物等：
[0189][0190]
式221
[0191][0192]
其中，在式221中，
[0193]r221
至r
223
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，并且
[0194]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为：被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环
基：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其任意组合取代的c
1-c
20
烷基；或其任意组合。
[0195]
在含有元素ell和元素el2的化合物中，元素ell可以是金属、准金属或其组合，元素el2可以是非金属、准金属或其组合。
[0196]
金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)和/或铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)和/或钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)和/或金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)和/或锡(sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)和/或镥(lu)等)；等。
[0197]
准金属的实例可包括硅(si)、锑(sb)和/或碲(te)等。
[0198]
非金属的实例可包括氧(o)和/或卤素(例如f、cl、br和/或i等)等。
[0199]
例如，含有元素ell和元素el2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。
[0200]
金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，wo、w2o3、wo2、wo3和/或w2o5等)、钒氧化物(例如，vo、v2o3、vo2和/或v2o5等)、钼氧化物(moo、mo2o3、moo2、moo3和/或mo2o5等)和/或铼氧化物(例如，reo3等)等。
[0201]
金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物等。
[0202]
碱金属卤化物的实例可包括lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和/或csi等。
[0203]
碱土金属卤化物的实例可包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和/或bai2等。
[0204]
过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4和/或tii4等)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4和/或zri4等)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4和/或hfi4等)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3和/或vi3等)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3和/或nbi3等)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3和/或tai3等)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3和/或cri3等)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3和/或moi3等)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3和/或wi3等)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2和/或mni2等)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2和/或tci2等)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2和/或rei2等)、亚铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2和/或fei2等)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2和/或rui2等)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2和/或osi2等)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2和/或coi2等)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2和/或rhi2等)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2和/或iri2等)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2和/或nii2等)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2和/或pdi2等)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2和/或pti2等)、亚铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr和/或cui等)和/或银卤化物(例如agf、agcl、agbr和/或agi等)、金卤化物(例如，auf、aucl、aubr和/或aui等)等。
[0205]
后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2和/或zni2等)、铟卤化物(例如，ini3等)和/或锡卤化物(例如，sni2等)，等。
[0206]
镧系金属卤化物的实例可包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和/或smi3等。
[0207]
准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如，sbcl5等)等。
[0208]
金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te和/或cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte和/或bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte和/或au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，znte等)和/或镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte和/或lute等)等。
[0209]
夹层130中的发射层
[0210]
当发光装置10是全色发光装置时，发射层可以根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可以具有堆叠结构。堆叠结构可以包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层。两个或更多个层可以彼此直接接触(例如，物理接触)。在一些实施方式中，两层或更多层可以彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料。两种或更多种材料可以在单层中彼此混合。在单层中彼此混合的两种或更多种材料可以发射白光。
[0211]
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可为磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0212]
发射层可包括根据一个或多个实施方式的式1的化合物和式2的化合物。例如，式1的化合物和式2的化合物可以各自为(例如，充当)主体。
[0213]
在实施方式中，发光装置中的发射层可以包括主体和掺杂剂，并且发射层中包括的总主体的含量(例如，主体的总量)可以大于发射层中包括的总掺杂剂的含量(例如，掺杂剂的总量)。
[0214]
例如，基于100重量份的总主体(式1的化合物+式2的化合物，例如主体的总量)，掺杂剂的含量(例如，掺杂剂的总量)可以在约0.01重量份至约30重量份的范围内。在一些实施方式中，基于100重量份的主体，掺杂剂的含量(例如，掺杂剂的总量)可以在约0.01重量份至约15重量份的范围内。
[0215]
发射层的厚度可以在约至约的范围内，并且在一些实施方式中，在约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围中的任一个内时，可以在驱动电压没有显著增加的情况下获得改善的发光特性。
[0216]
主体
[0217]
根据一个或多个实施方式，主体可以包括式1的化合物和式2的化合物。
[0218]
磷光掺杂剂
[0219]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心(中央)金属。
[0220]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、双齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0221]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0222]
在一些实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属络合物：
[0223]
式401
[0224]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0225]
其中，在式401中，
[0226]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0227]
l
401
可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3；并且当xc1为2或更大时，至少两个l
401
可彼此相同或不同，
[0228]
式402
[0229][0230]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为选自0至4的整数；并且当xc2为2或更大时，至少两个l
402
可彼此相同或不同，
[0231]
在式402中，
[0232]
x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0233]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0234]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，
[0235]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0236]q411
至q
414
可各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0237]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0238]q401
至q
403
可各自通过参考本文提供的q1的描述来理解，
[0239]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0240]
式402中*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0241]
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)x
401
可为氮，并且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
可均(例如，同时)为氮。
[0242]
在一个或多个实施方式中，当式401中xc1为2或更大时，至少两个l
401
中的两个环a
401
可以任选地通过作为连接基团的t
402
结合，或者两个环a
402
可以任选地通过作为连接基团的t
403
结合(参见化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
可分别通过参考本文提供的t
401
的描述来理解。
[0243]
式401中的l
402
可为任何适当的有机配体。例如，l
402
可为卤素基团、二酮基团(例如乙酰丙酮基团)、羧酸基团(例如吡啶羧酸基团)、-c(＝o)、异腈基团、-cn或含磷基团(例如膦基团)基团或亚磷酸盐基团)。
[0244]
磷光掺杂剂可为，例如，化合物pd1至pd39中的一种、掺杂剂(2)或其任意组合：
[0245]
[0246]
[0247][0248]
荧光掺杂剂
[0249]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合或其任意组合。
[0250]
在一些实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0251]
式501
[0252][0253]
其中，在式501中，
[0254]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0255]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0256]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0257]
在一些实施方式中，在式501中，ar
501
可包括其中至少三个单环基团稠合的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0258]
在一些实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0259]
在一些实施方式中，荧光掺杂剂可包括化合物fd1至化合物fd36中的一种、dpvbi、dpavbi或其任意组合：
[0260]
[0261]
[0262][0263]
延迟荧光材料
[0264]
发射层可包括由式11表示的化合物：
[0265]
式11
[0266][0267]
其中，在式11中，
[0268]
a6可为o、s、nr"
24
或cr"
25
r"
26
，a7可为o、s、nr"
27
或cr"
28
r"
29
，a8可为o、s、nr"
30
或cr"
31
r"
32
，并且a9可为o、s、nr"
33
或cr"
34
r"
35
，
[0269]
r"
20
至r"
35
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未被取
代或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烷基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
10
环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
10
杂环烯基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
6-c
60
芳硫基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂芳基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
单价非芳族稠合多环基团、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-b(q1)(q2)、-n(q1)(q2)、-p(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)、-p(＝o)(q1)(q2)和-p(＝s)(q1)(q2)，
[0270]
b"20和b"21可各自独立地为选自0至3的整数，并且
[0271]
b"22和b"23可各自独立地为选自0至4的整数。
[0272]
在式11中，当b"20为2或更大时，至少两个r"
20
可彼此相同或不同。当b"21为2或更大时，至少两个r"
21
可彼此相同或不同。当b"22为2或更大时，至少两个r"
22
可彼此相同或不同。当b"23为2或更大时，至少两个r"
23
可彼此相同或不同。
[0273]
在式11中，r
20
"至r"
35
中的两个相邻取代基可任选地彼此结合以形成未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
5-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0274]
在一些实施方式中，由式11表示的化合物可以是以下化合物中的一种：
[0275][0276]
量子点
[0277]
如本文使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够发射对应于晶体的尺寸的光波长的任何适当的材料。
[0278]
量子点的直径可以在例如约1nm至约10nm的范围内。
[0279]
量子点可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺和/或任何类似工艺合成。
[0280]
湿化学工艺是通过将前体材料与有机溶剂混合来使量子点颗粒晶体生长的方法。随着晶体生长，有机溶剂可以自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，从而可以控制晶体的生长。因此，湿化学工艺可以比气相沉积工艺(比如金属有机化学气相沉积(mocvd)和/或分子束外延(mbe)工艺)更容易进行。此外，可以以较低的制造成本控制量子点颗粒的生长。
[0281]
量子点可包括第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物；或其任意组合。
[0282]
第ii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs)；三元化合物(比如cdses、cdsete、cdste、
znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse和/或mgzns)；四元化合物(比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste)；或其任意组合。
[0283]
第iii-v族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb)；三元化合物(比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inaip、innas、innsb、inpas和/或inpsb)；四元化合物(比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb)；或其任意组合。在一些实施方式中，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例可包括inznp、ingaznp和/或inalznp等。
[0284]
第iii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3和/或inte等)；三元化合物(比如ingas3和/或ingase3等)；或其任意组合。
[0285]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括三元化合物(比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2或其任意组合)。
[0286]
第iv-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte)；三元化合物(比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte)；四元化合物(比如snpbsse、snpbsete和/或snpbste)；或其任意组合。
[0287]
第iv族元素或化合物可为单元素材料(比如si和/或ge)；二元化合物(比如sic和/或sige)；或其任意组合。
[0288]
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的单个元素可以以基本均匀或非均匀的浓度(例如，分布)存在于其颗粒中。
[0289]
量子点可以具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度基本均匀的单一结构，或核-壳双结构。在一些实施方式中，核中包含的材料可以不同于壳中包含的材料。
[0290]
量子点的壳可用作保护层用于防止或减少核的化学变性以保持半导体特性，和/或用作充电层用于赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
[0291]
量子点的壳的实例可包括金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物，半导体化合物，或其组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可包括：二元化合物(比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio)；三元化合物(比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)；和其任意组合。半导体化合物的实例可包括第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；或其任意组合。在一些实施方式中，半导体化合物可为cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0292]
量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)。当量子点的fwhm在该范围内时，可以改善颜色纯度或颜色再现性。在一些实施方式中，因为通过量子点发射的光在所有方向(或基本上所有方向)上发射，所以可以
改善光学视角。
[0293]
在一些实施方式中，量子点可为球形、锥体、多臂和/或立方体纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，和/或纳米板。
[0294]
通过调整量子点的尺寸，还可以调整能带隙，从而在量子点发射层中获得各种适当波长的光。通过利用一种或多种适当尺寸的量子点，可以实现发射一种或多种适当波长的光的发光装置。在一些实施方式中，可以选择量子点的尺寸，使得量子点可以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，可以选择量子点的尺寸，使得量子点可以通过组合一种或多种适当的光颜色来发射白光。
[0295]
夹层130中的电子传输区
[0296]
电子传输区可以具有i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)；ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同材料；或iii)具有多个层的多层结构，该多个层包括多种不同材料。
[0297]
电子传输区可包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子注入层。
[0298]
在一些实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或电子传输层/电子注入层结构，其中每个结构的各层以各自陈述的次序顺序堆叠在发射层上。
[0299]
电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0300]
在一些实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0301]
式601
[0302]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0303]
其中，在式601中，
[0304]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0305]
xe11可为1、2或3，
[0306]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0307]r601
可为未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0308]q601
至q
603
可各自通过参考本文提供的q1的描述来理解。
[0309]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0310]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可独立地为未被取代或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团。
[0311]
在一些实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，至少两个ar
601
可通过单键结合。
[0312]
在一些实施方式中，在式601中，ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0313]
在一些实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0314]
式601-1
[0315][0316]
其中，在式601-1中，
[0317]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，选自x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0318]
l
611
至l
613
可各自通过参考本文提供的l
601
的描述来理解。
[0319]
xe611至xe613可各自通过参考本文提供的xe1的描述来理解，
[0320]r611
至r
613
可各自通过参考本文提供的r
601
的描述来理解，并且
[0321]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未被取代或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0322]
例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0323]
电子传输区可包括化合物et1至et45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz或其任意组合：
[0324]
[0325]
[0326][0327]
电子传输区的厚度可以在约100埃至约例如约至约的范围内。当电子传输区包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约至约例如约至约的范围内，并且电子传输层的厚度可在约至约例如约至约的范围内。当空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度各自在这些范围内时，可以在驱动电压没有显著增加的情况下获得优异或适当的电子传输特性。
[0328]
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0329]
含金属材料可包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子。碱土金属络合物的金属离子可以是铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离
子。与碱金属络合物和碱土金属络合物的金属离子配位的每种配体可以独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯并苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0330]
例如，含金属材料可包括li络合物。li络合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或化合物et-d2：
[0331][0332]
电子传输区可以包括电子注入层以促进电子从第二电极150的注入。电子注入层可以与第二电极150直接接触(例如，物理接触)。
[0333]
电子注入层可以具有i)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括单种材料(例如，由单种材料组成)；ii)包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构，该单个层包括多种不同材料；或iii)具有多个层的多层结构，该多个层包括多种不同材料。
[0334]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
[0335]
碱金属可为li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可为mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可为sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0336]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可分别为或包括碱金属、碱土金属和稀土金属中的每一种的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其任意组合。
[0337]
含碱金属化合物可为或包括碱金属氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任意组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物(比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(其中x为满足0《x《1的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(其中x为满足0《x《1的实数))。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在一些实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和/或lu2te3等。
[0338]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属和稀土金属的相应金属离子；以及ii)与金属离子键合的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯并苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0339]
电子注入层可包括(例如，由以下组成)如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、
含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一些实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0340]
在一些实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在一些实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0341]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可基本上均匀地或非均匀地分散在包括有机材料(例如，由有机材料形成)的基质中。
[0342]
电子注入层的厚度可以在约至约的范围内，并且在一些实施方式中，在约至约的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围中的任一个内时，可以在驱动电压没有显著增加的情况下获得优异或适当的电子注入特性。
[0343]
第二电极150
[0344]
第二电极150可以在夹层130上。在实施方式中，第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极。在该实施方式中，用于形成第二电极150的材料可以是具有低功函数的材料，例如金属、合金、电导性化合物或其任意组合。
[0345]
第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0346]
第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[0347]
封盖层
[0348]
第一封盖层可位于第一电极110外部，和/或第二封盖层可位于第二电极150的外部。在一些实施方式中，发光装置10可以具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该陈述的次序顺序堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该陈述的次序顺序堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该陈述的次序顺序堆叠的结构。
[0349]
在发光装置10中，从夹层130中的发射层发射的光可以穿过第一电极110(其可以是半透射电极或透射电极)并且穿过第一封盖层到达外部。在发光装置10中，从夹层130中的发射层发射的光可以穿过第二电极150(其可以是半透射电极或透射电极)并且穿过第二封盖层到达外部。
[0350]
基于相长干涉原理，第一封盖层和第二封盖层可以改善外部发光效率。因此，可以增加发光装置10的光学提取效率，从而改善发光装置10的发光效率。
[0351]
第一封盖层和第二封盖层可各自包括具有1.6或更高的折射率(在589nm的波长处)的材料。
[0352]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包含有机材料的封盖层，包含无机材料的无机封盖层，或包含有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
[0353]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合
物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其任意组合的取代基取代。在一些实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0354]
在一些实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[0355]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种、化合物cp1至cp6中的一种、β-npb或其任意组合：
[0356][0357]
电子设备
[0358]
发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。在一些实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备。
[0359]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可设置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝光或白光。发光装置可以通过参考本文提供的描述来理解。在一些实施方式中，颜色转换层可以包括量子点。
[0360]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素
区域的多个颜色转换区域。
[0361]
像素限定膜可位于多个子像素区域之间，以限定每个子像素区域。
[0362]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0363]
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括：第一区域，以发射第一颜色光；第二区域，以发射第二颜色光；和/或第三区域，以发射第三颜色光，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在一些实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一些实施方式中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可各自包括量子点。在一些实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可参考本文提供的对量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括发射体。
[0364]
在一些实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射1-1颜色光，第二区域可吸收第一光以发射2-1颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射(例如，以透射)3-1颜色光。在该实施方式中，1-1颜色光、2-1颜色光和3-1颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在一些实施方式中，第一光可为蓝光，1-1颜色光可为红光，2-1颜色光可为绿光，并且3-1光可为蓝光。
[0365]
除了发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。
[0366]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。
[0367]
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体。
[0368]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的封装单元。封装单元可位于滤色器与发光装置之间和/或颜色转换层与发光装置之间。封装单元可允许光从发光装置传递到外部和/或同时(例如，同步)防止或减少空气和/或水分渗透到发光装置。封装单元可为包括透明玻璃和/或塑料基板的密封基板。封装单元可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当封装单元是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0369]
除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的预期用途，在封装单元上可设置一个或多个适当的功能层。功能层的实例可包括触摸屏层和/或偏振层。触摸屏层可包括电阻式触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外光束触摸屏层。认证设备可以是，例如，根据生物测定信息(比如指纹和/或瞳孔等)识别个体的生物测定认证装置。
[0370]
除了上述发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集单元。
[0371]
电子设备可适用于各种适当的显示器、光源、照明、个人计算机(例如移动个人计算机)、蜂窝电话、数字相机、电子记事薄、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如电子温度计、血压计、血糖计、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图记录器、超声诊断装置或内窥镜显示装置)、探鱼仪、各种适当的测量装置、仪表(例如汽车、飞机和/或船只的仪表)和投影仪。
[0372]
图2和图3的描述
[0373]
图2为根据实施方式的发光设备的示意性截面图。
[0374]
图2中的发光设备可包括基板100、薄膜晶体管、发光装置和密封发光装置的封装
单元300。
[0375]
基板100可以是柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可在基板100上。缓冲层210可防止或减少通过基板100的杂质的渗透，并在基板100上提供平坦的表面。
[0376]
薄膜晶体管可在缓冲层210上。薄膜晶体管可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0377]
有源层220可包括无机半导体(比如硅和/或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区域、漏区域和沟道区域。
[0378]
用于将有源层220和栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。
[0379]
夹层绝缘膜250可在栅电极240上。夹层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间，以及栅电极240和漏电极270之间，以在它们之间提供绝缘。
[0380]
源电极260和漏电极270可在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区域和漏区域，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的暴露源区域和暴露漏区域接触。
[0381]
这样的薄膜晶体管可以电连接到发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置可在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0382]
第一电极110可在钝化层280上。钝化层280不能完全覆盖漏电极270，并且可暴露漏电极270的设定或预定区域，并且第一电极110可设置为连接到漏电极270的暴露区域。
[0383]
像素限定膜290可在第一电极110上。像素限定膜290可暴露第一电极110的特定区域，并且夹层130可形成在暴露区域中。像素限定膜290可以是聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方式中，夹层130中的一些较高层可以延伸到像素限定膜290的上部，并且可以以公共层的形式设置。
[0384]
第二电极150可在夹层130上，并且可在第二电极150上另外地形成封盖层170。形成封盖层170以覆盖第二电极150。
[0385]
封装单元300可在封盖层170上。封装单元300可在发光装置上，以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装单元300可包括：无机膜，该无机膜包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，该有机膜包括pet、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧树脂(例如，脂族缩水甘油醚(age)等)或其任意组合；或无机膜和有机膜的组合。
[0386]
图3为根据实施方式的另一发光设备的示意性截面图。
[0387]
图3中所示的发光设备可以与图2中所示的发光设备基本相同，不同的是遮光图案500和功能区域400另外位于封装单元300上。功能区域400可以是i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一些实施方式中，包括在图3中所示的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。
[0388]
制造方法
[0389]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可各自通过利用一种或多种适当的方法(比如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨打印、激光打印
和/或激光诱导热成像)形成在设定或预定区中。
[0390]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层各自独立地通过真空沉积形成时，真空沉积可在约100℃至约500℃的范围内的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的范围内的真空度以及约0.01埃每秒至约的范围内的沉积速率下进行，这取决于待包括在每一层中的材料和待形成的每一层的结构。
[0391]
术语的一般定义
[0392]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳原子组成且具有3至60个碳原子作为成环原子的环状基团。如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子以及除了碳原子以外的杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中至少两个环稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基中成环的原子数量可在3至61的范围内。
[0393]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0394]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团。如本文使用的术语“缺π电子含氮的c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子和*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0395]
在一些实施方式中，
[0396]c3-c
60
碳环基可为i)(下面定义的)t1基团或ii)其中至少两个t1基团稠合的基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基团、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0397]c1-c
60
杂环基可为i)(下面定义的)t2基团，ii)其中至少两个t2基团稠合的基团，或iii)其中至少一个t2基团与至少一个t1基团稠合的基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，
[0398]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为：i)t1基团，ii)其中至少两个t1基团稠合的稠合基团，iii)(下面定义的)t3基团，iv)其中至少两个t3基团稠合的稠合基团，或v)其中至少一个t3基团与至少一个t1基团稠合的稠合基团(例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯
并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，并且
[0399]
缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团可为i)(下面定义的)t4基团，ii)其中至少两个t4基团稠合的基团，iii)其中至少一个t4基团与至少一个t1基团稠合的基团，iv)其中至少一个t4基团与至少一个t3基团稠合的基团，或v)其中至少一个t4基团、至少一个t1基团与至少一个t3基团稠合的基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和/或氮杂二苯并呋喃基等)，
[0400]
其中t1基团可为环丙烷基、环丁烷基团、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0401]
t2基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0402]
t3基团可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0403]
t4基团可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0404]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”和/或“缺π电子的含氮的c
1-c
60
环状基团”可各自指与任何适当的环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团和/或四价基团等)稠合的基团，这取决于该术语所适用的式的结构。例如，如本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构所理解的，“苯基”可为或指苯环、苯基和/或亚苯基。
[0405]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或二价非芳族稠合杂多环基团。
[0406]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，c
1-c
20
烷基，并且其实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异
丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指与c
1-c
60
烷基具有基本相同结构的二价基团。
[0407]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的主链(例如中间)或末端(例如终端)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基。其实例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指与c
2-c
60
烯基具有基本相同结构的二价基团。
[0408]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的主链(例如在中间)或末端(例如终端)处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。其实例可包括乙炔基和/或丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”是指与c
2-c
60
炔基具有基本相同结构的二价基团。
[0409]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)表示的单价基团，例如c
1-c
20
烷氧基。其实例可包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。
[0410]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指包括3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。如本文使用的c
3-c
10
环烷基的实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和/或二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指与c
3-c
10
环烷基具有相同结构的二价基团。
[0411]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指包括至少一个除了碳原子以外的杂原子作为成环原子并有1至10个碳原子的单价环状基团。其实例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指与c
1-c
10
杂环烷基具有基本相同结构的二价基团。
[0412]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且不是芳族的单价环状基团。其实例可包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指与c
3-c
10
环烯基具有基本相同结构的二价基团。
[0413]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指在其环中包括至少一个除了碳原子以外的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子及至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指与c
1-c
10
杂环烷基具有基本相同结构的二价基团。
[0414]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有碳环芳族体系(具有6至60个碳原子)的单价基团。如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有碳环芳族体系(具有6至60个碳原子)的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和/或卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各个环可稠接。
[0415]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族体系的单价基团，该杂环芳族体系进一步包括至少一个除了碳原子以外的杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族体系的二价基团，该杂环芳族体系进一步包括至少一个除了碳原子以外的杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯
并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各个环可稠接。
[0416]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个稠合环且仅碳原子(例如，8至60个碳原子)作为成环原子的单价基团，其中，当作为整体考虑时，分子结构为非芳族(例如，没有芳族共轭体系延伸贯穿整个结构，尽管该基团的部分可能包含共轭体系)。单价非芳族稠合多环基团的实例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与单价非芳族稠合多环基团具有基本相同结构的二价基团。
[0417]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个稠合环且具有至少一个除了碳原子(例如，1至60个碳原子)以外的杂原子作为成环原子的单价基团，其中，当作为整体考虑时，分子结构为非芳族(例如，没有芳族共轭体系延伸贯穿整个结构，尽管该基团的部分可能包含共轭体系)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与单价非芳族稠合杂多环基团具有基本相同结构的二价基团。
[0418]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0419]
本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指-a
104a105
(其中a
104
可为c
1-c
54
亚烷基，并且a
105
可为c
6-c
59
芳基)，并且本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指-a
106a107
(其中a
106
可为c
1-c
59
亚烷基，并且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)。
[0420]
如本文使用的术语“r
10a”可为：
[0421]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0422]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合；
[0423]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或
[0424]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0425]
其中q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0426]
如本文使用的术语“杂原子”指除了碳原子以外的任何原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其任意组合。
[0427]
如本文使用的第三行过渡金属可包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)或金(au)。
[0428]
本文使用的“ph”表示苯基，本文使用的“me”表示甲基，本文使用的“et”表示乙基，本文使用的“tert-bu”或“bu
t”表示叔丁基，并且本文使用的“ome”表示甲氧基。
[0429]
如本文使用的术语“联苯基”指被苯基取代的苯基。“联苯基”属于具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0430]
如本文使用的术语“三联苯基”指被联苯基取代的苯基。“三联苯基”属于具有“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0431]
在该取代基定义部分中的碳原子的数量仅为示例。在实施方式中，c
1-c
60
烷基中的最大碳数60为示例，且烷基的定义同样适用于c
1-c
60
烷基。在实施方式中，c
12-c
60
杂芳基中的最小碳数12为示例，且杂芳基的定义同样适用于c
12-c
60
杂芳基。其他情况也可相同。
[0432]
除非另外定义，否则如本文使用的符号*和*'指与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0433]
下文，将参考合成例和实施例更详细地描述根据一个或多个实施方式的化合物和发光装置。在描述合成例时使用的词语“使用b替代a”指示，就摩尔当量而言，所使用的b的量与所使用的a的量相同。
[0434]
实施例
[0435]
合成例1：化合物et-01的合成
[0436][0437]
将3-溴-9-苯基-9h-咔唑(1eq.)和2-苯基-1h-苯并[d]咪唑(1.2eq.)添加至烧瓶，然后将pd(dba)3(0.06eq.)、(t-bu)3p(0.09eq.)、t-buona(4.4eq.)和甲苯(0.1摩尔(m)1eq.基于试剂)添加至烧瓶，随后在回流下搅拌24小时。
[0438]
其后，将混合物冷却至室温，然后用二氯甲烷(mc)萃取，并用蒸馏水洗涤。所得混合物用mgso4干燥，在减压下蒸馏，并将残留物通过柱色谱分离，从而得到化合物et-01(产率：90.3％)。使用液相色谱-质谱(lc-ms)鉴定化合物et-01。
[0439]
(c
31h21
n3：[m]
+
436.86)
[0440]
合成例2：化合物et-02的合成
[0441][0442]
1)中间体1(int-1)的合成
[0443]
将3,6-二溴-9-苯基-9h-咔唑(1eq.)和2-苯基-1h-苯并[d]咪唑(1.2eq.)添加至烧瓶，然后将pd(dba)3(0.06eq.)、(t-bu)3p(0.09eq.)、t-buona(4.4eq.)和甲苯(0.1m 1eq.)添加至烧瓶，随后在回流下搅拌24小时。
[0444]
其后，将混合物冷却至室温，随后用mc萃取，并用蒸馏水洗涤。所得混合物用mgso4干燥，在减压下蒸馏，并将残留物通过柱色谱分离，从而得到中间体1(产率：80.9％)。通过lc-ms鉴定中间体1。
[0445]
(c
31h20
brn3：[m]
+
514.40)
[0446]
2)化合物et-02的合成
[0447]
将中间体1(int-1)(1eq.)和cucn(1.8eq.)添加至烧瓶。然后，将n-甲基-2-吡咯烷酮(0.15m 1eq.基于试剂)添加至烧瓶，随后在回流下搅拌72小时。
[0448]
其后，将混合物冷却至室温，随后用mc萃取，并用蒸馏水洗涤。所得混合物用mgso4干燥，在减压下蒸馏，并将残留物通过柱色谱分离，从而得到化合物et-02(产率：71.9％)。使用lc-ms鉴定化合物et-02。
[0449]
(c
32h20
n4：[m]
+
461.33)
[0450]
通过1h核磁共振(nmr)和质谱/快原子轰击(ms/fab)鉴定合成例中合成的化合物。其结果在表1中示出。
[0451]
通过参考上述合成方案和原料，本领域技术人员可以容易地理解合成另外的化合物(包括除了表1中所示化合物以外的化合物)的方法。
[0452]
表1
[0453][0454]
有机发光装置的制备
[0455]
实施例1
[0456]
将ito玻璃基板切割成50毫米(mm)
×
50mm
×
0.5mm的尺寸，在异丙醇和纯水中各自超声处理10分钟，并通过暴露于紫外线和臭氧10分钟进行清洁，以将玻璃基板用作阳极。然后，将玻璃基板安装到真空沉积设备。
[0457]
在基板上真空沉积m-mtdata，以形成厚度为的空穴注入层。其后，在其上真空沉积具有空穴传输能力的npb以形成厚度为的空穴传输层。
[0458]
将重量比为5:5的化合物ht-01和et-01作为主体和掺杂剂(1)-1作为掺杂剂共沉积在空穴传输层上以形成厚度为的发射层(基于100重量份的的主体的10重量份的掺杂比率)。
[0459]
然后，将etl1沉积在发射层上以形成厚度为的电子传输层，并且在其上真空沉积al至厚度为以形成al电极(阴极)，从而完成有机发光装置的制造。
[0460][0461]
实施例2
[0462]
以与实施例1中基本相同的方式制造实施例2的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物ht-05代替化合物ht-01。
[0463]
实施例3
[0464]
以与实施例1中基本相同的方式制造实施例3的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物ht-18代替化合物ht-01。
[0465]
实施例4
[0466]
以与实施例1中基本相同的方式制造实施例4的有机发光装置，不同的是了在形成发射层时使用化合物ht-19代替化合物ht-01。
[0467]
实施例5
[0468]
以与实施例4中基本相同的方式制造实施例5的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物et-02代替化合物et-01。
[0469]
实施例6
[0470]
以与实施例1中基本相同的方式制造实施例6的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物ht-20和et-04代替化合物ht-01和et-01。
[0471]
实施例7
[0472]
以与实施例1中基本相同的方式制造实施例7的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物ht-22和et-07代替化合物ht-01和et-01。
[0473]
实施例8
[0474]
以与实施例1中基本相同的方式制造实施例8的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0475]
实施例9
[0476]
以与实施例2中基本相同的方式制造实施例9的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0477]
实施例10
[0478]
以与实施例3中基本相同的方式制造实施例10的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0479]
实施例11
[0480]
以与实施例4中基本相同的方式制造实施例11的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0481]
实施例12
[0482]
以与实施例5中基本相同的方式制造实施例12的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0483]
实施例13
[0484]
以与实施例6中基本相同的方式制造实施例13的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0485]
实施例14
[0486]
以与实施例7中基本相同的方式制造实施例14的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用掺杂剂(2)代替掺杂剂(1)-1。
[0487]
比较例1
[0488]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例1的有机发光装置，不同的是在形成发射层时仅使用4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)作为主体，并使用掺杂剂(1)-1作为掺杂剂。
[0489]
比较例2
[0490]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例2的有机发光装置，不同的是在形成发射层时仅使用化合物ht-18作为主体，并使用掺杂剂(1)-1作为掺杂剂。
[0491]
比较例3
[0492]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例3的有机发光装置，不同的是在形成发射层时仅使用化合物et-01作为主体，并使用掺杂剂(1)-1作为掺杂剂。
[0493]
比较例4
[0494]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例4的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物100代替化合物ht-01。
[0495]
比较例5
[0496]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例5的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物200代替化合物et-01。
[0497]
比较例6
[0498]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例6的有机发光装置，不同的是在形成发
射层时仅使用cbp作为主体，并使用掺杂剂(2)作为掺杂剂。
[0499]
比较例7
[0500]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例7的有机发光装置，不同的是在形成发射层时仅使用化合物ht-18作为主体，并使用掺杂剂(2)作为掺杂剂。
[0501]
比较例8
[0502]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例8的有机发光装置，不同的是在形成发射层时仅使用化合物et-01作为主体，并使用掺杂剂(2)作为掺杂剂。
[0503]
比较例9
[0504]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例9的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物100代替化合物ht-01，并使用掺杂剂(2)作为掺杂剂。
[0505]
比较例10
[0506]
以与实施例1中基本相同的方式制造比较例10的有机发光装置，不同的是在形成发射层时使用化合物200代替化合物et-01，并使用掺杂剂(2)作为掺杂剂。
[0507][0508]
在1000cd/m2的亮度下，测量实施例1至14和比较例1至10的有机发光装置的发光效率(cd/a)，以评估其特性。
[0509]
通过使用keithley源测量单元(smu)236和亮度计pr650测量在1000cd/m2的亮度下的有机发光装置的发光效率(cd/a)和寿命(t
90
)。其结果在表2中示出。在表2中，寿命(t
90
)指示每个有机发光装置的亮度下降到其初始亮度的90％的时间(小时)。
[0510]
表2
[0511][0512][0513]
参考表2的结果，发现与比较例1至比较例10的有机发光装置相比，实施例1至实施例14的有机发光装置具有改善的特性。
[0514]
当咔唑基在咪唑基的c-位置(碳)处取代时，π-共轭可从咪唑基延伸到咔唑基，从而降低lumo能量(例如，由于离域)。当咔唑基在咪唑基的n-位置处取代时，与咔唑基在咪唑基的c-位置处取代的情况相比，lumo可仅存在于(例如，可定位于)咪唑基中，因此导致高lumo能量。因此，主体-1和主体-2可形成具有高能量的激态复合物，因此改善到掺杂剂的能量转移，从而实现具有高效率的有机发光装置。
[0515]
如从上述描述中显而易见，根据一个或多个实施方式的发光装置可具有优异或适当的效率和/或寿命。
[0516]
如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文使用的“约”或“大约”包括陈述值并且意指在由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差范围内，或在陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0517]
本文所述的任何数值范围旨在包括落入所述范围内的具有相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所述最小值1.0和所述最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，比如，例如，2.4至7.6。本文所述的任何最大数值限制旨在包括落入其中的所有较低数值限制，而本说明书中所述的任何最小数值限制旨在包括落入其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确叙述落入本文中明确叙述的范围内的任何子范围。
[0518]
应理解，本文描述的实施方式应仅在描述性意义上考虑，而非出于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利要求及其等同物所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种适当的改变。