技术特征：
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：衬底；位于所述衬底上的阴极层和阳极层；量子点发光层，位于所述阴极层与所述阳极层之间；电子传输层，位于所述阴极层与所述量子点发光层之间；膨胀层，位于至少部分所述电子传输层与所述量子点发光层之间；所述膨胀层被配置为在所述显示基板工作时发生膨胀，且所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层的材料包括热膨胀材料及电膨胀材料中的至少一种。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述热膨胀材料包括半导体材料、高分子材料及热致异构化材料中的至少一种；所述电膨胀材料包括电活性聚合物材料及压电材料中的至少一种。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述电子传输层包括第一电子传输膜层及位于所述第一电子传输膜层背离所述衬底一侧的第二电子传输膜层，所述膨胀层位于所述第一电子传输膜层和所述第二电子传输膜层之间。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层设有多个镂空部，或者所述膨胀层包括多个间隔排布的膨胀结构；在水平方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数，和/或，在所述显示基板的膜层叠层方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数。6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层在所述衬底上的正投影与所述第一电子传输膜层在所述衬底上的正投影重合，所述膨胀层的厚度范围为5nm～10nm；在所述显示基板的膜层叠层方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层在所述膜层叠层方向上的膨胀系数。7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层位于所述电子传输层与所述量子点发光层之间，且所述膨胀层与所述量子点发光层接触。8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层设有镂空部，部分所述电子传输层填充在所述镂空部内；或者所述膨胀层包括多个间隔排布的膨胀结构，部分所述电子传输层填充在相邻所述膨胀结构之间；在水平方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数，和/或，在所述显示基板的膜层叠层方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数。9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层设有镂空部，部分所述量子点发光层填充在所述镂空部内；或者所述膨胀层包括多个间隔排布的膨胀结构，部分所述量子点发光层填充在相邻所述膨胀结构之间；在所述显示基板的膜层叠层方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数。10.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述膨胀层在所述衬底上的正投影与所述电子传输层在所述衬底上的正投影重合，且所述膨胀层的厚度范围为5nm～10nm；在所述显示基板的膜层叠层方向上所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数。11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至10任一项所述的显示
基板。
技术总结
本申请提供了一种显示基板及显示装置。所述显示基板包括衬底、位于所述衬底上的阴极层和阳极层、量子点发光层、电子传输层和膨胀层。所述量子点发光层位于所述阴极层与所述阳极层之间。所述电子传输层位于所述阴极层与所述量子点发光层之间。所述膨胀层位于至少部分所述电子传输层与所述量子点发光层之间；所述膨胀层被配置为在所述显示基板工作时发生膨胀，且所述膨胀层的膨胀系数大于所述电子传输层的膨胀系数。所述显示装置包括所述显示基板。所述显示装置包括所述显示基板。所述显示装置包括所述显示基板。
技术研发人员：李东
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2022.03.14
技术公布日：2022/6/14