光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路与流程

1.本技术涉及光电技术领域，具体而言，本技术涉及一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路。


背景技术：

2.光电传感器可以将接收到的光信号转化为电信号，具有可靠性和保密性较高的优点，被广泛地应用于通信、人机交互、光伏、军事、探测、人眼追踪等领域。
3.然而，现有的光电传感器存在着对于光的吸收率较低的缺点，由此造成了光电转换的效率偏低，这对于光电传感器的性能造成了限制。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，用以解决现有的光电传感器中存在的光吸收率较低和光电转换效率较低的问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种光电子集成基板，包括：
6.基底；
7.电子元件，设置在所述基底的一侧；
8.光学传感器，与所述电子元件连接，设置在所述基底的一侧，包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层；
9.其中，所述第一反射层在所述基底上的正投影与所述第二反射层在所述基底上的正投影交叠，所述第一反射层和所述第二反射层用于形成谐振腔，所述吸收层位于所述谐振腔内。
10.可选的，所述吸收层位于所述谐振腔的波节处。
11.可选的，所述谐振腔的腔体长度小于或者等于750纳米；所述基底的材料包括玻璃。
12.可选的，光电子集成基板还包括滤光层，所述滤光层位于所述光学传感器远离所述基底的一侧，所述滤光层在所述基底上的正投影与所述吸收层在所述基底上的正投影交叠。
13.可选的，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；
14.所述吸收层包括同层设置的n型半导体层、本征半导体层和p型半导体层,所述吸收层与所述有源层同层设置。
15.可选的，所述薄膜晶体管包括源漏极层，所述源漏极层位于所述有源层远离所述基底的一侧；
16.所述光学传感器包括设置在所述吸收层和所述第二反射层之间的电极层，所述电极层与所述吸收层电连接，所述电极层与所述源漏极层电连接且同层设置。
17.第二个方面，本技术实施例提供了一种光电子集成电路，包括本技术实施例中的光电子集成基板。
18.第三个方面，本技术实施例提供了一种光电子集成基板的制作方法，包括：
19.提供一基底；
20.在所述基底的一侧制作电子元件和光学传感器，所述光学传感器包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层，所述光学传感器与所述电子元件连接；其中，所述第一反射层在所述基底上的正投影与所述第二反射层在所述基底上的正投影交叠，所述第一反射层和所述第二反射层用于形成谐振腔，所述吸收层位于所述谐振腔内。
21.可选的，所述电子元件包括薄膜晶体管，所述在所述基底的一侧制作电子元件和光学传感器，包括：
22.通过构图工艺在所述基底的一侧制作第一反射层；
23.通过构图工艺在所述第一反射层远离所述基底的一侧制作第一非晶硅层和第二非晶硅层，所述第一非晶硅层位于需要制作所述薄膜晶体管的区域，所述第二非晶硅层位于需要制作所述光学传感器的区域；
24.通过构图工艺和掺杂工艺对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层进行掺杂，对所述第一非晶硅层掺杂后形成所述薄膜晶体管的有源层，对所述第二非晶硅层掺杂后形成吸收层；
25.通过构图工艺在所述有源层远离所述基底的一侧制作栅极层和源漏极层，以形成所述薄膜晶体管；在所述吸收层远离所述基底的一侧制作电极层；
26.通过构图工艺在所述电极层远离所述基底的一侧制作第二反射层，以形成所述光学传感器。
27.可选的，在所述基底的一侧制作电子元件和光学传感器之后，还包括：
28.通过构图工艺在所述光学传感器远离所述基底的一侧制作滤光层，所述滤光层在所述基底上的正投影与所述吸收层在所述基底上的正投影交叠。
29.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
30.本技术实施例提供的光电子集成基板包括基底、电子元件和光学传感器，电子元件设置在基底的一侧，光学传感器设置在基底的一侧且与电子元件连接，光学传感器包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层，第一反射层在基底上的正投影与第二反射层在基底上的正投影交叠，第一反射层和第二反射层用于形成谐振腔，吸收层位于谐振腔内。通过在光学传感器中设置第一反射层和第二反射层，第一反射层和第二反射层构成的谐振腔可以使入射到光学传感器中特定波长范围内的光线持续反射震荡，由此可以使吸收层充分地吸收特定波长范围内的光，提高了光学传感器的光吸收效率和光电转换效率。
31.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
32.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
33.图1为本技术提供的一种光电子集成基板的结构示意图；
34.图2为本技术提供的光电子集成基板中谐振腔的结构示意图；
35.图3为本技术提供的一种光电子集成基板中滤光层对于不同波长的光的透过率示意图；
36.图4为本技术提供的光电子集成基板的制作过程的流程示意图；
37.图5a至图5o为本技术实施例提供的制作光电子集成基板的不同过程的结构示意图。
38.图中：
39.10-光电子集成基板；10a-电子元件；10b-光学传感器；
40.11-基底；12-第一反射层；13-第一介质层；14-非晶硅层；141-第一非晶硅层；142-第二非晶硅层；15-栅极绝缘层；16-层间绝缘层；160-通孔；17-第二介质层；18-第二反射层；19-保护层；20-滤光层；
41.21-有源层；22-吸收层；23-栅极层；24-源漏极层；25-电极层；
42.201-掩膜版；202-薄膜晶体管；30-谐振腔。
具体实施方式
43.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
44.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
45.本技术的发明人考虑到，相关技术中的光电子集成基板可以采用硅基底或者玻璃基底，采用硅基底时制作成本较高，采用玻璃基底时成本较低，有利于大规模生产。当光电子集成基板采用玻璃基底时，光电子集成基板上的吸收层的材料为非晶硅，需要采用激光退火工艺制作。然而，在玻璃基底上制作的吸收层厚度较薄(通常在100纳米左右)，导致了吸收层对于光的吸收率较低(对于近红外波段的光的吸收率不足1％)，因此光电子集成基板无法形成有效的光吸收和光电转换，影响了光电子集成基板的性能。
46.本技术提供的光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路，旨在解决现有技术的如上技术问题。
47.下面结合附图详细介绍一下本技术实施例提供的光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路。
48.本技术实施例提供的光电子集成基板10的结构如图1所示，包括：
49.基底11；
50.电子元件10a，设置在基底11的一侧；
51.光学传感器10b，与电子元件10a连接，设置在基底11的一侧，包括依次层叠设置的
第一反射层12、吸收层22和第二反射层18；
52.其中，第一反射层12在基底11上的正投影与第二反射层18在基底11上的正投影交叠，第一反射层12和第二反射层18用于形成谐振腔30，吸收层22位于谐振腔30内，谐振腔30能够使特定波长范围的光在谐振腔30内反复震荡。
53.具体的，基底11的材料可以采用玻璃。光学传感器10b包括沿图1中第一方向依次层叠设置的第一反射层12、第一介质层13、吸收层22、层间绝缘层16、电极层25、第二介质层17和第二反射层18。光学传感器10b可以将接收到的光信号转化为电信号，电子元件10a与光学传感器10b电连接，用以接收和传输光学传感器10b所转化的电信号。在本技术所提供的实施例中，电子元件10a包括薄膜晶体管202，薄膜晶体管202的源漏极层24与光学传感器10b的电极层25电连接，以实现电信号的传输。可以理解的是，电子元件10a也可以是其他的元器件，具体可根据实际情况进行确定。
54.如图1所示，第一反射层12和第二反射层18至少有部分重叠，第一反射层12和第二反射层18的材料包括铝、银等具有良好反射性能的金属材料，层间绝缘层16、第一介质层13和第二介质层17采用透明聚酰亚胺等具有良好透光率的材料。第一反射层12和第二反射层18的厚度可根据实际情况进行调整，需要保证第一反射层12为全反射膜层，第二反射层18为半透明半反射膜层(通过使第二反射层18的厚度较薄实现)。当光线射入光学传感器10b时，由于第一反射层12和第二反射层18对于光线的反射作用，光线会在第一反射层12和第二反射层18之间来回震荡反射，即第一反射层12和第二反射层18构成一个谐振腔30。吸收层22的材料包括非晶硅，在光电子集成基板10的制作过程中，可以通过构图工艺制作形成非晶硅层14，然后对非晶硅层14的两端进行掺杂，形成具有pn结的吸收层22，吸收层22可以将吸收层22光信号转换为电信号。
55.由于吸收层22位于谐振腔30内，因此在谐振腔30内来回反射的光线会不断地穿过吸收层22，吸收层22可以充分地吸收光线，由此提高了光学传感器10b的光吸收率和光电转换效率。需要说明的是，光电子集成基板10所吸收的光线的波长可根据实际情况进行确定，当光电子集成基板10用于可见光通信时，光电子集成基板10吸收可见光并将可见光转换为电信号。当光电子集成基板10用于红外探测、人眼追踪或人机交互等领域时，光电子集成基板10吸收红外光并将红外光转换为电信号。
56.特定波长的光线由第二反射层18(半透明半反射层)射入谐振腔30中后，在谐振腔30内经过多次震荡反射后会由第二反射层18射出。能够由谐振腔30中出射的光线的波长与谐振腔30的腔体长度满足关系式：mλ/2＝l，式中，m为正整数，λ为光的波长，l为谐振腔30的腔体长度。谐振腔30的腔体长度l等于第一反射层12以及第二反射层18之间在图1中第一方向上的距离，即谐振腔30的腔体长度l与第一反射层12以及第二反射层18之间膜层的厚度相关(即第一介质层13、第二介质层17等的厚度)，第一反射层12以及第二反射层18之间的距离越大，谐振腔30的腔体长度越大，通过调整第一反射层12以及第二反射层18之间膜层的厚度，即可调节谐振腔30的腔体长度。可选的，在本技术的实施例中，谐振腔30的腔体长度小于或者等于750纳米，因此，只有当入射到光学传感器10b中的光的波长小于或者等于750纳米时，光线才能在谐振腔30内多次反射后射出，波长大于750纳米的光线(例如近红外光)会在谐振腔30内持续震荡反射，直至被其它结构吸收。由于近红外光的波长范围大于750纳米，因此将谐振腔30的腔体长度设置为小于或者等于750纳米，会使得近红外光在谐
振腔30内反复持续地震荡，即实现对于近红外光的“锁光”，有利于提高光电子集成基板10对于近红外光的光吸收率，当光电子集成基板10应于近红外光电传感器时，可以提高近红外光电传感器的性能。需要说明的是，针对不同波长的光线，光学传感器10b中谐振腔30的腔体长度可根据实际情况进行调整。
57.可选的，结合图1和图2所示,在本技术的实施例中，吸收层22位于谐振腔30的波节p处。具体的，谐振腔30可以出射特定波长的光，吸收层22位于谐振腔30的波节处是指吸收层22设置在该特定波长光的中心波长的任意一个波节p处(波节为驻波场中振幅为零的点)。需要说明的是，吸收层22的位置可以是和波节的位置重合，也可以是靠近波节p的位置(吸收层22与波节p之间的距离小于吸收层22与中心波长的波腹之间的距离)。通过将吸收层22设置在谐振腔30的波节p处，对于能够由谐振腔30内射出光线，吸收层22的吸收程度较低(波节处的能量较少)；另一方面，对于被谐振腔30“锁光”的光线(即在谐振腔30内持续震荡直至耗散或者被吸收的光线)，其中心波长的至少一个波腹(波腹处的能量较高)会与特定波长的光线(能由谐振腔30中出射的光线)的波节重合，因此对于被谐振腔30“锁光”的光线(即在谐振腔30内持续震荡直至耗散或者被吸收的光线)，吸收层22的吸收程度较高，由此可以提高吸收层22对于特定波长范围的光的吸收率，有利于提高光电子集成基板10的光电转换效率。需要说明的是，如图2所示，根据第一反射层12和第二反射层18之间的距离d，以及能够从谐振腔30中出射的光的波长，可以确定波节p的位置。需要说明的是，能够从谐振腔30中出射的光的波长对应一定的范围，中心波长指的是在该波长范围内能量最大的光的波长，可通过中心波长检测系统进行测试后得到。
58.如图1所示，在本技术的实施例中，光电子集成基板10还包括滤光层20，滤光层20位于光学传感器10b远离基底11的一侧，滤光层20在基底11上的正投影与吸收层22在基底11上的正投影交叠。具体的，滤光层20的材料可采用含有有机染料的光刻胶，有机染料的颜色决定了滤光层20对于哪些光具有过滤作用，具体可根据实际情况进行调整。例如，当光电子集成基板10应于近红外光电传感器时，结合图1和图3所示，滤光层20被设置对于波长在800纳米以上的近红外光具有良好的透过性，对于波长在800纳米以下的光透过性较差，即滤光层20可以屏蔽波长在800纳米以下的光线。通过设置滤光层20，可以降低光信号中的噪声，有利于提高光电子集成基板10的光电转换效率。
59.如图1所示，可选在，电子元件10a包括薄膜晶体管202，薄膜晶体管202包括有源层21。吸收层22包括同层设置的n型半导体层、本征半导体层和p型半导体层,吸收层22与有源层21同层设置。具体的，在光电子集成基板10的制作过程中，可以先沉积一层非晶硅层，然后通过构图工艺和掺杂工艺形成有源层21和吸收层22，因此有源层21和吸收层22通过一道光刻工艺即可形成，简化了工艺，降低了制作成本，光电子集成基板10的结构也得到了简化。
60.可选的，如图1所示，薄膜晶体管202包括源漏极层24，源漏极层24位于有源层21远离基底11的一侧。光学传感器10b包括设置在吸收层22和第二反射层18之间的电极层25，电极层25与吸收层22电连接，电极层25与源漏极层24电连接且同层设置。具体的，在光电子集成基板10的制作过程中，可以先沉积一层导电材料层(例如金属或者itp等具有良好导电性能的材料)，然后通过构图工艺对导电材料层进行图案化处理以形成互相电连接的源漏极层24和电极层25，由此可以简化光电子集成基板10的结构和制作工艺，降低了成本。
61.基于同一种发明构思，本技术实施例还提供了一种光电子集成电路，该光电子集成电路包括本技术实施例提供的上述光电子集成基板10。由于光电子集成电路包括本技术实施例提供的上述光电子集成基板10，因此该光电子集成电路具有与光电子集成基板10相同的有益效果，这里不再赘述。
62.基于同一种发明构思，本技术实施例还提供了一种光电子集成基板10的制作方法，如图4所示，包括：
63.s101、提供一基底；
64.s102、在基底的一侧制作电子元件和光学传感器，光学传感器包括依次层叠设置的第一反射层、吸收层和第二反射层，光学传感器与电子元件连接；其中，第一反射层在基底上的正投影与第二反射层在基底上的正投影交叠，第一反射层和第二反射层用于形成谐振腔，吸收层位于谐振腔内。
65.在本技术实施例所提供的制作方法中，光电子集成基板10包括基底11、电子元件10a和光学传感器10b，电子元件10a设置在基底11的一侧，光学传感器10b设置在基底11的一侧且与电子元件10a连接，光学传感器10b包括依次层叠设置的第一反射层12、吸收层22和第二反射层18，第一反射层12在基底11上的正投影与第二反射层18在基底11上的正投影交叠，第一反射层12和第二反射层18用于形成谐振腔30，吸收层22位于谐振腔30内，谐振腔30能够使特定波长范围的光在谐振腔30内反复震荡。通过在光学传感器10b中设置第一反射层12和第二反射层18，第一反射层12和第二反射层18构成的谐振腔30可以使入射到光学传感器10b中特定波长范围内的光线持续反射震荡，由此可以使吸收层22充分地吸收特定波长范围内的光，提高了光学传感器10b的光吸收效率和光电转换效率。
66.可选的，在本技术的实施例中，电子元件10a包括薄膜晶体管202，在基底11的一侧制作电子元件10a和光学传感器10b，包括：
67.通过构图工艺在基底的一侧制作第一反射层；
68.通过构图工艺在第一反射层远离基底的一侧制作第一非晶硅层和第二非晶硅层，第一非晶硅层位于需要制作薄膜晶体管的区域，第二非晶硅层142位于需要制作光学传感器的区域；
69.通过构图工艺和掺杂工艺对第一非晶硅层和第二非晶硅层进行掺杂，对第一非晶硅层掺杂后形成薄膜晶体管的有源层，对第二非晶硅层掺杂后形成吸收层；
70.通过构图工艺在有源层远离基底的一侧制作栅极层和源漏极层，以形成薄膜晶体管；在吸收层远离基底的一侧制作电极层；
71.通过构图工艺在电极层远离基底的一侧制作第二反射层，以形成光学传感器。
72.在一个具体的实施例中，在基底的一侧制作电子元件和光学传感器之后，还包括：
73.通过构图工艺在光学传感器远离基底的一侧制作滤光层，滤光层在基底上的正投影与吸收层在基底上的正投影交叠。
74.具体地，本技术实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程。
75.下面结合附图详细介绍该第一种实施方式制作光电子集成基板10的具体过程。
76.如图5a所示，首先，提供一基底11，基底11的材料包括玻璃。
77.如图5b所示，接着，在基底11的一侧通过构图工艺制作第一反射层12，第一反射层
12的材料包括铝或者银等具有良好反射性能的材料，第一反射层12的厚度可根据实际情况进行调整，第一反射层12为全反射膜层。
78.如图5c所示，接着，在第一反射层12远离基底11的一侧制作第一介质层13，第一介质层13可采用透明聚酰亚胺等具有良好透光率的材料，其厚度可根据实际情况进行调整。
79.如图5d所示，接着，在第一介质层13远离基底11的一侧沉积非晶硅层14，然后对非晶硅层14进行脱氢、激光退火和图案化处理，以形成第一非晶硅层141和第二非晶硅层142，第一非晶硅层141位于待制作薄膜晶体管的区域，第二非晶硅层142位于待制作光学传感器的区域。
80.如图5e所示，接着，在第一非晶硅层141和第二非晶硅层142远离基底11的一侧制作栅极绝缘层15，栅极绝缘层15的材料包括氧化硅或者氮化硅等具有良好绝缘性能的材料，具体可根据实际情况进行确定。
81.如图5f所示，接着，通过构图工艺在层间绝缘层16远离基底11的一侧制作栅极层23，栅极层23的材料为金属材料。
82.如图5g所示，接着，利用掩膜版201遮挡部分第二非晶硅层142，并对第一非晶硅层141以及另一部分第二非晶硅硅层进行第一种离子掺杂(p型离子或者n型离子掺杂)，掺杂后的第一非晶硅层141作为薄膜晶体管的有源层21。具体地，在进行第一种离子掺杂时，第一非晶硅层141以栅极层23作为掩膜，第二非晶硅层142以掩膜版201作为掩膜，掩膜版201具体可以为通过构图工艺制作形成的光刻胶。
83.如图5h所示，接着，利用掩膜版201遮挡有源层21以及部分第二非晶硅层142，对另一部分第二非晶硅层142进行第二种离子掺杂，第二种离子与第一种离子的极性相反(若第一种离子为p型离子，第二种离子为n型离子；若若第一种离子为n型离子，第二种离子为p型离子)，掺杂后的第二非晶硅层142形成pn结，可作为光学传感器10b的吸收层22，掩膜版201具体可以为通过构图工艺制作形成的光刻胶。
84.如图5i所示，接着，在栅极绝缘层15远离基底11的一侧制作层间绝缘层16，并使层间绝缘层16覆盖栅极层23。层间绝缘层16的材料包括氧化硅或者氮化硅等具有良好绝缘性能的材料，具体可根据实际情况进行确定。
85.如图5j所示，接着，通过光刻工艺在层间绝缘层16上刻蚀出通孔160，通孔160的位置与有源层21上的掺杂区域以及吸收层22上的掺杂区域对应。
86.如图5k所示，接着，通过构图工艺在层间绝缘层16远离基底11的一侧制作源漏极层24以及电极层25，源漏极层24穿过通孔160与有源层21电连接，电极层25穿过通孔160与吸收层22电连接，源漏极层24与电极层25电连接。
87.如图5l所示，接着，在源漏极层24与电极层25远离基底11的一侧制作第二介质层17，第二介质层17可采用透明聚酰亚胺等具有良好透光率的材料，其厚度可根据实际情况进行调整。
88.如图5m所示，接着，通过构图工艺在第二介质层17远离基底11的一侧制作第二反射层18，第二反射层18的位置与第一反射层12以及吸收层22的位置相对应，即第一反射层12、第二反射层18以及吸收层22三者在基底11上的正投影至少部分重叠。第二反射层18的材料包括铝、银等具有良好反射性能的金属材料，第二反射层18的厚度可根据实际情况进行调整，需保证第二反射层18为半透明半反射膜层。第一反射层12和第二反射层18构成一
个谐振腔30，吸收层22位于谐振腔30内。
89.需要说明的是，谐振腔30的腔体长度l与第一反射层12以及第二反射层18之间膜层的厚度相关(即第一介质层13、第二介质层17、层间绝缘层16和栅极绝缘层15等的厚度)，第一反射层12以及第二反射层18之间的距离越大，谐振腔30的腔体长度越大，通过调整第一反射层12以及第二反射层18之间膜层的厚度，即可调节谐振腔30的腔体长度。
90.如图5n所示，接着，在第二介质层17远离基底11的一侧制作保护层19，并使保护层19覆盖第二介质层17。
91.如图5o所示，接着，在保护层19远离基底11的一侧制作滤光层20，并使滤光层20的位置与吸收层22的位置对应，即滤光层20在基底11上的正投影与吸收层22在基底11上的正投影交叠。滤光层20的材料可采用含有有机染料的光刻胶，有机染料的颜色决定了滤光层20对于哪些光具有过滤作用，具体可根据实际情况进行调整。
92.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
93.1.本技术实施例中的光电子集成基板10包括基底11、电子元件10a和光学传感器10b，光学传感器10b包括依次层叠设置的第一反射层12、吸收层22和第二反射层18，第一反射层12在基底11上的正投影与第二反射层18在基底11上的正投影交叠，第一反射层12和第二反射层18用于形成谐振腔30，吸收层22位于谐振腔30内，谐振腔30能够使特定波长范围的光在谐振腔30内反复震荡。通过在光学传感器10b中设置第一反射层12和第二反射层18，第一反射层12和第二反射层18构成的谐振腔30可以使入射到光学传感器10b中特定波长范围内的光线持续反射震荡，由此可以使吸收层22充分地吸收特定波长范围内的光，提高了光学传感器10b的光吸收效率和光电转换效率。
94.2.在本技术的实施例中，通过将谐振腔30的腔体长度设置为小于或者等于750纳米，会使得近红外光在谐振腔30内反复持续地震荡，即实现对于近红外光的“锁光”，有利于提高光电子集成基板10对于近红外光的光吸收率，当光电子集成基板10应于近红外光电传感器时，可以提高近红外光电传感器的性能。
95.3.在本技术的实施例中，通过将吸收层22设置在谐振腔30的波节处，对于能够由谐振腔30内射出光线，吸收层22的吸收程度较低(波节处的能量较少)，对于被谐振腔30“锁光”的光线(即在谐振腔30内持续震荡直至耗散或者被吸收的光线)，吸收层22的吸收程度较高，因此可以提高吸收层22对于特定波长范围的光的吸收率，有利于提高光电子集成基板10的光电转换效率。
96.4.在本技术的实施例中，通过设置滤光层20，可以屏蔽光信号中其他波长范围的光线，以降低光信号中的噪声，有利于提高光电子集成基板10的光电转换效率。
97.5.通过使薄膜晶体管202的有源层21与光学传感器10b的吸收层22同层设置，在光电子集成基板10的制作过程中，可通过一道构图工艺制作形成有源层21和吸收层22，由此简化了光电子集成基板10的结构和制作工艺。
98.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
99.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者
隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
100.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
101.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。