发光二极管、发光基板以及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种发光二极管、发光基板以及显示装置。


背景技术：

2.迷你型发光二极管(mini light-emitting diode,miniled)显示技术除了可以应用在直显产品外，还可以应用于mini led背光产品。当miniled显示技术应用至背光产品，同时配备至液晶显示器(liquid crystal display,lcd)时，能够打造出可实现背光分区控制，并与有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)显示屏的对比度相接近的高端显示产品。
3.与传统lcd中的背光产品不同的是，miniled显示技术可以将背光灯珠做的非常小，这样就可以在同一块屏幕上集成更多的背光灯珠，从而划分成更多精细的背光分区，以提高背光产品的对比度，提高背光品味。
4.然而，现有led的发光视角较小，在保证背光品味相同的情况下，所需led数量较多，成本较高。因此，提供一种能够广角发光的led，以降低背光产品的生产成本，成为亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本技术提供一种发光二极管、发光基板以及显示装置，通过提供能够广角发光的发光二极管，能够在保证背光品味相同的情况下，减少背光产品中的led数量，从而降低背光产品的生产成本。
6.本技术实施例提供一种发光二极管，其包括：
7.第一半导体层；
8.发光层，设置在所述第一半导体层上；
9.第二半导体层，设置在所述发光层远离所述第一半导体层的一侧，且位于所述发光层的出光面上；以及
10.第一保护层，设置在所述第二半导体层远离所述发光层的一侧；
11.所述发光二极管包括至少一个扩散面，所述至少一个扩散面包括所述第二半导体层远离所述发光层的表面和/或，所述第一保护层远离所述第二半导体层的表面；其中，所述扩散面包括中心曲面和连接于所述中心曲面的边缘曲面，所述中心曲面朝向所述发光层内凹，所述边缘曲面朝向所述发光层外凸。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述中心曲面覆盖所述发光层的中心。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二半导体层远离所述发光层的表面为第一扩散面，所述第一扩散面包括第一中心曲面和连接于所述第一中心曲面的第一边缘曲面，所述第一中心曲面朝向所述发光层内凹，所述第一边缘曲面朝向所述发光层外凸；
14.所述第二半导体层还包括第一底面，所述第一底面与所述发光层的出光面接触，并与所述第一边缘曲面相连。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一保护层远离所述第二半导体层的表面为第二扩散面，所述第二扩散面包括第二中心曲面和连接于所述第二中心曲面的第二边缘曲面，所述第二中心曲面朝向所述发光层内凹，所述第二边缘曲面朝向所述发光层外凸；
16.第一保护层还包括第二底面，所述第二底面与所述第一扩散面接触，并与所述第二边缘曲面相连。
17.本技术实施例提供一种发光基板，其包括基底和设置在所述基底上的发光二极管，所述发光二极管包括：
18.第一半导体层；
19.发光层，设置在所述第一半导体层上；
20.第二半导体层，设置在所述发光层远离所述第一半导体层的一侧，且位于所述发光层的出光面上；以及
21.第一保护层，设置在所述第二半导体层远离所述发光层的一侧；
22.所述发光二极管包括至少一个扩散面，所述至少一个扩散面包括所述第二半导体层远离所述发光层的表面和/或，所述第一保护层远离所述第二半导体层的表面；其中，所述扩散面包括中心曲面和连接于所述中心曲面的边缘曲面，所述中心曲面朝向所述发光层内凹，所述边缘曲面朝向所述发光层外凸。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，所述发光基板还包括覆盖所述发光二极管的封装层，所述封装层远离所述基底的一侧形成有朝向所述发光二极管内凹的凹陷部。
24.可选的，在本技术的一些实施例中，所述封装层包括多个封装部，每一所述封装部包括覆盖一所述发光二极管的中心的所述凹陷部，所述凹陷部远离所述发光二极管的表面包括朝向所述发光二极管内凹的发散面，所述发散面自所述基底朝向所述发光二极管的方向外凸。
25.可选的，在本技术的一些实施例中，所述封装层覆盖所述发光二极管的上表面并填充于相邻所述发光二极管之间的区域，所述凹陷部覆盖所述发光二极管的中心；所述封装层远离所述发光二极管的表面呈波浪状。
26.可选的，在本技术的一些实施例中，所述发光基板还包括设置在所述基底上的灯座，所述灯座包括底面、分别与所述底面相连的第一表面和第二表面，所述底面与所述基底的表面接触，所述第一表面与所述底面形成的夹角、所述第二表面与所述底面形成的夹角均为锐角，所述第一表面和所述第二表面上均设置有至少一所述发光二极管。
27.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一表面与所述底面形成的夹角和所述第二表面与所述底面形成的夹角相等。
28.可选的，在本技术的一些实施例中，所述灯座还包括第三表面，所述第三表面连接于所述第一表面和所述第二表面之间，所述第三表面平行于所述底面，所述第三表面上设置有至少一所述发光二极管。
29.可选的，在本技术的一些实施例中，所述灯座自所述基底的一端延伸至所述基底的另一端，所述第一表面和所述第二表面上均设置有多个所述发光二极管，且所述第一表面上的所述发光二极管和所述第二表面上的所述发光二极管对称。
30.本技术实施例还提供一种显示装置，其包括液晶显示面板和设置在所述液晶显示面板一侧的发光基板，所述发光基板为前述任一实施例所述的发光基板。
31.相较于现有技术中的发光二极管，本技术通过在发光二极管中设置至少一个扩散面，由于扩散面包括中心曲面和连接于中心曲面的边缘曲面，中心曲面朝向发光层内凹，边缘曲面朝向发光层外凸，当发光层发出的光线射入扩散面中的中心曲面和边缘曲面之后，自中心曲面和边缘曲面出射的光线的出射角度会增大，进而能够增大发光二极管的发光视角，从而提供了一种能够广角发光的发光二极管。当上述能够广角发光的发光二极管应用于背光产品中时，在保证背光品味相同的情况下，本技术能够减少背光产品中的发光二极管数量，从而能够降低背光产品的生产成本。
附图说明
32.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
33.图1是本技术提供的发光二极管的结构示意图。
34.图2是本技术第一实施例提供的发光基板的结构示意图。
35.图3是本技术第二实施例提供的发光基板的结构示意图。
36.图4是本技术第二实施例提供的发光基板中的光路结构示意图。
37.图5是本技术第三实施例提供的发光基板的结构示意图。
38.图6是本技术第四实施例提供的发光基板的结构示意图。
39.图7是本技术第四实施例提供的发光基板的平面结构示意图。
40.图8是图7所示的灯座的立体结构示意图。
41.图9是本技术第五实施例提供的发光基板的结构示意图。
42.图10是本技术第五实施例提供的发光基板的平面结构示意图。
43.图11是本技术第六实施例提供的发光基板的结构示意图。
44.图12是图11所示的灯座的立体结构示意图。
45.图13是本技术提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
46.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
47.本技术提供一种发光二极管、发光基板以及显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
48.本技术提供一种发光二极管。所述发光二极管包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、以及第一保护层；发光层设置在第一半导体层上；第二半导体层设置在发光层远离第一半导体层的一侧，且位于发光层的出光面上；第一保护层设置在第二半导体层远离发
光层的一侧；发光二极管包括至少一个扩散面，至少一个扩散面包括第二半导体层远离发光层的表面和/或，第一保护层远离第二半导体层的表面；其中，扩散面包括中心曲面和连接于中心曲面的边缘曲面，中心曲面朝向发光层内凹，边缘曲面朝向发光层外凸。
49.由此，本技术通过在发光二极管中设置至少一个扩散面，由于扩散面包括中心曲面和连接于中心曲面的边缘曲面，中心曲面朝向发光层内凹，边缘曲面朝向发光层外凸，当发光层发出的光线射入扩散面中的中心曲面和边缘曲面之后，自中心曲面和边缘曲面出射的光线的出射角度会增大，进而能够增大发光二极管的发光视角，从而提供了一种能够广角发光的发光二极管。当上述能够广角发光的发光二极管应用于背光产品中时，在保证背光品味相同的情况下，本技术能够减少背光产品中的发光二极管数量，从而能够降低背光产品的生产成本。
50.下面通过具体实施例对本技术提供的发光二极管进行详细的阐述。
51.请参照图1，本技术示例一提供一种发光二极管10。发光二极管10包括衬底1、缓冲层2、第一半导体层3、发光层4、第二半导体层5、第一保护层6、第二保护层7、第一电极8以及第二电极9。
52.具体的，衬底1可以为蓝宝石衬底、砷化镓衬底或硅基衬底。在本实施例中，衬底1为蓝宝石衬底。
53.缓冲层2设置在衬底1的一侧。缓冲层2的材料可以包括氮化镓。
54.第一半导体层3设置在缓冲层2远离衬底1的一侧。在本实施例中，第一半导体层3为n型半导体层，n型半导体层的材料包括n型氮化镓。
55.发光层4设置在第一半导体层3远离缓冲层2的一侧。发光层4包括出光面。其中，发光层4为多量子阱结构，多量子阱结构可以包括氮化镓层(图中未示出)和氮化镓铟层(图中未示出)的叠层结构。
56.第二半导体层5设置在发光层4远离第一半导体层3的一侧。第二半导体层5位于发光层4的出光面上。第二半导体层5为中心凹陷、边缘外凸的结构。在本实施例中，第二半导体层5为p型半导体层，p型半导体层的材料包括p型氮化镓。
57.第一保护层6设置在第二半导体层5远离发光层4的一侧。第一保护层6为中心凹陷、边缘外凸的结构。第一保护层6的折射率小于第二半导体层5的折射率，并大于空气的折射率。其中，第一保护层6的材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
58.在本实施例中，发光二极管10包括至少一个扩散面。至少一个扩散面包括第二半导体层5远离发光层4的表面和第一保护层6远离第二半导体层5的表面。其中，扩散面包括中心曲面和连接于中心曲面的边缘曲面。其中，边缘曲面位于中心曲面的周侧。中心曲面朝向发光层4内凹。边缘曲面朝向发光层4外凸。
59.其中，至少一个扩散面包括第一扩散面51和第二扩散面61。第二半导体层5远离发光层4的表面为第一扩散面51。第一保护层6远离第二半导体层5的表面为第二扩散面61。需要说明的是，在一些实施例中，发光二极管10也可以仅包括第一扩散面51和第二扩散面61中的一者，此时，扩散面为第二半导体层5远离发光层4的表面或第一保护层6远离第二半导体层5的表面，在此不再赘述。
60.具体的，第一扩散面51包括第一中心曲面511和连接于第一中心曲面511的第一边缘曲面512。其中，第一边缘曲面512位于第一中心曲面511的周侧。第一中心曲面511朝向发
光层4内凹。第一边缘曲面512朝向发光层4外凸。通过上述设置，当自发光层4中心出射的光线射入第一中心曲面511和第一边缘曲面512时，上述入射光线会向远离发光层4中心的方向扩散，从而能够增大光线的出射角度，使得发光二极管10能够实现广角发光。
61.在本实施例中，第一中心曲面511覆盖发光层4的中心，该设置使得发光层4中心的出射光线能够射入第一中心曲面511，以增大发光层4中心的视角。
62.进一步的，第二半导体层5还包括第一底面52。其中，第一底面52与发光层4的出光面接触，并与第一边缘曲面512相连。
63.当自发光层4中心出射的光线射入第一中心曲面511和第一边缘曲面512时，上述入射光线会分别在第一中心曲面511和第一边缘曲面512上向远离发光层4中心的方向扩散。具体的，一部分入射光线会在第一中心曲面511上发生折射，该部分折射光线的角度增大，从而能够增大发光二极管10正面的发光视角；另一部分入射光线会在第一中心曲面511和第一边缘曲面512的正面上发生反射并射向第一边缘曲面512的侧面上，射向第一边缘曲面512侧面的反射光线会发生折射，使得自第一边缘曲面512侧面出射的折射光线的角度增大，进而能够增大发光二极管10侧面的发光视角。由此，本实施例提供了一种能够广角发光的发光二极管10。
64.具体的，第二扩散面61包括第二中心曲面611和连接于第二中心曲面611的第二边缘曲面612。其中，第二边缘曲面612位于第二中心曲面611的周侧。第二中心曲面611朝向发光层4内凹。第二边缘曲面612朝向发光层4外凸。通过上述设置，当自第一扩散面51出射的光线射入第二中心曲面611和第二边缘曲面612时，上述入射光线会向远离发光层4中心的方向扩散，从而能够进一步增大光线的出射角度。
65.在本实施例中，第二中心曲面611覆盖发光层4的中心，该设置使得发光层4中心的出射光线自第一中心曲面511射出之后再射入第二中心曲面611，以进一步增大发光层4中心的视角。
66.进一步的，第一保护层6还包括第二底面62。其中，第二底面62与第一扩散面51接触，并与第二边缘曲面612相连。
67.当自发光层4中心出射的光线自第一中心曲面511和第一边缘曲面512出射后再射入第二中心曲面611和第二边缘曲面612时，上述入射光线会分别在第二中心曲面611和第二边缘曲面612上向远离发光层4中心的方向扩散。具体的，一部分入射光线会在第二中心曲面611上发生折射，该部分折射光线的角度增大，从而能够进一步增大发光二极管10正面的发光视角；另一部分折射光线会在第二中心曲面611和第二边缘曲面612的正面上发生反射并射向第二边缘曲面612的侧面上，射向第二边缘曲面612侧面的反射光线会发生折射，使得自第二边缘曲面612侧面出射的折射光线的角度增大，进而能够进一步增大发光二极管10侧面的发光视角，从而增大了发光二极管10整体的发光视角。
68.第二保护层7设置在第一半导体层3远离缓冲层2的一侧，并与发光层4相邻。第二保护层7的厚度小于发光层4的厚度。具体的，第二保护层7与发光层4同层，且第二保护层7的侧面与发光层4的侧面相接触。其中，第二保护层7可以与第一保护层6采用同一道工艺制得，第二保护层7的材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
69.第一电极8设置在第一保护层6远离第二半导体层5的一侧，第一电极8可以为p型电极。第二电极9设置在第二保护层7远离第一半导体层3的一侧，第二电极9可以为n型电
极。需要说明的是，第一电极8可以设置在第二边缘曲面612上，也可以设置在第二中心曲面611上，本技术仅示意出了第一电极8设置在第二边缘曲面612上时的结构，但并不能理解为对本技术的限制。
70.请参照图2，本技术第一实施例提供一种发光基板100。发光基板100包括基底20和设置在基底20上的发光二极管10。
71.其中，基底20可以为驱动基板，该驱动基板可以为pcb基的驱动基板，也可以为玻璃基的驱动基板。另外，发光二极管10的结构与前述示例一中的发光二极管10的结构相同，发光二极管10的具体结构可以参照前述示例一的描述，在此不再赘述。
72.需要说明的是，本实施例提供的发光基板100可以作为背光产品而应用至lcd中，还可以作为直显产品，本实施例仅以发光基板100作为背光产品为例进行说明，但并不能理解为对本技术的限制。
73.本实施例提供的发光基板100通过使用能够广角发光的发光二极管10，在保证背光品味相同的情况下，能够减少发光基板100中发光二极管10的使用数量，从而能够降低背光产品的生产成本。另外，在保证发光基板100中发光二极管10的数量相同的情况下，本实施例能够改善背光品味，以提高显示产品的对比度。
74.请参照图3和图4，本技术第二实施例提供一种发光基板100。本技术第二实施例提供的发光基板100与第一实施例的不同之处在于：发光基板100还包括覆盖发光二极管10的封装层30。封装层30远离基底20的一侧形成有朝向发光二极管10内凹的凹陷部30a。
75.在本实施例中，封装层30包括多个封装部31。其中，封装部31的材料可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂和硅胶中的一种或多种。
76.每一封装部31包括覆盖一发光二极管10中心的凹陷部30a。凹陷部30a远离发光二极管10的表面包括朝向发光二极管10内凹的发散面30a。发散面30a自基底20朝向发光二极管10的方向外凸。
77.需要说明的是，发散面30a的结构与前述示例一中第一扩散面51的结构相同，其增大光线出射角度的原理也相同，发散面30a的具体结构可以参照前述示例一中对第一扩散面51的描述，在此不再赘述。
78.本实施例通过在封装部31上设置发散面30a，当自发光二极管10的中心出射的光线射入发散面30a上时，上述入射光线会在发散面30a上向远离发光二极管10的中心的方向扩散。具体的，一部分入射光线会在发散面30a上发生折射，该部分折射光线的角度增大，从而能够增大发光二极管10上方的发光视角；另一部分入射光线会在发散面30a上发生反射并射入封装部31的侧面，该部分反射光线会在封装层30的侧面发生折射，使得自封装部31侧面出射的折射光线的角度增大，进而能够增大发光二极管10侧面的发光视角。由此，通过在发光二极管10上设置包括上述结构的封装部31，本实施例能够进一步增大发光基板100上发光二极管10上方及侧面的发光视角，进而在保证背光品味相同的情况下，能够进一步减少发光基板100中发光二极管10的使用数量，以进一步降低背光产品的生产成本。
79.请参照图5，本技术第三实施例提供一种发光基板100。本技术第三实施例提供的发光基板100与第一实施例的不同之处在于：发光基板100还包括覆盖发光二极管10的封装层30。封装层30远离基底20的一侧形成有朝向发光二极管10内凹的凹陷部30a。
80.具体的，封装层30整面设置。其中，封装层30的材料可以包括环氧树脂、丙烯酸树
脂和硅胶中的一种或多种。
81.封装层30覆盖发光二极管10的上表面并填充于相邻发光二极管10之间的区域。凹陷部30a覆盖发光二极管10的中心。封装层30远离发光二极管10的表面呈波浪状。
82.需要说明的是，在本实施例中，封装层30远离基底20的表面对应发光二极管10的部分朝向基底20内凹，以形成对应每一发光二极管10的凹陷部30a。在相邻发光二极管10之间的区域，封装层30远离基底20的表面朝向基底20外凸。
83.在本实施例中，当自发光二极管10的中心出射的光线射入封装层30的表面时，上述入射光线会在凹陷部30a处向远离发光二极管10的中心的方向扩散。具体的，一部分入射光线会在凹陷部30a的表面发生折射，该部分折射光线的角度增大，从而能够增大发光二极管10上方的发光视角，在保证背光品味相同的情况下，能够进一步减少发光基板100中发光二极管10的使用数量，以进一步降低背光产品的生产成本。
84.请参照图6至图8，本技术第四实施例提供一种发光基板100。本技术第四实施例提供的发光基板100与第一实施例的不同之处在于：发光基板100还包括设置在基底20上的灯座40。灯座40包括底面41、分别与底面41相连的第一表面42和第二表面43。底面41与基底20的表面接触。第一表面42与底面41形成的夹角、第二表面43与底面41形成的夹角均为锐角。第一表面42和第二表面43上均设置有至少一发光二极管10。
85.本实施例通过在基底20上设置灯座40，由于灯座40的第一表面42与底面41形成的夹角、第二表面43与底面41形成的夹角均为锐角，对于同一灯座40，通过以灯座40为承载体，使得发光二极管10倾斜设置，进而能够增大灯座40上方的发光视角，从而能够进一步增大发光基板100的发光视角，以改善背光品味。另外，当发光基板100尺寸一定时，在上述设置下，使得基底20上可以容置更多数量的发光二极管10，从而能够进一步改善背光品味。
86.需要说明的是，本实施例仅以第一表面42和第二表面43上的发光二极管10的数量均为一个时的结构为例进行说明，但并不限于此。在一些实施例中，第一表面42和第二表面43上的发光二极管10的数量可以为两个及以上，第一表面42和第二表面43上的发光二极管10的具体数量可以根据实际应用需求进行设定，本技术对此不作限定。
87.在一些具体实施方式中，第一表面42与底面41形成的夹角、第二表面43与底面41形成的夹角具体可以为30度、45度或60度，上述夹角的具体大小还可以根据发光二极管10的发光角度进行调节，本技术对此不作限定。
88.进一步的，在本实施例中，第一表面42与底面41形成的夹角和第二表面43与底面41形成的夹角相等。上述设置能够提高灯座40上方的发光均一性，从而有利于提高发光基板100整体的发光均一性。
89.在本实施例中，多个灯座40在基底20上呈阵列排布，如图7所示。其中，在第一方向x和第二方向y上，灯座40的数量均为多个。具体的，如图8所示，灯座40可以为三棱柱结构。另外，第一表面42上的发光二极管10和第二表面43上的发光二极管10对称，该设置能够提高灯座40上方的发光均一性。
90.请参照图9和图10，本技术第五实施例提供一种发光基板100。本技术第五实施例提供的发光基板100与第四实施例的不同之处在于：灯座40自基底20的一端延伸至基底20的另一端。第一表面42和第二表面43上均设置有多个发光二极管10。
91.具体的，在第一方向x上，灯座40的数量为一个，在第二方向y上，灯座40的数量为
多个。
92.本实施例通过将第一方向x上灯座40的使用数量设置为一个，大大降低了灯座40的使用数量，从而能够降低发光基板100的工艺操作难度。另外，当发光基板100的尺寸一定时，一个灯座40上能够容置更多数量的发光二极管10，从而有助于改善背光品味。
93.需要说明的是，在一些实施例中，还可以将第二方向y上的灯座40的数量为一个，第一方向x上的灯座40的数量设置为多个，在此不再赘述。
94.请参照图11和图12，本技术第六实施例提供一种发光基板100。本技术第六实施例提供的发光基板100与第四实施例的不同之处在于：灯座40还包括第三表面44。第三表面44连接于第一表面42和第二表面43之间。第三表面44平行于底面41。第三表面44上设置有至少一发光二极管10。
95.本实施例通过设置包括第三表面44的灯座40，使得第三表面44上能够容置发光二极管10，进而在增大发光基板100的发光视角的同时，能够增大灯座40正上方的发光亮度，以提高发光基板100正面的发光亮度。
96.需要说明的是，本实施例仅以第三表面44上的发光二极管10的数量为一个时的情况为例进行说明，但并不限于此。在一些实施例中，第三表面44上的发光二极管10的数量可以为两个及以上，第三表面44上的发光二极管10的具体数量可以根据实际应用需求进行设定，本技术对此不作限定。
97.本技术还提供一种显示装置。其中，所述显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何包括显示功能的产品或部件。
98.具体的，请参照图13，本技术提供的显示装置1000包括液晶显示面板200和设置在液晶显示面板200一侧的发光基板100。其中，发光基板100可以为前述任一实施例所述的发光基板100，发光基板100的具体结构可以参照前述任一实施例的描述，在此不再赘述。
99.进一步的，显示装置1000还包括框体300和光学模组400。具体的，框体300包括底板301、侧壁302以及中框303。底板301设置在发光基板100远离液晶显示面板200的一侧，用于承载发光基板100。侧壁302设置在底板301上，并与底板相连。中框303设置在侧壁302上。光学模组400与中框303的内表面抵接。其中，光学模组400可以包括依次设置在发光基板100上方的扩散板401、扩散片402、量子点膜403以及棱镜片404。
100.需要说明的是，本实施例中显示装置1000的结构仅为示意，用于方便描述本实施例，在一些实施例中，显示装置1000还可以包括其他膜层结构，在此不再赘述。
101.以上对本技术实施例所提供的一种发光二极管、发光基板以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。