技术特征：
1.一种等离子体源系统，其特征在于，包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元，所述感性耦合射频单元用于产生进入所述反应腔主体参加反应的等离子体；所述反应腔主体内设有支撑平台和位置可调的腔体保护环，所述支撑平台用于放置晶圆，所述腔体保护环环绕所述反应腔主体的内壁进行设置且位于所述支撑平台的周围，所述腔体保护环沿圆周方向设有多个磁性件，所述磁性件用于调节所述晶圆边缘的等离子体密度。2.根据权利要求1所述的等离子体源系统，其特征在于，所述腔体保护环的底部连接有移动执行器，所述移动执行器带动所述腔体保护环进行上下移动。3.根据权利要求2所述的等离子体源系统，其特征在于，所述移动执行器为多线程气缸或伺服电机。4.根据权利要求1所述的等离子体源系统，其特征在于，所述腔体保护环沿周向设置为分段式结构，每段腔体保护环的位置可单独调整。5.根据权利要求1所述的等离子体源系统，其特征在于，所述磁性件在腔体保护环上的设置方式为通过真空焊接密封的方式封入所述腔体保护环内部，或者被安装至所述腔体保护环的外壁上。6.根据权利要求1所述的等离子体源系统，其特征在于，所述感性耦合射频单元包括：屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部的反应室介质管；位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的天线系统，所述天线系统用于在所述反应室介质管内部产生等离子体，所述等离子体用于通过所述反应室介质管进入所述支撑平台和所述反应室介质管之间；射频电源；以及射频匹配器，所述射频匹配器的一端与所述射频电源连接，所述射频匹配器的另一端与所述天线系统的一端连接，所述天线系统的另一端接地。7.根据权利要求7所述的等离子体源系统，其特征在于，所述感性耦合射频单元还包括：位于所述反应室介质管顶部的进气管，所述进气管用于通入刻蚀晶圆的刻蚀气体至所述反应室介质管中。8.根据权利要求7所述的等离子体源系统，其特征在于，所述等离子体源系统还包括冷却装置，所述冷却装置位于所述屏蔽罩的顶部，所述冷却装置用于对所述射频天线和所述反应室介质管进行冷却。9.根据权利要求1-8任一项所述的等离子体源系统，其特征在于，所述腔体保护环的材料为铝合金或陶瓷，所述铝合金表面设有硬质阳极氧化保护层或氧化钇保护层。10.一种如权利要求1-9任一项所述的等离子体源系统的使用方法，其特征在于，所述方法包括：调整所述腔体保护环的位置，将晶圆传入至所述反应腔主体中；根据晶圆边缘等离子体的密度需求调整所述腔体保护环的位置以及所述磁性件的个数，所述感性耦合射频单元产生等离子体，所述等离子体进入所述反应腔主体中以对所述
晶圆进行刻蚀；刻蚀结束后，再次调整所述腔体保护环的位置，将晶圆传出所述反应腔主体。
技术总结
本申请提供了一种等离子体源系统及其使用方法，属于等离子体刻蚀技术领域，具体包括反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元，所述感性耦合射频单元用于产生进入所述反应腔主体参加反应的等离子体；所述反应腔主体内设有支撑平台和位置可调的腔体保护环，所述支撑平台用于放置晶圆，所述腔体保护环环绕所述反应腔主体的内壁进行设置且位于所述支撑平台的周围，所述腔体保护环沿圆周方向设有多个磁性件，所述磁性件用于调节所述晶圆边缘的等离子体密度。通过本申请的处理方案，提高了晶圆表面刻蚀速率的均匀性，以及对反应腔主体进行有效防护。反应腔主体进行有效防护。反应腔主体进行有效防护。
技术研发人员：张朋兵 陈世名
受保护的技术使用者：上海谙邦半导体设备有限公司
技术研发日：2022.03.25
技术公布日：2022/8/5