发光装置的制作方法

1.本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光装置。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结，在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
3.为适配应用端电源，高压中低电流驱动封装平台应运而生，愈来愈多的led产品是将原先的单一芯片划分成多颗小芯片，再将多颗小芯片串接起来，以使得led产品具有更好的光电特性，尽可能满足市场对于高光功率密度的需求。然而，使用多颗小芯片串接，在封装制程中需要考虑安全焊线距离(安全焊线距离≥150μm)，使得小芯片与小芯片之间的间隙无法缩小，也就无法更好地满足市场对于led产品的高光功率密度的需求。
4.一组完整的焊线包含第一焊点、第二焊点以及线弧；安全焊线距离的限定主要来源于封装工艺的焊线设备，具体是因为焊线的瓷嘴在打第二焊点的时候不能碰到已经打好的第一焊点，瓷嘴的物理尺寸跟焊点的大小决定了两个焊点的距离无法趋近于0，安全焊线距离至少应该大于瓷嘴半径以及两个焊点半径的总和，因此，在实务上安全焊线距离需≥150μm。
5.因此，如何在保证安全焊线距离的情况下缩小芯片与芯片之间的间隙已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。


技术实现要素：

6.本发明提供一种发光装置，其包括多个发光单元以及多个焊线层。
7.各发光单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极是间隔设置，第一电极和第二电极的电性不同。所述多个焊线层将所述多个发光单元电性连接，其中，相邻二个发光单元之间的间距为0.5μm～50μm，各焊线层投影至发光单元上的长度大于等于150μm。
8.在一实施例中，所述多个发光单元之间是串联连接，从所述发光装置的上方朝向所述发光单元俯视，各所述发光单元具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边、第一短边、第二长边和第二短边；其中，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8。
9.在一实施例中，所述多个发光单元之间是并联连接，从所述发光装置的上方朝向所述发光单元俯视，各所述发光单元具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边、第一短边、第二长边和第二短边；其中，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8。
10.在一实施例中，各所述发光单元中的第一电极与第二电极之间具有第三水平距离，所述第三水平距离介于所述第一长边的长度的3/10～1/2。
11.在一实施例中，所述第一电极到所述第一长边的第一竖直距离介于所述第一短边的长度的3/20～3/10，所述第二电极到所述第一长边的第二竖直距离介于所述第一短边的长度的1/50～1/20，所述第一竖直距离大于所述第二竖直距离；或是，所述第一电极到所述第一长边的第一竖直距离介于所述第一短边的长度的1/50～1/20，所述第二电极到所述第一长边的第二竖直距离介于所述第一短边的长度的3/20～3/10，所述第一竖直距离小于所述第二竖直距离。
12.在一实施例中，各所述发光单元还包括基板，所述基板具有相对的第一侧和第二侧，所述第一电极和所述第二电极位于所述基板的第一侧。
13.在一实施例中，各所述发光单元还包括外延结构、凹槽和绝缘层，所述外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第二半导体层相较于所述第一半导体层更靠近所述基板，所述凹槽是由所述第二半导体层的表面向所述发光层延伸至所述第一半导体层，所述第一电极电连接所述第一半导体层，所述第二电极电连接所述第二半导体层，所述绝缘层覆盖所述凹槽和所述外延结构，以使得所述第一电极与所述第二电极彼此电绝缘。
14.在一实施例中，各所述发光单元还包括第一电连接层和第二电连接层，所述第一电连接层通过所述凹槽连接所述第一半导体层，所述第二电连接层连接所述第二半导体层，所述第一电连接层和所述第二电连接层在远离所述基板的一侧具有裸露区域，所述第一电极设置于所述第一电连接层的裸露区域上，所述第二电极设置于所述第二电连接层的裸露区域上。
15.在一实施例中，所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间。也就是所述第一电极到所述第二电极之间存在所述发光层。
16.在一实施例中，所述焊线层跨过相邻二个发光单元的发光层。
17.在一实施例中，所述第一电极与所述第二电极的远离所述基板的表面低于所述外延结构远离所述基板的表面。
18.在一实施例中，相邻二个所述发光单元之间的间距小于等于30μm。
19.在一实施例中，当多个发光单元之间是串联关系时，所述焊线层的两端分别连接的第一电极与第二电极是错位设置的。
20.在一实施例中，所述发光装置的光功率密度大于3w/mm2。
21.本发明还提供一种显示装置，其采用上述任意一实施例中所述的发光装置。
22.本发明的一个优势在于提供一种发光装置，通过第一电极和/或第二电极偏向发光单元中间设置的方式，可以在保证安全焊线距离的情况下，有效缩小发光单元之间的间距，具有高光功率密度；还可缩小发光装置的整体尺寸，有利于产品使用。
23.本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
24.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
25.图1是本发明一实施例提供的发光装置的剖面结构示意图；
26.图2是本发明一实施例提供的发光装置的俯视结构示意图；
27.图3是本发明另一实施例提供的发光装置的俯视结构示意图；
28.图4是本发明另一实施例提供的发光装置的俯视结构示意图；
29.图5是本发明另一实施例提供的发光装置的俯视结构示意图；
30.图6是本发明另一实施例提供的发光装置设置在电路板的俯视结构示意图。
31.附图标记：
32.1、2、3、4、5-发光装置；10-发光单元；12-基板；121-第一侧；122-第二侧；21-第一电极；22-第二电极；24-外延结构；241-第一半导体层；242-发光层；243-第二半导体层；26-凹槽；28-绝缘层；31-第一电连接层；32-第二电连接层；33-背面电极；50-焊线层；70-电路板；l1-第一长边；b1-第一短边；l2-第二长边；b2-第二短边；s1-焊线层长度；s2-相邻二个发光单元之间的间距；s3-第一长边的长度；w1-第一水平距离；w2-第二水平距离；w3-第三水平距离；w4-第四水平距离；w5-第五水平距离；h1-第一竖直距离；h2-第二竖直距离。
具体实施方式
33.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本发明不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本发明中的实施例，本领域普
通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
34.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
35.请参阅图1和图2，图1是本发明一实施例提供的发光装置1的剖面结构示意图，图2是本发明一实施例提供的发光装置1的俯视结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提供一种发光装置1。如图中所示，发光装置1包括多个发光单元10以及多个焊线层50。
36.各发光单元10可以包括基板12、第一电极21和第二电极22。基板12具有相对的第一侧121和第二侧122，在图1中第一侧121对应上侧，第二侧122对应下侧。可选地，基板12为绝缘基板，例如：基板12可以是图形化的蓝宝石衬底。
37.第一电极21和第二电极22是位于基板12的第一侧121。第一电极21和第二电极22是间隔设置的，即一电极21和第二电极22不会直接接触。第一电极21和第二电极22的电性不同，例如说：第一电极21和第二电极22分别为正极和负极、或是第一电极21和第二电极22分别为负极和正极。第一电极21与第二电极22可以为单层、双层或多层结构，其可以包括ti、al、ni、au、pt等金属。第二电极22也可以是采用透明导电层(ito)。
38.多个焊线层50用于将多个发光单元10电性连接起来，例如将多个发光单元10串联起来、并联起来或串并混联起来等等。在本实施例中，多个焊线层50是将多个发光单元10串联起来，具体来说，如图1、图2中所示，焊线层50的一端电连接相邻二个发光单元10中的一个发光单元10的第一电极21，焊线层50的另一端电连接相邻二个发光单元10中的另一个发光单元10的第二电极22。其中，各焊线层50投影至发光单元10上的长度s1大于等于150μm，以满足安全焊线距离的需求；相邻二个发光单元10之间的间距s2间距为0.5μm～50μm，即0.5μm≤s2≤50μm，以在保证安全焊线距离的情况下，有效缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2，使得发光装置1具有高光功率密度，发光装置1输出的光功率密度可以大于3w/mm2，较优为大于4w/mm2、5w/mm2、6w/mm2；还可缩小发光装置1的整体尺寸，有利于产品使用。较优地，相邻二个发光单元10之间的间距s2可以做到小于等于30μm、25μm、甚至是10μm。在其它实施例中，发光装置输出的光功率密度也可以为2w/mm2。
39.所述的焊线层50投影至发光单元10上的长度s1可以理解为是焊线层50投影至发光单元10所处的水平面的长度，也可以理解为，从发光装置1的上方朝向发光单元10俯视来看，焊线层50的长度即为焊线层50投影至发光单元10上的长度。所述的相邻二个发光单元10之间的间距s2可以理解为相邻二个发光单元10之间的最小间距，若是从俯视图图2来看，左侧发光单元10的第一短边b1到右侧发光单元10的第二短边b2之间的距离是间距s2。所述的光功率密度的计算方式为：光功率密度＝光功率/led发光面积，可以采用标准光学测量
系统来量测出光功率，进而计算出光功率密度。
40.在本实施例中，发光单元10的数量是两个，通过焊线层50将两个发光单元10串联起来。从发光装置1的上方朝向发光单元10俯视，即如图2所示，各发光单元10具有四个边。该四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边l1、第一短边b1、第二长边l2和第二短边b2。在本实施例中，第一电极21相较于第二电极22更靠近第一短边b1，第二电极22相较于第一电极21更靠近第二短边b2。通过将第一电极21由外向内偏移设置，进而在保证安全焊线距离不变的情况下，缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。具体来说，第一电极21到第一短边b1的第一水平距离w1介于第一长边l1的长度s3的1/8～1/2，此时的第二电极22到第二短边b2的第二水平距离w2介于第一长边l1的长度s3的1/100～1/10，以此缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。可选地，第一水平距离w1介于100μm～200μm，以保证安全焊线距离不变的情况下，缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2，特别是当发光单元10的尺寸过大时，第一水平距离w1与长度s3的比值则会变得较小，此时将第一水平距离w1介于100μm～200μm，可以有效缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。
41.在一实施例中，各发光单元10中的第一电极21与第二电极22之间具有第三水平距离w3，该第三水平距离w3介于第一长边l1的长度s3的3/10～1/2，以避免第一电极21与第二电极22过于靠近，从而引起短路等风险。
42.在一实施例中，考虑到传统的二极管结构对于电极位置的依赖性较高，才能保证优良的电学特性和出光特性，不易于改变电极位置。因此，提供一种对于电极的位置依赖程度低的二极管结构，其不需要考虑电流注入点的位置而导致电流产生拥堵效应。如图1中所示，发光单元10还包括外延结构24、凹槽26和绝缘层28。
43.外延结构24包括第一半导体层241、发光层242和第二半导体层243。发光层242位于第一半导体层241与第二半导体层243之间，第二半导体层243相较于第一半导体层241更靠近基板12。
44.第一半导体层241可以为n型半导体层，在电源作用下可以向发光层242提供电子。在一些实施例中，第一半导体层241包括n型掺杂的氮化物层。n型掺杂的氮化物层可包括一个或多个iv族元素的n型杂质。n型杂质可以包括si、ge、sn中的一种或其组合。
45.发光层242可以为量子阱结构(quantum well，简称qw)。在一些实施例中，发光层242也可以为多重量子阱结构(multiple quantum well，简称mqw)，其中多重量子阱结构包括以重复的方式交替设置的多个量子阱层(well)和多个量子阻障层(barrier)，例如可以是gan/algan、inalgan/inalgan或ingan/algan的多量子阱结构。此外，发光层242内的阱层的组成以及厚度决定生成的光的波长。为了提高发光层242的发光效率，可通过在发光层242中改变量子阱的深度、成对的量子阱和量子势垒的层数、厚度和/或其它特征来实现。
46.第二半导体层243可以为p型半导体层，在电源作用下可以向发光层242提供空穴。在一些实施例中，第二半导体层243包括p型掺杂的氮化物层。p型掺杂的氮化物层可包括一个或多个ii族元素的p型杂质。p型杂质可以包括mg、zn、be中的一种或其组合。第二半导体层243可以是单层结构，也可以是多层结构，该多层结构具有不同的组成。此外，外延结构24的设置不限于上述说明，还可以是依据实际需求来选择其它种类的外延结构24。
47.凹槽26是由第二半导体层243的表面(下表面)向发光层242延伸至第一半导体层241，以露出部分的第一半导体层241，便于第一电极21电连接至第一半导体层241。进一步
来说，第一电极21电连接第一半导体层241，第二电极22电连接第二半导体层243。
48.绝缘层28覆盖凹槽26和外延结构24，以使得第一电极21与第二电极22彼此电绝缘。较优地，绝缘层28覆盖凹槽26的侧壁和部分槽底以及第二半导体层243的下表面。绝缘层28的材料包含非导电材料。非导电材料优选地为无机材料或是介电材料。无机材料可以包含硅胶(silicone)。介电材料包含氧化铝(alo)、氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氧化钛(tiox)、或氟化镁(mgfx)等电绝缘材料。例如，绝缘层28可以是二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铌、钛酸钡的单层结构或者它们组合而成的多层结构，其组合例如可以是两种材料重复堆叠形成的布拉格反射镜(dbr)。也就是说，绝缘层28可以为dbr反射绝缘层。
49.各发光单元10还包括第一电连接层31和第二电连接层32。第一电连接层31与第二电连接层32之间是通过绝缘层28使得彼此电绝缘。第一电连接层31通过凹槽26连接第一半导体层241。较优地，第一电连接层31是整面覆盖在基板12的第一侧121的表面上。第二电连接层32连接第二半导体层243。较优地，第二电连接层32是完全覆盖第二半导体层243的下表面(第二半导体靠近基板12一侧的表面)，且设置在绝缘层28上。第一电连接层31和第二电连接层32在远离基板12的一侧具有裸露区域，即第一电连接层31的部分上表面是裸露的，第二电连接层32的部分上表面是裸露的。第一电极21设置于第一电连接层31的裸露区域上，其通过第一电连接层31电连接第一半导体层241。第二电极22设置于第二电连接层32的裸露区域上。其通过第二电连接层32电连接第二半导体层243。
50.具体来说，由于第二电极22是靠外延结构24下方的几乎整面设置的第二电连接层32电导通至第二半导体层243，所以第二电极22放在第二电连接层32上的任何地方效果几乎一样(第二电极22靠整面的第二电连接层32传导电流)；同理，第一电极21也是靠下方的几乎整面设置的第一电连接层31电导通至第一半导体层241，所以第一电极21放在第一电连接层31上的任何地方效果几乎一样(第一电极21靠整面的第一电连接层31传导电流)。其中，第一电连接层31和第二电连接层32的裸露区域可以做适应性调整。
51.发光层242设置在第一电极21和第二电极22之间，即第一电极21到第二电极22之间存在发光层242，图2中的阴影填充部分为发光层242所在的区域。换言之，第一电极21与第二电极22的横向范围之间存在发光层242。较优地，第一电极21的四周与第二电极22的四周都存在发光层242，以有效缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。焊线层50会跨过相邻二个发光单元10的发光层242。第一电极21与第二电极22的远离基板12的表面低于外延结构24远离基板12的表面，即图1中的第一电极21与第二电极22的上表面低于外延结构24的上表面，第一电极21与第二电极22是分布于外延结构24的内部，以提升发光装置1的电学特性和利于焊线层50的布设使用。
52.发光单元10还可包括背面电极33。背面电极33设置于基板12的第二侧122表面，以作后续的固晶键合使用，有利于后续将发光装置1安装在电路板上。
53.请参阅图3，图3是本发明另一实施例提供的发光装置2的俯视结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的另一实施例提供一种发光装置2。如图中所示，本实施例的发光装置2相较于图1、图2所示的发光装置1而言，不同之处主要在于：通过第二电极22向内偏移的方式，来缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2，其余相同部分则不再过多赘述。具体来说，第二电极22到第二短边b2的第二水平距离w2介于第一长边l1的长度s3的1/8～1/2，此时的第一电极21到第一短边b1的第一水平距离w1介于第一长边l1的长度
s3的1/100～1/10。可选地，第二水平距离w2介于100μm～200μm，以保证安全焊线距离不变的情况下，缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2，特别是当发光单元10的尺寸过大时，第二水平距离w2与长度s3的比值则会变得较小，此时将第二水平距离w2介于100μm～200μm，可以有效缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。
54.请参阅图4，图4是本发明另一实施例提供的发光装置3的俯视结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的另一实施例提供一种发光装置3。如图中所示，本实施例的发光装置3相较于图1、图2所示的发光装置1而言，不同之处主要在于：通过第一电极21和第二电极22同时向内偏移的方式，来缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2，其余相同部分则不再过多赘述。具体来说，第一电极21到第一短边b1的第一水平距离w1介于第一长边l1的长度s3的1/16～1/8，第二电极22到第二短边b2的第二水平距离w2介于第一长边l1的长度s3的1/16～1/8。
55.请参阅图5，图5是本发明另一实施例提供的发光装置4的俯视结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的另一实施例提供一种发光装置4。如图中所示，本实施例的发光装置4相较于图1、图2所示的发光装置1而言，不同之处主要在于(相同部分则不再过多赘述)：焊线层50两端连接的电极是错位设置的。图示为串联情况下，焊线层50两端分别连接的第一电极21与第二电极22是错位设置的，若是从俯视视角来看，焊线层50两端分别连接的第一电极21与第二电极22不再是处于同一条横线上，是上下错开设置的，使得焊线层50呈倾斜状设置(俯视视角来看)。可选地，第一电极21到第一长边l1的第一竖直距h1介于第一短边b1的长度的3/20～3/10，第二电极22到第一长边l1的第二竖直距离h2介于第一短边b1的长度的1/50～1/20，并且，第一竖直距离h1大于第二竖直距离h2。可选地，第一电极21到第一长边l1的第一竖直距离h1介于第一短边b1的长度的1/50～1/20，第二电极22到第一长边l1的第二竖直距离h2介于第一短边b1的长度的3/20～3/10，并且，第二竖直距离h2大于第一竖直距离h1。借此设置,可以在保证安全焊线距离的情况下，进一步缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2，其余相同部分则不再过多赘述。同理可改变图3、图4中的焊线层50连接的第一电极21和第二电极22的位置，使第一电极21和第二电极22错位设置，使得焊线层50呈倾斜状排布，来进一步缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。
56.请参阅图6，图6是本发明另一实施例提供的发光装置5设置在电路板70的俯视结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的另一实施例提供一种发光装置5。如图中所示，本实施例的发光装置5相较于图1、图2所示的发光装置1而言，不同之处主要在于(相同部分则不再过多赘述)：本实施例的多个发光单元10之间是并联连接的，第一电极21到第一短边b1的第一水平距离w1介于第一长边l1的长度s3的1/8～1/2，第二电极22到第一短边b1的第五水平距离w5也是介于第一长边l1的长度s3的1/8～1/2，此时的第二电极22到第二短边b2的第二水平距离w2是介于第一长边l1的长度s3的1/100～1/10，第一电极21到第二短边b2的第四水平距离w4也是介于第一长边l1的长度s3的1/100～1/10，以此缩小相邻二个发光单元10之间的间距s2。
57.同理可知，在将图3、图4、图5所示的串联型发光装置替换为并联型发光装置时，各个距离之间的关系会做不同适应性的调整。例如说：第一电极21到第一短边b1的第一水平距离w1介于第一长边l1的长度s3的1/100～1/10，第一电极21到第二短边b2的第四水平距离w4介于第一长边l1的长度s3的1/8～1/2，第二电极22到第二短边b2的第二水平距离w2介
于第一长边l1的长度s3的1/100～1/10，第二电极22到第一短边b1的第五水平距离w5介于第一长边l1的长度s3的1/8～1/2；又或是，第一电极21到第一短边b1的第一水平距离w1介于第一长边l1的长度s3的1/16～1/8，第一电极21到第二短边b2的第四水平距离w4介于第一长边l1的长度s3的1/16～1/8，第二电极22到第二短边b2的第二水平距离w2介于第一长边l1的长度s3的1/16～1/8，第二电极22到第一短边b1的第五水平距离w5介于第一长边l1的长度s3的1/16～1/8。
58.此外，发光装置5是设置在电路板70上，且发光装置5电连接于电路板70上的正极与负极。
59.补充说明的是，所述第一水平距离w1、第二水平距离w2、第三水平距离w3、第四水平距离w4、第五水平距离w5、第一竖直距离h1以及第二竖直距离h2均是指俯视视角下的最小距离。以图2为例，第一水平距离w1是第一电极21到第一短边b1的最小距离，也就是示例中的第一电极21的右侧端点到第一短边b1的垂直距离。
60.焊线层50可以采用镀膜或打线等方式将多个发光单元10电性连接。焊线层50可以是透明焊线层或者金属焊线层。实务上，透明焊线层因为成膜难度低，因此其可以使得相邻二个发光单元10之间的间距s2做到更小，如小于等于5μm。
61.本发明的一实施例还提供一种显示装置，其包括上述中任一实施例所述的发光装置1、2、3、4、5，其具体结构与技术效果不再赘述。
62.综上所述，本发明提供一种发光装置1、2、3、4、5，通过第一电极21和/或第二电极22偏向发光单元10中间设置的方式，可以在保证安全焊线距离的情况下，有效缩小发光单元10之间的间距，使得发光装置1、2、3、4、5具有高光功率密度；还可缩小发光装置1、2、3、4、5的整体尺寸，有利于产品使用。
63.另外，上述中“～”的取值范围包括两个端点值的本身，都属于本发明的保护范围内。本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
64.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。