技术特征：
1.一种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，包括：石英基底层，连接在石英基底层一侧面上的液晶层，设置在石英基底层和液晶层之间的下层弓型金属谐振层，设置在液晶层顶部的上层l型金属谐振层。2.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述上层l型金属谐振层设于液晶层的边缘位置。3.根据权利要求2所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述上层l型金属谐振层采用铜材料制成；所述上层l型金属谐振层的电导率5.8
×
107s/m；所述上层l型金属谐振层的尺寸长边为102μm，短边为11μm，厚度为2.3μm。4.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述液晶层采用向列型液晶材料制成，所述液晶层的尺寸为边长为102μm，厚度为0.9μm；所述液晶层中液晶分子的第一介电常数为ε
⊥
＝2.47，第一介电常数的损耗正切tanδ
⊥
＝0.02，所述液晶层中液晶分子的第二介电常数为ε
||
＝3.6，第二介电常数损耗正切tanδ
||
＝0.02，k
11
＝25pn，其中k
11
表示所选液晶材料的弹性形变常数。5.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述下层弓型金属谐振层具有两个弧形端面和两个直线端面，包括第一弧形端面和第二弧形端面。6.根据权利要求5所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述下层弓型金属谐振层采用铜材料制成，所述下层弓型金属谐振层的电导率为5.8
×
107s/m，所述下层弓型金属谐振层的两个直线端面的尺寸相等且边长为102μm，厚度为3.1μm，所述下层弓型金属谐振层的第一弧形端面的半径为99μm，第二弧形端面的半径为43μm。7.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述石英基底层的相对介电常数为3.75，所述石英基底层的损耗正切为tanδ＝0.0004；所述石英基底层的尺寸边长为144μm，厚度为23μm。8.根据权利要求1所述的种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，其特征在于，所述太赫兹液晶移相器为单元结构，所述单元结构为周期性结构分布且呈m*n二维周期排布，其中m和n都是正整数。
技术总结
本发明公开了一种基于超材料复合结构的太赫兹液晶移相器，该太赫兹液晶移相器由四层结构组成，自上而下依次为上层L型金属谐振层、液晶层、下层弓型金属谐振层、石英基底层；所述上层L型金属谐振层设于液晶层的边缘位置，本发明通过对上下金属层施加偏置电压，改变液晶盒内液晶分子指向矢的偏转角，从而实现动态调控太赫兹液晶移相器相位的目的；其次本发明公开的太赫兹移相器在实际实验中证明具有极低的插入损耗，且具有太赫兹液晶移相器结构简单且尺寸较小、相移量大、便于动态调控等特性。便于动态调控等特性。便于动态调控等特性。
技术研发人员：陈鹤鸣 陈闻博
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2022.04.07
技术公布日：2022/7/21