技术特征：
1.一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述共晶烧结是将预成型焊片的一面通过点焊方式与热层片连接，再将芯片叠放在预成型焊片的另一面，制成装配体后，将装配体放入预热的烧结设备内，抽真空并升温至120-130℃后，以甲酸为保护剂进行共晶烧结；所述共晶烧结采用恒温烧结和升温烧结相结合方式。2.如权利要求1所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述升温至120-130℃的时间为3-5min。3.如权利要求1所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述恒温烧结分为四个阶段，所述第一阶段是120-130℃保温3-5min，第二阶段是170-190℃保温3-5min，第三阶段是270-290℃保温3-5min，第四阶段是320-340℃保温1-2min。4.如权利要求1所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述升温烧结分为三个阶段，所述第一阶段是从120-130℃升温至170-190℃；第二阶段是从170-190℃升温至270-290℃；第三阶段是从270-290℃升温至320-340℃。5.如权利要求4所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述第一阶段升温烧结的时间为2-3min。6.如权利要求4所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述第二阶段升温烧结的时间为2-3min。7.如权利要求4所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述第三阶段升温烧结的时间为2-3min。8.如权利要求1-7任一项所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)将银基焊料经裁剪、切割制成厚度为0.025mm的预成型焊片；2)将预成型焊片压平，确保预成型焊片无翘曲、无拱翘、无凹凸；3)先将预成型焊片的一面通过点焊方式与热层片连接，再将芯片叠放在预成型焊片的另一面，制成装配体后，然后将装配体放入预热的烧结设备内，抽真空并升温至120-130℃后，以甲酸为保护剂进行共晶烧结；所述共晶烧结是现在120-130℃条件下保温3-5min，然后在2-3min内升温至170-190℃，保温3-5min后，在2-3min内升温至270-290℃，保温3-5min后，再在2-3min内升温至320-340℃，保温1-2min；4)待共晶烧结完毕后，向烧结设备充入高纯氮气进行冷却，待温度降至150℃，打开烧结设备自然冷却。9.如权利要求8所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述银基焊料为pb92.5sn5ag2.5。10.如权利要求1或8所述一种半导体芯片共晶烧结的方法，其特征在于，所述烧结设备的预热温度为25℃。
技术总结
本发明属于本发明属于半导体芯片装配领域，具体涉及一种半导体芯片共晶烧结的方法，通过共晶烧结时采用甲酸作为保护剂，科学设置共晶烧结升温及恒温程序，能够将热量有效、均匀的传递到焊料和芯片上，使焊料能稳定的熔化，减少空洞的形成，降低空洞对焊片合格率的不利影响。不利影响。不利影响。
技术研发人员：舒德兵 李坤 蹇兰
受保护的技术使用者：贵州航天电器股份有限公司
技术研发日：2022.04.08
技术公布日：2022/8/5