阵列基板和显示面板的制作方法

1.本技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种阵列基板和显示面板。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，手机、pad、电视机等显示装置已经日益深入人们的日常生活，为人们提供了便捷的生活。尤其是手机，已经成为人们日常生活的必备品。
3.显示装置具有显示面板，显示面板包括阵列基板和设置在阵列基板上的发光层。阵列基板包括遮光金属层、第一金属层和第二金属层，第一金属层包括多条横向延伸的信号线，第二金属层包括多条横向延伸的信号线，第一金属层的多条信号线和第二金属层的多条信号线在阵列基板的衬底上的正投影间隔排布。
4.然而，阵列基板的信号线的占用面积比较大，从而限制了具有该阵列基板的显示面板向高分辨率、高像素密度(pixels per inch，简称ppi)的改进。


技术实现要素：

5.鉴于上述问题，本技术实施例提供一种阵列基板和显示面板，可以减小阵列基板的信号线的占用面积，从而使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进。
6.第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板，包括依次层叠设置的衬底、遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层；所述遮光金属层包括第一信号线，至少部分所述第一信号线在所述衬底上的正投影，位于所述第一金属层和所述第二金属层中至少一者在所述衬底上的正投影范围内。
7.本技术实施例提供的阵列基板包括依次层叠设置的衬底、遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层，通过在遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层中相邻两者之间均设置绝缘层，从而可以保证阵列基板的半导体层及各金属层之间相互绝缘，以使阵列基板可以满足复杂的线路排布、薄膜晶体管形成和电容形成。
8.同时，通过设置遮光金属层包括第一信号线，使至少部分第一信号线在衬底上的正投影位于第一金属层和第二金属层中至少一者在衬底上的正投影范围内，即，使部分第一信号线位于第一金属层和/或第二金属层的下方。一方面，可以减小阵列基板的信号线的占用面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，可以减少第一金属层和第二金属层对第一信号线的干扰，从而有利于保证第一信号线的信号传输稳定性。
9.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第一金属层包括第二信号线，至少部分所述第一信号线在所述衬底上的正投影位于所述第二信号线在所述衬底上的正投影范围内。
10.如此设置，一方面，可以减小第一信号线和第二信号线总共占用的像素面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改
进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，可以减少第一信号线和第二信号线之间的相互干扰，从而有利于保证第一信号线和第二信号线各自的信号传输稳定性。
11.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第一信号线在所述衬底上的正投影的宽度不大于所述第二信号线在所述衬底上的正投影的宽度。
12.如此设置，有利于使第一信号线在衬底上的正投影完全位于第二信号线在衬底上的正投影范围内，从而有利于进一步减小第一信号线和第二信号线总共占用的像素面积，甚至使第一信号线无需额外占用第二信号线之外的像素面积，进而有利于进一步减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能。
13.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第一信号线为第一初始化信号线或第二初始化信号线；或，所述第一信号线包括至少两条，其中部分所述第一信号线为第一初始化信号线，部分所述第一信号线为第二初始化信号线。
14.如此设置，可以使第一初始化信号线和第二初始化信号线中至少一者在衬底上的正投影位于第一金属层和第二金属层中至少一者在衬底上的正投影范围内，从而可以减小第一初始化信号线、第二初始化信号线以及第一金属层和/或第二金属层内的其他信号线总共占用的像素面积，进而不仅有利于提高具有该阵列基板的显示面板的分辨率和ppi；而且有利于提高屏下功能器件的使用效果；同时有利于保证第一信号线的信号传输稳定性。
15.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第二信号线为扫描信号线或发光信号线；或，所述第二信号线包括至少两条，其中部分所述第二信号线为扫描信号线，部分所述第二信号线为发光信号线。
16.如此设置，可以使第一信号线在衬底上的正投影位于扫描信号线和发光信号线中至少一者在衬底上的正投影范围内，从而可以减小第一信号线、扫描信号线和发光信号线总共占用的像素面积，进而不仅有利于提高具有该阵列基板的显示面板的分辨率和ppi；而且有利于提高屏下功能器件的使用效果；同时有利于保证第一信号线、扫描信号线和发光信号线的信号传输稳定性。
17.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第二金属层包括第三信号线，至少部分所述第一信号线在所述衬底上的正投影位于所述第三信号线在所述衬底上的正投影范围内。
18.如此设置，一方面，可以减小第一信号线和第三信号线总共占用的像素面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，可以减少第一信号线和第三信号线之间的相互干扰，从而有利于保证第一信号线和第三信号线各自的信号传输稳定性。
19.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第一信号线在所述衬底上的正投影的宽度不大于所述第三信号线在所述衬底上的正投影的宽度。
20.如此设置，有利于使第一信号线在衬底上的正投影完全位于第三信号线在衬底上的正投影范围内，从而有利于进一步减小第一信号线和第三信号线总共占用的像素面积，甚至使第一信号线无需额外占用第三信号线之外的像素面积，进而有利于进一步减小单个
像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能。
21.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述第一信号线包括第一初始化信号线和第二初始化信号线中的一者，所述第三信号线包括第一初始化信号线和第二初始化信号线中的另一者。
22.如此设置，一方面，使第一初始化信号线和第二初始化信号线分别位于不同金属层上，可以减少第一初始化信号线和第二初始化信号线之间的相互干扰，从而有利于保证第一信号线和第三信号线各自的信号传输稳定性。另一方面，可以减小第一初始化信号线和第二初始化信号线总共占用的像素面积，从而不仅有利于提高具有该阵列基板的显示面板的分辨率和ppi，而且有利于提高屏下功能器件的使用效果。
23.在上述阵列基板的一种可能的实现方式中，所述遮光金属层包括遮光部，所述半导体层在所述衬底上的正投影位于所述遮光部在所述衬底上的正投影范围内。
24.如此设置，使遮光金属层可以对半导体层起到遮光的效果，从而可以防止在制程中，阵列基板底部的透射光对阵列基板中的薄膜晶体管产生不利影响。
25.第二方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
26.本技术实施例提供的显示面板包括阵列基板，阵列基板是保证显示面板实现显示功能的重要组成部分。具体的，阵列基板包括依次层叠设置的衬底、遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层，通过在遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层中相邻两者之间均设置绝缘层，从而可以保证阵列基板的半导体层及各金属层之间相互绝缘，以使阵列基板可以满足复杂的线路排布、薄膜晶体管形成和电容形成。
27.同时，通过设置遮光金属层包括第一信号线，使至少部分第一信号线在衬底上的正投影位于第一金属层和第二金属层中至少一者在衬底上的正投影范围内，即，使部分第一信号线位于第一金属层和/或第二金属层的下方。一方面，可以减小阵列基板的信号线的占用面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，可以减少第一金属层和第二金属层对第一信号线的干扰，从而有利于保证第一信号线的信号传输稳定性。
28.在上述显示面板的一种可能的实现方式中，所述显示面板还包括发光层，所述发光层位于所述阵列基板的背离所述阵列基板的衬底的一侧。
29.如此设置，阵列基板可以控制发光层发光，从而使显示面板可以实现显示功能。
30.除了上面所描述的本技术实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本技术实施例提供的阵列基板和显示面板所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
31.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根
据这些附图获得其他的附图。
32.图1为相关技术中阵列基板的俯视示意图；
33.图2为本技术实施例提供的阵列基板的俯视示意图一；
34.图3为图2中阵列基板a-a处的剖视示意图；
35.图4为图2中阵列基板b-b处的剖视示意图；
36.图5为本技术实施例提供的阵列基板的俯视示意图二；
37.图6为图5中阵列基板c-c处的剖视示意图一；
38.图7为图5中阵列基板c-c处的剖视示意图二。
39.附图标记说明：
40.100-衬底；
41.210-第一缓冲层；
42.220-第二缓冲层；
43.310-栅极绝缘层；
44.320-层间绝缘层；
45.400-层间介质层；
46.500-平坦化层；
47.600-半导体层；610-有源层；620-源极区；630-漏极区；
48.700-遮光金属层；710-第一信号线；720-遮光部；
49.810-第一金属层；811-第二信号线；812-栅极；
50.820-第二金属层；821-第三信号线；822-第一极板；
51.830-第三金属层。
具体实施方式
52.相关技术中，阵列基板包括依次层叠设置的衬底、遮光金属层、半导体层、第一金属层、第二金属层和第三金属层，遮光金属层、半导体层、第一金属层、第二金属层和第三金属层中相邻两者之间均设置层间绝缘层。图1为相关技术中阵列基板的俯视示意图，参照图1所示，第一金属层包括发光信号线em和扫描信号线scan1、scan2；第二金属层包括参考信号线vref-1、vref-2，vref-1和vref-2中的一者为阳极初始化信号线，另一者为电容栅极信号线；第三金属层包括数据信号线data和电源线vdd；阵列基板内还形成有薄膜晶体管t和电容c。
53.其中，发光信号线em、扫描信号线scan1、scan2和参考信号线vref-1、vref-2在阵列基板的俯视示意图中间隔排布，占用的像素面积比较大。一方面，不仅会导致单个像素的面积很难再减小，从而限制了具有该阵列基板的显示面板向高分辨率、高像素密度的改进；而且会导致阵列基板的透光面积减小，从而降低了屏下功能器件的使用效果。另一方面，第二金属层的参考信号线vref-1、vref-2可能受到第一金属层的信号线和第二金属层的其他信号线的信号干扰，从而影响参考信号线vref-1、vref-2的信号传输稳定性。
54.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种阵列基板和包括阵列基板的显示面板。本技术实施例提供的阵列基板包括依次层叠设置的衬底、遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层，通过在遮光金属层、半导体层、第一金属层和第二金属层中相邻两
者之间均设置绝缘层，从而可以保证阵列基板的半导体层及各金属层之间相互绝缘，以使阵列基板可以满足复杂的线路排布、薄膜晶体管形成和电容形成。
55.同时，通过设置遮光金属层包括第一信号线，使至少部分第一信号线在衬底上的正投影位于第一金属层和第二金属层中至少一者在衬底上的正投影范围内，即，使部分第一信号线位于第一金属层和/或第二金属层的下方。一方面，可以减小阵列基板的信号线的占用面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，可以减少第一金属层和第二金属层对第一信号线的干扰，从而有利于保证第一信号线的信号传输稳定性。
56.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
57.参照图2至图7所示，第一方面，本技术实施例提供一种阵列基板。
58.该阵列基板包括依次层叠设置的衬底100、遮光金属层700、半导体层600、第一金属层810和第二金属层820。遮光金属层700、半导体层600、第一金属层810和第二金属层820中相邻两者之间均设置有绝缘层。示例性的，绝缘层包括第一缓冲层210、第二缓冲层220、栅极绝缘层310和层间绝缘层320。
59.在一种可能的实现方式中，阵列基板的层叠结构可以包括衬底100，衬底100的一侧设置有第一缓冲层210，第一缓冲层210的背离衬底的一侧设置有遮光金属层700，遮光金属层700的背离衬底100的一侧设置有第二缓冲层220，第二缓冲层220的背离衬底的一侧设置有半导体层600，半导体层600的背离衬底100的一侧设置有栅极绝缘层310，栅极绝缘层310的背离衬底100的一侧设置有第一金属层810，第一金属层810的背离衬底100的一侧设置有层间绝缘层320，层间绝缘层320的背离衬底100的一侧设置有第二金属层820，第二金属层820的背离衬底100的一侧可以设置层间介质层400，层间介质层400的背离衬底100的一侧可以设置第三金属层830，第三金属层830的背离衬底100的一侧可以设置平坦化层500。
60.其中，第一金属层810可以包括多个扫描信号线scan，第三金属层830可以包括多个数据信号线data，多个扫描信号线scan和多个数据信号线data纵横交错，示例性的，扫描信号线scan可以横向延伸，数据信号线data可以纵向延伸。基于上述绝缘层的设置，扫描信号线scan和数据信号线data相互绝缘。多个扫描信号线scan和多个数据信号线data按照上述的排布方式限定出阵列基板的多个像素单元所在的区域。
61.第一金属层810还可以包括发光信号线em，发光信号线em的延伸方向和扫描信号线scan的延伸方向相同，第三金属层830还可以包括电源线vdd，电源线vdd的延伸方向和数据信号线data的延伸方向相同。
62.阵列基板的每个像素单元均包括电容c和至少两个薄膜晶体管t。至少两个薄膜晶体管包括至少一个充电薄膜晶体管和一个驱动薄膜晶体管。在一个像素单元中，充电薄膜晶体管的数量可以有多个，从而形成不同的像素单元的电路结构，例如2t1c的像素电路，其包含一个充电薄膜晶体管、一个驱动薄膜晶体管和一个电容，而常用的5t1c和7t1c的像素
电路中，充电薄膜晶体管的数量均大于一个。
63.其中，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层，栅极与扫描信号线电连接，源极与数据信号线电连接，漏极与发光层的阳极电连接。示例性的，第一金属层810可以包括栅极812，半导体层600可以包括有源层610、源极区620和漏极区630，第三金属层830可以包括分别与源极区620和漏极区630连接的源极和漏极(未图示)。电容包括第一极板和第二极板，示例性的，第二金属层820可以包括第一极板822，栅极812可以复用为电容的第二极板。
64.阵列基板中还包括阳极初始化信号线和电容栅极信号线，阳极初始化信号线与发光层的阳极电连接，电容栅极信号线可以与电容的第二极板电连接，以向电容的第二极板提供信号。阳极初始化信号线和电容栅极信号线在阵列基板中设置的位置将在后文中说明。
65.遮光金属层700包括第一信号线710，至少部分第一信号线710在衬底100上的正投影位于第一金属层810和第二金属层820中至少一者在衬底100上的正投影范围内。示例性的，第一信号线710在衬底100上的正投影位于第一金属层810在衬底100上的正投影范围内；或者，第一信号线710在衬底100上的正投影位于第二金属层820在衬底100上的正投影范围内；或者，第一信号线710在衬底100上的正投影的一部分位于第一金属层810在衬底100上的正投影范围内，一部分位于第二金属层820在衬底100上的正投影范围内。
66.一方面，可以减小阵列基板的信号线占用的像素面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。示例性的，屏下功能器件包括但不限于屏幕指纹(fingerprint on display，fod)器件、屏下图像传感器和屏下距离传感器，本实施例以屏幕指纹器件为例进行说明，屏幕指纹器件设置在显示面板的靠近阵列基板的衬底的一侧，手指通过接触显示面板的远离阵列基板的衬底的一侧，使光线穿过显示面板包括阵列基板被屏幕指纹器件接收并识别，因此，阵列基板的透光面积越大，屏幕指纹器件接收的光线越多，指纹识别越灵敏，识别准确度也相应较高。
67.另一方面，第一信号线710无需设置在第一金属层810或第二金属层820内，从而可以减少第一金属层810和第二金属层820内其他信号线对第一信号线710的干扰，进而有利于保证第一信号线710的信号传输稳定性。
68.在一些实施例中，第一金属层810包括第二信号线811，至少部分第一信号线710在衬底100上的正投影位于第二信号线811在衬底100上的正投影范围内。示例性的，第一信号线710在衬底100上的正投影可以有一部分位于第二信号线811在衬底100上的正投影范围内；或者，第一信号线710在衬底100上的正投影可以全部位于第二信号线811在衬底100上的正投影范围内。
69.一方面，可以减小第一信号线710和第二信号线811总共占用的像素面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，第一信号线710不会与第二信号线811同层设置，可以减少第一信号线710和第二信号线811之间的相互干扰，从而有利于保证第一信号线710和第二信号线811各自的信号传输稳定性。
70.可选的，第一信号线710在衬底100上的正投影的宽度不大于第二信号线811在衬
底100上的正投影的宽度，即，第一信号线710在衬底100上的正投影的宽度可以小于第二信号线811在衬底100上的正投影的宽度，或者，第一信号线710在衬底100上的正投影的宽度可以等于第二信号线811在衬底100上的正投影的宽度。从而有利于使第一信号线710在衬底100上的正投影完全位于第二信号线811在衬底100上的正投影范围内，进而有利于进一步减小第一信号线710和第二信号线811总共占用的像素面积，甚至使第一信号线710无需额外占用第二信号线811之外的像素面积，有利于进一步减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能。
71.可选的，第一信号线710可以为第一初始化信号线；或者，第一信号线710可以为第二初始化信号线；或者，第一信号线710可以包括至少两条，其中部分第一信号线710为第一初始化信号线，部分第一信号线710为第二初始化信号线。例如，第一信号线710可以包括两条，一条第一信号线710为第一初始化信号线，一条第一信号线710为第二初始化信号线。
72.示例性的，第一初始化信号线可以为阳极初始化信号线，第二初始化信号线可以为电容栅极信号线。具体实现时，第一信号线710可以为阳极初始化信号线，电容栅极信号线可以设置在第一金属层810内或第二金属层820内；或者，第一信号线710可以为电容栅极信号线，阳极初始化信号线可以设置在第一金属层810内或第二金属层820内；又或者，第一信号线710可以包括至少两条，部分第一信号线710为阳极初始化信号线，部分第一信号线710为电容栅极信号线。
73.从而使阳极初始化信号线和电容栅极信号线中至少一者在衬底100上的正投影位于第一金属层810和第二金属层820中至少一者在衬底100上的正投影范围内，以减小阳极初始化信号线、电容栅极信号线以及第一金属层810和/或第二金属层820内的其他信号线总共占用的像素面积，进而不仅有利于提高具有该阵列基板的显示面板的分辨率和ppi；而且有利于提高屏下功能器件的使用效果；同时使阳极初始化信号线和电容栅极信号线中的至少一者无需设置在第一金属层810或第二金属层820内，有利于保证其信号传输稳定性。
74.可选的，第二信号线811可以为扫描信号线scan；或者，第二信号线811可以为发光信号线em；或者，第二信号线811可以包括至少两条，其中部分第二信号线811为扫描信号线scan，部分第二信号线811为发光信号线em。例如，第二信号线811可以包括两条，一条第二信号线811为扫描信号线scan，一条第二信号线811为发光信号线em。
75.示例性的，第一信号线710在衬底100上的正投影可以位于扫描信号线scan在衬底100上的正投影范围内，也可以位于发光信号线em在衬底100上的正投影范围内，还可以一部分位于扫描信号线scan在衬底100上的正投影范围内，一部分位于发光信号线em在衬底100上的正投影范围内。
76.从而可以减小第一信号线710、扫描信号线scan和发光信号线em总共占用的像素面积，进而不仅有利于提高具有该阵列基板的显示面板的分辨率和ppi；而且有利于提高屏下功能器件的使用效果；同时使第一信号线710无需与扫描信号线scan和发光信号线em位于同一金属层内，有利于保证第一信号线710、扫描信号线scan和发光信号线em的信号传输稳定性。
77.在另一些实施例中，第二金属层820包括第三信号线821，至少部分第一信号线710在衬底100上的正投影位于第三信号线821在衬底100上的正投影范围内。示例性的，第一信号线710在衬底100上的正投影可以有一部分位于第三信号线821在衬底100上的正投影范
围内；或者，第一信号线710在衬底100上的正投影可以全部位于第三信号线821在衬底100上的正投影范围内。
78.一方面，可以减小第一信号线710和第三信号线821总共占用的像素面积，从而不仅有利于减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能；而且有利于增大阵列基板的透光面积，提高屏下功能器件的使用效果。另一方面，第一信号线710不会与第三信号线821同层设置，可以减少第一信号线710和第三信号线821之间的相互干扰，从而有利于保证第一信号线710和第三信号线821各自的信号传输稳定性。
79.可选的，第一信号线710在衬底100上的正投影的宽度不大于第三信号线821在衬底100上的正投影的宽度，即，第一信号线710在衬底100上的正投影的宽度可以小于第三信号线821在衬底100上的正投影的宽度，或者，第一信号线710在衬底上的正投影的宽度可以等于第三信号线821在衬底100上的正投影的宽度。从而有利于进一步减小第一信号线710和第三信号线821总共占用的像素面积，甚至使第一信号线710无需额外占用第三信号线821之外的像素面积，进而有利于进一步减小单个像素的面积，使具有该阵列基板的显示面板可以向高分辨率、高ppi改进，提高显示面板的性能。
80.示例性的，第一信号线710包括第一初始化信号线和第二初始化信号线中的一个，第三信号线821包括第一初始化信号线和第二初始化信号线中的另一个。具体实现时，第一信号线710包括阳极初始化信号线，第三信号线821包括电容栅极信号线；或者，第一信号线710包括电容栅极信号线，第三信号线821包括阳极初始化信号线。
81.一方面，使阳极初始化信号线和电容栅极信号线分别位于不同金属层上，可以减少阳极初始化信号线和电容栅极信号线之间的相互干扰，从而有利于保证第一信号线710和第三信号线821各自的信号传输稳定性。另一方面，可以减小阳极初始化信号线和电容栅极信号线总共占用的像素面积，从而不仅有利于提高具有该阵列基板的显示面板的分辨率和ppi，而且有利于提高屏下功能器件的使用效果。
82.可选的，遮光金属层700包括遮光部720，半导体层600在衬底100上的正投影位于遮光部720在衬底100上的正投影范围内。从而使遮光金属层700的遮光部720可以对半导体层600起到遮光的效果，从而可以防止在阵列基板的制程中，阵列基板底部的透射光对阵列基板中的薄膜晶体管产生不利影响。
83.示例性的，第一信号线710和遮光部720可以分别位于遮光金属层700的不同位置；或者，第一信号线710和遮光部720可以位于遮光金属层700的同一位置，即，遮光部720可以作为第一信号线710。
84.第二方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括阵列基板。示例性的，显示面板可以是手机的显示面板、平板电脑的显示面板、智能手表的显示面板或者本领域技术人员所知的其他显示设备的显示面板。
85.本技术实施例提供的显示面板包括阵列基板，阵列基板是保证显示面板实现显示功能的重要组成部分。显示面板还包括发光层，示例性的，发光层可以是液晶发光层，也可以是有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)层，还可以是本领域技术人员所知的其他类型的发光层。发光层位于阵列基板的背离阵列基板的衬底的一侧，阵列基板可以控制发光层发光，从而使显示面板可以实现显示功能。
86.本技术实施例提供的显示面板由于包括上述阵列基板，因此，上述阵列基板所具有的有益效果，本技术实施例的显示面板同样具有，具体可参照上文关于阵列基板的描述，此处不再赘述。
87.在上述描述中，需要理解的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以使固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。术语“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非是另有精确具体地规定。
88.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
89.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。