显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求于2021年4月30日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0056163号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开的实施例的方面涉及一种显示装置。


背景技术：

3.随着信息化社会的发展，对显示装置的各种需求不断增加。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置可以包括有机发光显示装置、无机发光显示装置和微型led显示装置，有机发光显示装置包括有机发光二极管作为发光元件，无机发光显示装置包括无机半导体元件作为发光元件，微型led显示装置包括发光二极管元件作为发光元件。
4.近来，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器(hmd)是提供虚拟现实(vr)或增强现实(ar)的眼镜式监控装置，头戴式显示器以眼镜或头盔的形式佩戴在用户的身体上以形成靠近用户眼睛的焦点。
5.包括微型发光二极管的高分辨率微型led显示面板应用于头戴式显示器。微型发光二极管发射单色的光。因此，微型led显示面板可以包括用于转换从微型发光二极管发射的光的波长以表现不同颜色的波长转换层。


技术实现要素：

6.根据本公开的实施例的方面，提供了一种具有提高的发光效率的显示装置。
7.然而，本公开的方面和目的不限于这里提及的方面和目的，并且根据下面的描述，本公开的其他方面和目的对于本领域技术人员将是明显的。
8.根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底；分隔壁，在基底上；发光元件，在基底上位于由分隔壁分隔开的发射区域中，并且在基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在发射区域中位于发光元件之上，并且包括基体树脂和散射体，散射体分散在基体树脂中，并且波长转换层被构造为转换从发光元件发射的光的波长；以及光学构件，在波长转换层和分隔壁上，并且被构造为调节从波长转换层输出的光的路径，其中，光学构件包括光学层和从光学层朝向波长转换层突出的第一突出图案。
9.根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底；分隔壁，在基底上；发光元件，在基底上位于由分隔壁分隔开的发射区域中，并且在基底的厚度方向上延伸；波长转换层，在发射区域中位于发光元件之上，并且包括基体树脂和散射体，散射体分散在基体树脂中，并且波长转换层被构造为转换从发光元件发射的光的波长；光学构件，在波长转换层和分隔壁上，并且被构造为调节从波长转换层输出的光的路径；以及滤色器，在发射区域中位于光学构件上，其中，光学构件的折射率大于滤色器的折射率和基体树脂的折射率。
10.在附图和下面的描述中阐述了本说明书中描述的主题的一个或更多个实施例的
进一步细节。
11.根据本公开的实施例的方面，可以提高发光效率。
12.然而，本公开的方面和效果不限于这里描述的方面和效果，并且根据下面的描述，本公开的其他方面和效果对于本领域技术人员将是明显的。
附图说明
13.通过参照附图详细描述本公开的一些实施例，本公开的以上和其他方面以及特征将变得更加明显。
14.图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的布局的视图。
15.图2是示出图1的区域“a”的布局的视图。
16.图3是示出根据本公开的实施例的显示面板的像素的布局的视图。
17.图4是示出沿图2的线a-a'截取的显示面板的示例的剖视图。
18.图5是示出沿图3的线b-b'截取的显示面板的示例的剖视图。
19.图6是示出图5的发光元件的示例的放大剖视图。
20.图7是示出图5的分隔壁的示例的放大剖视图。
21.图8是示出根据本公开的实施例的像素和光学图案的布局的视图。
22.图9是图4的区域“c”的放大剖视图。
23.图10的(a)至(e)是示出光学图案的各种修改的透视图。
24.图11是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
25.图12是图11的区域“d”的放大剖视图。
26.图13是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
27.图14是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
28.图15是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
29.图16是示出图5的分隔壁的另一示例的放大剖视图。
30.图17是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的虚拟现实装置的示例的视图。
31.图18是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的智能装置的示例的视图。
32.图19是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的仪表组和中央仪表板的示例的视图。
33.图20是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的透明显示装置的示例的视图。
具体实施方式
34.这里公开的本发明的一些实施例的具体结构和功能描述是出于发明的实施例的说明性目的而提供的。然而，在不脱离发明的精神和重要特征的情况下，本发明可以以许多不同的形式实施。因此，本发明的实施例是出于说明性目的而公开的，并且不应被解释为限制发明。也就是说，本发明由权利要求的范围限定。
35.将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“结合”或“连接”到另一元件时，该元件可以直接结合或连接到所述另一元件，或者在其间可以存在一个或更多个居间元件。相反，将理解的是，当元件被称为与另一元件相关，诸如“直接结合”或“直接连接”到另一元件时，不存在居间元件。解释元件之间的关系的其他表述，诸如“在
……
之间”、“直接
在
……
之间”、“与
……
相邻”或者“与
……
直接相邻”，应当以相同的方式解释。
36.在整个说明书中，相同的附图标记将表示相同或相似的部分。
37.将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分将不受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本文的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
38.这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则“一”、“一个(种/者)”、“所述(该)”和
“……
中的至少一个(种/者)”不表示数量的限制，并且意图包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。
“……
中的至少一个(种/者)”将不被解释为限制于“一”或“一个(种/者)”。“或”意指“和/或”。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
39.此外，这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语除了涵盖图中描绘的方位之外还意图涵盖装置的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件“下”侧上的元件随后将被定向为在所述其他元件“上”侧上。因此，例如，术语“下”根据图的特定方位可以涵盖“下”和“上”两个方位。类似地，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件“上方”。因此，例如，术语“在
……
下方”或“在
……
之下”可以涵盖上方和下方两个方位。
40.如这里使用的，“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指：考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在对于如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
41.除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下和/或本说明书中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义来进行解释，除非在此明确地限定。
42.这里参照可以作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述一些实施例。如此，将预料到例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为局限于区域的如这里示出的具体形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，所示的尖角可以是圆形的。因此，图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，也不意图限制本权利要求的范围。
43.这里，将参照附图描述本发明的一些实施例。
44.图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的布局的视图；图2是示出图1的区域“a”的布局的视图；图3是示出根据本公开的实施例的显示面板的像素的布局的视图。图3是图2的区域“b”的放大视图。
45.在图1至图3中所示的示例中，根据实施例的显示装置是包括微型发光二极管作为发光元件的微型发光二极管显示装置。然而，将理解的是，本公开的实施例不限于此。
46.另外，在图1至图3中所示的示例中，根据实施例的显示装置被实现为硅上发光二极管(ledos)微型显示器，即，发光二极管设置在经由半导体工艺形成的半导体电路板110(见图4)上。然而，将理解的是，本公开的实施例不限于此。
47.在图1至图3中，第一方向dr1表示显示面板100的水平方向，第二方向dr2表示显示面板100的竖直方向，第三方向dr3指显示面板100的厚度方向或半导体电路板110(见图4)的厚度方向。如这里所使用的，术语“左”侧、“右”侧、“上”侧和“下”侧指当从顶部观看显示面板100时的相对位置。例如，右侧指在第一方向dr1上的一侧，左侧指在第一方向dr1上的另一侧，上侧指在第二方向dr2上的一侧，下侧指在第二方向dr2上的另一侧。另外，上部指由第三方向dr3的箭头指示的一侧，下部指在第三方向dr3上的相对侧。
48.参照图1至图3，根据实施例的显示装置包括显示面板100，显示面板100包括显示区域da和非显示区域nda。
49.在实施例中，当从顶部观看时，显示面板100可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向dr1上的较长边以及在第二方向dr2上的较短边。然而，将理解的是，从顶部观看时的显示面板100的形状不限于此。例如，当从顶部观看时，显示面板100可以具有除矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
50.在显示区域da中，可以显示图像。在非显示区域nda中，可以不显示图像。在实施例中，当从顶部观看时，显示区域da的形状可以遵循显示面板100的形状。在图1中所示的示例中，当从顶部观看时，显示区域da具有矩形形状。在实施例中，显示区域da可以设置在显示面板100的中心区域处。非显示区域nda可以设置在显示区域da周围。在实施例中，非显示区域nda可以围绕显示区域da。
51.显示面板100的显示区域da可以包括多个像素px。每个像素px可以被定义为用于显示白光的最小发光单元。
52.每个像素px可以包括多个发射区域ea1、ea2和ea3，光从多个发射区域ea1、ea2和ea3中的每个射出。尽管根据所示的示例实施例，多个像素px中的每个包括三个发射区域ea1、ea2和ea3，但是本公开不限于此。例如，多个像素px中的每个可以包括四个发射区域。
53.多个发射区域ea1、ea2和ea3中的每个可以包括发射第一光的发光元件le。虽然在所示的示例中，发光元件le在从顶部观看时具有正方形形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，发光元件le可以具有除正方形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
54.每个第一发射区域ea1发射第一光。每个第一发射区域ea1可以原样输出从发光元件le发射的第一光。在实施例中，第一光可以是蓝色波长范围内的光。蓝色波长范围可以近似为370nm至460nm，但是本公开的实施例不限于此。
55.每个第二发射区域ea2发射第二光。每个第二发射区域ea2可以将从发光元件le发射的第一光的一部分转换为第二光以输出第二光。在实施例中，第二光可以是绿色波长范围内的光。绿色波长范围可以近似为480nm至560nm，但是本公开的实施例不限于此。
56.每个第三发射区域ea3发射第三光。每个第三发射区域ea3可以将从发光元件le发射的第一光的一部分转换为第三光以输出第三光。在实施例中，第三光可以是红色波长范围内的光。红色波长范围可以近似为600nm至750nm，但是本公开的实施例不限于此。
57.第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3可以在第一方向dr1上顺序且重复地布置。例如，第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3可以在第一方向dr1上以第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3的顺序布置。
58.第一发射区域ea1可以布置在第二方向dr2上。第二发射区域ea2可以布置在第二方向dr2上。第三发射区域ea3可以布置在第二方向dr2上。
59.多个发射区域ea1、ea2和ea3可以由分隔壁pw分隔。在实施例中，分隔壁pw可以设置为围绕发光元件le。分隔壁pw可以与发光元件le间隔开。在实施例中，当从顶部观看时，分隔壁pw可以具有网格形状、网状形状或格栅形状。
60.尽管在图2和图3中所示的示例中，当从顶部观看时，由分隔壁pw限定的发射区域ea1、ea2和ea3中的每个具有正方形形状，但是本公开不限于此。例如，由分隔壁pw限定的多个发射区域ea1、ea2和ea3中的每个可以具有除正方形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
61.共连接电极cce可以设置为在第三方向dr3上与分隔壁pw叠置。在实施例中，共连接电极cce可以设置为围绕发光元件le。共连接电极cce可以与发光元件le间隔开。在实施例中，当从顶部观看时，共连接电极cce可以具有网格形状、网状形状或格栅形状。
62.共连接电极cce在第一方向dr1或第二方向dr2上的宽度wcce(见图7)可以大于分隔壁pw的宽度wpw(见图7)。在实施例中，分隔壁pw可以在第三方向dr3上与共连接电极cce完全叠置。共连接电极cce的一部分可以在第三方向dr3上与分隔壁pw叠置。
63.非显示区域nda可以包括第一垫(pad，或称为“焊盘”)区域pda1和第二垫区域pda2。
64.第一垫区域pda1可以设置在非显示区域nda中。第一垫区域pda1可以位于显示面板100的上侧处。第一垫区域pda1可以包括连接到外部的电路板cb(见图4)的第一垫pd1。
65.第二垫区域pda2可以设置在非显示区域nda中。第二垫区域pda2可以位于显示面板100的下侧处。第二垫区域pda2可以包括连接到外部的电路板cb(见图4)的第二垫。在实施例中，可以省略第二垫区域pda2。
66.图4是示出沿图2的线a-a'截取的显示面板的示例的剖视图；图5是示出沿图3的线b-b'截取的显示面板的示例的剖视图；图6是示出图5的发光元件的示例的放大剖视图；图7是示出图5的分隔壁的示例的放大剖视图。
67.参照图4至图7，显示面板100可以包括半导体电路板110、导电连接层130和发光元件层120。
68.半导体电路板110可以包括多个像素电路pxc和像素电极111。导电连接层130可以包括连接电极112、第一垫pd1、共连接电极cce和第一绝缘膜ins1。
69.在实施例中，半导体电路板110可以是经由半导体工艺形成的硅晶圆基底，并且半导体电路板110的多个像素电路pxc可以经由半导体工艺形成。
70.多个像素电路pxc可以设置在显示区域da中。在实施例中，多个像素电路pxc可以分别连接到像素电极111。换言之，多个像素电路pxc与多个像素电极111可以一一对应地连
接。多个像素电路pxc中的每个可以在第三方向dr3上与发光元件le叠置。
71.多个像素电路pxc中的每个可以包括经由半导体工艺形成的至少一个晶体管。另外，多个像素电路pxc中的每个还可以包括经由半导体工艺形成的至少一个电容器。多个像素电路pxc中的每个可以将像素电压或阳极电压施加到像素电极111。
72.像素电极111可以分别设置在像素电路pxc上。在实施例中，每个像素电极111可以是从相应的像素电路pxc暴露的暴露电极。换言之，每个像素电极111可以从相应的像素电路pxc的上表面突出。在实施例中，像素电极111可以分别与像素电路pxc一体地形成。每个像素电极111可以从相应的像素电路pxc接收像素电压或阳极电压。在实施例中，像素电极111可以由铝(al)制成。
73.连接电极112可以分别设置在像素电极111上。每个连接电极112可以设置在像素电极111上。连接电极112可以包括用于将像素电极111附着到发光元件le的金属材料。例如，连接电极112可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的至少一种。在实施例中，连接电极112可以包括第一层和第二层，第一层包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的一种，第二层包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的另一种。在这种情况下，第二层可以设置在第一层上。
74.共连接电极cce可以与像素电极111和连接电极112间隔开。在实施例中，共连接电极cce可以设置为围绕像素电极111和连接电极112。
75.共连接电极cce可以连接到非显示区域nda中的第一垫区域pda1的一个第一垫pd1或第二垫区域pda2的一个第二垫，以接收共电压。在实施例中，共连接电极cce可以包括与连接电极112相同的材料。例如，共连接电极cce可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的至少一种。在其中每个连接电极112包括第一层和第二层的情况下，共连接电极cce可以包括与每个连接电极112的第一层相同的材料。
76.第一绝缘膜ins1可以设置在共连接电极cce上。在实施例中，第一绝缘膜ins1可以实现为无机膜，诸如氧化硅膜(sio2)、氧化铝膜(al2o3)和氧化铪膜(hfo
x
)中的任一种。第一绝缘膜ins1在第一方向dr1或第二方向dr2上的宽度wins1可以小于共连接电极cce的宽度wcce。因此，共连接电极cce的上表面的一部分可以不被第一绝缘膜ins1覆盖，而是可以被暴露。共连接电极cce的上表面的未被第一绝缘膜ins1覆盖而被暴露的部分可以与共电极ce接触。因此，共电极ce可以连接到共连接电极cce。
77.每个第一垫pd1可以通过导电连接构件(诸如与其相关联的布线wr)连接到电路板cb的垫cpd。也就是说，第一垫pd1、布线wr和电路板cb的垫cpd可以分别彼此连接。
78.每个第一垫pd1可以包括第一垫电极pde1和第二垫电极pde2。在实施例中，第一垫电极pde1可以包括与像素电极111相同的材料。在实施例中，第二垫电极pde2可以包括与连接电极112相同的材料。例如，第二垫电极pde2可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的至少一种。在实施例中，在其中每个连接电极112包括第一层和第二层的情况下，第二垫电极pde2也可以包括第一层和第二层。
79.半导体电路板110和电路板cb可以设置在基体基底bsub上。可以使用诸如压敏粘合剂的粘合构件将半导体电路板110和电路板cb附着到基体基底bsub的上表面。
80.电路板cb可以是柔性膜中的任一种，诸如柔性印刷电路板(fpcb)、印刷电路板(pcb)、柔性印刷电路(fpc)和膜上芯片(cof)。
81.第二垫区域pda2的第二垫可以与上面参照图2和图4描述的第一垫pd1相同(相同或基本相同)；因此，将省略其冗余描述。
82.发光元件层120可以包括发光元件le、分隔壁pw、第二绝缘膜ins2、共电极ce、反射膜rf、保护膜、波长转换层qdl、光学构件fl和多个滤色器cf1、cf2和cf3。
83.发光元件层120可以包括由分隔壁pw分隔开的第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3。在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中，可以设置有一个发光元件le、保护膜、波长转换层qdl以及多个滤色器cf1、cf2和cf3中的一个。
84.发光元件le可以在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中设置在连接电极112上。发光元件le可以是在第三方向dr3上延伸的竖直发光二极管。也就是说，发光元件le在第三方向dr3上的长度可以大于在水平方向上的长度。水平长度指在第一方向dr1上的长度或在第二方向dr2上的长度。在实施例中，例如，发光元件le在第三方向dr3上的长度可以近似为1μm至5μm。
85.发光元件le可以是微型发光二极管。在实施例中，如图6中所示，发光元件le包括在第三方向dr3上的第一半导体层sem1、电子阻挡层ebl、活性层mqw、超晶格层slt和第二半导体层sem2。第一半导体层sem1、电子阻挡层ebl、活性层mqw、超晶格层slt和第二半导体层sem2可以在第三方向dr3上以该顺序彼此堆叠。
86.第一半导体层sem1可以设置在连接电极112上。第一半导体层sem1可以掺杂有第一导电类型的掺杂剂，诸如mg、zn、ca、se和ba中的任一种。例如，第一半导体层sem1可以是掺杂有p型mg的p-gan。在实施例中，第一半导体层sem1的厚度可以近似在30nm至200nm的范围内。
87.电子阻挡层ebl可以设置在第一半导体层sem1上。电子阻挡层ebl可以抑制或防止过多的电子流入到活性层mqw中。例如，电子阻挡层ebl可以是掺杂有p型mg的p-algan。在实施例中，电子阻挡层ebl的厚度可以近似为10nm至50nm。然而，在实施例中，可以省略电子阻挡层ebl。
88.活性层mqw可以设置在电子阻挡层ebl上。响应于通过第一半导体层sem1和第二半导体层sem2施加的电信号，当电子-空穴对在活性层mqw中复合时，活性层mqw可以发射光。在实施例中，活性层mqw可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的第一光(即，蓝色波长范围的光)。
89.活性层mqw可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在实施例中，当活性层mqw包括具有多量子阱结构的材料时，阱层和阻挡层可以在该结构中彼此交替堆叠。在实施例中，阱层可以由ingan制成，并且阻挡层可以由gan或algan制成，但是本公开的实施例不限于此。在实施例中，阱层的厚度可以近似为1nm至4nm，并且阻挡层的厚度可以为3nm至10nm。
90.在实施例中，活性层mqw可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替堆叠的结构，并且可以根据发射光的波长范围包括其他iii族至v族半导体材料。由活性层mqw发射的光不限于第一光(蓝色波长范围内的光)。在一些实施方式中，活性层mqw可以发射第二光(绿色波长范围内的光)或第三光(红色波长范围内的光)。
91.超晶格层slt可以设置在活性层mqw上。超晶格层slt可以减轻第二半导体层sem2
与活性层mqw之间的应力。例如，超晶格层slt可以由ingan或gan制成。在实施例中，超晶格层slt的厚度可以近似为50nm至200nm。然而，在实施例中，可以省略超晶格层slt。
92.第二半导体层sem2可以设置在超晶格层slt上。第二半导体层sem2可以掺杂有第二导电类型的掺杂剂，诸如si、ge和sn中的任一种。例如，第二半导体层sem2可以是掺杂有n型si的n-gan。在实施例中，第二半导体层sem2的厚度可以近似在2μm至4μm的范围内。
93.分隔壁pw可以与设置在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中的发光元件le间隔开。在实施例中，分隔壁pw可以设置为围绕设置在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中的发光元件le。
94.分隔壁pw可以设置在共连接电极cce上。分隔壁pw在第一方向dr1或第二方向dr2上的宽度wpw可以小于共连接电极cce的宽度wcce。分隔壁pw可以与发光元件le间隔开。
95.在实施例中，分隔壁pw可以包括第一分隔壁pw1、第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3。
96.第一分隔壁pw1可以设置在第一绝缘膜ins1上。在实施例中，第一分隔壁pw1经由与发光元件le相同的工艺形成，并且第一分隔壁pw1的至少一部分可以包括与发光元件le的材料相同的材料。
97.在实施例中，第一分隔壁pw1可以包括在第三方向dr3上彼此顺序堆叠的多个子分隔壁spw1至spw6。例如，第一分隔壁pw1可以包括第一子分隔壁spw1、第二子分隔壁spw2、第三子分隔壁spw3、第四子分隔壁spw4、第五子分隔壁spw5和第六子分隔壁spw6。
98.第一子分隔壁spw1可以由与发光元件le的第一半导体层sem1相同的材料制成。第一子分隔壁spw1可以经由与发光元件le的第一半导体层sem1相同的工艺形成。第一子分隔壁spw1的厚度tspw1可以等于(等于或基本等于)发光元件le的第一半导体层sem1的厚度tsem1。
99.第二子分隔壁spw2可以由与发光元件le的电子阻挡层ebl相同的材料制成。第二子分隔壁spw2可以经由与发光元件le的电子阻挡层ebl相同的工艺形成。第二子分隔壁spw2的厚度tspw2可以等于(等于或基本等于)发光元件le的电子阻挡层ebl的厚度tebl。在其中省略电子阻挡层ebl的实施例中，也可以省略第二子分隔壁spw2。
100.第三子分隔壁spw3可以由与发光元件le的活性层mqw相同的材料制成。第三子分隔壁spw3可以经由与发光元件le的活性层mqw相同的工艺形成。第三子分隔壁spw3的厚度tspw3可以等于(等于或基本等于)发光元件le的活性层mqw的厚度tmqw。
101.第四子分隔壁spw4可以由与发光元件le的超晶格层slt相同的材料制成。第四子分隔壁spw4可以经由与发光元件le的超晶格层slt相同的工艺形成。第四子分隔壁spw4的厚度tspw4可以等于(等于或基本等于)发光元件le的超晶格层slt的厚度tslt。
102.第五子分隔壁spw5可以由与发光元件le的第二半导体层sem2相同的材料制成。第五子分隔壁spw5可以经由与发光元件le的第二半导体层sem2相同的工艺形成。在实施例中，在制造显示面板100的工艺期间，不去除第五子分隔壁spw5，而是去除发光元件le的第二半导体层sem2的一部分。结果，第五子分隔壁spw5的厚度tspw5可以等于或大于发光元件le的第二半导体层sem2的厚度tsem2。
103.在实施例中，第六子分隔壁spw6可以实现为未掺杂有掺杂剂的半导体层(即，未掺杂的半导体层)。例如，第六子分隔壁spw6可以是未掺杂有掺杂剂的gan。在实施例中，第六
子分隔壁spw6的厚度tspw6可以大于发光元件le的第二半导体层sem2的厚度tsem2。在实施例中，第六子分隔壁spw6的厚度tspw6可以近似为2μm至3μm。
104.第二分隔壁pw2和第三分隔壁pw3可以在形成发光元件le和分隔壁pw的工艺期间用作用于防止或基本防止第一分隔壁pw1被蚀刻的掩模。
105.第二分隔壁pw2可以设置在第一分隔壁pw1上。在实施例中，第二分隔壁pw2可以实现为无机膜，诸如氧化硅膜(sio2)、氧化铝膜(al2o3)和氧化铪膜(hfo
x
)中的任一种。在实施例中，第二分隔壁pw2的厚度tpw2可以近似为1μm至2μm。
106.第三分隔壁pw3可以设置在第二分隔壁pw2上。第三分隔壁pw3可以包括导电材料，诸如镍(ni)。在实施例中，第三分隔壁pw3的厚度tpw3可以近似为0.01μm至1μm。在实施例中，第三分隔壁pw3的厚度tpw3可以小于第二分隔壁pw2的厚度tpw2。
107.第二绝缘膜ins2可以设置在共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、每个像素电极111的侧表面、每个连接电极112的侧表面和每个发光元件le的侧表面上。在实施例中，第二绝缘膜ins2可以实现为无机膜，诸如氧化硅膜(sio2)、氧化铝膜(al2o3)和氧化铪膜(hfo
x
)中的任一种。在实施例中，第二绝缘膜ins2的厚度可以近似为0.1μm。
108.共电极ce可以设置在每个发光元件le的上表面和侧表面以及分隔壁pw的上表面和侧表面上。也就是说，共电极ce可以设置为覆盖每个发光元件le的上表面和侧表面以及分隔壁pw的上表面和侧表面。
109.共电极ce可以与设置在共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、每个像素电极111的侧表面、每个连接电极112的侧表面和每个发光元件le的侧表面上的第二绝缘膜ins2接触。另外，共电极ce可以与共连接电极cce的上表面、每个发光元件le的上表面和分隔壁pw的上表面接触。
110.共电极ce可以与共连接电极cce的未被第二绝缘膜ins2覆盖的上表面和发光元件le的未被第二绝缘膜ins2覆盖的上表面接触。因此，可以将供应到共连接电极cce的共电压施加到发光元件le。也就是说，发光元件le的第一端可以通过连接电极112接收像素电极111的像素电压或阳极电压，并且发光元件le的第二端可以通过共电极ce接收共电压。发光元件le可以根据像素电压与共电压之间的电压差发射具有亮度(例如，预定亮度)的光。
111.共电极ce可以包括透明导电材料。在实施例中，共电极ce可以由透明导电氧化物(tco)制成，诸如氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)中的任一种。在实施例中，共电极ce的厚度可以近似为0.1μm。
112.反射膜rf用于反射从发光元件le发射的光的在除竖直方向以外的方向上行进的部分。反射膜rf可以包括具有高反射率的金属材料，诸如铝(al)。在实施例中，反射膜rf的厚度可以近似为约0.1μm。
113.反射膜rf可以设置在共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、每个像素电极111的侧表面、每个连接电极112的侧表面以及每个发光元件le的侧表面上。反射膜rf可以在共连接电极cce的侧表面、分隔壁pw的侧表面、每个像素电极111的侧表面、每个连接电极112的侧表面以及每个发光元件le的侧表面上首先与共电极ce接触。
114.波长转换层qdl可以在第一发射区域ea1、第二发射区域ea2和第三发射区域ea3中的每个中设置在保护膜上。在实施例中，波长转换层qdl可以将从发光元件le入射的第一光的一部分转换为第四光以输出第四光。例如，第四光可以是黄色波长范围内的光。第四光可
以包括绿色波长范围和红色波长范围两者内的光。换句话说，第四光可以是第二光和第三光的混合。
115.波长转换层qdl可以包括基体树脂brs和波长转换颗粒wcp。基体树脂brs可以包括透明有机材料。例如，基体树脂brs可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo(卡多)树脂或酰亚胺树脂。
116.波长转换颗粒wcp可以将从发光元件le入射的第一光转换为第四光。例如，波长转换颗粒wcp可以将蓝色波长范围内的光转换成黄色波长范围内的光。在实施例中，波长转换颗粒wcp可以是量子点(qd)、量子棒、荧光材料或磷光材料。在实施例中，量子点可以包括iv族纳米晶体、ii-vi族化合物纳米晶体、iii-v族化合物纳米晶体、iv-vi族化合物纳米晶体或其组合。
117.量子点可以包括核和包覆核的壳。核可以包括但不限于cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inp、inas、insb、sic、ca、se、in、p、fe、pt、ni、co、al、ag、au、cu、fept、fe2o3、fe3o4、si和ge中的至少一种。壳可以包括但不限于zns、znse、znte、cds、cdse、cdte、hgs、hgse、hgte、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、gase、inn、inp、inas、insb、tln、tlp、tlas、tlsb、pbs、pbse和pbte中的至少一种。
118.波长转换层qdl还可以包括用于使发光元件le的光在任意方向上散射的散射体。散射体可以包括金属氧化物颗粒或有机颗粒。例如，金属氧化物可以是氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)、氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)或氧化锡(sno2)。在实施例中，有机颗粒可以包括丙烯酸树脂或聚氨酯类树脂。在实施例中，散射体的直径可以是几纳米至几十纳米。
119.光学构件fl可以设置在波长转换层qdl和分隔壁pw上。光学构件fl可以调节从波长转换层qdl输出的光的路径。光学构件fl可以用于将从波长转换层qdl输出的光朝向发射区域ea1、ea2和ea3中的每个的中心聚焦。通过将光学构件fl的折射率调节为不同于与其相邻的下面的波长转换层qdl的折射率，并且光学构件fl包括朝向波长转换层qdl突出的突出图案，可以调节光的路径。在实施例中，光学构件fl的折射率可以大于与其相邻的下面的波长转换层qdl的折射率，并且光学构件fl包括光学层fl1和从光学层fl1朝向波长转换层qdl突出的第一突出图案fl2。
120.光学构件fl的光学层fl1可以与滤色器cf1、cf2和cf3直接接触，并且光学构件fl的第一突出图案fl2可以与波长转换层qdl的基体树脂brs直接接触。在实施例中，光学层fl1的厚度t1可以是但不限于近似10μm至14μm。
121.光学层fl1和第一突出图案fl2可以彼此直接连接。光学层fl1和第一突出图案fl2可以形成为单件。第一突出图案fl2可以经由光掩模工艺或摩擦工艺形成。然而，实施例不限于此。
122.在实施例中，第一突出图案fl2的剖面形状可以包括向下凸出的透镜形状。例如，如图4中所示，可以设置多个第一突出图案fl2。在实施例中，多个第一突出图案fl2设置在发射区域ea1、ea2和ea3中的每个中，并且一个第一突出图案fl2的宽度w2(见图9)可以小于分隔壁pw与另一相邻分隔壁之间的距离dpw。尽管第一突出图案fl2的宽度w2可以小于发光元件le的宽度w1，但是本公开的实施例不限于此。第一突出图案fl2的宽度w2可以等于或大于发光元件le的宽度w1。在实施例中，第一突出图案fl2的厚度t2可以小于分隔壁pw之间的
距离dpw的1/2，但是本公开的实施例不限于此。
123.多个第一突出图案fl2可以将从波长转换层qdl透射的第一光至第三光聚焦在发射区域ea1、ea2和ea3中的每个中。将参照图8和图9进一步描述第一突出图案fl2的布置和第一突出图案fl2对第一光至第三光的聚焦。
124.多个滤色器cf1、cf2和cf3可以包括第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3。多个滤色器cf1、cf2和cf3可以设置在光学构件fl上。
125.每个第一滤色器cf1可以在第一发射区域ea1中设置在光学构件fl上。另外，每个第一滤色器cf1可以设置在分隔壁pw上。每个第一滤色器cf1可以透射第一光并且可以吸收或阻挡第四光。例如，每个第一滤色器cf1可以透射蓝色波长范围内的光，并且可以吸收或阻挡绿色和红色波长范围内的光。因此，每个第一滤色器cf1可以透射从发光元件le发射的第一光之中的未被波长转换层qdl转换的第一光，并且可以吸收或阻挡被波长转换层qdl转换的第四光。因此，每个第一发射区域ea1可以发射第一光。
126.每个第二滤色器cf2可以在第二发射区域ea2中设置在光学构件fl上。另外，每个第二滤色器cf2可以设置在分隔壁pw上。每个第二滤色器cf2可以透射第二光并且可以吸收或阻挡第一光和第三光。例如，每个第二滤色器cf2可以透射绿色波长范围内的光，并且可以吸收或阻挡蓝色和红色波长范围内的光。因此，每个第二滤色器cf2可以吸收或阻挡从发光元件le发射的第一光之中的未被波长转换层qdl转换的第一光。另外，每个第二滤色器cf2可以透射被波长转换层qdl转换的第四光之中的绿色波长范围内的第二光，并且可以吸收或阻挡红色波长范围内的第三光。因此，每个第二发射区域ea2可以发射第二光。
127.每个第三滤色器cf3可以在第三发射区域ea3中设置在光学构件fl上。另外，每个第三滤色器cf3可以设置在分隔壁pw上。每个第三滤色器cf3可以透射第三光并且可以吸收或阻挡第一光和第二光。例如，每个第三滤色器cf3可以透射红色波长范围内的光，并且可以吸收或阻挡蓝色和绿色波长范围内的光。因此，每个第三滤色器cf3可以吸收或阻挡从发光元件le发射的第一光之中的未被波长转换层qdl转换的第一光。另外，每个第三滤色器cf3可以透射被波长转换层qdl转换的第四光之中的红色波长范围内的第三光，并且可以吸收或阻挡绿色波长范围内的第二光。因此，每个第三发射区域ea3可以发射第三光。
128.图8是示出根据本公开的实施例的像素和光学图案的布局的视图；图9是图4的区域“c”的放大剖视图。
129.在实施例中，参照图8，多个第一突出图案fl2可以设置在发射区域ea1、ea2和ea3中的每个中。尽管为了便于说明，在图8中所示的示例中，多个第一突出图案fl2被示出为沿第一方向dr1和第二方向dr2规则地布置，但是本公开的实施例不限于此。在实施例中，多个第一突出图案fl2可以随机布置。在图8中所示的示例中，四个第一突出图案fl2在第一方向dr1上布置，并且两个第一突出图案fl2在第二方向dr2上布置；然而，多个第一突出图案fl2的数量不限于此。
130.如上所述，多个第一突出图案fl2可以将从波长转换层qdl透射的第一光至第三光聚焦在发射区域ea1、ea2和ea3中的每个中。如图9中所示，从第三发射区域ea3的波长转换层qdl的基体树脂brs透射的第三光不仅可以包括在竖直方向上直线行进的光，还可以包括在相对于竖直方向以一定角度倾斜的方向上行进的光。在相对于竖直方向以一定角度倾斜的方向上行进的光可以由第一突出图案fl2引导，以在相对于竖直方向倾斜较小的方向上
行进。
131.为了通过第一突出图案fl2来引导在相对于竖直方向倾斜一定角度的方向上行进的光，以在相对于竖直方向倾斜较小的方向上行进，调节第一突出图案fl2与相邻元件之间的折射率的差并调节第一突出图案fl2的形状。
132.如上所述，第一突出图案fl2可以由与光学层fl1相同的材料制成，并且光学构件fl的折射率可以大于与其相邻的下面的基体树脂brs的折射率。因此，可以在第一突出图案fl2与基体树脂brs之间的界面处聚焦从基体树脂brs透射的第三光之中的在相对于竖直方向倾斜的方向上行进的光，使得光在相对于竖直方向倾斜较小的方向上行进(光朝向发射区域ema3的中心聚焦)。
133.此外，如果第一突出图案fl2的折射率大于基体树脂brs的折射率，并且第一突出图案fl2的剖面形状为通常用于聚焦光的会聚透镜的形状，则可以更可靠地将从基体树脂brs透射的第三光朝向发射区域ea3的中心聚焦。在实施例中，会聚透镜具有30度或更大的初始角α。这里，如图9中所示，初始角α指连接光学层fl1的与第一突出图案fl2接触的下表面fl1a和光学层fl1的被第一突出图案fl2暴露的下表面fl1b的延长线与该延长线和第一突出图案fl2的凸面交汇的点处的切线之间的角。
134.图10的(a)至(e)是示出光学图案的各种修改的透视图。
135.参照图10的(a)至(e)，光学图案可以具有向下突出的形状。根据图10的(a)的实施例的第一突出图案fl2具有向下凸出的透镜形状，根据图10的(b)的实施例的第一突出图案f12a具有棱镜形状。第一突出图案fl2a可以在第一方向dr1上延伸，并且可以在第二方向dr2上布置。根据图10的(c)的实施例的第一突出图案f12b可以具有向下凸出的球形形状。根据图10的(d)的实施例的第一突出图案fl2c可以具有向下突出的六角锥形状。根据图10的(e)的实施例的第一突出图案fl2d可以具有向下突出的四角锥形状。
136.图11是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图；图12是图11的区域“d”的放大剖视图。
137.参照图11和图12，根据实施例的显示面板100_1的发光元件层120_1的光学构件fl_1还可以包括从光学层fl1向上突出的第二突出图案fl3。多个第一突出图案fl2和多个第二突出图案fl3可以在厚度方向上彼此叠置。
138.光学构件fl_1的第二突出图案fl3可以与滤色器cf1、cf2和cf3直接接触。光学层fl1和第二突出图案fl3可以彼此直接连接。在实施例中，光学层fl1和第二突出图案fl3可以形成为单件。在实施例中，第二突出图案fl3可以通过光掩模工艺或摩擦工艺形成。然而，将理解的是，本公开的实施例不限于此。
139.在实施例中，除了第二突出图案fl3向上凸出之外，第二突出图案fl3的剖面形状与第一突出图案fl2的剖面形状相同(相同或基本相同)；因此，将省略其冗余描述。
140.如图11中所示，可以设置多个第二突出图案fl3。由于多个第二突出图案fl3设置在发射区域ea1、ea2和ea3中的每个中，因此一个第二突出图案fl3的宽度w3可以小于分隔壁pw与另一相邻分隔壁之间的距离dpw。尽管第二突出图案fl3的宽度w3可以小于发光元件le的宽度w1，但是本公开的实施例不限于此。在实施例中，第二突出图案fl3的宽度w3可以等于或大于发光元件le的宽度w1。在实施例中，第二突出图案fl3的厚度t3可以小于分隔壁pw之间的距离dpw的1/2，但是本公开不限于此。
141.多个第二突出图案fl3可以将从光学层fl1透射的第一光至第三光聚焦在发射区域ea1、ea2和ea3中的每个中。
142.与第一突出图案fl2类似，如果第二突出图案fl3的折射率大于滤色器cf1、cf2和cf3的折射率，并且第二突出图案fl3的剖面形状为用于聚焦光的会聚透镜的形状，则可以更可靠地将从光学层fl1透射的第三光朝向发射区域ea3的中心聚焦。因此，在实施例中，第二突出图案fl3具有30度或更大的初始角β。这里，如图12中所示，初始角β指连接光学层fl1的与第二突出图案fl3接触的上表面fl2a和光学层fl1的由第二突出图案fl3暴露的上表面fl2b的延长线与该延长线和第二突出图案fl3的凸面交汇的点处的切线之间的角。
143.图13是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
144.根据图13的实施例的显示面板100_2与根据图11的实施例的显示面板100_1的不同之处在于：发光元件层120_2的光学构件fl_2的第一突出图案fl2的一部分和第二突出图案fl3的一部分在厚度方向上彼此叠置，并且第一突出图案fl2的其他部分和第二突出图案fl3的其他部分在厚度方向上彼此不叠置。
145.其他元件可以与上面参照图11描述的元件相同；因此，将省略其冗余描述。
146.图14是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
147.根据图14的实施例的显示面板100_3与根据图11的实施例的显示面板100_1的不同之处在于：发光元件层120_3的光学构件fl_3的第一突出图案fl2和第二突出图案fl3在厚度方向上彼此不叠置。
148.其他元件可以与上面参照图11描述的元件相同；因此，将省略其冗余描述。
149.图15是示出根据本公开的另一实施例的显示面板的示例的剖视图。
150.根据图15的实施例的显示面板100_4与根据图11的实施例的显示面板100_1的不同之处在于：发光元件层120_4的光学构件fl_4的第二突出图案fl3_1以不同方式布置。
151.更具体地，可以设置光学构件fl_4的多个第二突出图案fl3_1，并且多个第二突出图案fl3_1中的一些可以在厚度方向上与分隔壁pw叠置。根据实施例，第二突出图案fl3_1可以经由但不限于光掩模工艺或摩擦工艺形成。
152.根据实施例，多个第二突出图案fl3_1中的一些在厚度方向上与分隔壁pw叠置，使得可以通过第二突出图案fl3_1与分隔壁pw叠置经由引导从波长转换层qdl输出的光之中的在相邻发射区域ea1、ea2和ea3之间行进的光来提高发光效率。
153.图16是示出图5的分隔壁的另一示例的放大剖视图。
154.图16的实施例与图7的实施例的不同之处在于：第一绝缘膜ins1_1完全覆盖共连接电极cce的上表面。为了避免冗余，将不进一步详细描述图16的与图7的元件相同的元件。
155.参照图16，第一绝缘膜ins1_1可以设置在共连接电极cce的上表面上。由于第一绝缘膜ins1_1完全覆盖共连接电极cce的上表面，因此共连接电极cce的表面可以不被暴露。因此，共电极ce_1可以与第一绝缘膜ins1_1的上表面接触，并且可以不与共连接电极cce的上表面接触。在这种情况下，共电极ce_1可以连接到非显示区域nda中的共电压源以接收共电压。
156.第二绝缘膜ins2_1可以设置在第一绝缘膜ins1_1的侧表面上，并且反射膜rf可以设置在布置在第一绝缘膜ins1_1的侧表面上的共电极ce_1上。
157.图17是示出根据示例性实施例的包括显示装置的虚拟现实装置的示例的视图。
158.图17示出了根据本公开的实施例的采用显示装置10_1的虚拟现实装置1。
159.参照图17，根据实施例的虚拟现实装置1可以是眼镜形式的装置。根据本公开的实施例的虚拟现实装置1可以包括显示装置10_1、左眼镜片10a、右眼镜片10b、支撑框20、眼镜腿30a和30b、反射构件40和显示壳体50。
160.尽管图17示出了包括眼镜腿30a和30b的虚拟现实装置1，但是根据本公开的实施例，具有代替眼镜腿30a和30b的头带的头戴式显示器可以用作虚拟现实装置1。也就是说，虚拟现实装置1不限于图17中所示的虚拟现实装置，而是可以以各种形式应用于各种电子装置中。
161.显示壳体50可以包括显示装置10_1和反射构件40。显示在显示装置10_1上的图像可以被反射构件40反射，并且通过右眼镜片10b提供到用户的右眼。因此，用户可以通过右眼观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
162.尽管在图17中所示的示例中显示壳体50被示出为设置在支撑框20的右端处，但是本公开的实施例不限于此。例如，显示壳体50可以设置在支撑框20的左端处。在这种情况下，显示在显示装置10_1上的图像被反射构件40反射，并且通过左眼镜片10a提供到用户的左眼。因此，用户可以通过左眼观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。在另一实施例中，显示壳体50可以分别设置在支撑框20的左端和右端两者处。在这种情况下，用户可以通过左眼和右眼两者观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
163.图18是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的智能装置的示例的视图。
164.参照图18，根据实施例的显示装置10_2可以应用于作为智能装置中的一种的智能手表2。
165.图19是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的仪表组和中央仪表板的示例的视图。
166.图19示出了应用根据实施例的显示装置10_a、10_b、10_c、10_d和10_e的车辆。
167.参照图19，根据本公开的实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表组，可以应用于车辆的中央仪表板，或者可以应用于设置在车辆仪表板上的中央信息显示器(cid)。根据本公开的实施例的显示装置10_d和10_e可以应用于代替车辆的侧视镜的车内镜显示器。
168.图20是示出根据本公开的实施例的包括显示装置的透明显示装置的示例的视图。
169.参照图20，根据实施例的显示装置10_3可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在显示图像im的同时透射光。因此，位于透明显示装置的前侧的用户不仅能够观看显示在显示装置10_3上的图像im，而且能够观看位于透明显示装置的后侧的对象rs或背景。当将显示装置10_3应用于透明显示装置时，显示装置10_3的基底可以包括能够透射光的透光部，或者可以由能够透射光的材料制成。
170.尽管出于说明性目的已经公开了发明的一些实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离如所附权利要求中公开的本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、添加和替换。