有机发光显示面板、其制作方法及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置。


背景技术：

2.有机发光显示(organic light-emitting diode，oled)技术，具有功耗低、响应速度快、视角大、质量轻、厚度低以及可实现柔性等优点，因此应用范围较广。
3.随着oled的发展，对oled显示装置的尺寸也越来越大。但oled用于大尺寸显示面临的一个关键问题是：oled显示装置尺寸变大导致的阴极电阻过大，从而导致阴极的ir drop过大，屏幕的均一性等特性变差等问题。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术存在大尺寸oled显示装置的阴极电阻过大导致的ir drop过大的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包括：
6.有机发光基板，包括发光区和非发光区，所述有机发光基板包括衬底和位于所述衬底一侧的阴极层；
7.透明保护层，覆盖在所述阴极层远离所述衬底的一侧且所述透明保护层具有导电性；
8.辅助阴极，位于所述透明保护层远离所述衬底的一侧且与所述透明保护层电连接，所述辅助阴极在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。
9.第二个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的有机发光显示面板。
10.第三个方面，本技术实施例提供了一种有机发光显示面板的制作方法，包括：
11.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
12.本技术实施例提供的有机发光显示面板、其制作方法及显示装置，通过设置具有导电性的透明保护层以避免制作辅助阴极时对阴极层造成损伤，同时具有导电性的透明保护层以及与透明保护层电连接的辅助阴极能够起到增强阴极导电性的作用，从而降低ir drop对显示效果的影响，提升显示面板的均一性。
13.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
14.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得
明显和容易理解，其中：
15.图1为本技术实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图；
16.图2为本技术实施例提供的另一种有机发光显示面板的结构示意图；
17.图3为本技术实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；
18.图4为本技术实施例提供的一种有机发光显示面板中第二增强保护层的结构示意图；
19.图5为本技术实施例提供的一种有机发光显示面板中薄膜封装层的结构示意图；
20.图6为本技术实施例提供的一种有机发光显示面板的俯视示意图；
21.图7为本技术实施例提供的一种显示装置的框架结构示意图；
22.图8为本技术实施例提供的一种有机发光显示面板的制作方法的流程示意图；
23.图9为图8所示的有机发光显示面板的制作方法中步骤s1的工艺示意图；
24.图10为图8所示的有机发光显示面板的制作方法中步骤s2的工艺示意图；
25.图11为图8所示的有机发光显示面板的制作方法中步骤s3的一种流程示意图；
26.图12为图11所示的步骤s3的制作方法的步骤s301a的工艺示意图；
27.图13为图11所示的步骤s3的制作方法的步骤s302a的工艺示意图；
28.图14为图11所示的步骤s3的制作方法的步骤s303a的工艺示意图；
29.图15为图11所示的步骤s3的制作方法的步骤s304a的工艺示意图；
30.图16为图8所示的有机发光显示面板的制作方法中步骤s3的另一种流程示意图；
31.图17为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s301b的工艺示意图；
32.图18为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s302b的工艺示意图；
33.图19为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s303b的工艺示意图；
34.图20为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s304b的工艺示意图；
35.图21为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s305b的工艺示意图；
36.图22为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s307b的工艺示意图；
37.图23为图8所示的有机发光显示面板的制作方法中步骤s3的由一种流程示意图；
38.图24为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s301c的工艺示意图；
39.图25为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s302c的工艺示意图；
40.图26为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s303c的工艺示意图；
41.图27为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s304c的工艺示意图；
42.图28为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s305c的工艺示意图；
43.图29为图16所示的步骤s3的制作方法的步骤s307c的工艺示意图。
44.附图标记：
45.1-有机发光显示面板；10-有机发光基板；101-衬底；102-有源层；103-第一栅极绝缘层；104-栅极层；105-第二栅极绝缘层；106-源漏电极层；1061-漏电极；1062-源电极；107-层间绝缘层；108-阳极层；109-像素定义层；1091-像素开口；110-发光层；111-阴极层；11-透明保护层；12-辅助阴极；12
′‑
辅助阴极层；13-薄膜封装层；131-第一无机层；132-有机层；133-第二无机层；14-第一增强保护层；140-第一过孔；15-第二增强保护层；150-第二过孔；151-第一无机保护层；152-有机保护层；153-第二无机保护层；
46.2-驱动芯片；3-供电电源；4-第一光刻胶层；5-第二光刻胶层；51-第一待刻蚀区
域；6-第三光刻胶层；7-第四光刻胶层；71-第二待刻蚀区域；8-第五光刻胶层；
47.100-发光区；200-非发光区；1000-显示装置；
48.m1-第一掩膜版；m2-第二掩膜版；m3-第三掩膜版；m4-第四掩膜版；m5-第五掩膜版。
具体实施方式
49.下面结合本技术中的附图描述本技术的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本技术实施例的技术方案的示例性描述，对本技术实施例的技术方案不构成限制。
50.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个，例如“a和/或b”可以实现为“a”，或者实现为“b”，或者实现为“a和b”。
51.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
52.oled具有功耗低、响应速度快、视角大、质量轻、厚度低以及可实现柔性等优点，因此应用范围较广。随着oled的发展，对oled显示装置的尺寸也越来越大。但oled用于大尺寸显示面临的一个关键问题是：oled显示装置尺寸变大导致的阴极电阻过大，从而导致阴极的ir drop过大，屏幕的均一性等特性变差等问题。
53.本技术提供的有机发光显示面板、其制作方法及显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。
54.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。需要指出的是，下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合，对于不同实施方式中相同的术语、相似的特征以及相似的实施步骤等，不再重复描述。
55.本技术实施例提供了一种有机发光显示面板，如图1所示，该有机发光显示面板1包括有机发光显示基板、透明保护层11和辅助阴极12。
56.有机发光基板10包括发光区100和非发光区200，有机发光基板10包括衬底101和位于衬底101一侧的阴极层111；透明保护层11覆盖在阴极层111远离衬底101的一侧且透明保护层11具有导电性；辅助阴极12位于透明保护层11远离衬底101的一侧且与透明保护层11电连接，辅助阴极12在衬底101上的正投影位于非发光区200。
57.具体地，本实施例提供的有机发光显示面板1中，辅助阴极12的材料为银、铝中的一种或多种，透明保护层11的材料为氧化铟锡材料或者氧化铟锌材料。
58.本实施例提供的有机发光显示面板1，通过设置具有导电性的透明保护层11以避免制作辅助阴极12时对阴极层111造成损伤，同时具有导电性的透明保护层11以及与透明保护层11电连接的辅助阴极12能够起到降低阴极电阻的作用，从而降低ir drop对显示效果的影响，提升显示面板的均一性。
59.可选地，如图1所示，本实施例提供的有机发光显示面板中，透明保护层11的折射
率大于所述阴极层111的折射率。因此可以增加有机发光显示面板的光取出效率。
60.可选地，如图2所示，本实施例提供的有机发光显示面板1还包括第一增强保护层14，第一增强保护层14覆盖在透明保护层11远离衬底101的一侧，且设置有多个贯穿第一增强保护层14的第一过孔140，第一增强保护层14为无机保护层，第一过孔140位于非发光区200；辅助阴极12通过第一过孔140与透明保护层11电连接。
61.如图2所示，本实施例中，在透明保护层11上覆盖第一增强保护层14，能够进一步增强对阴极层111的保护效果。具体地，本实施例中的第一增强保护层14的材料为氮氧化硅(sion)，在制作时，可以先通过气相沉积法在透明保护层11上沉积氮氧化硅膜层，再对氮氧化硅膜层进行刻蚀直至刻蚀到暴露透明保护层11为止，即通过刻蚀形成贯穿第一增强保护层14的第一过孔140。
62.可选地，如图3和图4所示，本实施例提供的有机发光显示面板1还包括第二增强保护层15，第二增强保护层15覆盖在透明保护层11远离衬底101的一侧，且设置有多个贯穿第二增强保护层15的第二过孔150，第二增强保护层15包括第一无机保护层151、第二无机保护层153以及位于第一无机保护层151和第二无机保护层153之间的有机保护层152，第二过孔150位于非发光区200；辅助阴极12通过第二过孔150与透明保护层11电连接。
63.如图3和图4所示，本实施例中，在透明保护层11上覆盖第二增强保护层15，能够进一步增强对阴极层111的保护效果。具体地，本实施例中的第一无机保护层151的材料为氮氧化硅(sion)，第二无机保护层153的材料为氮化硅(sin
x
)，有机保护层152可通过喷墨打印方法来形成，具体地，第二增强保护层15的制作方法可参考薄膜封装层13的制作方法。
64.如图3所示，有机发光基板10还包括驱动电路结构、阳极层108和发光层110。驱动电路结构位于衬底101与阴极层111之间；阳极层108位于驱动电路结构与阴极层111之间且包括多个阳极单元，阳极单元与驱动电路结构电连接；发光层110位于阳极层108和阴极层111之间。
65.具体地，发光层110包括有机发光膜层和功能膜层，其中，功能膜层包括电子输入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴输入层中的一种或多种，以用于提升发光层110的性能。
66.在本实施例提供的有机发光显示面板1中，驱动电路结构包括多个膜层以形成薄膜晶体管、电容、栅极线、数据线、电源线等。以图3所示的有机发光显示面板1为例，驱动电路结构包括在衬底101指向阴极层111方向上依次排列的有源层102、第一栅极绝缘层103、栅极层104、第二栅极绝缘层105、源漏电极层106以及层间绝缘层107。
67.如图3所示，栅极层104包括栅极以及与栅极连接的栅极线。源漏电极层106包括源电极1062、漏电极1061和与源电极1061连接的数据线(图3中未示出)，其中源电极1062、漏电极1061均通过过孔与有源层102电连接。阳极单元通过过孔与漏电极1062电连接。
68.如图3和图6所示，有机发光基板10还包括像素定义层109，像素定义层109位于阳极层108远离衬底101的一侧且设置有多个贯穿像素定义层109的像素开口1091，发光层设置在像素开口1091内且与阳极单元接触。阴极层111覆盖发光层110以及部分像素定义层109。
69.具体地，如图5所示，本实施例提供的有机发光显示面板1还包括薄膜封装层13，薄膜封装层13位于辅助阴极12远离衬底101的一侧，包括第一无机层131、第二有机层132以及
位于第一无机层131和第二有机层132之间的第一有机层132。需要说明的是，为了增强封装效果，薄膜封装层13还包括位于第三无机层以及位于第二无机层133和第三无机层之间的第二有机层132。
70.可选地，如图6所示，本实施例提供的有机发光显示面板中，辅助阴极12在衬底上的正投影为网格状。具体地，如图6所示，像素定义层109设置有像素开口1091，开口所在区域即为有机发光显示面板的发光区，相邻发光区之间的区域即为非发光区。
71.本实施例中，将辅助阴极12设计为网格状能够保证辅助阴极具有较大的面积，从而尽可能地降低阴极电阻的作用，从而降低ir drop对显示效果的影响，提升显示面板的均一性。
72.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，如图7所示，该显示装置1000包括上述实施例中的有机发光显示面板1，具有上述实施例中的有机发光显示面板1的有益效果，在此不再赘述。
73.具体地，如图7所示，本实施例提供的显示装置1000还包括驱动芯片2和供电电源3，驱动芯片2用于为有机发光显示面板1提供驱动信号，供电电源3用于为有机发光显示面板1提供电能。
74.具体地，如图7所示，本实施例提供的显示装置1000可以为大尺寸显示装置，例如计算机显示屏、电视机等，由于采用上述实施例中的有机发光显示面板1，因此即使是用于大尺寸的显示装置，也能避免阴极ir drop对显示效果的影响，使得显示装置具有良好的均一性。
75.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种有机发光显示面板的制作方法，如图8至图10所示，本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法包括：
76.s1：提供一有机发光基板10衬底101，衬底101包括发光区100和非发光区200，有机发光基板10包括衬底101和位于衬底101一侧的阴极层111。
77.s2：在阴极层111上形成透明保护层11，透明保护层11具有导电性。
78.s3：采用构图工艺在透明保护层11上形成辅助阴极12，辅助阴极12与透明保护层11电连接，且辅助阴极12在衬底101上的正投影位于非发光区200。
79.本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法，通过设置具有导电性的透明保护层11以避免制作辅助阴极12时对阴极层111造成损伤，同时具有导电性的透明保护层11以及与透明保护层11电连接的辅助阴极12能够起到增强阴极导电性的作用，从而降低ir drop对显示效果的影响，提升显示面板的均一性。
80.可选地，请参考图1和图5，本实施例提供的制作方法还包括：在辅助阴极12上依次形成第一无机层131、第一有机层132以及第二无机层133以形成薄膜封装层13。具体地，通过气相沉积法形成第一无机层131和第二无机层133，通过喷墨打印法形成第一有机层132。第一无机层131的材料为氮氧化硅(sion)，第二无机层133的材料为氮化硅(sinx)。需要说明的是，为增强封装效果，薄膜封装层13的制作方法还包括在第二无机层133上依次形成第二有机层和第三无机层。
81.本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法中，步骤s3可以采用不同的方法，以下进行详细说明。
82.在一个具体的实施例中，如图11至图15所示，本实施例提供的有机发光显示面板
的制作方法中，步骤s3包括：
83.s301a：在透明保护层11上沉积银、铝中的一种或多种金属材料以形成辅助阴极层12
′
。
84.s302a：在辅助阴极层12
′
上涂布第一光刻胶层4，并通过曝光、显影去除发光区100域的第一光刻胶层4以使位于发光区100的辅助阴极层12
′
暴露。
85.如图13所示，通过第一掩膜版m1对第一光刻胶层4进行曝光处理。为了防止水溶剂通过透明保护11层渗入发光层，导致oled器件失效，并且由于透明保护层11的材料氧化铟锡以及氧化铟锌等不能接触水溶剂，因此步骤s302a包括：依次涂布的sl和pr胶以作为第二光刻胶层5。在进行显影时，选用包含氢氟醚类含氟溶剂的显影液进行显影。
86.sl(sacrificial layer，牺牲层)，sl中的含氟聚合物可以由质量分数约为20wt％至60wt％的氟含量的聚合物形成，含氟聚合物可以包括：聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、全氟烷基乙烯基醚和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物或者氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物等材料。pr为(photo resist，光刻胶)，含有共聚合物单元以及一些光敏反应基团等。
87.s303a：通过刻蚀工艺去除发光区100的辅助阴极层12
′
。
88.具体地，并且由于非发光区200的辅助阴极层12
′
上具有剩余的光刻胶层，使得非发光区200的辅助阴极层12
′
得以保留。
89.s304a：去除剩余的第一光刻胶层4以形成辅助阴极12。剩余的非发光区200的辅助阴极层12
′
即为辅助阴极12。
90.具体地，为了防止水溶剂通过透明保护11层渗入发光层，导致oled器件失效，并且由于透明保护层11的材料氧化铟锡以及氧化铟锌等不能接触水溶剂，因此本实施例中的光刻胶层包括依次涂布的sl和pr胶。相应地，为了剥离光刻胶层，采用的显影液、剥离液为包含氢氟醚类含氟溶剂，清洗剂包含含氟溶剂。
91.本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法，将辅助阴极12直接制作在透明保护层11上，步骤少，方法较为简单，有利于降低生产成本。
92.在另一个具体的实施例中，如图16至图22所示，本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法中，步骤s3包括：
93.s301b：在透明保护层11形成第一增强保护层14。
94.具体地，第一增强保护层14为无机保护层，第一增强保护层14的材料为氮氧化硅(sion)，步骤s301b具体包括：通过气相沉积法在透明保护层11上沉积氮氧化硅膜层以作为第一增强保护层14。
95.s302b：在第一增强保护层14上涂布第二光刻胶层5，并通过曝光、显影去除第一待刻蚀区域51的第二光刻胶层5，第一待刻蚀区域51位于非发光区200。
96.具体地，如图19所示，通过第二掩膜版m2对第二光刻胶层5进行曝光处理。为了防止水溶剂通过透明保护11层渗入发光层导致oled器件失效，且透明保护层11的材料氧化铟锡以及氧化铟锌等不能接触水溶剂。因此步骤s302c包括：依次涂布的sl和pr胶以作为第四光刻胶层7。在进行显影时，选用包含氢氟醚类含氟溶剂的显影液进行显影。
97.s303b：通过刻蚀工艺去第一待刻蚀区域51的第一增强保护层14以形成第一过孔140，并去除剩余的第二光刻胶层5。具体地，为了剥离光刻胶层，采用的剥离液为包含氢氟醚类含氟溶剂，清洗剂包含含氟溶剂。
98.s304b：在形成第一过孔140后的第一增强保护层14上沉积银、铝中的一种或多种金属材料以形成辅助阴极层12
′
，辅助阴极层12
′
通过第一过孔140与透明保护层11电连接。
99.s305b：在辅助阴极层12
′
上涂布第三光刻胶层6，并通过曝光、显影去除发光区100域的第三光刻胶层6。
100.具体地，如图21所示，通过第三掩膜版m3对第三光刻胶层6进行曝光处理。步骤s305b包括：依次涂布的sl和pr胶以作为第三光刻胶层6。在进行显影时，选用包含氢氟醚类含氟溶剂的显影液进行显影。
101.s306b：通过刻蚀工艺去除发光区100的辅助阴极层12
′
。具体地，并且由于非发光区200的辅助阴极层12
′
上具有剩余的光刻胶层，使得非发光区200的辅助阴极层12
′
得以保留。
102.s307b：去除剩余的第三光刻胶层6以形成辅助阴极12。剩余的非发光区200的辅助阴极层12
′
即为辅助阴极12。
103.本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法中，在透明保护层11上覆盖第一增强保护层14，能够进一步增强对阴极层111的保护效果。
104.在又一个具体的实施例中，如图23至图29所示，本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法中，步骤s3包括：
105.s301c：在透明保护层11形成第二增强保护层15。
106.具体地，第二增强保护层15包括第一无机保护层151、第二无机保护层153以及位于第一无机保护层151和第二无机保护层153之间的有机保护层152。本实施例中，步骤s301c包括：在透明保护层11上依次形成第一无机保护层151、有机保护层152以及第二无机保护层153。第一无机保护层151的材料为氮氧化硅(sion)，第二无机保护层153的材料为氮化硅(sinx)，有机保护层152可通过喷墨打印方法来形成，具体地，第二增强保护层15的制作方法可参考薄膜封装层13的制作方法。
107.s302c：在第二增强保护层15上涂布第四光刻胶层7，并通过曝光、显影去除第二待刻蚀区域71的第四光刻胶层7，第二待刻蚀区域17位于非发光区200。
108.具体地，如图25所示，通过第四掩膜版m4对第四光刻胶层7进行曝光处理。为了防止水溶剂通过透明保护11层渗入发光层，导致oled器件失效，由于透明保护层11的材料氧化铟锡以及氧化铟锌等不能接触水溶剂。因此步骤s302c包括：依次涂布的sl和pr胶以作为第四光刻胶层7。在进行显影时，选用包含氢氟醚类含氟溶剂的显影液进行显影。
109.s303c：通过刻蚀工艺去除第二待刻蚀区域71的第二增强保护层15以形成第二过孔150，并去除剩余的第四光刻胶层7。具体地，为了剥离光刻胶层，采用的剥离液为包含氢氟醚类含氟溶剂，清洗剂包含含氟溶剂。
110.s304c：在形成第二过孔150后的第二增强保护层15上沉积银、铝中的一种或多种金属材料以形成辅助阴极层12
′
，辅助阴极层12
′
通过第二过孔150与透明保护层11电连接。
111.s305c：在辅助阴极层12
′
上涂布第五光刻胶层8，并通过曝光、显影去除发光区100域的第五光刻胶层8。
112.具体地，如图28所示，通过第五掩膜版m5对第五光刻胶层8进行曝光处理。步骤s305c包括：依次涂布的sl较和pr胶以作为第三光刻胶层6。在进行显影时，选用包含氢氟醚类含氟溶剂的显影液进行显影。
113.s306c：通过刻蚀工艺去除发光区100的辅助阴极层12
′
。具体地，并且由于非发光区200的辅助阴极层12
′
上具有剩余的光刻胶层，使得非发光区200的辅助阴极层12
′
得以保留。
114.s307c：去除剩余的第五光刻胶层8以形成辅助阴极12。剩余的非发光区200的辅助阴极层12
′
即为辅助阴极12。
115.本实施例提供的有机发光显示面板的制作方法中，在透明保护层11上覆盖第二增强保护层15，能够进一步增强对阴极层111的保护效果。
116.在本实施例提供的有制作方法中，步骤s1还包括：在衬底101指向阴极层111方向上依次形成驱动电路结构、阳极层108和发光层110。
117.具体地，形成驱动电路结构包括：在衬底101指向阴极层111方向上依次形成有源层102、第一栅极绝缘层103、栅极层104、第二栅极绝缘层105、源漏电极层106以及层间绝缘层107。
118.具体地，驱动电路结构包括多个膜层以形成薄膜晶体管、电容、栅极线、数据线、电源线等。以图3所示的有机发光显示面板1为例，驱动电路结构包括在衬底101指向阴极层111方向上一次排列的有源层102、第一栅极绝缘层103、栅极层104、第二栅极绝缘层105、源漏电极层106以及层间绝缘层107。
119.如图3所示，栅极层104包括栅极以及与栅极连接的栅极线。源漏电极层106包括源电极1062、漏电极1061和与源电极1062连接的数据线，其中源电极1062、漏电极1061均通过过孔与有源层102电连接。阳极单元通过过孔与漏电极1061电连接。
120.如图3所示，有机发光基板10还包括像素定义层109，像素定义层109位于阳极层108远离衬底101的一侧且设置有多个贯穿像素定义层109的开口，发光层设置在开口内且与阳极单元接触。阴极层111覆盖发光层以及部分像素定义层109。
121.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
122.本技术实施例提供的有机发光显示面板、其制作方法及显示装置，通过设置具有导电性的透明保护层以避免制作辅助阴极时对阴极层造成损伤，同时具有导电性的透明保护层以及与透明保护层电连接的辅助阴极能够起到增强阴极导电性的作用，从而降低ir drop对显示效果的影响，提升显示面板的均一性。
123.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
124.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
125.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤的实施顺序并不受限于箭头所指示的顺序。除非本文中有明确的说明，否则在本技术实施例的一些实施场景中，各流程中的步骤可以按照需求以其他的顺序执行。而且，各流程图中的部分或全部步骤基于实际的实施场景，可以包括多个子步骤或者多个阶段。这些子步骤或者阶段中的部分或全部可以在同一时刻被执行，也可以在不同的时刻被执行在执行时刻不同的场景下，这些子步骤或者阶段的执行顺序可以根据需求灵活配置，本技术实施例对此不限制。
126.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术的方案技术构思的前提下，采用基于本技术技术思想的其他类似实施手段，同样属于本技术实施例的保护范畴。