技术特征：
1.一种反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构包括：基底，包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一栅极和第二栅极，位于所述基底上，且所述第一栅极和所述第二栅极位于所述第一掺杂区的两侧，所述第二栅极位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；隔离材料层，位于所述基底上，覆盖所述第一栅极、所述第二栅极和所述基底；空气间隙，在垂直于所述基底的方向上位于所述第一掺杂区和所述隔离材料层之间，且所述空气间隙向所述第一掺杂区延伸。2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括：介质层，位于所述第一掺杂区上方，所述空气间隙位于所述介质层上方。3.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一掺杂区包括第一重掺杂区，所述第一重掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区其他区域的掺杂浓度。4.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述隔离材料层包括第一曲面部，所述第一曲面部与所述介质层合围形成所述空气间隙。5.根据权利要求4所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一曲面部在垂直于所述基底的方向上向远离所述基底的一侧凹陷。6.根据权利要求4所述的反熔丝结构，其特征在于，所述介质层包括第二曲面部，所述第二曲面部在垂直于所述基底的方向上向所述基底凹陷。7.根据权利要求1至6任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述空气间隙向所述第一掺杂区延伸的深度为10~100nm。8.根据权利要求1至6任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一栅极包括第一栅电极和第一栅绝缘层，所述第二栅极包括第二栅电极和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层的厚度小于所述第二栅绝缘层的厚度。9.根据权利要求1至6任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括第三掺杂区，位于所述第一栅极远离所述第一掺杂区的一侧。10.一种反熔丝阵列，其特征在于，包括多个如权利要求1-9任一项所述的反熔丝结构，多个所述反熔丝结构中的部分所述反熔丝结构的所述第一栅极相互电连接，和/或，多个所述反熔丝结构中的部分所述反熔丝结构的所述第二栅极相互电连接。11.一种反熔丝结构的制作方法，其特征在于，所述反熔丝结构的制作方法包括：提供基底，在所述基底内形成第一掺杂区和第二掺杂区；在所述基底上形成第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述第一掺杂区的两侧，所述第二栅极位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；在所述基底上形成隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述第一栅极、所述第二栅极和所述基底；在所述隔离材料层和所述第一掺杂区之间形成空气间隙，在垂直于所述基底的方向上，所述空气间隙向所述第一掺杂区延伸。12.根据权利要求11所述的反熔丝结构的制作方法，其特征在于，在形成所述空气间隙之前，所述反熔丝结构的制作方法还包括：刻蚀所述第一掺杂区，形成第三曲面部；所述第三曲面部在垂直于所述基底的方向上向所述基底凹陷。
13.根据权利要求12所述的反熔丝结构的制作方法，其特征在于，在形成所述空气间隙之前，所述反熔丝结构的制作方法还包括：在所述第三曲面部上形成介质层；其中，所述空气间隙位于所述介质层上方。14.根据权利要求11所述的反熔丝结构的制作方法，其特征在于，在形成所述空气间隙之前，所述反熔丝结构的制作方法还包括：对所述第一掺杂区进行高浓度离子注入形成第一重掺杂区，所述第一重掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区其他区域的掺杂浓度。15.根据权利要求11所述的反熔丝结构的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成隔离材料层，包括：通过沉积形成所述隔离材料层，通过控制沉积参数，调整所述空气间隙的高度。16.根据权利要求11所述的反熔丝结构的制作方法，其特征在于，所述空气间隙向所述第一掺杂区延伸的深度为10~100nm。17.一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括根据权利要求10所述的反熔丝阵列，其中，所述反熔丝阵列为一次性可编程存储器。
技术总结
本公开提供一种反熔丝结构及其制作方法、反熔丝阵列、存储装置。该反熔丝结构包括：基底，包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一栅极和第二栅极，位于基底上，且第一栅极和第二栅极位于第一掺杂区的两侧，第二栅极位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；隔离材料层，位于基底上，覆盖第一栅极、第二栅极和基底；空气间隙，在垂直于基底的方向上位于第一掺杂区和隔离材料层之间，且空气间隙向第一掺杂区延伸。本公开通过在第一栅极和第二栅极之间形成空气间隙，增大分压距离，降低耦合作用的影响，减小寄生电容，可有效防止在对第一栅极相关器件进行操作过程中可能对第二栅极相关器件造成的损伤。作过程中可能对第二栅极相关器件造成的损伤。作过程中可能对第二栅极相关器件造成的损伤。
技术研发人员：黄金荣
受保护的技术使用者：长鑫集电（北京）存储技术有限公司
技术研发日：2022.05.05
技术公布日：2022/6/3