电子封装件的制作方法

本发明有关一种半导体装置，尤指一种可提升可靠度的电子封装件。

背景技术：

1、为了确保电子产品和通信设备的持续小型化和多功能性，半导体封装需朝尺寸微小化发展，以利于多引脚的连接，并具备高功能性。

2、图1为现有半导体封装件1的剖面示意图。首先，提供一具有相对的转接侧10a与置晶侧10b的硅中介板(through silicon interposer，简称tsi)10，且该硅中介板10具有多个连通该置晶侧10b与转接侧10a的导电硅穿孔(through-silicon via，简称tsv)100，并于该置晶侧10b上形成一如rdl(redistribution layer)型的线路结构11以供接置一具有较小焊锡凸块150间距的半导体芯片15，再将该硅中介板10以其转接侧10a通过多个导电元件18设于一具有较大线距的封装基板13上，并使该封装基板13电性连接该些导电硅穿孔100。接着，形成封装胶体16于该封装基板13上，以令该封装胶体16包覆该半导体芯片15与该硅中介板10。最后，形成多个焊球12于该封装基板13的下侧植球垫130，以供接置于一电路板1a上。

3、现有半导体封装件1中，该半导体芯片15与该封装基板13之间通过该线路结构11进行电源/信号的传输。

4、然而，若需增加该半导体封装件1的功能，需于单一硅中介板10上配置多个半导体芯片15，因而需增加该线路结构11的布线的层数(如由图1所示的一层介电层110增加为多层介电层)，导致因布线的层数越多而制程良率越低的缘故，致使该半导体芯片15无法有效电性连接该线路结构11，造成该半导体封装件1的良率与可靠度不佳等问题。

5、因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明提供一种电子封装件，包括：封装层，其具有相对的第一表面与第二表面；电子结构，其嵌埋于该封装层中；保护层，其结合于该封装层的第一表面上；绝缘层，其结合于该保护层上，并形成有至少一贯穿该绝缘层与该保护层的盲孔，使该电子结构外露于该盲孔；以及线路层，其形成于该绝缘层上并延伸至该盲孔中以电性连接该电子结构。

2、前述的电子封装件中，该电子结构具有多个导电体及包覆该多个导电体的包覆层。

3、前述的电子封装件中，形成该保护层的材料为绝缘材。

4、前述的电子封装件中，该保护层的密度至少为3(g/cc)以上。

5、前述的电子封装件中，该保护层与该绝缘层的弹性模数不同。

6、前述的电子封装件中，该绝缘层的弹性模数小于该保护层的弹性模数。

7、前述的电子封装件中，该保护层的弹性模数至少为200gpa以上。

8、前述的电子封装件中，该绝缘层的厚度与该保护层的厚度的总和等于该盲孔的深度。

9、前述的电子封装件中，该保护层的厚度至少为0.6微米。

10、前述的电子封装件中，该绝缘层的厚度与该保护层的厚度的总和至少为5微米以上。

11、前述的电子封装件中，还包括嵌埋于该封装层中且电性连接该线路层的多个导电柱。

12、前述的电子封装件中，还包括形成于该封装层的第二表面上且电性连接该多个导电体的线路结构。进一步，还包括至少一配置于该线路结构上且电性连接该线路结构的电子元件。例如，该线路结构上配置多个该电子元件，使该电子结构作为桥接元件，以电性桥接至少二该电子元件。

13、前述的电子封装件中，还包括形成于该线路层上且电性连接该线路层的多个导电元件。

14、前述的电子封装件中，该电子结构为半导体芯片，其具有多个电性连接该线路层的电极垫。

15、由上可知，本发明的电子封装件中，主要通过该绝缘层与保护层的设计，使该包覆层或封装层所产生的气泡无法转移至该绝缘层，因而能避免该气泡残存于该线路层中，故本发明的电子封装件能大幅提高该线路层的制程良率，使该线路层有效电性连接该电子结构与该导电元件，因而有利于提升该电子封装件的良率与可靠度。

16、再者，当需增加该电子封装件的功能时，只需于单一线路结构上配置一个电子结构，而无需增加该线路结构的布线的层数，故相比于现有技术，本发明可依需求控管该线路结构的布线的层数而可提高制程良率，使该电子元件可有效电性连接该线路结构，以提升该电子封装件的良率与可靠度。

技术特征：

1.一种电子封装件，包括：

2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子结构具有多个导电体及包覆该多个导电体的包覆层。

3.如权利要求1所述的电子封装件，其中，形成该保护层的材料为绝缘材。

4.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该保护层的密度至少为3(g/cc)以上。

5.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该保护层与该绝缘层的弹性模数不同。

6.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该绝缘层的弹性模数小于该保护层的弹性模数。

7.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该保护层的弹性模数至少为200gpa以上。

8.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该绝缘层的厚度与该保护层的厚度的总和等于该盲孔的深度。

9.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该保护层的厚度至少为0.6微米。

10.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该绝缘层的厚度与该保护层的厚度的总和至少为5微米以上。

11.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括嵌埋于该封装层中且电性连接该线路层的多个导电柱。

12.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括形成于该封装层的第二表面上且电性连接该电子结构的线路结构。

13.如权利要求12所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括至少一配置于该线路结构上且电性连接该线路结构的电子元件。

14.如权利要求13所述的电子封装件，其中，该线路结构上配置多个该电子元件，使该电子结构作为桥接元件，以电性桥接至少二该电子元件。

15.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子封装件还包括形成于该线路层上且电性连接该线路层的多个导电元件。

16.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该电子结构为半导体芯片，其具有多个电性连接该线路层的电极垫。

技术总结
一种电子封装件，包括于封装层中嵌埋电子结构，且于该封装层上结合保护层，并将绝缘层结合于该保护层上，并形成有至少一贯穿该绝缘层与该保护层的盲孔，使该电子结构外露于该盲孔，供后续形成于该绝缘层上的线路层延伸至该盲孔中以电性连接该电子结构，故通过该绝缘层与保护层的双层设计，使制程所产生的气泡无法转移至该绝缘层，避免该气泡残存于该线路层中。

技术研发人员：钟松桦,陈亮斌
受保护的技术使用者：矽品精密工业股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15