技术特征：
1.一种topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：硅片；位于所述硅片背光侧表面的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层背向硅片一侧表面的纳米晶硅层；所述纳米晶硅层朝向所述隧穿氧化层一侧的纳米晶硅镶嵌入所述隧穿氧化层；位于所述纳米晶硅层背向所述硅片一侧的背面钝化层以及背面栅线；位于所述硅片受光侧表面的掺杂层；位于所述掺杂层背向所述硅片一侧的正面钝化层以及正面栅线；所述纳米晶硅层包括位于所述隧穿氧化层背向硅片的第一纳米晶硅层，以及位于所述第一纳米晶硅层背向硅片的第二纳米晶硅层；所述第二纳米晶硅层的掺杂浓度小于所述第一纳米晶硅层的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，还包括：位于所述纳米晶硅层背向所述硅片一侧表面的耐高温层。3.根据权利要求2所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层位于所述耐高温层背向所述硅片一侧表面；所述背面钝化层设置有容纳所述背面栅线的背面开槽，所述背面栅线通过所述背面开槽与所述耐高温层相接触，所述耐高温层的功函数与所述背面栅线的功函数相匹配。4.根据权利要求3所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，所述耐高温层的材质为金属或合金。5.根据权利要求4所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，所述耐高温层为azo层，所述背面栅线为以下任意一项或任意组合：银电极、银铝电极、铜电极。6.根据权利要求5所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层包括：位于所述耐高温层背向所述硅片一侧表面的背面氧化铝层；位于所述背面氧化铝层背向所述硅片一侧表面的背面氮化硅层。7.根据权利要求1所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，所述硅片为n型硅片，所述纳米晶硅层为n型纳米晶硅层，所述掺杂层为p型掺杂层。8.根据权利要求7所述的topcon晶硅太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层包括：位于所述掺杂层背向所述硅片一侧表面的正面氧化铝层；位于所述正面氧化铝层背向所述硅片一侧表面的正面氮化硅层。9.一种topcon晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅片受光侧表面进行扩散设置掺杂层；在所述硅片背光侧表面设置隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面设置纳米晶硅层；所述纳米晶硅层朝向所述隧穿氧化层一侧的纳米晶硅镶嵌入所述隧穿氧化层；所述纳米晶硅层包括位于所述隧穿氧化层背向硅片的第一纳米晶硅层，以及位于所述第一纳米晶硅层背向硅片的第二纳米晶硅层；所述第二纳米晶硅层的掺杂浓度小于所述第一纳米晶硅层的掺杂浓度；在所述掺杂层表面设置正面钝化层，以及在所述纳米晶硅层背向所述硅片一侧设置背面钝化层；
透过所述正面钝化层设置正面栅线，以及透过所述背面钝化层设置背面栅线，以制成所述topcon晶硅太阳能电池。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化层表面设置纳米晶硅层包括：采用pecvd通入sih4和ph3沉积得到掺杂非晶硅层；对所述掺杂非晶硅层经过高温退火得到纳米晶硅层。
技术总结
本发明公开了一种TopCon晶硅太阳能电池及其制备方法，应用于太阳能电池技术领域，使用纳米晶硅nc-Si替换现有的多晶硅，由于纳米晶硅层比多晶硅具有更宽的带隙，可以减少电池背面对长波段存在的寄生吸收，增加钝化效果，提升短路电流Isc；同时由于纳米晶硅层的纵向导电性更强，从而可以降低电池背面接触电阻率，提升填充因子FF；由于纳米晶硅层中的纳米晶硅的粒子较小，可以硅镶嵌入隧穿氧化层使得纳米晶硅层与隧穿氧化层部分融合，从而降低隧穿氧化层以及纳米晶硅层的厚度，增加电池背面多数载流子浓度，从而增加电池的短路电流和填充因子，使得TopCon晶硅太阳能电池具有较高的短路电流以及填充因子。短路电流以及填充因子。短路电流以及填充因子。
技术研发人员：丰明璋 蔡永梅 赵文祥 杜振星 杨金芳 何保杨 方灵新 何胜 徐伟智
受保护的技术使用者：正泰新能科技有限公司
技术研发日：2022.05.20
技术公布日：2022/6/21