LED芯片及其显示面板和制作方法与流程

led芯片及其显示面板和制作方法
技术领域
1.本技术涉及显示技术的领域，具体涉及一种led芯片及其显示面板和制作方法。


背景技术：

2.micro led显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。其中，影响microled芯片广泛引用于显示面板的重要原因之一是micro led芯片的巨量转移技术。目前的micro led芯片巨量转移技术要么在保证良率的情况下无法提高效率，要么在相对高效的情况下，良率较低。
3.虽然“流体转移技术”通过将micro led芯片搭载在流体上，借助流体的运载能力可以将micro led芯片快速运载至目标位置，从而一定程度上提高转移效率。但是，由于micro led芯片一般是多层二维薄膜叠加结构，其自对位效果并不理想，加上流体自身也能将对位好的micro led芯片从目标位置携裹下来使得micro led芯片错位，导致其转移良率较差。


技术实现要素：

4.本技术提供一种led芯片及其显示面板和制作方法，以改善当前micro led芯片巨量转移技术中转移良率较差的技术问题。
5.为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案如下：
6.本技术提供一种led芯片，包括：
7.中心支撑件；
8.半导体层，包覆于所述中心支撑件表面；
9.导电部，包覆于所述半导体层表面；
10.其中，所述导电部远离所述半导体层的侧面为球面。
11.在本技术的led芯片中，所述中心支撑件包括主体部和电磁部；
12.其中，所述主体部包括两个对称设置的锥体分部，两个所述锥体分部的底面重合设置，所述电磁部设置于至少一个所述锥体分部的顶点位置。
13.在本技术的led芯片中，所述导电部包括非透明的导电金属层。
14.本技术还提供一种显示面板的制作方法，包括：
15.提供一目标基板，所述目标基板上阵列设置有多个第一电极和多个第二电极；
16.在所述目标基板上形成像素定义层，所述像素定义层包括多条滑槽和多个定位槽，所述滑槽至少沿一个方向连接多个所述定位槽，所述第一电极与所述定位槽对应；
17.提供上述的多个led芯片；
18.倾斜所述目标基板，将多个所述led芯片沿所述像素定义层表面滑落，至所有所述led芯片滑落至所述定位槽中；
19.在所述led芯片上形成导电截面并在所述导电截面上形成与所述半导体层接触的第三电极，将所述第二电极与所述第三电极电连接。
20.在本技术的显示面板的制作方法中，所述倾斜所述目标基板，将多个所述led芯片沿所述像素定义层表面滑落，至所有所述led芯片滑落至所述定位槽中的步骤包括：
21.倾斜所述目标基板，将多个所述led芯片从所述目标基板的较高一侧沿所述像素定义层表面自由滑落，至所有所述led芯片滑落至所述定位槽中；
22.在所述led芯片周围施加磁场，使所述led芯片转动至所述电磁部位于所述led芯片靠近所述第一电极的一侧；
23.强化所述led芯片的导电部与所述第一电极的连接强度。
24.在本技术的显示面板的制作方法中，所述在所述led芯片上形成导电截面并在所述导电截面上形成与所述半导体层接触的第三电极的步骤包括：
25.对所述像素定义层进行整面刻蚀，直至所述led芯片的所述中心支撑件露出，形成切割所述导电部的球面的导电截面；
26.在所述导电截面上形成覆盖所述半导体层的第三电极。
27.本技术还提供一种显示面板，通过上述显示面板的制作方法制作，所述显示面板包括：
28.目标基板，所述目标基板包括阵列设置的多个第一电极和多个第二电极；
29.像素定义层，设置于所述目标基板上，所述像素定义层包括阵列设置的多个定位槽，所述第一电极与所述定位槽对应；以及
30.多个led发光器件，设置于多个所述定位槽中，所述led发光器件包括中心支撑件、包覆于所述中心支撑件表面的半导体层、包覆于所述半导体层表面的导电部，所述导电部与所述第一电极电连接；
31.其中，所述导电部远离所述半导体层的侧面为球面，所述半导体层上设置有切割所述球面的导电截面，所述导电截面上设置有与所述第二电极电连接的第三电极。
32.在本技术的显示面板中，所述led发光器件的中心支撑件包括主体部和电磁部，所述主体部包括两个对称设置的锥体分部，两个所述锥体分部的底面重合设置，所述电磁部设置于至少一个所述锥体分部的顶点位置；
33.其中，所述电磁部位于所述led发光器件靠近所述第一电极的一侧。
34.在本技术的显示面板中，所述显示面板还包括设置于所述第一电极与所述led发光器件之间的导电胶层，所述导电胶层固定粘接所述第一电极与所述led发光器件的导电部。
35.在本技术的显示面板中，所述像素定义层还包括多条滑槽，所述滑槽至少沿一个方向连接多个所述定位槽；
36.在所述显示面板的出光方向上，所述滑槽的深度小于所述定位槽的深度。
37.在本技术的显示面板中，在所述显示面板的出光方向上，所述led发光器件的高度大于或等于所述定位槽的深度。
38.有益效果
39.本技术通过将led芯片设置为由内至外层层包覆的中心支撑件、半导体层和导电部，使所述led芯片的外观呈现球形以具备良好的流动性，从而可以通过将球形的led芯片在目标基板上滚动至落入目标位置，再经后续制作成为功能完全的led发光器件，实现led芯片高效的巨量转移过程，而且此过程不会存在流体携裹led芯片错位的问题，因而具备更
高的转移良率。
附图说明
40.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1是本技术所述led芯片的整体结构示意图；
42.图2是本技术所述led芯片的中心支撑件的结构示意图；
43.图3是本技术所述显示面板的制作方法的流程框图；
44.图4是本技术所述像素定义层的第一种平面示意图；
45.图5是本技术所述像素定义层的第二种平面示意图；
46.图6是本技术筛选所述led芯片的导轨的结构示意图；
47.图7是本技术所述led芯片在倾斜的目标基板上滚动的结构示意图；
48.图8是本技术所述led芯片在水平的所述目标基板上的平面位置示意图；
49.图9是本技术所述像素定义层沿显示面板的出光方向的剖面结构示意图；
50.图10是本技术所述led芯片制作为led发光器件的整体结构示意图；
51.图11是本技术所述led发光器件在所述目标基板上的平面结构图。
52.附图标记说明：
53.100、led芯片；110、中心支撑件；111、主体部；112、电磁部；120、半导体层；121、n型半导体材料层；122、p型半导体材料层；130、导电部；200、目标基板；300、像素定义层；310、定位槽；320、滑槽；400、led发光器件；410、第一电极；420、第二电极；430、导电截面；440、第三电极；450、导电胶层；460、金属搭接线。
具体实施方式
54.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
55.micro led显示技术是指以自发光的微米量级的led为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。micro led芯片因具有尺寸小、集成度高和自发光等特点，在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。现阶段，影响microled芯片广泛引用于显示面板的重要原因之一是micro led芯片的巨量转移技术。目前的led芯片巨量转移技术要么在保证良率的情况下无法提高效率，要么在相对高效的情况下，良率较低。
56.虽然“流体转移技术”通过将micro led芯片搭载在流体上，通过流体的运载能力
可以将micro led芯片快速运载至目标位置，从而一定程度上提高转移效率。但是，由于micro led芯片一般是多层二维薄膜叠加结构，其自对位效果并不理想，加上流体自身也能将对位好的micro led芯片从目标位置携裹下来使得micro led芯片错位，导致其转移良率较差。本技术基于上述技术问题提出了以下方案。
57.请参阅图1和图2，图1为本技术所述led芯片的整体结构示意图，本技术提供一种led芯片100，包括中心支撑件110、包覆于所述中心支撑件110表面的半导体层120和包覆于所述半导体层120表面的导电部130。其中，所述导电部130远离所述半导体层120的侧面为球面。
58.本技术通过将led芯片100设置为由内至外层层包覆的中心支撑件110、半导体层120和导电部130，使所述led芯片100的外观呈现球形以具备良好的流动性，从而可以通过将球形的led芯片100在目标基板200上滚动至落入目标位置，再经后续制作成为功能完全的led发光器件400，实现led芯片100高效的巨量转移过程，而且此过程不会存在流体携裹led芯片100错位的问题，因而具备更高的转移良率。
59.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
60.在本实施例中，所述led芯片100可以为普通led，也可以为mini-led、micro-led等，区别仅在于尺寸有所差异，本技术实施例对此不作具体限制。
61.在本实施例中，所述中心支撑件110可以为球形结构或者类球形结构，所述类球形结构可以包括但不限于椭球形、关于竖直面对称的双锥体结构等。
62.在本实施例中，所述中心支撑件110的材料可以为无机绝缘材料，如氧化铝晶体材料等。
63.在本实施例中，所述半导体层120可以包括包覆于所述中心支撑件110表面的n型半导体材料层121和包覆于所述n型半导体材料层121表面的p型半导体材料层122。所述n型半导体材料层121与所述p型半导体材料层122的半导体材料可以为氮化镓(gan)晶体材料。
64.在本实施例中，所述导电部130可以为导电膜材料或者导电金属材料等，所述导电膜材料可以为氧化铟锡材料(ito)，此时所述导电部130为透明的导电薄膜层。或者所述导电金属材料可以为非透明的铜金属层、铝金属层、银金属层等导电金属层。
65.在本实施例中，所述导电部130优选采用非透明的导电金属材料制作，以使所述导电部130可以在所述led芯片100表面作为反射层，将所述led芯片100发出的光进行反射收束，减少led芯片100的侧面漏光，从而提高显示面板在出光方向上的显示亮度。
66.请参阅图2，图2为本技术所述led芯片的中心支撑件110的结构示意图，在本技术的led芯片100中，所述中心支撑件110可以包括主体部111和电磁部112，所述主体部111包括两个对称设置的锥体分部。具体地，所述锥体分部可以为锥体结构的氧化铝晶体(蓝宝石椎体)，两个锥体结构的氧化铝晶体的底面重合且两个氧化铝晶体的顶点相互远离设置。
67.在本实施例中，所述电磁部112可以设置于至少一个氧化铝晶体的顶点位置。换言之，在一个所述中心支撑件110中，所述电磁部112的数量可以为一个，也可以为两个或多个。
68.在本实施例中，所述电磁部112设置于至少一个所述锥体分部的顶点位置。也就是说，当所述电磁部112的数量为一个时，所述电磁部112需设置在所述中心支撑件110的其中
一个锥体分部的顶点位置；当所述电磁部112的数量为两个或多个时，两个或多个所述电磁部112可以设置于所述中心支撑件110的两个锥体分部的顶点位置。
69.本实施例通过将所述电磁部112设置于所述中心支撑件110的锥体分部的顶点位置，使所述led芯片100在落入在目标基板200上的目标位置后，通过施加磁场可以使所述led芯片100偏转至某一特定角度或方位，便于对所述led芯片100进行后续加工，并提高加工均匀性，改善显示效果。
70.请参阅图3至图11，本技术还提供一种显示面板的制作方法，图3为本技术所述显示面板的制作方法的流程框图。
71.所述显示面板的制作方法可以包括：
72.s100、提供一目标基板200，所述目标基板200上阵列设置有多个第一电极410和多个第二电极420。
73.s200、在所述目标基板200上形成像素定义层300，所述像素定义层300包括多条滑槽320和多个定位槽310，所述滑槽320至少沿一个方向连接多个所述定位槽310，所述第一电极410与所述定位槽310对应。
74.s300、提供上述实施例所述的多个led芯片100。
75.s400、倾斜所述目标基板200，将多个所述led芯片100沿所述像素定义层300表面滑落，至所有所述led芯片100滑落至所述定位槽310中。
76.s500、在所述led芯片100上形成导电截面430并在所述导电截面430上形成与所述半导体层120接触的第三电极440，将所述第二电极420与所述第三电极440电连接。
77.本实施例通过提供一预先设置好第一电极410和第二电极420(请参照图8与图11)的目标基板200，再在所述基板上设置像素定义层300并在像素定义层300上设置与所述第一电极410位置对应的定位槽310，使巨量的球形的led芯片100可以沿所述像素定义层300上的滑槽320滚动至所述定位槽310中，再与所述第一电极410、第二电极420电连接从而实现发光功能。此过程不仅可实现led芯片100的高效巨量转移目的，而且不存在液体携裹错位的问题，因此可有效提高led芯片100的巨量转移良率。
78.请参阅图4，图4为本技术所述像素定义层的第一种平面示意图，所述s100步骤可以包括：
79.s110、提供一衬底，在所述衬底上形成阵列驱动层(图中未示出)，所述阵列驱动层可以包括阵列设置的多个薄膜晶体管和多个第一电极410与多个第二电极420。
80.在本实施例中，多个所述薄膜晶体管可以用作显示面板的像素控制开关，所述第一电极410与所述第二电极420可以分别用作显示面板的发光器件的阴极和阳极中的一种。
81.在本实施例中，所述第一电极410与所述第二电极420相当于常规led显示面板中目标基板与led芯片进行绑定的正负电极端子，因此，所述阵列驱动层中与所述第一电极410、所述第二电极420连接的电路结构可参照常规led显示面板中的电路结构进行设计，本实施例在此不做赘述。
82.本实施例通过在衬底上预先形成包括有第一电极410与第二电极420的阵列驱动层，在所述led芯片100转移至所述目标基板200并与所述第一电极410、第二电极420电连接之后，所述第一电极410与所述第二电极420可以分别作为所述led芯片100的阳极/阴极，从而为所述led芯片100提供发光所需的电压。本实施例中，由于所述led芯片100的阳极与阴
极预先制作在目标基板200上，使得led芯片100的初始形态可以做成球形，赋予led芯片100良好的滚动特性，进而可实现led芯片100在目标基板200上自主滚动至目标位置，提高了巨量led芯片100转移效率与良率。
83.请参阅图4和图5，图5为本技术所述像素定义层的第二种平面示意图，在本技术的显示面板的制作方法中，所述s200步骤可以包括：
84.s210、在所述目标基板200上形成像素定义层300，所述像素定义层300可以为光刻胶材料层。
85.s220、在所述像素定义层300上通过刻蚀形成阵列设置的多个定位槽310，使多个所述第一电极410位于多个所述定位槽310中。
86.在本实施例中，所述第一电极410与所述第二电极420在所述目标基板200上可以同层设置，也可以异层设置。但是，所述第一电极410与所述第二电极420之间需绝缘设置。
87.在本实施例中，所述第一电极410可以设置在所述定位槽310的槽底表面，以使所述led芯片100滑落至所述定位槽310内之后，所述导电部130能够与所述第一电极410直接接触实现电导通。
88.s230、在所述像素定义层300上通过刻蚀形成多条滑槽320，所述滑槽320至少沿一个方向连接多个所述定位槽310。
89.在本实施例中，多条所述滑槽320可以沿第一方向设置并沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直。
90.在本实施例中，所述第一方向可以为多个所述定位槽310排列的行/列方向，所述第二方向可以为多个所述定位槽310排列的列/行方向。
91.在本实施例中，每一行/列的所述定位槽310可通过一条所述滑槽320实现连通，以使所述led芯片100可通过所述滑槽320滚动至该行/列中的每一个定位槽310中。
92.在本实施例中，多条所述滑槽320也可以在所述像素定义层300上交叉设置，即一部分所述滑槽320沿所述第一方向设置且沿所述第二方向排列，另一部分所述滑槽320沿所述第二方向设置且沿所述第一方向设置。此时，多个所述定位槽310位于多条所述滑槽320交叉的节点位置。
93.本实施例通过在所述目标基板200上设置光刻胶材料的像素定义层300，并通过刻蚀所述像素定义层300形成多个定位槽310和多条滑槽320，从而为球形的led芯片100在所述目标基板200上的定向滚动与落位创造条件，实现巨量的球形led芯片100在所述目标基板200上的高效转移。
94.请参阅图1和图2，在本技术的显示面板的制作方法中，所述s300步骤可以包括：
95.s310、提供多个球体状或类球体状的氧化铝晶体，所述氧化铝晶体即为上述实施例中所述led芯片100的中心支撑件110。
96.在本实施例中，所述球体状的氧化铝晶体可以为球形的蓝宝石基板晶圆(pattern sapphire substrate wafer，pss wafer)，即led圆晶(也简称蓝宝石晶粒)。
97.在本实施例中，所述类球体状的氧化铝晶体也可以由两个锥体结构的蓝宝石晶粒组合构成，两个锥体结构的蓝宝石晶粒的底面相互重合且顶点相互远离，以构成关于所述蓝宝石晶粒的底面对称的多边棱锥体晶粒。
98.s320、在所述氧化铝晶体的表面形成完全包覆所述氧化铝晶体的半导体层120。
99.在本实施例中，所述半导体层120可以包括n型氮化镓半导体晶体材料(n-gan)和p型氮化镓半导体晶体材料层(p-gan)。
100.在本实施例中，所述n型氮化镓半导体晶体材料层需以所述球体状/类球体状的氧化铝晶体为晶核进行生长，所述p型氮化镓半导体晶体材料层则在所述n型氮化镓半导体晶体材料层表面继续生长形成。
101.s330、在所述半导体层120的表面形成导电层，所述导电层即为上述实施例中的所述led芯片100的导电部130。
102.在本实施例中，所述导电层可以为导电薄膜层或者导电金属层等。所述导电薄膜层可以为氧化铟锡(indium tin oxide，ito)材料，所述导电金属层可以为cu、al、ag等。
103.在本实施例中，所述导电层可以通过液态包裹的方式形成在所述半导体层120的表面。
104.本实施例通过液态包裹的方式在所述半导体层120表面形成导电金属层，可以利用液体的表面张力将所述氧化铝晶体的类球体形状逐渐修正为球体形状，从而使所述led芯片100的外形越来越接近于球形，减小所述led芯片100滚动时所受到的阻滞作用。
105.在本实施例中，由于通过上述步骤形成的球形的所述led芯片100可能存在尺寸(球径)差异，因此，本实施例在将所述led芯片100转移至目标基板200之前，还可以对巨量的所述led芯片100进行尺寸筛选。
106.请参阅图6，图6为本技术筛选所述led芯片的导轨的结构示意图，具体地，所述led芯片100的尺寸筛选可以包括以下步骤：
107.(1)提供一由两个平行支架(支杆)构成的间距变化的导轨，所述导轨的第一段内的两个平行支架的间距为d1，第二段内的两个平型支架的间距为d2，d1小于d2。
108.(2)使上述实施例中球形的所述led芯片100由所述导轨的第一段滚动滑向第二段。此时，所有直径小于d1的led芯片100会在第一段(窄段)掉出而被筛除掉，所有直径大于d2的led芯片100可以继续在第二段滚动，所有直径大于d1且小于d2的led芯片100可以在第二段(宽段)掉出而被筛选出来。
109.本实施例通过上述筛选步骤，可以使直径在d1至d2之间的尺寸合格的球形led芯片100被筛选出来，而且也能将形状不够均匀的残次品筛除掉，提高球形的led芯片100的尺寸均一性，进而改善显示面板上的led芯片100的发光均匀性。
110.需要说明的是，由于本实施例未对所述s320步骤中的半导体层120在所述氧化铝晶体的生长情况进行确认或测试，即本实施例未对半导体晶体材料层是否附着在氧化铝晶体上进行确认，因此所述s320步骤中可能会存在半导体晶体材料层未附着在氧化铝晶体上或者半导体晶体材料层生长程度不够的情况，这样可能会导致液态金属直接附着在厚度过薄的半导体层120上或者液态金属直接附着在氧化铝晶体上的情况。此时，这类存在品质问题的led芯片的球体直径会比合格的led芯片100的球体直径明显偏小，因而可以通过上述筛选步骤直接在所述导轨的第一段被筛除掉。
111.换言之，通过上述筛选方法，还可以省略在所述s320步骤中对半导体层120在所述氧化铝晶体的生长情况进行确认或测试的步骤，从而有效提高制作和筛选尺寸合格的所述led芯片100的效率。
112.请参阅图7和图8，图7为本技术所述led芯片100在倾斜的目标基板200上滚动的结
构示意图，图8为本技术所述led芯片100在水平的所述目标基板200上的平面位置示意图，在本技术的显示面板的制作方法中，所述s400步骤可以包括：
113.s410、倾斜所述目标基板200，将多个所述led芯片100从所述目标基板200的较高一侧沿所述像素定义层300表面自由滑落，至所有所述led芯片100滑落至所述定位槽310中。
114.在本实施例中，所述目标基板200由高至低或由低至高的倾斜方向可以与至少部分所述滑槽320的延伸方向一致。即，当所述滑槽320沿所述第一方向或所述第二方向延伸时，所述目标基板200的倾斜方向需与倾斜后的所述第一方向或所述第二方向一致，以使球形的所述led芯片100可以沿着所述滑槽320自由滚动至目标位置处的定位槽310中。
115.请参阅图9，图9为本技术所述像素定义层300沿显示面板的出光方向的剖面结构示意图，在本实施例中，在所述显示面板的出光方向上，所述滑槽320的深度需满足所述led芯片100在滑槽320中滚动时不会脱离飞出。例如，所述滑槽320的深度可以大于或等于所述led芯片100的直径的一半，以使所述led芯片100的至少一半球体始终位于所述滑槽320内，降低led芯片100脱离飞出滑槽320的概率。需要说明的是，本实施例在此仅通过上述尺寸对比作为示例进行说明，而不是对所述滑槽320的深度与所述led芯片100的直径的大小关系进行具体限制。
116.在本实施例中，在所述显示面板的出光方向上，所述定位槽310的深度需满足：所述定位槽310的深度应当大于所述滑槽320的深度，且当所述led芯片100落入至所述定位槽310后，剩下的球形的led芯片100能够从所述定位槽310上方顺利通过而不被所述定位槽310截留。例如，所述定位槽310的深度可以等于或稍大于所述led芯片100的直径大小，更优地，所述led芯片100沿所述显示面板的出光方向上的球面顶点可以与所述定位槽310的槽口齐平。需要说明的是，本实施例在此仅通过上述尺寸对比作为示例进行说明，而不是对所述定位槽310的深度与所述led芯片100的直径的大小关系进行具体限制。
117.s420、在所述led芯片100周围施加磁场，使所述led芯片100转动至所述电磁部112位于所述led芯片100靠近所述第一电极410的一侧。
118.请参阅图9的(a)图和(b)图，在本实施例中，可以通过将承载有所述led芯片100的目标基板200置于某一恒定的匀强磁场中，使所述led芯片100中的电磁部112在磁场作用下产生磁性进而偏转，带动所述led芯片100转动至其内部的呈锥体结构的氧化铝晶体(即中心支撑件110)的晶粒朝向一致，即所述led芯片100的方位由图9的(a)图状态调整为图9的(b)图状态，使巨量的所述led芯片100在所述目标基板200上的后续加工制程具有各向同性，从而能够使用相同的参数提高后续对所述led芯片100的加工制程均匀性。
119.s430、强化所述led芯片100的导电部130与所述第一电极410的连接强度。
120.在本实施例中，可以通过在所述定位槽310内滴加导电胶材料以形成导电胶450，然后对所述led芯片100施加压力促使导电胶材料固化以增强所述导电胶450的粘接强度，所述led芯片100可以通过所述导电胶450与所述第一电极410牢固连接。
121.在本实施例中，所述导电胶450可以覆盖所述第一电极410，所述led芯片100的所述导电部130通过所述导电胶450与所述第一电极410实现稳定的固定与电连接关系。
122.需要说明的是，所述s430步骤也可在所述410步骤之前进行，也就是说，所述导电胶材料可以在所述led芯片100滚落至所述定位槽310之前滴入，并在所述s420步骤之后向
所述led芯片100施加压力以促使所述导电胶450固化，从而可以避免所述led芯片100对滴胶造成妨碍或者滴胶造成led芯片100的发光缺陷问题。
123.请参阅图10和图11，图10为本技术所述led芯片100制作为led发光器件400的整体结构示意图，图11为本技术所述led发光器件400在所述目标基板上的平面结构图。在本技术的显示面板的制作方法中，所述s500步骤可以包括：
124.s510、在所述led芯片100上形成导电截面430。
125.在本实施例中，可以通过对所述目标基板200上的所述像素定义层300与巨量的所述led芯片100进行整面刻蚀，直至所述led芯片100内的中心支撑件110(氧化铝晶体)露出，此时，球形的所述led芯片100由于刻蚀而形成的刻蚀平面即为所述导电截面430。
126.s520、并在所述导电截面430上形成与所述半导体层120接触的第三电极440。
127.在本实施例中，由于所述导电截面430是由球形的所述led芯片100通过整面刻蚀形成，使得所述半导体层120在所述导电截面430上呈现出环绕在所述中心支撑件110周侧的圆环形状。
128.在本实施例中，可以通过黄光制程在所述半导体层120中的n型氮化镓半导体晶体材料(n-gan)所对应的导电截面430上形成第三电极440，所述第三电极440为环形的金属电极。
129.s530、将所述第二电极420与所述第三电极440电连接。
130.在本实施例中，可以通过金属搭接线460将所述第三电极440与所述目标基板200上的第二电极420进行连接。所述金属搭接线460的第一端可以与环形的所述第三电极440电性连接，所述金属搭接线460的第二端可以与所述第二电极420电性连接。
131.在本实施例中，当所述第二电极420与所述第一电极410异层设置时(第二电极420设置于所述阵列驱动层内部)，所述金属搭接线460可以通过在所述像素定义层300与所述阵列驱动层内形成的过孔与所述第二电极420电性连接。
132.本实施例通过以上步骤在所述led芯片100上制作第三电极440，并将所述第三电极440与所述第二电极420电性通过金属搭接线460电连接，可高效地将巨量的所述led芯片100进一步加工为显示面板上的led发光器件400，通过将led发光器件400的巨量转移与巨量制作结合起来，既可较好地提高巨量的led芯片100的转移效率，也能够提高巨量的led芯片100形成led发光器件400的质量与效率。
133.需要说明的是，由于本实施例在所述s420步骤中通过电磁场对所述电磁部112的磁力作用，将所有的所述led芯片100偏转至内部的呈锥体结构的氧化铝晶体(即中心支撑件110)的晶粒朝向一致，使巨量的所述led芯片100在所述目标基板200上的后续加工制程具有各向同性，因此，所述s510步骤中对于巨量的所述led芯片100的刻蚀程度应当是相同或一致的，从而可以通过相同的参数对巨量的led芯片100进行刻蚀和通过相同的参数制作环形的第三电极440，有效提高刻蚀效率与第三电极440的制作良率。
134.本技术实施例还提供一种显示面板，所述显示面板由以上所述显示面板的制作方法制作。
135.请参阅图9至图11，所述显示面板可以包括目标基板200、设置在所述目标基板200上的像素定义层300和多个led发光器件400。所述目标基板200包括阵列设置的多个第一电极410和多个第二电极420。所述像素定义层300包括阵列设置的多个定位槽310，所述第一
电极410与所述定位槽310对应。多个led发光器件400设置于多个所述定位槽310中，所述led发光器件400可以包括中心支撑件110、包覆于所述中心支撑件110表面的半导体层120、包覆于所述半导体层120表面的导电部130，所述导电部130与所述第一电极410电连接。所述导电部130远离所述半导体层120的侧面为球面，所述半导体层120上设置有切割所述球面的导电截面430，所述导电截面430上设置有与所述第二电极420电连接的第三电极440。
136.本技术通过在所述像素定义层300上设置多个定位槽310，使未加工完全的led发光器件400可以借助其球形的外形通过所述滚落至所述定位槽310中，再通过后续制程形成第三电极440并与第二电极420电连接，从而完成led发光器件400的全部制作。本技术中的显示面板利用球形的led芯片100自发滚动至目标位置实现高效的led巨量转移，因此可避免常规的led巨量转移技术中转移效率低、良率差及对转移设备精度要求高的问题。
137.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。在本实施例中，所述显示面板的目标基板200可以通过上述显示面板的制作方法的s100步骤制作，所述像素定义层300可以通过所述s200步骤制作。鉴于所述s100步骤和所述s200步骤已经分别对所述目标基板200和所述像素定义层300的结构进行了详细说明，本实施例在此对所述目标基板200和所述像素定义层300的结构不作赘述。
138.在本实施例中，所述led发光器件400可以由所述s300步骤中的led芯片100经s500步骤处理后制作，鉴于所述s300步骤和所述s500步骤已经分别对所述led芯片100的结构及led芯片100加工完成后的结构进行了详细说明，本实施例在此对所述led发光器件400的结构不作赘述。
139.需要说明的是，由于所述led芯片100在经过所述s420步骤的处理(即通过施加电磁场使所述led芯片100转动至其内部的氧化铝晶体的晶粒朝向一致)，使所述led发光器件400内的至少一个电磁部112位于所述led发光器件400靠近所述第一电极410的一侧。
140.请参阅图9和图10，在本实施例中，在所述显示面板的出光方向上，所述led发光器件400的高度可以大于或等于所述定位槽310的深度，以使所述led发光器件400可以与所述像素定义层300的表面齐平或者凸出于所述像素定义层300的表面，减少所述像素定义层300对所述led发光器件400的光遮挡效应，进一步改善显示亮度。
141.在本实施例中，在所述显示面板的俯视图内，所述定位槽310的形状可以包括但不限于圆形、正方形、正六边形等。所述定位槽310在所述显示面板的俯视图内的尺寸满足稍大于所述led发光器件400的球体直径，以使一个所述定位槽310仅能够容纳一个所述led发光器件400，提高显示均匀性。
142.本技术实施例通过在目标基板200上的像素定义层300上设置阵列排布的定位槽310，使球体形状的led芯片100可以自动滚落至所述定位槽310中，再通过后续制程形成可实现发光的led发光器件400，不仅实现巨量led芯片100的高效转移，还有效降低巨量led芯片100的转移成本，并且实现更好的转移良率，提高显示面板上的led发光器件400的发光强度，改善显示效果。
143.以上对本技术实施例所提供的一种led芯片100及其显示面板和制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本
申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。