具有盖体的保护元件的制作方法

本发明是有关于一种保护元件，指用于电路中与其余电子元件连接，来对瞬间过电流提供保护效果的保护元件。

背景技术：

1、充电电路通常会设置有一保护元件，使该充电电路于电池发生过电流或过电压等异常状况时，该保护元件能够切断该充电电路的充电回路，保护该充电电路。现有技术的保护元件包含有设置于本体上的低熔点合金层，低熔点合金层连接电极层，当电路通路时，电流通过电极层来通过低熔点合金层，当过电流或过电压时，低熔点合金层将因过热而熔断，来使得电路断路以保护电路。

2、在现有技术中，低熔点合金层上多半会涂覆助熔剂，助熔剂除了能够协助低熔点合金层熔化，并且能在一般时候保护低熔点合金层，使其不易氧化。然而，均匀涂覆助熔剂于低熔点合金层上，往往费时费工，故现有技术确有其须改进之处。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明针对保护元件的结构加以改良，以期能够省时省力的将助熔剂均匀涂覆在低熔点合金层上。

2、为达到上述发明目的，本发明提供一种保护元件，其包括：

3、一本体，该本体包含有：

4、一基座，其为电绝缘材质并具有一第一表面及一第二表面；

5、一内连接层，其形成于该基座的第一表面；

6、一外连接层，其形成于该基座的第二表面且与该内连接层形成电连接；

7、一低熔点合金层，其设置于该基座的第一表面，且与该内连接层形成电连接，该低熔点合金层上具有至少一熔断区；

8、一盖体，其盖设于该本体上，该盖体的内侧面设有一容置槽及至少一引道，该容置槽与所述引道相连通，各所述引道对应于该低熔点合金层的其中一熔断区；

9、一助熔剂，其点设于该盖体的容置槽中，当该保护元件温度开始上升时，该助熔剂进入熔融状态而由该容置槽流入所述引道中，而使得助熔剂能对应设置于该低熔点合金层的熔断区上。

10、本发明的优点在于，借由盖体上容置槽与引道的设计，来使得助熔剂在熔融状态下能维持在低熔点合金层的熔断区上，而生产时也仅需要将助熔剂点设于该容置槽上，可有效减少生产步骤，则可节省生产步骤及成本。

11、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下，但不作为对本发明的限定。

技术特征：

1.一种保护元件，其特征在于，其包括：

2.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，其中该盖体的引道的数量为二，所述两个引道分别设于该容置槽的两侧。

3.如权利要求2所述的保护元件，其特征在于，其中所述引道呈平行设置，且所述引道与该容置槽成垂直设置。

4.如权利要求3所述的保护元件，其特征在于，其中该容置槽由两侧挡墙及一容置空间所构成，所述两侧挡墙分别设置于该容置空间的两侧，各所述引道包含有一凸肋，该凸肋垂直设置于所述侧挡墙的其中一端部，该凸肋具有一阶级部，该阶级部相邻于该容置槽的容置空间并与其相连通，该阶级部远离于该容置空间之侧为一长侧壁。

5.如权利要求4所述的保护元件，其特征在于，其中所述凸肋相邻于所述侧挡墙的矮壁的厚度小于该侧挡墙的厚度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的保护元件，其特征在于，其进一步包含有一发热层，该发热层埋设于该基座内且被该基座所包覆，该发热层与该外连接层及该低熔点合金层形成电连接。

7.如权利要求6所述的保护元件，其特征在于，其进一步包含一发热电极单元，该发热电极单元分别与该发热层、该外连接层及该低熔点合金层形成电连接，该发热层通过该发热电极单元与该外连接层及该低熔点合金层形成电连接。

8.如权利要求7所述的保护元件，其特征在于，其中该发热电极单元包含有一内发热电极及一外发热电极，该内发热电极设置于该基座的第一表面上，该低熔点合金层覆盖于该内发热电极上，该内发热电极分别与该发热层及该低熔点合金层形成电连接，该外发热电极设置于该基座的第二表面上，该外发热电极分别与该发热层及该外连接层形成电连接。

9.如权利要求1至5中任一项所述的保护元件，其特征在于，其中该内连接层包含有两个内回路电极，分别设置于该第一表面上邻近于两长侧处，该外连接层包含有两个外回路电极，分别设置于该第二表面上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极形成电连接，该低熔点合金层跨接于所述两个内回路电极，该低熔点合金层的熔断区的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极。

10.如权利要求8所述的保护元件，其特征在于，其中该内连接层包含有两个内回路电极，分别设置于该第一表面上邻近于两长侧处，该外连接层包含有两个外回路电极，分别设置于该第二表面上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极形成电连接，该低熔点合金层跨接于所述两个内回路电极，该低熔点合金层的熔断区的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极。

技术总结
本发明为一种具有盖体的保护元件，包含有基座及盖体，基座上设有低熔点合金层，盖体上设有容置槽及引道，引道对应于低熔点合金层的熔断区，助熔剂点设于该盖体的容置槽上，则当助熔剂熔融时，沿容置槽流入引道，而使得助熔剂能维持于低熔点合金层的熔断区上，故制造时仅须点设助熔剂于容置槽即可，可有效减少制造步骤进而降低生产成本。

技术研发人员：邱鸿智,邱柏硕
受保护的技术使用者：功得电子工业股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15