一种芯片封装方法以及装置与流程

1.本公开涉及芯片制造领域，具体而言，涉及一种芯片封装方法、装置、电子设备以及计算机可读存储介质。


背景技术：

2.电润湿原理操纵微流体的设想依次在水中操控水银液滴和水中操控油滴得到证实。经过ewod器件中液滴的移动、分裂、合并、混合等操控做了很多研究，被逐渐应用到芯片实验室、微透镜、显示等领域。其物理原理为：可以简单地通过改变液体的种类来改变体系的表面张力，也可以通过液体的化学组成来改变，比如在水中加入表面活化剂来改变表面张力，常用表面活化剂是十二烷基硫酸钠(sds)，能显著降低水的表面张力。同样，通过处理固体表面也能改变其表面张力，在ewod系统中，常用来改变固体表面张力的的方法是引入含氟聚合物，典型的聚合物cytop和teflon都有很低的表面张力，疏水性极好。本研究使用cytop聚合物，它具有良好的化学抗性、耐热、耐击穿、和良好的光学透光率等优良特性。
3.当施加电压时，液体、绝缘电介质和导电固体可以看做一个电容器，产生一个跨越电介质的电场，液体-电介质界面处发生电容式充电导致电荷积累，同时在电介质的另一个界面诱导产生等量异号的电荷。三相接触处边缘附近存在很大的电荷密度。较大的电荷密度近距离接触生成电场，因此引发了垂直于液体表面的静电力。固液界面处的表面张力平衡正是由于这个静电力的出现而被打破，但同时静电力也增加了表面的润湿性。
4.随之电润湿理论研究的深入，ewod器件虽然凭借体积小、低能耗、响应速度快等优点，自光学流体透镜、生物医学、光学显示器等领域有良好的应用前景，并取得了不错的进展。但是还有一些难题仍未得到良好的解决，如接触角饱和(开合小)、接触角滞后以及电润湿中的电解等。
5.在疏水亲油的介质表面滴上带色染料的油滴，再用水覆盖在上面，稳定后油将均匀平铺在介质表面。施加电压后平衡被打破，油膜通过收缩来改变油与疏水界面的接触角直到系统从新达到平衡，油膜收缩后下面的区域被暴露出来。通谈过改变电压来操纵油的收缩和回复，驱动液滴下的“开”和“关”两种状态。
6.基于介质上的电润湿效应(ewod)是在金属电极与电解液之间加入一层绝缘层薄膜，当在液体和电极之间施加一定的电压后，液固表面张力会发生可逆性的变化，这表现为液滴在固体表面接触角的变化。当液滴接触角发生对称均匀变化时，液滴在宏观上表现出从球形液滴铺展为液膜的过程。而如果接触角发生非对称变化时，就出现两侧液滴两侧接触线处的表面张力出现梯度，进而使得液滴的发生迁移和运动。
7.针对现有的水下封装，首先完成底片玻璃疏水层和su-8等微纳结构制作后，再经过rie、退火、化学药品处理等一系列工艺流程后，使用灌油设备，在水中完成对底片的灌油工作，制作结束后，放置于水中待用。选择ito玻璃作为顶盖，其中含ito金属层的一侧朝下放置(于水面接触)。将制作好的支撑层(含双面粘性的压敏胶或oca胶)粘贴于顶部玻璃金属面一侧，将衬底片和顶片在水下完成贴合、封装。形成封装结构中，支撑层有两个作用，其
一是控制支撑层的厚度，保证顶部和底部玻璃之间的缝隙高度，缝隙高度对器件的电器互联效果有很大的作用。其二是支撑层上下表面均为粘性的、具有粘接效果的胶层，将衬底和顶部玻璃粘贴后，形成密封的环境，锁住器件内部液体形态的水和油，避免液体溢出导致器件失效。
8.然而，该方案有两个明显的缺点，其一密封环境的可靠性很差，需要保存在水下或者湿润的环境中，无法在常规的室内保存，室外相对恶劣的环境下存放或使用更是无法实现；其二此类型的粘结胶层耐温性差，无法适应高温(60℃)和低温(5℃)的环境保存和使用，工艺窗口小。
9.因此，需要一种或多种方法解决上述问题。
10.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

11.本公开的目的在于提供一种芯片封装方法、装置、电子设备以及计算机可读存储介质，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
12.根据本公开的一个方面，提供一种芯片封装方法，包括：
13.加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；
14.在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；
15.基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。
16.在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：
17.在衬底材料上基于溅射、蒸发、电镀中的一种或多种工艺沉淀第一导电层，并基于剥离、光刻与干法刻蚀、光刻与湿法刻蚀中的一种或多种工艺对所述第一导电层进行图形化处理；
18.基于化学气相淀积、物理气相淀积、旋涂工艺中的一种或多种工艺在完成图形化处理的第一导电层上淀积第一介质层，基于光刻工艺对所述第一介质层进行图形化处理，基于湿法和干法刻蚀、光刻中的一种或多种工艺在完成图形化处理的第一介质层制作接触孔；
19.在包括接触孔的第一介质层上基于溅射、蒸发、电镀中的一种或多种工艺沉淀第二导电层，并基于剥离、光刻与干法刻蚀、光刻与湿法刻蚀中的一种或多种工艺对所述第二导电层进行图形化处理；
20.基于化学气相淀积、物理气相淀积、旋涂工艺中的一种或多种工艺在完成图形化处理的第二导电层上淀积第二介质层，并在所述第二介质层上基于旋涂、挂涂、热蒸发中的一种或多种工艺淀积表面疏水化层；
21.将所述表面疏水化层氧化处理后，在所述表面疏水化层上基于旋涂工艺制备亲水格栅，并进行灌油处理，完成待封装芯片的加工制作。
22.在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：
23.所述玻璃顶盖与所述待封装芯片的待封装区域尺寸相同，且所述玻璃顶盖的下层包含金属层。
24.在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：
25.所述玻璃顶盖的金属层下层还包括支撑层，所述支撑层用于在所述玻璃顶盖与所述待封装芯片贴合时与所述待封装芯片接触支撑所述玻璃顶盖，使所述玻璃顶盖与所述待封装芯片间保持预设间距。
26.在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：
27.在玻璃顶盖的金属层下层的支撑层内侧涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合。
28.在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：
29.在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖与所述待封装芯片在水中完成贴合。
30.在本公开的一种示例性实施例中，所述方法还包括：
31.所述固化胶粘度为1500～2500cps，耐温性：-20℃～125℃；
32.所述紫外光的预设参数为波长365～438nm紫外光。
33.在本公开的一个方面，提供一种芯片封装装置，包括：
34.待封装芯片生成模块，用于加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；
35.贴合封装模块，用于在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；
36.固化封装模块，用于基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。
37.在本公开的一个方面，提供一种电子设备，包括：
38.处理器；以及
39.存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据上述任意一项所述的方法。
40.在本公开的一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据上述任意一项所述的方法。
41.本公开的示例性实施例中的一种芯片封装方法，其中，该方法包括：加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。本公开中固化胶的使用，提高了器件水下封装工艺在保存、使用过程中的可靠性，通过该方案的实施，缩短了器件多批次的生产成本。
42.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
43.通过参照附图来详细描述其示例实施例，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
44.图1示出了根据本公开一示例性实施例的一种芯片封装方法的流程图；
45.图2a-2h示出了根据本公开一示例性实施例的一种芯片封装方法的待封装芯片生成步骤示意图；
46.图3a-3c示出了根据本公开一示例性实施例的一种芯片封装方法的固化封装示意图；
47.图4示出了根据本公开一示例性实施例的一种芯片封装装置的示意框图；
48.图5示意性示出了根据本公开一示例性实施例的电子设备的框图；以及
49.图6示意性示出了根据本公开一示例性实施例的计算机可读存储介质的示意图。
具体实施方式
50.现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
51.此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
52.附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
53.在本示例实施例中，首先提供了一种芯片封装方法；参考图1中所示，该一种芯片封装方法可以包括以下步骤：
54.步骤s110，加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；
55.步骤s120，在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；
56.步骤s130，基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。
57.本公开的示例性实施例中的一种芯片封装方法，其中，该方法包括：加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。本公开中固化胶的使用，提高了器件水下封装工艺在保存、使用过程中的可靠性，通过该方案的实施，缩短了器件多批次的生产成本。
58.下面，将对本示例实施例中的一种芯片封装方法进行进一步的说明。
59.在步骤s110中，可以加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；
60.在本示例的实施例中，所述方法还包括：
61.在衬底材料上基于溅射、蒸发、电镀中的一种或多种工艺沉淀第一导电层，并基于剥离、光刻与干法刻蚀、光刻与湿法刻蚀中的一种或多种工艺对所述第一导电层进行图形化处理；
62.基于化学气相淀积、物理气相淀积、旋涂工艺中的一种或多种工艺在完成图形化处理的第一导电层上淀积第一介质层，基于光刻工艺对所述第一介质层进行图形化处理，基于湿法和干法刻蚀、光刻中的一种或多种工艺在完成图形化处理的第一介质层制作接触孔；
63.在包括接触孔的第一介质层上基于溅射、蒸发、电镀中的一种或多种工艺沉淀第二导电层，并基于剥离、光刻与干法刻蚀、光刻与湿法刻蚀中的一种或多种工艺对所述第二导电层进行图形化处理；
64.基于化学气相淀积、物理气相淀积、旋涂工艺中的一种或多种工艺在完成图形化处理的第二导电层上淀积第二介质层，并在所述第二介质层上基于旋涂、挂涂、热蒸发中的一种或多种工艺淀积表面疏水化层；
65.将所述表面疏水化层氧化处理后，在所述表面疏水化层上基于旋涂工艺制备亲水格栅，并进行灌油处理，完成待封装芯片的加工制作。
66.在本示例的实施例中，如图2a为衬底准备步骤，衬底可以为玻璃片、聚酰亚胺(pi)或表面含有氧化层的硅片。
67.在本示例的实施例中，如图2b制作第一层金属层步骤，淀积第一层导电层并进行图形化，厚度50至500nm之间，材料可以为au、pt、al、ni、cr、ti中的一种或多种的合金或多层叠层，也可以是ito等金属氧化物导电层以及与au、pt、al、ni、cr、ti组成的多层叠层。其中，淀积的工艺可以为但不限于溅射、蒸发和电镀工艺。图形化的方法可以为剥离工艺，也可以是光刻与干法刻蚀，也可以是光刻与湿法刻蚀。
68.在本示例的实施例中，如图2c为绝缘介质层淀积步骤，利用化学气相淀积、物理气相淀积或旋涂工艺，淀积绝缘介质层，介质层厚度不大于5微米；介质层的材料可以为但不限于氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、聚酰亚胺、su8光刻胶中的一种或者多种形成的多层结构。其中，化学气相淀积可以为等离子体化学气相淀积(pecvd)、原子层淀积(ald)、离子耦合等离子体化学气相淀积(icp-cvd)，物理气相淀积可以为溅射或蒸发。
69.在本示例的实施例中，如图2d为制作接触孔步骤，通过光刻进行图形化，然后利用湿法和干法刻蚀接触孔，或直接光刻形成接触孔。
70.在本示例的实施例中，如图2e为第二层导电层图形化步骤，厚度50至500nm之间，材料可以为au、pt、al、ni、cr、ti中的一种或多种的合金或多层叠层，也可以是ito等金属氧化物导电层以及与au、pt、al、ni、cr、ti组成的多层叠层。其中，淀积的工艺可以为但不限于溅射、蒸发和电镀工艺。图形化的方法可以为剥离工艺，也可以是光刻与干法刻蚀，也可以是光刻与湿法刻蚀。
71.在本示例的实施例中，如图2f第二层介质层淀积步骤，利用化学气相淀积、物理气相淀积或旋涂工艺，淀积绝缘介质层，介质层厚度不大于5微米；介质层的材料可以为但不限于氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、聚酰亚胺、su8光刻胶、特氟龙、cytop中的一种或者多种形成的多层结构。其中，化学气相淀积可以为等离子体化学气相淀积(pecvd)、原子层淀积(ald)、离子耦合等离子体化学气相淀积(icp-cvd)，物理气相淀积可以为溅射
或蒸发。
72.在本示例的实施例中，如图2g为表面超疏水化步骤，通过淀积表面超疏水材料或者结构超疏水材料，在器件表面形成超疏水层。超疏水材料可以为但不限于teflon、cytop中的一种过多种形成的多层结构。淀积方法可以为旋涂(包括烘烤)、刮涂或热蒸发。
73.在本示例的实施例中，进行表面处理步骤，通常采用氧等离子体反应刻蚀机制(rie)轰击cytop表面。使其表面发生氧化反应，增加亲水格栅和疏水层之间的粘附性。
74.在本示例的实施例中，如图2h亲水格栅制作步骤，在器件表面经过旋涂的方法制备亲水格栅，目的是在加电驱动时，使油和水产生明显的分界，便于油性液滴的驱动。
75.在本示例的实施例中，灌油步骤，溶有黑色染料的十二烷溶液作为灌油用油，使用自制设备完成底片的灌油。
76.在步骤s120中，可以在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；
77.在本示例的实施例中，基于芯片在室温环境下保存时间较短的问题，采取方案为：当器件在水下封装完毕后，保存在室温环境中，擦净器件表面及封装缝隙的水分，保持器件密封边缘处于干燥环境，使用紫外固化胶沿器件封装边缘涂抹一层紫外固化胶(粘稠液体)，涂抹完毕后使器件处于紫外环境下，完成固化。然而若仅使用紫外固化胶沿器件封装边缘涂抹一层紫外固化胶，则存在几个问题，其一，紫外固化胶属于粘稠液体，在涂抹的过程中，容易出现液体的流动，很难形成密闭的环境，保持器件内部的水分不出现流失；其二，当器件至于室内环境时，密封性很难保持，可能在涂抹紫外胶的过程中出现漏液，稳定性差。故选取沿器件封装边缘的支撑层内侧涂抹一层紫外固化胶的方式，防止紫外固化胶流动，强化所述紫外固化胶的固化效果。
78.在本示例的实施例中，所述方法还包括：
79.所述玻璃顶盖与所述待封装芯片的待封装区域尺寸相同，且所述玻璃顶盖的下层包含金属层。
80.在本示例的实施例中，所述方法还包括：
81.所述玻璃顶盖的金属层下层还包括支撑层，所述支撑层用于在所述玻璃顶盖与所述待封装芯片贴合时与所述待封装芯片接触支撑所述玻璃顶盖，使所述玻璃顶盖与所述待封装芯片间保持预设间距。
82.在本示例的实施例中，所述方法还包括：
83.在玻璃顶盖的金属层下层的支撑层内侧涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合。
84.在本示例的实施例中，所述方法还包括：
85.在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖与所述待封装芯片在水中完成贴合。
86.在步骤s130中，可以基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。
87.在本示例的实施例中，使用含ito的玻璃作为顶盖，支撑层贴合完毕后，其中ito一侧为粘贴面，使用点胶机在支撑层内侧涂抹一层宽度1～2mm的固化胶，将上顶盖浸泡于水中，完成水下完成顶盖和底片的贴合，在紫外光的照射下，完成胶的固化。
88.在产品封装的过程中，原有的支撑层贴合完毕后，使用点胶机在支撑层内侧如图3b所示，涂抹一层宽度1～2mm的固化胶，胶的性质为高分子聚合物，具有良好的耐温性和疏水性，涂抹一圈固化胶后如图3a所示，将上顶盖浸泡于水中，完成水下贴合，在紫外光的照射下，完成胶的固化，使封装内的水和油被胶层固化在器件的内部，形成密闭的环境，提高了器件的可靠性。
89.在本示例的实施例中，如图3c所示，为盖板和衬底在水下完成封装后封装示意图，器件长时间保存在室内环境(25℃)水和油不漏液的问题。同时解决器件存放在自然环境下高温(60℃)、低温(5℃)中时，固化胶完好，未出现漏液现象。
90.在本示例的实施例中，所述方法还包括：
91.所述固化胶粘度为1500～2500cps，耐温性：-20℃～125℃；
92.所述紫外光的预设参数为波长365～438nm紫外光。
93.在本示例的实施例中，本方法利用了固化胶的耐温性、大分子结构特点及光固化或热固化后，对水、油等材质起到密封的作用，同时提升了芯片的粘接强度。
94.需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
95.此外，在本示例实施例中，还提供了一种芯片封装装置。参照图4所示，该一种芯片封装装置400可以包括：待封装芯片生成模块410、贴合封装模块420以及固化封装模块430。其中：
96.待封装芯片生成模块410，用于加工制作芯片的功能层，生成待封装芯片；
97.贴合封装模块420，用于在玻璃顶盖的下层涂抹预设宽度的固化胶，并将涂抹有固化胶的玻璃顶盖在水下环境与所述待封装芯片贴合；
98.固化封装模块430，用于基于预设参数的紫外光照射所述固化胶以使所述固化胶固化，完成所述待封装芯片的封装。
99.上述中各一种芯片封装装置模块的具体细节已经在对应的一种芯片封装方法中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。
100.应当注意，尽管在上文详细描述中提及了一种芯片封装装置400的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
101.此外，在本公开的示例性实施例中，还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。
102.所属技术领域的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施例、完全的软件实施例(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施例，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。
103.下面参照图5来描述根据本发明的这种实施例的电子设备500。图5显示的电子设备500仅仅是一个示例，不应对本发明实施例的功能和使用范围带来任何限制。
104.如图5所示，电子设备500以通用计算设备的形式表现。电子设备500的组件可以包
括但不限于：上述至少一个处理单元510、上述至少一个存储单元520、连接不同系统组件(包括存储单元520和处理单元510)的总线530、显示单元540。
105.其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元510执行，使得所述处理单元510执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。例如，所述处理单元510可以执行如图1中所示的步骤s110至步骤s130。
106.存储单元520可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)5201和/或高速缓存存储单元5202，还可以进一步包括只读存储单元(rom)5203。
107.存储单元520还可以包括具有一组(至少一个)程序模块5203的程序/实用工具5204，这样的程序模块5205包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
108.总线550可以为表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
109.电子设备500也可以与一个或多个外部设备570(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备500交互的设备通信，和/或与使得该电子设备500能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口550进行。并且，电子设备500还可以通过网络适配器560与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器560通过总线550与电子设备500的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备500使用其它硬件和/或软件模块，包括但不限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
110.通过以上的实施例的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施例可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。
111.在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施例中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。
112.参考图6所示，描述了根据本发明的实施例的用于实现上述方法的程序产品600，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
113.所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信
号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
114.计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
115.可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。
116.可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c++等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
117.此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
118.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
119.应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。