一种磁性元件、滤波器和成像设备的制作方法

1.本发明涉及梯度功放技术领域，尤其是涉及一种磁性元件、滤波器和成像设备。


背景技术：

2.在核磁共振成像领域中，梯度功放电路可以驱动梯度线圈同时输出x、y、z三个轴的电流成像序列，梯度功放电路可以使用不同的拓扑结构实现梯度线圈中电流的精确控制，从而达到成像目的。在众多的拓扑结构中，以图1所示的chb(级联h桥多电平，cascaded h-bridge)拓扑结构最为常见，这种拓扑结构中的每一个轴的功放电路均包含3级h桥的串联结构，每个h桥均由4个igbt(insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)和一个储能电容构成，并输出三相电压彼此错相120
°
，以达到线圈电压6倍频和减少线圈电流文波的目的，从而实现电流的精确控制。
3.在梯度功放电路中，emi滤波器与h桥的输出端连接，可用于过滤电流高频纹波。如图1所示，emi滤波器一般由滤波电感lf1和lf2，滤波电容cd1和cd2，阻尼电阻rd1和rd2组成，emi滤波器可以确保流过梯度线圈电流纹波足够小，以避免影响成像。但是，目前的滤波电感、滤波电容和阻尼电阻都是分立器件且体积偏大，导致emi滤波器整体占用空间比较大，而且，emi滤波器中的每个器件都要做独立热管理，这也导致emi滤波器的制作成本较高。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明提供了一种磁性元件、滤波器和成像设备，主要目的在于解决现有的emi滤波器占用空间大和制作成本高的技术问题。
5.为实现上述目的，本发明提供了一种磁性元件，该磁性元件包括磁芯和分别绕制于磁芯上的滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容，其中，滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容串联连接。
6.可选地，滤波电感包括第一金属元件，第一金属元件围绕在磁芯上或集成在磁芯上，第一金属元件的一端与阻尼电阻的一端连接。
7.可选地，阻尼电阻包括第二金属元件，第二金属元件围绕在磁芯上或集成在磁芯上，第二金属元件的一端设置为阻尼电阻的一端。
8.可选地，阻尼电容包括叠设的介电元件和绝缘元件，介电元件和绝缘元件围绕在磁芯上或集成在磁芯上，绝缘元件的一端通过金属引线与第二金属元件的另一端连接。
9.可选地，磁芯上设置有沟槽，第一金属元件、第二金属元件和叠设的介电元件与绝缘元件三者中的至少一个嵌入沟槽内。
10.可选地，磁芯包括相对设置的第一磁臂、第二磁臂和连接第一磁臂和第二磁臂端部的第三磁臂，滤波电感绕制于第一磁臂上，阻尼电阻绕制于第三磁臂上，阻尼电容绕制于第二磁臂上。
11.进一步的，本发明还提出了一种滤波器，该滤波器包括壳体和设置于壳体内的如
上述任一项实施例的磁性元件，其中，壳体外部设置有供外界与磁性元件连接的连接端。
12.可选地，滤波器还包括填充于壳体内的导热胶，导热胶用于包裹磁性元件。
13.可选地，滤波器还包括设置于导热胶内的冷却管路，冷却管路用于供冷却介质流过。
14.此外，本发明还提出了一种成像设备，该成像设备包括梯度功放电路，该梯度功放电路包括如上述任一项实施例所述的滤波器。
15.本发明提供的一种磁性元件、滤波器和成像设备，通过将滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容集成在同一个磁芯上，实现了将emi滤波器中所有被动元件集成为一个整体元件，从而节省了传统的emi滤波器中分立的阻尼电阻和阻尼电阻所占用的体积，有效的降低了滤波器的整体体积，并且，由于所有器件都集成在了一个磁芯上，在进行热管理时，只需对磁性元件做热管理即可，简单有效且成本较低。
16.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
17.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
18.图1示出了本发明实施例提供的一种chb拓扑结构的电路结构示意图；
19.图2示出了本发明实施例提供的一种chb拓扑结构的等效电路图；
20.图3示出了本发明实施例提供的一种chb拓扑结构的电流信号图；
21.图4示出了本发明实施例提供的一种chb拓扑结构的电流信号图；
22.图5示出了本发明实施例提供的一种chb拓扑结构的梯度线圈的电流信号图；
23.图6示出了本发明实施例提供的一种磁性元件的结构示意图；
24.图7示出了本发明实施例提供的一种磁性元件的等效电路图；
25.图8示出了本发明实施例提供的一种阻尼电容集成之前的结构示意图；
26.图9示出了本发明实施例提供的一种阻尼电容集成之后的结构示意图；
27.图10示出了本发明实施例提供的一种磁芯的结构示意图；
28.图11示出了本发明实施例提供的一种滤波器的壳体的结构示意图。
具体实施方式
29.下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
30.为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明申请的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
31.下面结合图1至图11描述根据本发明一些实施例所述的磁性元件、滤波器和成像设备。
32.首先，结合图1至图5对emi滤波器的工作原理做简单介绍。在梯度功放电路中，emi滤波器的主要功能是滤除功率器件带来的高频开关纹波电流。如图1的chb拓扑结构示意图和图2的chb拓扑结构的等效电路图所示，假设流过滤波电感lf1的电流为idc+iac，流过阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1的电流为iac，流过梯度线圈lgc的电流为idc(即图1中的igc)，其中，阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1组成阻尼电路的阻抗远小于梯度线圈lgc的阻抗。通过观察如图3和图4的电流信号图(其中，图4的电流信号图为图3电流信号图中方框所示的放大图)可知，流过滤波电感lf1上的电流iflt(即图2中的idc+iac)中的高频纹波电流大部分会流过阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1，即电流idamp(即图2中的iac)，从而确保留到梯度线圈lgc上的电流igc(即图2中的idc)的高频电流纹波峰峰值精度在0.1％以内。如图5的梯度线圈电流所示，直流电流基本上都会流过梯度线圈lgc，以此完成emi滤波器的滤波功能。
33.目前，梯度功放电路中的功率半导体的开关频率通常在20khz左右，因此，emi滤波器中的滤波电感的体积通常较大，同时，为了能够有效的滤除高频开关纹波电流，emi滤波器中的阻尼电容和阻尼电阻也非常占用空间，导致emi滤波器的整体体积较大，而且，在采用分立元件构成emi滤波器时，还需要考虑每个器件的独立散热方式，这导致滤波器的制作工艺较为复杂且制作成本较高。
34.基于此，为了解决上述问题，如图6所示，在一个实施例中，提出了一种磁性元件，该磁性元件包括一个公共的磁芯11和分别绕制于磁芯11上的滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1，其中，滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1串联连接。
35.本实施例提出的磁性元件，通过将滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容集成在同一个磁芯上，实现了将emi滤波器中所有被动元件集成为一个整体元件，从而节省了传统的emi滤波器中分立的阻尼电阻和阻尼电阻所占用的体积，有效的降低了滤波器的整体体积，并且，由于所有器件都集成在了一个磁芯上，在进行热管理时，只需对磁性元件做热管理即可，简单有效且成本较低。
36.在一个实施例中，如图6所示，滤波电感lf1包括第一金属元件12，阻尼电阻rd1包括第二金属元件13，阻尼电容cd1包括叠设的介电元件14和绝缘元件15。其中，第一金属元件12围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成滤波电感lf1；第二金属元件13围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成阻尼电阻rd1；两根金属引线16和17分别与介电元件14和绝缘元件15连接，再将介电元件14和绝缘元件15重叠放置后围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成阻尼电容cd1。其中，第一金属元件12的一端与第二金属元件13的一端连接，第二金属元件13的另一端通过金属引线与绝缘元件15连接，例如，假设介电元件14的一端与第一金属引线16连接，绝缘元件15的一端与第二金属引线17一端连接，则第二金属引线17的另一端与第二金属元件13的另一端连接，通过这种方式，使阻尼电阻rd1串联在滤波电感lf1和阻尼电容cd1之间。
37.在本实施例中，第一金属元件12可以是具有一定电导率的导线，通过将第二金属元件12绕制在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制第一金属元件12的绕线圈数和磁芯11的材料，即可得到设定电感值的滤波电感lf1。进一步的，第二金属元件13可以是具有一定电导率的导线，通过将第二金属元件13绕制在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制第二金属元件13的长度和横截面积，即可得到设定阻值的阻尼电阻rd1。进一步的，介电元件14可以是具有一定介电强度的材料，绝缘元件15可以为绝缘纸，通过将介电元件14和绝缘元件15
重叠设置后围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制介电元件14和绝缘元件15的相对面积，即可得到设定电容值的阻尼电容cd1。进一步的，通过将第一金属元件12的一端与第二金属元件13的一端连接，将第二金属元件13的另一端与第二金属引线17连接，可以使滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1形成串联结构，从而便于将磁性元件连入到梯度功放电路中，实现emi滤波功能。
38.进一步的，在将阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1集成在同一个磁芯上之后，需要评估两个器件对滤波电感lf1的影响。在本实施例中，可以通过磁性元件建模分析。具体的，如图6所示，当滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1都通过绕制的方式集成在磁芯上时，假设第一金属元件12、第二金属元件13和介电元件14分别在磁芯上绕制n1，n2，n3圈，则每个绕组对磁芯产生磁动势mmf(magnetomotive force，磁动势)分别为：
39.滤波电感lf1产生的磁动势为：mmf1＝n1x(idc+iac)；
40.滤波电组rd1产生的磁动势：mmf2＝n2xiac；
41.滤波电容cd1产生的磁动势：mmf1＝n3xiac。
42.由于滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1都是通过绕制的方式集成在磁芯上的，因此，其产生的mmf会对磁通ψ造成影响，从而会影响到滤波电感lf1，其中，磁性元件的等效电路如图7所示，磁通ψ的计算公式如下：
[0043][0044]
其中，r是等效磁阻，等效磁阻的阻值取决于磁芯尺寸和相对磁导率u。
[0045][0046]
如上所述，参照图2，流过阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1的电流是iac，其远远小于流过滤波电感lf1的电流lf1，即idc+iac。因此，为了减少mmf2的影响，可以选择导电率较大的材料，这样第二金属元件所需的材料比较少。同样，为了减少mmf3的影响，可以选择介电常数较大的材料，这样介电元件和绝缘元件所需的材料比较少。综合以上措施，当阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1集成到同一个磁芯上之后，其产生的mmf对磁通ψ的影响可以忽略，因此，滤波电感lf1的电感值基本上可以维持不变，此外，当阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1集成在磁芯上时，其影响会更小。需要说明的是，随着sic功率半导体逐渐成熟，功率半导体的开关频率必定会越来越高，此时，滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容的体积也会越来越小，在同一个磁芯上集成滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容的难度也会越来越低。
[0047]
在一些示例性实施例中，磁芯上设置有沟槽，第一金属元件、第二金属元件和叠设的介电元件与绝缘元件三者中的至少一个可以嵌入沟槽内。
[0048]
在一个实施例中，第一金属元件可以为第一金属线，其中，第一金属线可以围绕在磁芯上多圈，以形成滤波电感，或者第一金属元件也可以以围绕的形状集成在磁芯上，例如，可以将第二金属元件覆盖在磁芯的一个臂上，然后将第二金属元件刻蚀成围绕的形状，或者磁芯上设置第一沟槽，第一金属线嵌入第一沟槽内，以形成滤波电感。在本实施例中，滤波电感的电感值可以通过以下公式计算：
[0049]
l＝n2×
al；
[0050]
其中，n是第一金属元件的绕线圈数，al是磁芯的单位电感值。通过以上公式可知，在将第二金属元件绕制在磁芯上或集成在磁芯上之后，通过控制导线的绕线圈数和磁芯的材料，即可得到设定电感值的滤波电感。在本实施例中，第二金属材料可以选择铜等较为常用的金属材料，磁芯可以选择al值较低磁性材料，例如纳米晶体、铁硅铝磁合金等材料。
[0051]
在一个实施例中，第二金属元件可以为第二金属线，其中，第二金属线可以围绕在磁芯上多圈，以形成阻尼电阻，或者也可以在磁芯上设置第二沟槽，并将第二金属元件设置在第二沟槽中(例如，可以在第二金属元件融化为液体形态时将第二金属元件设置在第二沟槽中，也可以在第二金属元件为固体形态时将第二金属元件设置在第二沟槽中，其中，第二沟槽的形状不限)，以形成阻尼电阻。在本实施例中，阻尼电路的阻值可以通过以下公式计算：
[0052][0053]
其中，ρ是第二金属元件的导电率，l是第二金属元件的长度，s是第二金属元件的横截面积。具体的，通过选择适合的导电材料，并确定导电材料的截面积和长度，即可得到设定阻值的阻尼电阻。在本实施例中，第二金属元件可以选择金、银、铜、铝等金属材料，当第二金属元件选择的材料导电率偏大时，同样的电阻值，其导线长度更短，这样方便绕制或集成在磁芯上。
[0054]
在一个实施例中，如图8所示，可以将第一金属引线16与介电元件14的一端连接，将第二金属引线17与绝缘元件15的一端连接，然后将介电元件14和绝缘元件15重叠放置后围绕在磁芯上多圈，以形成阻尼电容；或者，将第一金属引线与介电元件连接，将第二金属引线与绝缘元件连接，并在磁芯上设置第三沟槽，然后将介电元件和绝缘元件重叠放置后设置在第三沟槽中，以形成阻尼电容。在本实施例中，以围绕的方式或集成的方式形成的阻尼电容均可以抽象为如图9所示的圆柱形电容，其中，阻尼电容的电容值可以通过以下公式计算：
[0055][0056]
其中，ε是介电元件的介电常数，l是介电元件的宽度，a是阻尼电容的内径，b是阻尼电容的外径，介电元件可以选择聚酰胺、聚乙烯、聚酰亚胺、聚丙烯、聚苯乙烯等材料。在本实施例中，根据电容的机械尺寸，可以匹配介电元件的不同尺寸，从而得到所需的阻尼电容值。
[0057]
在一个实施例中，磁芯包括相对设置的第一磁臂、第二磁臂和连接第一磁臂和第二磁臂的第三磁臂，其中，滤波电感绕制于第一磁臂上，阻尼电阻绕制于第三磁臂上，阻尼电容绕制于第二磁臂上。具体的，磁芯具体为一个闭环形状的磁芯。在本实施例中，磁芯可以为如图10所示的圆环形和如图6所示的方环形结构，且磁芯可以选择al值较低磁性材料，例如纳米晶体、铁硅铝磁合金等材料。通过这种方式，可以避免磁性元件漏磁到空气中，导致emi效果较差。此外，除图6和图10以外，磁芯也可以是其他能够形成能够闭环的形状，并不限于方环形结构和圆环形结构。在本实施例中，当磁芯的形状改变时，滤波电感、阻尼电阻和阻尼电容的集成方式不变。
[0058]
第二方面，本发明的实施例提供一种滤波器，该滤波器包括壳体和设置于壳体内的如上述任一项实施例所述的磁性元件。具体的，如图6和图11所示，该磁性元件包括一个公共的磁芯11和分别绕制于磁芯11上的滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1，其中，滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1串联连接。进一步的，壳体21可以由铝等金属材料制成，并且，壳体21的外部设置有供外界与磁性元件连接的连接端。在本实施例中，壳体21可以包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和第四连接端，其中，第一连接端与滤波电感的第一端(1)连接，第二连接端与滤波电感的第二端(2)连接，第三连接端与阻尼电容的第一端(3)连接，第四连接端与阻尼电容的第二端(4)连接。进一步的，参照图2和图6，滤波电感lf1的第二端(2)与功率模块的输出端电连接，滤波电感lf1的第一端(1)与梯度线圈的第一端电连接，阻尼电容的第一端(3)与阻尼电阻连接，进而与阻尼电阻和滤波电感串联，阻尼电容cd1的第二端(4)接地。
[0059]
本实施例提出的滤波器，通过选用磁性元件实现滤波功能，节省了传统的emi滤波器分立的阻尼电阻和阻尼电阻所占用的体积，有效的降低了滤波器的整体体积，并且，由于所有器件都集成在了一个磁芯上，在进行热管理时，只需对磁性元件做热管理即可，简单有效且成本较低。此外，通过利用磁性元件对所有集成器件整体进行emc管理，并使用金属外壳进行整体密闭，可以提供良好的辐射屏蔽效果。
[0060]
在一个实施例中，如图6所示，在上述磁芯元件中，滤波电感lf1包括第一金属元件12，阻尼电阻rd1包括第二金属元件13，阻尼电容cd1包括叠设的介电元件14和绝缘元件15。其中，第一金属元件12围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成滤波电感lf1；第二金属元件13围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成阻尼电阻rd1；两根金属引线16和17分别与介电元件14和绝缘元件15连接，再将介电元件14和绝缘元件15重叠放置后围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成阻尼电容cd1。其中，第一金属元件12的一端与第二金属元件13的一端连接，第二金属元件13的另一端通过金属引线与绝缘元件15连接，例如，假设介电元件14的一端与第一金属引线16连接，绝缘元件15的一端与第二金属引线17一端连接，则第二金属引线17的另一端与第二金属元件13的另一端连接，通过这种方式，使阻尼电阻rd1串联在滤波电感lf1和阻尼电容cd1之间。
[0061]
在本实施例中，第一金属元件12可以是具有一定电导率的导线，通过将第二金属元件12绕制在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制第一金属元件12的绕线圈数和磁芯11的材料，即可得到设定电感值的滤波电感lf1。进一步的，第二金属元件13可以是具有一定电导率的导线，通过将第二金属元件13绕制在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制第二金属元件13的长度和横截面积，即可得到设定阻值的阻尼电阻rd1。进一步的，介电元件14可以是具有一定介电强度的材料，绝缘元件15可以为绝缘纸，通过将介电元件14和绝缘元件15重叠设置后围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制介电元件14和绝缘元件15的相对面积，即可得到设定电容值的阻尼电容cd1。进一步的，通过将第一金属元件12的一端与第二金属元件13的一端连接，将第二金属元件13的另一端与第二金属引线17连接，可以使滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1形成串联结构，从而便于将磁性元件连入到梯度功放电路中，实现emi滤波功能。
[0062]
在一个实施例中，滤波器的壳体内填充有导热胶，其中，导热胶可用于包裹磁性元件。在本实施例中，当所有器件均集成在同一磁芯上之后，电流会流过绕组，且磁芯本身也
会产生损耗并造成发热，因此，需要对磁性元件进行热管理。比较简单做法是在壳体内部内部灌入高导热系数胶，外开用壳体的金属材料进行导热，这样可以确保集成器件的热传导性，并确保emc和机械可靠性，同时成本和体积也比传统的分立器件低。
[0063]
在一个实施例中，可以在导热胶中设置冷却管路，该冷却管路可用于供冷却介质流过，其中，冷却介质可以是水，也可以是风，也可以是冷却液等。在本实施例中，通过在导热胶固定前将冷却管路放置在滤波器中，可以实现滤波器的整体水冷散热，从而提高滤波器的散热效果。
[0064]
第三方面，本发明的实施例提供一种成像设备，该成像设备包括梯度功放电路，所述梯度功放电路包括如上述任一项实施例所述的滤波器，该滤波器包括包括壳体和设置于壳体内的如上述任一项实施例所述的磁性元件。具体的，如图6和图11所示，该磁性元件包括一个公共的磁芯11和分别绕制于磁芯11上的滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1，其中，滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1串联连接。进一步的，壳体21可以由铝等金属材料制成，并且，壳体21的外部设置有供外界与磁性元件连接的连接端。在本实施例中，壳体21可以包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和第四连接端，其中，第一连接端与滤波电感的第一端(1)连接，第二连接端与滤波电感的第二端(2)连接，第三连接端与阻尼电容的第一端(3)连接，第四连接端与阻尼电容的第二端(4)连接。进一步的，参照图2和图6，将磁性元件连入到梯度功放电路中可以参照以下方式：滤波电感lf1的第二端(2)与功率模块的输出端电连接，滤波电感lf1的第一端(1)与梯度线圈的第一端电连接，阻尼电容的第一端(3)与阻尼电阻连接，进而与阻尼电阻和滤波电感串联，阻尼电容cd1的第二端(4)接地。
[0065]
本实施例提出的成像设备，通过选用磁性元件实现滤波功能，节省了传统的emi滤波器中分立的阻尼电阻和阻尼电阻所占用的体积，有效的降低了滤波器的整体体积，并且，由于所有器件都集成在了一个磁芯上，在进行热管理时，只需对磁性元件做热管理即可，简单有效且成本较低，此外，通过利用磁性元件对所有集成器件整体进行emc管理，并使用金属外壳进行整体密闭，可以提供良好的辐射屏蔽效果。基于此，上述方案有效的降低了成像设备的组装复杂度和制作成本。
[0066]
在一个实施例中。如图6所示，在上述磁芯元件中，滤波电感lf1包括第一金属元件12，阻尼电阻rd1包括第二金属元件13，阻尼电容cd1包括叠设的介电元件14和绝缘元件15。其中，第一金属元件12围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成滤波电感lf1；第二金属元件13围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成阻尼电阻rd1；两根金属引线16和17分别与介电元件14和绝缘元件15连接，再将介电元件14和绝缘元件15重叠放置后围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，形成阻尼电容cd1。其中，第一金属元件12的一端与第二金属元件13的一端连接，第二金属元件13的另一端通过金属引线与绝缘元件15连接，例如，假设介电元件14的一端与第一金属引线16连接，绝缘元件15的一端与第二金属引线17一端连接，则第二金属引线17的另一端与第二金属元件13的另一端连接，通过这种方式，使阻尼电阻rd1串联在滤波电感lf1和阻尼电容cd1之间。
[0067]
在本实施例中，第一金属元件12可以是具有一定电导率的导线，通过将第二金属元件12绕制在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制第一金属元件12的绕线圈数和磁芯11的材料，即可得到设定电感值的滤波电感lf1。进一步的，第二金属元件13可以是具有一定电
导率的导线，通过将第二金属元件13绕制在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制第二金属元件13的长度和横截面积，即可得到设定阻值的阻尼电阻rd1。进一步的，介电元件14可以是具有一定介电强度的材料，绝缘元件15可以为绝缘纸，通过将介电元件14和绝缘元件15重叠设置后围绕在磁芯11上或集成在磁芯11上，并控制介电元件14和绝缘元件15的相对面积，即可得到设定电容值的阻尼电容cd1。进一步的，通过将第一金属元件12的一端与第二金属元件13的一端连接，将第二金属元件13的另一端与第二金属引线17连接，可以使滤波电感lf1、阻尼电阻rd1和阻尼电容cd1形成串联结构，从而便于将磁性元件连入到梯度功放电路中，实现emi滤波功能。
[0068]
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。